JPH0684781A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0684781A JPH0684781A JP4235813A JP23581392A JPH0684781A JP H0684781 A JPH0684781 A JP H0684781A JP 4235813 A JP4235813 A JP 4235813A JP 23581392 A JP23581392 A JP 23581392A JP H0684781 A JPH0684781 A JP H0684781A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- solvent
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- resist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板に付着させたレジストなどに含まれる溶
剤を蒸発させる半導体製造装置に関し、特に蒸発した溶
剤が液滴となってレジストなどに落下するのを防止でき
る半導体製造装置の提供を目的とする。 【構成】 基板11を加熱し、この基板11に付着させた付
着物12に含まれる溶剤13を蒸発させる溶剤乾燥手段21
と、基板11の直上に配設されて、空気中の浮遊塵が基板
11上に落下するのを防止する防塵手段31とを含んでなる
半導体製造装置において、防塵手段31が、基板11に付着
した付着物12上に浮遊塵が落下するのを防止する防塵カ
バー本体31a と、この防塵カバー本体31a の裏面に固定
されて付着物12から蒸発する溶剤13の凝結を防止する加
熱板31b とを含ませて構成する。
剤を蒸発させる半導体製造装置に関し、特に蒸発した溶
剤が液滴となってレジストなどに落下するのを防止でき
る半導体製造装置の提供を目的とする。 【構成】 基板11を加熱し、この基板11に付着させた付
着物12に含まれる溶剤13を蒸発させる溶剤乾燥手段21
と、基板11の直上に配設されて、空気中の浮遊塵が基板
11上に落下するのを防止する防塵手段31とを含んでなる
半導体製造装置において、防塵手段31が、基板11に付着
した付着物12上に浮遊塵が落下するのを防止する防塵カ
バー本体31a と、この防塵カバー本体31a の裏面に固定
されて付着物12から蒸発する溶剤13の凝結を防止する加
熱板31b とを含ませて構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に付着させたレジ
ストなどに含まれる溶剤を蒸発させる半導体製造装置、
特に蒸発した溶剤が液滴となってレジストなどに落下す
るのを防止できる半導体製造装置に関する。
ストなどに含まれる溶剤を蒸発させる半導体製造装置、
特に蒸発した溶剤が液滴となってレジストなどに落下す
るのを防止できる半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】次に、半導体ウェーハ等の基板に付着さ
せたレジストに含まれる溶剤を蒸発させる従来の半導体
製造装置について図２を参照して説明する。図２は、従
来の半導体製造装置の模式的な要部側断面図である。
せたレジストに含まれる溶剤を蒸発させる従来の半導体
製造装置について図２を参照して説明する。図２は、従
来の半導体製造装置の模式的な要部側断面図である。
【０００３】図２において、11は基板、12は基板11の表
面に付着させたレジスト、13はレジスト12に含まれる溶
剤、21は水平な表面を有する熱板21a とこの熱板21a を
加熱する加熱ヒータ21b とでなるホットプレート、22は
基板11に付着させたレジスト12に空気中の浮遊塵（図示
せず）が落下するのを防止する板状の防塵カバー、23は
ホットプレート21を内部に収容し、頂部を開口して設け
た開口部23a が防塵カバー22により自在に開閉される炉
体である。
面に付着させたレジスト、13はレジスト12に含まれる溶
剤、21は水平な表面を有する熱板21a とこの熱板21a を
加熱する加熱ヒータ21b とでなるホットプレート、22は
基板11に付着させたレジスト12に空気中の浮遊塵（図示
せず）が落下するのを防止する板状の防塵カバー、23は
ホットプレート21を内部に収容し、頂部を開口して設け
た開口部23a が防塵カバー22により自在に開閉される炉
体である。
【０００４】このような従来の半導体製造装置により、
基板11の表面に付着したレジスト12に含まれる溶剤を蒸
発させて乾燥するには、まず炉体23の開口部23a からこ
の炉体23内に収納した基板11をホットプレート21の熱板
21a 上に載置する。
基板11の表面に付着したレジスト12に含まれる溶剤を蒸
発させて乾燥するには、まず炉体23の開口部23a からこ
の炉体23内に収納した基板11をホットプレート21の熱板
21a 上に載置する。
【０００５】この熱板21a は加熱ヒータ21b により予め
加熱されているため、この熱板21a上に載置された基板1
1は直ちに温度上昇するとともに、この基板11に付着し
たレジスト12に含まれる溶剤13も盛んな蒸発を開始す
る。
加熱されているため、この熱板21a上に載置された基板1
1は直ちに温度上昇するとともに、この基板11に付着し
たレジスト12に含まれる溶剤13も盛んな蒸発を開始す
る。
【０００６】そして、このような基板11の加熱を予め定
めた時間継続するとレジスト12中の溶剤13はある程度蒸
発し、レジスト12の乾燥が完了することとなる。
めた時間継続するとレジスト12中の溶剤13はある程度蒸
発し、レジスト12の乾燥が完了することとなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した従
来の半導体製造装置の防塵カバー22の裏面( ホットプレ
ート21の熱板21a と対面している面) には、レジスト12
から蒸発した溶剤13が液滴13' となって付着する。
来の半導体製造装置の防塵カバー22の裏面( ホットプレ
ート21の熱板21a と対面している面) には、レジスト12
から蒸発した溶剤13が液滴13' となって付着する。
【０００８】そして、この液滴13' が成長し、その大き
さがある大きさを越えると防塵カバー22の裏面から落下
してレジスト12に付着することがまま発生していた。こ
のような防塵カバー22の裏面への溶剤13の液滴13' の付
着は、基板11の昇温速度を緩やかにし、レジスト12から
の溶剤13の蒸発速度を落とすことで防止できるが、それ
ではレジスト12の乾燥に時間が掛かり過ぎるという問題
があった。
さがある大きさを越えると防塵カバー22の裏面から落下
してレジスト12に付着することがまま発生していた。こ
のような防塵カバー22の裏面への溶剤13の液滴13' の付
着は、基板11の昇温速度を緩やかにし、レジスト12から
の溶剤13の蒸発速度を落とすことで防止できるが、それ
ではレジスト12の乾燥に時間が掛かり過ぎるという問題
があった。
【０００９】したがって、従来の半導体製造装置におい
ては、レジスト12の乾燥を短時間で行うとすると、防塵
カバー22の裏面から溶剤13の液滴13' がレジスト12上に
落下するという問題が発生し、また、この問題を回避し
ようとするとレジスト12の乾燥に時間が掛かり過ぎると
いう二律背反的な問題があった。
ては、レジスト12の乾燥を短時間で行うとすると、防塵
カバー22の裏面から溶剤13の液滴13' がレジスト12上に
落下するという問題が発生し、また、この問題を回避し
ようとするとレジスト12の乾燥に時間が掛かり過ぎると
いう二律背反的な問題があった。
【００１０】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は蒸発した溶剤が液
滴となってレジストなどに落下するのを防止できる半導
体製造装置の提供にある。
になされたものであって、その目的は蒸発した溶剤が液
滴となってレジストなどに落下するのを防止できる半導
体製造装置の提供にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的は図１に示すよ
うに、基板11を加熱し、この基板11に付着させた付着物
12に含まれる溶剤13を蒸発させる溶剤乾燥手段21と、基
板11の直上に配設されて、空気中の浮遊塵が基板11上に
落下するのを防止する防塵手段31とを含んでなる半導体
製造装置において、防塵手段31が、基板11に付着した付
着物12上に浮遊塵が落下するのを防止する防塵カバー本
体31a と、この防塵カバー本体31a の裏面に固定されて
付着物12から蒸発する溶剤13の凝結を防止する加熱板31
b とを含んで構成されていることを特徴とする半導体製
造装置により達成される。
うに、基板11を加熱し、この基板11に付着させた付着物
12に含まれる溶剤13を蒸発させる溶剤乾燥手段21と、基
板11の直上に配設されて、空気中の浮遊塵が基板11上に
落下するのを防止する防塵手段31とを含んでなる半導体
製造装置において、防塵手段31が、基板11に付着した付
着物12上に浮遊塵が落下するのを防止する防塵カバー本
体31a と、この防塵カバー本体31a の裏面に固定されて
付着物12から蒸発する溶剤13の凝結を防止する加熱板31
b とを含んで構成されていることを特徴とする半導体製
造装置により達成される。
【００１２】
【作用】溶剤乾燥手段21により基板11を加熱し、この基
板11に付着した付着物12に含まれる溶剤13を蒸発させる
際に、防塵手段31の加熱板31b を加熱しておけば、付着
物12から蒸発して加熱板31b の裏面に到達した溶剤13
は、この加熱板31b の裏面から直ちに再蒸発して図２で
示すような液滴13' が発生することはない。
板11に付着した付着物12に含まれる溶剤13を蒸発させる
際に、防塵手段31の加熱板31b を加熱しておけば、付着
物12から蒸発して加熱板31b の裏面に到達した溶剤13
は、この加熱板31b の裏面から直ちに再蒸発して図２で
示すような液滴13' が発生することはない。
【００１３】したがって本発明は、付着物12から蒸発し
た溶剤13が、この付着物12上に液滴13' となって落下す
るのを防止できる半導体製造装置の提供を可能にする。
た溶剤13が、この付着物12上に液滴13' となって落下す
るのを防止できる半導体製造装置の提供を可能にする。
【００１４】
【実施例】以下、図１を参照して本発明の一実施例の半
導体製造装置を説明する。図１は本発明の一実施例の半
導体製造装置の模式的な要部側断面図である。
導体製造装置を説明する。図１は本発明の一実施例の半
導体製造装置の模式的な要部側断面図である。
【００１５】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。図１に示すように本発明の一実施例の半導体製造
装置は、図２を参照して説明した従来の半導体製造装置
の防塵カバー22を、任意の温度に加熱できる防塵カバー
31 (防塵手段31) に代えて構成したものである。
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。図１に示すように本発明の一実施例の半導体製造
装置は、図２を参照して説明した従来の半導体製造装置
の防塵カバー22を、任意の温度に加熱できる防塵カバー
31 (防塵手段31) に代えて構成したものである。
【００１６】この防塵カバー31は、基板11に付着したレ
ジスト12上に浮遊塵が落下するのを防止する防塵カバー
本体31a と、この防塵カバー本体31a の裏面に固定され
てレジスト12から蒸発する溶剤13の凝結を防止する加熱
板31b とを含んで構成したものである。
ジスト12上に浮遊塵が落下するのを防止する防塵カバー
本体31a と、この防塵カバー本体31a の裏面に固定され
てレジスト12から蒸発する溶剤13の凝結を防止する加熱
板31b とを含んで構成したものである。
【００１７】このような防塵カバー31においては、加熱
板31b の平板31b1に埋め込んだ加熱ヒータ31b2を電圧可
変電源（図示せず）に接続し、この加熱ヒータ31b2に電
流を流すことにより平板31b1を所定温度に加熱できる。
板31b の平板31b1に埋め込んだ加熱ヒータ31b2を電圧可
変電源（図示せず）に接続し、この加熱ヒータ31b2に電
流を流すことにより平板31b1を所定温度に加熱できる。
【００１８】したがって、本発明の一実施例の半導体製
造装置においては、そのホットプレート21 (溶剤乾燥手
段21) により基板11を加熱し、この基板11に付着したレ
ジスト12に含まれる溶剤13を蒸発させて乾燥する際に、
防塵カバー31 (防塵手段31)の加熱板31b を加熱してお
けば、レジスト12から蒸発して加熱板31b の裏面に到達
した溶剤13は、この加熱板31b の裏面から直ちに再蒸発
して図２で示すような液滴13' が発生することがないの
で、レジスト12上に液滴13' となって落下することはな
い。
造装置においては、そのホットプレート21 (溶剤乾燥手
段21) により基板11を加熱し、この基板11に付着したレ
ジスト12に含まれる溶剤13を蒸発させて乾燥する際に、
防塵カバー31 (防塵手段31)の加熱板31b を加熱してお
けば、レジスト12から蒸発して加熱板31b の裏面に到達
した溶剤13は、この加熱板31b の裏面から直ちに再蒸発
して図２で示すような液滴13' が発生することがないの
で、レジスト12上に液滴13' となって落下することはな
い。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、蒸発した
溶剤が液滴となってレジストなどに落下するのを防止で
きる半導体製造装置の提供を可能にする。
溶剤が液滴となってレジストなどに落下するのを防止で
きる半導体製造装置の提供を可能にする。
【００２０】したがって、本発明の半導体製造装置を採
用して半導体装置等を製造すれば、その製造歩留りを向
上できることとなる。
用して半導体装置等を製造すれば、その製造歩留りを向
上できることとなる。
【図１】は、本発明の一実施例の半導体製造装置の模式
的な要部側断面図
的な要部側断面図
【図２】は、従来の半導体製造装置の模式的な要部側断
面図
面図
11は、基板 12は、レジスト (付着物) 13は、溶剤 13' は、溶剤13の液滴 21は、ホットプレート（溶剤乾燥手段） 21a は、熱板 21b は、加熱ヒータ 22は、防塵カバー（防塵手段） 23は、炉体 23a は、開口部 31は、防塵カバー 31a は、防塵カバー本体 31b は、加熱板 31b1は、平板、 31b2は、加熱ヒータ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板(11)を加熱し、この基板(11)に付着
させた付着物(12)に含まれる溶剤(13)を蒸発させる溶剤
乾燥手段(21)と、 前記基板(11)の直上に配設され、空気中の浮遊塵が基板
(11)上に落下するのを防止する防塵手段(31)とを含んで
なる半導体製造装置において、 前記防塵手段(31)が、前記基板(11)に付着した付着物(1
2)上に前記浮遊塵が落下するのを防止する防塵カバー本
体(31a) と、この防塵カバー本体(31a) の裏面に固定さ
れて前記付着物(12)から蒸発する前記溶剤(13)の凝結を
防止する加熱板(31b) とを含んで構成されていることを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235813A JPH0684781A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235813A JPH0684781A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684781A true JPH0684781A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16991640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4235813A Withdrawn JPH0684781A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684781A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217319B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-04-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing device and method of processing wafer |
| KR100431293B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2004-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조장비 |
| JP2011114339A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | ガス排気方法及びガス排気を行う基板加熱装置 |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP4235813A patent/JPH0684781A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217319B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-04-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing device and method of processing wafer |
| KR100431293B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2004-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조장비 |
| JP2011114339A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | ガス排気方法及びガス排気を行う基板加熱装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |