JPH0684975A - 半導体素子の組立方法 - Google Patents
半導体素子の組立方法Info
- Publication number
- JPH0684975A JPH0684975A JP4230625A JP23062592A JPH0684975A JP H0684975 A JPH0684975 A JP H0684975A JP 4230625 A JP4230625 A JP 4230625A JP 23062592 A JP23062592 A JP 23062592A JP H0684975 A JPH0684975 A JP H0684975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive layer
- layer
- paste
- paste layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子のマウント工程における濡れ性の
向上と、安定した膜厚を供給する点。 【構成】 接着剤やペーストの入った容器に設ける隙間
にフィルムを通すことにより接着剤層やペースト層を塗
布後、コレットを下降して被固着物に接着剤層やペース
ト層を転写する。更に接着剤層やペースト層に半導体素
子を固着する。従って、多様な接着剤層やペースト層に
合わせてレットを設計することにより、多品種の被固着
物に対応することができる。
向上と、安定した膜厚を供給する点。 【構成】 接着剤やペーストの入った容器に設ける隙間
にフィルムを通すことにより接着剤層やペースト層を塗
布後、コレットを下降して被固着物に接着剤層やペース
ト層を転写する。更に接着剤層やペースト層に半導体素
子を固着する。従って、多様な接着剤層やペースト層に
合わせてレットを設計することにより、多品種の被固着
物に対応することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子をフィルム
に接着剤を用いてマウントする半導体素子の組立方法に
関する。
に接着剤を用いてマウントする半導体素子の組立方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】最近のように集積度の高い半導体素子の
組立工程としては、リードフレームを利用する方式に代
えて、合成樹脂製フィルムに半導体素子をマウントする
方法も採られている。半導体素子をマウントするには、
適当な粘度の接着剤やペーストを利用する方法も利用し
ており、図１乃至図８により説明する。
組立工程としては、リードフレームを利用する方式に代
えて、合成樹脂製フィルムに半導体素子をマウントする
方法も採られている。半導体素子をマウントするには、
適当な粘度の接着剤やペーストを利用する方法も利用し
ており、図１乃至図８により説明する。
【０００３】リードフレームに半導体素子をマウントす
る方式としていわゆるポッティング方式も利用されてお
り、図１及び図２により説明する。一点ノズル１または
多点ノズル２を用いてリードフレーム３に滴下する接着
剤層４やペースト層４に半導体素子５を接触させ、かつ
適当な荷重により押圧して両者を固着する。被接着物と
しては、半導体素子５の外にセラミック基板なども適用
可能である。また、適当な粘度の接着剤層４を一点ノズ
ル１から半導体素子５に滴下する例の断面図を図３に、
または多点ノズル２からの例の断面図を図４に明らかに
する。
る方式としていわゆるポッティング方式も利用されてお
り、図１及び図２により説明する。一点ノズル１または
多点ノズル２を用いてリードフレーム３に滴下する接着
剤層４やペースト層４に半導体素子５を接触させ、かつ
適当な荷重により押圧して両者を固着する。被接着物と
しては、半導体素子５の外にセラミック基板なども適用
可能である。また、適当な粘度の接着剤層４を一点ノズ
ル１から半導体素子５に滴下する例の断面図を図３に、
または多点ノズル２からの例の断面図を図４に明らかに
する。
【０００４】更に、図５は、図３の状態を適当な荷重に
より押圧した断面図であり、図６は、図４の状態を適当
な荷重により押圧した断面図である。
より押圧した断面図であり、図６は、図４の状態を適当
な荷重により押圧した断面図である。
【０００５】図７と図８は、接着剤層４またはペースト
層４内に発生したボイド（Ｖｏｉｄ）６と、半導体素子
４の側面にはみだした接着剤層またはペースト層４を明
らかにした図である。
層４内に発生したボイド（Ｖｏｉｄ）６と、半導体素子
４の側面にはみだした接着剤層またはペースト層４を明
らかにした図である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一点ノズル１を用いて
滴下後の接着剤層４やペースト層４の形状は、円形にな
るために、半導体素子５を一定の荷重で押圧しても、角
が濡れない。一方、多点ノズル２を利用した際は、ノズ
ルの配列状態を変えることにより被接着材の表面や角な
どが良く濡れるが、滴下した接着剤層４やペースト層４
間の空気を巻込んで広がるので、一点ノズル１を使用し
た場合より気泡が残る頻度が大きい。
滴下後の接着剤層４やペースト層４の形状は、円形にな
るために、半導体素子５を一定の荷重で押圧しても、角
が濡れない。一方、多点ノズル２を利用した際は、ノズ
ルの配列状態を変えることにより被接着材の表面や角な
どが良く濡れるが、滴下した接着剤層４やペースト層４
間の空気を巻込んで広がるので、一点ノズル１を使用し
た場合より気泡が残る頻度が大きい。
【０００７】被接着物である半導体素子用基板の寸法が
大きくなるにつれて、接着剤やペーストの吐出量が増え
るので、接着剤層４やペースト層４の厚さが大きくなる
か、厚さが不均一になってしまう。この難点を避けるに
は、半導体素子用基板の寸法毎に濡れ性や厚さの条件を
見付けることが必要になる。
大きくなるにつれて、接着剤やペーストの吐出量が増え
るので、接着剤層４やペースト層４の厚さが大きくなる
か、厚さが不均一になってしまう。この難点を避けるに
は、半導体素子用基板の寸法毎に濡れ性や厚さの条件を
見付けることが必要になる。
【０００８】本発明は、このような事情により成された
もので、特に、濡れ性の向上と安定した膜厚を供給する
ことを目的とする。
もので、特に、濡れ性の向上と安定した膜厚を供給する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】フィルムに接着剤層また
はペースト層を一定の膜厚に塗布する工程と，このフィ
ルムの塗布面の反対側から押圧して接着剤層またはペー
スト層に接触する被固着物を転写する工程と，転写した
被固着物の接着剤層またはペースト層に半導体素子を固
着する工程とから成る点に本発明に係わる半導体素子の
組立方法の特徴がある。
はペースト層を一定の膜厚に塗布する工程と，このフィ
ルムの塗布面の反対側から押圧して接着剤層またはペー
スト層に接触する被固着物を転写する工程と，転写した
被固着物の接着剤層またはペースト層に半導体素子を固
着する工程とから成る点に本発明に係わる半導体素子の
組立方法の特徴がある。
【００１０】
【作用】本発明方法では、フィルムに塗布した接着剤層
またはペースト層をリードフレームなどの被固着物に転
写後、半導体素子を接着剤層またはペースト層により固
着する方式を採用する。被固着物に接着剤層またはペー
スト層を転写するには、接着剤層またはペースト層の入
った容器に設けた隙間を合成樹脂製のフィルムを通過さ
せことることにより、任意の幅と厚さの接着剤層または
ペースト層をフィルムに塗布後、塗布面と反対側からコ
レットを下降してフィルムから被固着物に接着剤層また
はペースト層だけを転写する方式を本発明に係わる半導
体素子の組立装置に採用する。これにより被固着物に
は、一定の厚さの接着剤層またはペースト層を形成し、
しかも濡れ性が良好に維持される。
またはペースト層をリードフレームなどの被固着物に転
写後、半導体素子を接着剤層またはペースト層により固
着する方式を採用する。被固着物に接着剤層またはペー
スト層を転写するには、接着剤層またはペースト層の入
った容器に設けた隙間を合成樹脂製のフィルムを通過さ
せことることにより、任意の幅と厚さの接着剤層または
ペースト層をフィルムに塗布後、塗布面と反対側からコ
レットを下降してフィルムから被固着物に接着剤層また
はペースト層だけを転写する方式を本発明に係わる半導
体素子の組立装置に採用する。これにより被固着物に
は、一定の厚さの接着剤層またはペースト層を形成し、
しかも濡れ性が良好に維持される。
【００１１】従って多用化している被固着物の形状に合
わせてコレットを設計することにより、多品種の組立工
程に対応することができる。
わせてコレットを設計することにより、多品種の組立工
程に対応することができる。
【００１２】
【実施例】本発明に係わる一実施例を図９乃至図１５を
参照して説明する。図９は、本発明に係わる半導体素子
の組立方法に利用する装置の上面図、図１０が図９のＢ
方向の側面図、図１１が図９のＡ方向の側面図、図１２
が全体の要部を明らかにする斜視図、図１３と図１４が
コレットによる押圧状態を示す断面図、図１５が組立後
の断面図である．コレットによるダイボンディング工程
を行う本発明の半導体素子の組立方法は、従来のような
いわゆるポッティング方式は利用せず、図１２の斜視図
に明らかにする装置を利用してリードフレームに半導体
素子をマウントする。即ち、接着剤層またはペ−スト層
４を充填する容器６には、図１１に明らかなように合成
樹脂製のフィルム７が通れる隙間８を設け、通過するフ
ィルム７に接着剤層またはペ−スト層４を一定の厚さに
転写する方式を採る。
参照して説明する。図９は、本発明に係わる半導体素子
の組立方法に利用する装置の上面図、図１０が図９のＢ
方向の側面図、図１１が図９のＡ方向の側面図、図１２
が全体の要部を明らかにする斜視図、図１３と図１４が
コレットによる押圧状態を示す断面図、図１５が組立後
の断面図である．コレットによるダイボンディング工程
を行う本発明の半導体素子の組立方法は、従来のような
いわゆるポッティング方式は利用せず、図１２の斜視図
に明らかにする装置を利用してリードフレームに半導体
素子をマウントする。即ち、接着剤層またはペ−スト層
４を充填する容器６には、図１１に明らかなように合成
樹脂製のフィルム７が通れる隙間８を設け、通過するフ
ィルム７に接着剤層またはペ−スト層４を一定の厚さに
転写する方式を採る。
【００１３】接着剤層またはペ−スト層４を転写するに
当たっては、図１１と図１２に示すように、容器６に一
対のローラ９を設置してフィルム７が転送可能とすると
共に、図１１に明らかにするように容器６から流れた接
着剤層またはペ−スト層４がフィルム７の搬送方向に沿
って移動する。このために接着剤層またはペ−スト層４
は、所定の粘度に調整する。
当たっては、図１１と図１２に示すように、容器６に一
対のローラ９を設置してフィルム７が転送可能とすると
共に、図１１に明らかにするように容器６から流れた接
着剤層またはペ−スト層４がフィルム７の搬送方向に沿
って移動する。このために接着剤層またはペ−スト層４
は、所定の粘度に調整する。
【００１４】説明が前後するが、容器６には、図１２な
どに示すように接着剤層層またはペ−スト層４を収容す
る部屋１０を設けるが、その下部に壁１１を形成して接
着剤層層またはペ−スト層４がローラの一方９を介して
隙間８に流れてフィルム７と一緒に搬送する状態とす
る。そして、図１１に示すように容器６の端に対応する
隙間８部分には、マイクロメータ１２を付設するストッ
パー１３を設置して接着剤層４またはペースト層４量を
調整する。
どに示すように接着剤層層またはペ−スト層４を収容す
る部屋１０を設けるが、その下部に壁１１を形成して接
着剤層層またはペ−スト層４がローラの一方９を介して
隙間８に流れてフィルム７と一緒に搬送する状態とす
る。そして、図１１に示すように容器６の端に対応する
隙間８部分には、マイクロメータ１２を付設するストッ
パー１３を設置して接着剤層４またはペースト層４量を
調整する。
【００１５】この結果、壁１１から流出する接着剤層ま
たはペースト層４は、ローラ９の外周部分を伝わって、
ローラ９間に挟持するフィルム７に転写する。
たはペースト層４は、ローラ９の外周部分を伝わって、
ローラ９間に挟持するフィルム７に転写する。
【００１６】一方、フィルム７を転送可能にするために
配置する一対のローラ９は、部屋１０に近接する方を固
定状態にして、対応する下側を回転可能にする構成が選
択でき、図示しない例えばステッピングモータの稼働に
より回転させる。
配置する一対のローラ９は、部屋１０に近接する方を固
定状態にして、対応する下側を回転可能にする構成が選
択でき、図示しない例えばステッピングモータの稼働に
より回転させる。
【００１７】なお、一対のローラ９は、フィルム７を転
送するのに便利なように複数箇所に形成することも可能
である。
送するのに便利なように複数箇所に形成することも可能
である。
【００１８】ストッパー１２などにより所定量の接着剤
層４またはペースト層４を塗布したフィルム７は、図１
３に明らかにするように被固着物である例えばリードフ
レーム３の上に搬送後、コレット１４を適当の荷重で押
圧して接着剤層またはペースト層４をリードフレーム３
上正確にはベッド部（図示せず）に転写する。なお、コ
レット１４は、固着面積に対応する底部１５を備えてい
る。
層４またはペースト層４を塗布したフィルム７は、図１
３に明らかにするように被固着物である例えばリードフ
レーム３の上に搬送後、コレット１４を適当の荷重で押
圧して接着剤層またはペースト層４をリードフレーム３
上正確にはベッド部（図示せず）に転写する。なお、コ
レット１４は、固着面積に対応する底部１５を備えてい
る。
【００１９】図１４は、コレット１４を押圧工程で所定
の面積即ち底部１５に対応する面積がフィルム７から引
離された状態を明らかにした。
の面積即ち底部１５に対応する面積がフィルム７から引
離された状態を明らかにした。
【００２０】この工程を終えてから、リードフレーム３
のベッド部に転写した接着剤層またはペースト層４に所
定の半導体素子５を固着してマウント工程を終える（図
１５参照）。
のベッド部に転写した接着剤層またはペースト層４に所
定の半導体素子５を固着してマウント工程を終える（図
１５参照）。
【００２１】この一連の工程を終えてから、フィルム７
を１ピッチ搬送して、新たなフィルム７部分に同一工程
を繰返して所定の半導体素子５のダイボンディング工程
を量産的に行うことが可能になる。
を１ピッチ搬送して、新たなフィルム７部分に同一工程
を繰返して所定の半導体素子５のダイボンディング工程
を量産的に行うことが可能になる。
【００２２】
【発明の効果】本発明に係わる半導体素子の組立方法に
より、一定の膜厚で半導体素子に応じた良好な濡れ性を
確保することができる。また、コレットの形状を設計す
ることにより、リードフレームなどに設置する分割した
ベッド部やスリット入りベッド部などあらゆる形状に対
応することが可能になる。即ち接着剤層４またはペース
ト層４の形状を文字や記号のようにすることができ、Ｘ
線での観察により確認できる。
より、一定の膜厚で半導体素子に応じた良好な濡れ性を
確保することができる。また、コレットの形状を設計す
ることにより、リードフレームなどに設置する分割した
ベッド部やスリット入りベッド部などあらゆる形状に対
応することが可能になる。即ち接着剤層４またはペース
ト層４の形状を文字や記号のようにすることができ、Ｘ
線での観察により確認できる。
【図１】従来のポッティング工程に使用する一点ノズル
の断面図である。
の断面図である。
【図２】従来のポッティング工程に使用する多点ノズル
の断面図である。
の断面図である。
【図３】従来の一点ノズルより接着剤層またはペースト
層をリードフレームに滴下した状態を示す断面図であ
る。
層をリードフレームに滴下した状態を示す断面図であ
る。
【図４】従来の多点ノズルより接着剤層またはペースト
層をリードフレームに滴下した状態を示す断面図であ
る。
層をリードフレームに滴下した状態を示す断面図であ
る。
【図５】従来の工程によりリードフレームに一点ノズル
より滴下した接着剤層またはペースト層に半導体素子を
マウント後の断面図である。
より滴下した接着剤層またはペースト層に半導体素子を
マウント後の断面図である。
【図６】従来の工程によりリードフレームに多点ノズル
より滴下した接着剤層またはペースト層に半導体素子を
マウント後の断面図である。
より滴下した接着剤層またはペースト層に半導体素子を
マウント後の断面図である。
【図７】図５に示した半導体素子の周囲に接着剤層また
はペースト層がはみだした状態を明らかにする上面図で
ある。
はペースト層がはみだした状態を明らかにする上面図で
ある。
【図８】図６に示した半導体素子の周囲に接着剤層また
はペースト層がはみだした状態を明らかにする上面図で
ある。
はペースト層がはみだした状態を明らかにする上面図で
ある。
【図９】本発明方法を行うのに使用する装置の上面を示
す図である。
す図である。
【図１０】図９のＢ側面を示す図である。
【図１１】図９のＡ側面を示す図である。
【図１２】本発明方法を行うのに使用する装置の概略を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１３】図１２の装置による転写工程に続く圧着工程
を明らかにする断面図である。
を明らかにする断面図である。
【図１４】図１３示す工程に続いてコレットを引上げる
工程の断面図である。
工程の断面図である。
【図１５】本発明の最終工程である半導体素子と転写フ
ィルムの固着工程を明らかにする断面図である。
ィルムの固着工程を明らかにする断面図である。
１：一点ノズル、 ２：多点ノズル、 ３：リードフレーム、 ４：接着剤層またはペースト層、 ５：半導体素子、 ６：容器、 ７：フィルム、 ８：隙間、 ９：ローラ、 １０：部屋、 １１：壁、 １２：ストッパー、 １３：マイクロメータ、 １４：コレット、 １５：底部。
Claims (1)
- 【請求項１】 フィルムに接着剤層またはペースト層を
一定の膜厚に塗布する工程と，前記フィルムの塗布面の
反対側から押圧して接着剤層またはペースト層のみを被
固着物に転写する工程と，転写した被固着物の接着剤層
またはペースト層に半導体素子を固着する工程とから成
ることを特徴とする半導体素子の組立方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4230625A JPH0684975A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体素子の組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4230625A JPH0684975A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体素子の組立方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684975A true JPH0684975A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16910714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4230625A Pending JPH0684975A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体素子の組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684975A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100465573B1 (ko) * | 2002-03-16 | 2005-01-13 | 주식회사 나래나노텍 | 칩 소자의 수지 코팅 시스템 및 수지 코팅방법 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP4230625A patent/JPH0684975A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100465573B1 (ko) * | 2002-03-16 | 2005-01-13 | 주식회사 나래나노텍 | 칩 소자의 수지 코팅 시스템 및 수지 코팅방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7487815B2 (en) | Terminal electrode forming apparatus and system for holding electronic components | |
| TWI705524B (zh) | 半導體製造裝置、半導體裝置之製造方法及夾頭 | |
| US4844325A (en) | Method and apparatus for die-bonding semiconductor chip bonding | |
| JPH0684975A (ja) | 半導体素子の組立方法 | |
| JP6842567B2 (ja) | ダイの実装に用いられる這い上がり防止用のｐｔｆｅシート及びダイの実装方法 | |
| JPS608426Y2 (ja) | 半導体ウエハ−の保持基板 | |
| US6302316B1 (en) | Ball arrangement method and arrangement apparatus | |
| US20020182774A1 (en) | Die-attach method and assemblies using film and epoxy bonds | |
| JPS58132954A (ja) | 混成集積回路の封止方法 | |
| KR20020089492A (ko) | 웨이퍼 후면에 다이 부착물질의 사전 도포 | |
| US7498202B2 (en) | Method for die attaching | |
| JP2007300052A (ja) | フリップチップ実装の部品とその製造方法 | |
| JP4005077B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び粘性液体の塗膜方法 | |
| TWI889102B (zh) | 半導體晶片對準方法、接合方法、半導體裝置以及電子零件製造系統 | |
| US12177988B2 (en) | Wafer level bump stack for chip scale package | |
| JP2006295186A (ja) | 無テープのダイアタッチ方式による集積回路パッケージプロセス | |
| JPH04122093A (ja) | ペーストの転写方法と転写治具 | |
| JPH11289146A (ja) | 複合配線材及びその製造方法 | |
| JP4184993B2 (ja) | 部品実装方法及びその装置 | |
| US20010016462A1 (en) | Wire bonding method and apparatus | |
| JPH01140751A (ja) | 半導体搭載用セラミック基板へのリードピン接合方法 | |
| JP2019134104A (ja) | 板状体の実装方法 | |
| JPS6376356A (ja) | 自動フイン付け装置 | |
| JP2000036502A5 (ja) | ||
| JPH0294446A (ja) | 半導体装置の製造方法 |