JPH01140751A - 半導体搭載用セラミック基板へのリードピン接合方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体搭載用セラミック基板、特にその裏面側
即ち半導体素子取り付は面とは反対側の面に設けられた
金属層とリードピンとをロウ付は接合する型の半導体搭
載用セラミック基板における金属層とり−ドビンとのロ
ウ付は方法に関するものである。

（従来の技術） 半導体搭載用セラミック基板は、セラミックの特性であ
る優れた耐熱性、耐薬品性、あるいは熱放散性等を有し
ているため、近年多用されてきている。この半導体搭載
用セラミック基板には、その表面の所望箇所に半導体素
子を取り付けてこれを当該半導体搭載用セラミック基板
に設けた金属層と電気的に接続する必要がある。また、
近年この種半導体搭載用セラミ’７り基板では、その表
面側に半導体素子を取り付け、その裏面側にリードピン
を設けて、これら半導体素子及びリードピンを導通可能
に形成したスルーホール等を介して電気的に接続する型
のものが提案されてきている。

このようなリードピンを使用する型の半導体搭載用セラ
ミック基板においては、リードピンを何等かの方法によ
って基板表面又はその裏面に設けられている金属層に固
定し、かつ電気的に接続する必要がある。この接続の方
法としては次に示すようなものが考えられる。その第一
は、導通可能に形成されたスルーホール内にリードピン
の先端を嵌合して固定する方法である（特開昭６２−１
９６８５５号公報）。この第一の方法は、リードピンを
嵌合する際に基板に亀裂を生ぜしめるおそれがある等の
問題があるため、近年においては余り採用されていない
。その第二は、リードピンをスルーホール内に嵌合しな
いで、このスルーホールと電気的に接続する金属層を基
板の裏面に設けておき、この金属層にリードピンをロウ
付けする方法である。この第二の方法は、基板自体をリ
ードピンの嵌合の際に亀裂せしめるような問題は生じな
いが、基板側に金属層を強固に接続することが必須条件
となるものである。しかし、従来の方法ではリードピン
を接合するための金属層とセラミック基板との密着強度
が不足している。

これを解決するために、リードピンを接合するための金
属層とセラミック基板との密着を化学的に行うことによ
り、両者の密着強度を優れたものとすることができる半
導体搭載用セラミック基板の製造方法を先に提案した（
特願昭６２−２４７４３２号明細書）。

すなわち、この製造方法では、第４図（ａ）及び（ｂ）
に示すように半導体搭載用セラミック基板の、リードピ
ン１５が接合される側の面に対して、アルカリ溶液を用
いて表面平滑化の処理を行うようにすると共に、この表
面処理が行われた面に薄膜法により金属層１４を形成す
るようにすることにある。さらに詳細には、この金属層
１４を、セラミック基板１１側から拡散防止層１４ａ、
導体層１４ｂ及び活性金属層１４Ｃの三層構造に構成す
るようにしている。

かように形成した金属層１４にはり一ドビン１５をロウ
付けにより固着するが、この半導体搭載用セラミック基
板へのロウ付けはリードピン１５の基板接合部先端にロ
ウを付けておいてリードピン配列後軽圧し還元雰囲気で
溶融接合するようにしている。

（発明が解決しようとする問題点） かかる半導体搭載用セラミック基板は通常の集積回路の
半導体装置では極めて好適であるが、近年急速に発展し
て来た大規模集積回路（ＬＳ　Ｉ）や超大規模集積回路
（ＶＬＳｒ）では配線密度の極めて高い半導体搭載用セ
ラミック基板が要求されるようになり、それに併せてピ
ン目体も極小、極細のリードピンを使用する要求が高ま
っている。

しかし、上述した半導体搭載用セラミック基板では、使
用するリードピンが極小、極細であるため上述したロウ
付は接合は不可能である。

本発明は上述した半導体搭載用セラミック基板の金属層
に上述した極小、極細のリードピンを良好に接合し得る
半導体搭載用セラミック基板へのリードピンの接合方法
を提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明方法はセラミック基板を形成し、このセラミック
基板の半導体搭載面とは反対側の面に対して、アルカリ
溶液などによる表面平滑化処理を施し、この表面平滑化
処理面に薄膜法により金属層を形成した半導体搭載用セ
ラミック基板にり−ドビンを接合するに当たり、前記金
属層上に選択的にロウ材を設ける工程と、このロウ材の
上に治具を用いてリードピンを配置する工程と、これら
金属層及びリードピンを還元雰囲気でロウ付けする工程
とを備えることを特徴とする 本発明方法では第１図（ａ）に示すように、セラミック
基板Ｉに設けた金属層４上に種々の手段でロウ材６を選
択的に被着し、竿１図（ｂ）に示すように、このロウ材
６に対し極小、極細のり一ドビン５を配置し、次いで、
還元雰囲気中で溶融接合して第１図（ｃ）に示すように
、ロウ材のフィレット７により金属層４とリードピン５
とを剛固に固着する。

（作用） かように、本発明方法によればリードピン５の先端にロ
ウ材を被着しないで、金属層４にあらかじめロウ材を被
着し、これにリードピン５を取り付けて化学的処理によ
りこのリードピンを金属層４に固着する為、リードピン
が極小、極細であっても容易に金属層に固着することが
出来る。

（実施例） 次に、本発明方法の実施例を説明する。本発明ではセラ
ミック基板１に設けた金属層４に対しペースト状のロウ
材６をスクリーン、メタルマスクなどでパターン印刷す
る（第１図（ａ））。次いで、適当な治具（図示せず）
を用いて第１図（ｂ）に示すように、極小、極細のリー
ドピン５をロウ材６上に配置し、還元雰囲気中で化学的
処理によりロウ材６をフィレット化し、金属層４に極小
、極細のリードピン５を固着する（第１図（Ｃ））。

本発明方法の他の実施例では第２図（ａ）に示すように
、セラミック基板１に金属層４を設けた後に、基板全面
に亘りペースト状のロウ材６′をベタ印刷する。次いで
フォトリソグラフ法により第２図（ｂ）に示すように、
前記金属層４上にロウ材６を選択的に残存させる。その
後の処理は第１図に示す第１例につき説明する所と同様
である。

本発明方法の他の実施例では第３図に示すようｉこ、セ
ラミック基板１に金属層４を設けた後に、この金属層４
上にロウ材のシート６′を載せて熱圧着し、その後フォ
トリソグラフ法により第２図（ｂ）に示すように、前記
金属層４上にロウ材６を選択的に残存させる。その後の
処理は第１図に示す第１例につき説明する所と同様であ
る。

本例によれば、他の実施例の場合と相違しロウ材の印刷
時にペースト中のバインダーの残部による炭素の汚染が
全く生じない利点がある。

本発明方法で使用するロウ材としては、銀ロウなどが好
適である。

本発明は上述した例にのみ限定されるものではなく、例
えば第２及び第３実施例において、金属層を形成する過
程において同時にフォトリソグラフ法でロウ材及び金属
層を形成する事も出来る。

（発明の効果） 上述したように、本発明によればシリコン基板に設けた
接続用金属層にロウ材を設ける事により化学的処理を用
いて極小、極細のリードピンを上記金属層に剛固に固着
することが出来、従ってＶＬ］Ｉに極めて好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は本発明半導体搭載用
セラミック基板へのリードピンの接合方法の１例を示す
断面図； 第２図（ａ）及び（ｂ）は、本発明方法の他の例を示す
断面図； 第３図は本発明方法の更に他の例を示す断面図第４図（
ａ）、（ｂ）は、従来の半導体搭載用セラミック基板へ
のリードピンの接合方法を示す断面図ならびにＡ矢視部
詳細図である。 １　・・・　セラミック基板 ４　・・・　金属層 ５　・・・　リードピン ６．６’　、６’　　・・・　ロウ材 ７　・・・　フィレット 特許出願人　　イビデン株式会社 代理人　弁理士　　小　川　順　三 同　　　弁理士　　村　１）政　治 第１図 （Ｇ）　　　　　　ロウ材 （ｂ） （Ｃ） 第２図（Ｇ） 第２図（ｂ） 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、セラミック基板を形成し、このセラミック基板の半
   導体搭載面とは反対側の面に対して表面平滑化処理を施
   し、この表面平滑化処理面に薄膜法により金属層を形成
   した半導体搭載用セラミック基板にリードピンを接合す
   るに当たり、前記金属層上に選択的にロウ材を設ける工
   程と、このロウ材の上にリードピンを配置する工程と、
   これら金属層及びリードピンを還元雰囲気でロウ付けす
   る工程とを備えることを特徴とする半導体搭載用セラミ
   ック基板へのリードピンの接合方法。 ２、前記金属層上に選択的にロウ材を設ける工程は、基
   板上にペースト状のロウ材をスクリーン、メタルマスク
   などを用いて選択的にパターン印刷することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の半導体搭載用セラミッ
   ク基板へのリードピンの接合方法。 ３、前記金属層上に選択的にロウ材を設ける工程は、基
   板上にペースト状のロウ材をベタ印刷し、次いでフォト
   リソグラフ法により前記金属層上にロウ材を残存させる
   ようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の半導体搭載用セラミック基板へのリードピンの接合
   方法。 ４、前記金属層上に選択的にロウ材を設ける工程は、基
   板上にロウ材のシートを載置し、このシートを前記金属
   層に熱圧着し、次いでフォトリソグラフ法により前記金
   属層上にロウ材を残存させるようにしたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の半導体搭載用セラミッ
   ク基板へのリードピンの接合方法。