JPH0684991A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0684991A JPH0684991A JP4255732A JP25573292A JPH0684991A JP H0684991 A JPH0684991 A JP H0684991A JP 4255732 A JP4255732 A JP 4255732A JP 25573292 A JP25573292 A JP 25573292A JP H0684991 A JPH0684991 A JP H0684991A
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- Japan
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- wire
- insulation
- bonded
- loop
- bonding
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 通常にボンディングされているワイヤのルー
プ形状を変化させて配線箇所の実装高さを低減させるこ
とができるようにする。 【構成】 集積回路チップ20のパッド21と他の部材
のリード23との間で電気的な接続を行うために、予め
絶縁被覆ワイヤ22をボンディングする。この通常にボ
ンディングされている絶縁被覆ワイヤ22に、絶縁被覆
ワイヤ24を交差させて押さえ付けるようにパッド25
間でボンディングを行う。絶縁被覆ワイヤ22のループ
形状を機械的に変化させて低くし、配線箇所の実装高さ
を低減する。 【効果】 通常のワイヤボンディングの後にループ高さ
を低減させることができ、小型薄型パッケージの半導体
装置を実現することができる。
プ形状を変化させて配線箇所の実装高さを低減させるこ
とができるようにする。 【構成】 集積回路チップ20のパッド21と他の部材
のリード23との間で電気的な接続を行うために、予め
絶縁被覆ワイヤ22をボンディングする。この通常にボ
ンディングされている絶縁被覆ワイヤ22に、絶縁被覆
ワイヤ24を交差させて押さえ付けるようにパッド25
間でボンディングを行う。絶縁被覆ワイヤ22のループ
形状を機械的に変化させて低くし、配線箇所の実装高さ
を低減する。 【効果】 通常のワイヤボンディングの後にループ高さ
を低減させることができ、小型薄型パッケージの半導体
装置を実現することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ボンディングワイヤを
用いた配線箇所を有する半導体装置に関するものであ
る。
用いた配線箇所を有する半導体装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、集積回路チップから電気信号を取
り出すためのワイヤボンディング法の一つとしてボール
ボンディング法がある。このボールボンディング法はパ
ッド直上にワイヤを取り出すために全方向へルーピング
できる自由度の高い汎用的なボンディング法である。と
ころで、近年の集積回路パッケージの薄型化に伴い、ボ
ンディングワイヤのループ高さの低減が求められてお
り、ボンディング法やワイヤ材によって低ループワイヤ
リングへの努力がなされてきている。
り出すためのワイヤボンディング法の一つとしてボール
ボンディング法がある。このボールボンディング法はパ
ッド直上にワイヤを取り出すために全方向へルーピング
できる自由度の高い汎用的なボンディング法である。と
ころで、近年の集積回路パッケージの薄型化に伴い、ボ
ンディングワイヤのループ高さの低減が求められてお
り、ボンディング法やワイヤ材によって低ループワイヤ
リングへの努力がなされてきている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のボンディング法やワイヤ材による低ループ化
は、通常のボンディング装置に特別な改造を施したり特
殊なワイヤ材を用いたりする必要があるので、これらに
よって配線箇所の実装高さを低減させることは簡単では
ないという問題があった。そこで本発明は、通常にボン
ディングされているワイヤのループ形状を変化させて配
線箇所の実装高さを低減させることができる半導体装置
を提供することを目的とする。
た従来のボンディング法やワイヤ材による低ループ化
は、通常のボンディング装置に特別な改造を施したり特
殊なワイヤ材を用いたりする必要があるので、これらに
よって配線箇所の実装高さを低減させることは簡単では
ないという問題があった。そこで本発明は、通常にボン
ディングされているワイヤのループ形状を変化させて配
線箇所の実装高さを低減させることができる半導体装置
を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体装置は、電気的な接続を行うた
めに予めワイヤがボンディングされている配線箇所に、
絶縁被覆ワイヤを前記ワイヤに交差させてこのワイヤを
押さえ付けるようにボンディングしてなるものである。
また、前記予めボンディングされているワイヤが絶縁被
覆ワイヤであってもよい。なお、前記絶縁被覆ワイヤが
電気的な接続を行うワイヤであってもよい。
に、本発明による半導体装置は、電気的な接続を行うた
めに予めワイヤがボンディングされている配線箇所に、
絶縁被覆ワイヤを前記ワイヤに交差させてこのワイヤを
押さえ付けるようにボンディングしてなるものである。
また、前記予めボンディングされているワイヤが絶縁被
覆ワイヤであってもよい。なお、前記絶縁被覆ワイヤが
電気的な接続を行うワイヤであってもよい。
【0005】
【作用】上記のように構成された本発明においては、接
触しても十分な絶縁耐力を有しかつ裸金ワイヤと同程度
の接合性を有する絶縁被覆ワイヤを、ボンディングワイ
ヤによる配線箇所のループ変形に使用する。短絡の危険
性のない絶縁被覆ワイヤを、予めボンディングされてい
るワイヤ上に交差させて押さえ付けるようにボンディン
グすることによって、既にあるワイヤのループ形状を機
械的に変化させて低くし、実装高さの低減によって薄型
パッケージに対応した配線箇所になる。ワイヤを押さえ
付けるためにボンディング装置の通常の機能を使用する
ため、予めボンディングされているワイヤとして絶縁被
覆ワイヤを使用した場合は、ワイヤを交換せずに連続し
て低ループ化することができる。なお、従来のベアワイ
ヤを用いてある配線箇所に本発明を適用するには、ワイ
ヤの交換や複数台のボンディング装置を使用する。ルー
プ変形用の絶縁被覆ワイヤは電気的な接続とは関係の無
いワイヤでよいが、このループ変形用の絶縁被覆ワイヤ
によって電気的な接続も行うようにすると、より高密度
な配線箇所で実装高さを低減させることができる。
触しても十分な絶縁耐力を有しかつ裸金ワイヤと同程度
の接合性を有する絶縁被覆ワイヤを、ボンディングワイ
ヤによる配線箇所のループ変形に使用する。短絡の危険
性のない絶縁被覆ワイヤを、予めボンディングされてい
るワイヤ上に交差させて押さえ付けるようにボンディン
グすることによって、既にあるワイヤのループ形状を機
械的に変化させて低くし、実装高さの低減によって薄型
パッケージに対応した配線箇所になる。ワイヤを押さえ
付けるためにボンディング装置の通常の機能を使用する
ため、予めボンディングされているワイヤとして絶縁被
覆ワイヤを使用した場合は、ワイヤを交換せずに連続し
て低ループ化することができる。なお、従来のベアワイ
ヤを用いてある配線箇所に本発明を適用するには、ワイ
ヤの交換や複数台のボンディング装置を使用する。ルー
プ変形用の絶縁被覆ワイヤは電気的な接続とは関係の無
いワイヤでよいが、このループ変形用の絶縁被覆ワイヤ
によって電気的な接続も行うようにすると、より高密度
な配線箇所で実装高さを低減させることができる。
【0006】
【実施例】以下、本発明を実施例に従って説明する。
【0007】実施例1 図1(a)に示すように、集積回路チップの外部端子の
パッド面11と他の部材のリード面13とに、絶縁被覆
ワイヤ12を通常にボンディングした。この絶縁被覆ワ
イヤ12によるルーピングのループ高さは250μmで
ある。この後、図1(b)に示すように、絶縁被覆ワイ
ヤ12によるルーピングに、絶縁被覆ワイヤ14をクロ
スさせて押さえ付けるようにボンディングした。これに
よって、絶縁被覆ワイヤ12のループ高さを200μm
まで低減し、従来よりも薄型化した配線箇所を有する集
積回路パッケージを作製した。
パッド面11と他の部材のリード面13とに、絶縁被覆
ワイヤ12を通常にボンディングした。この絶縁被覆ワ
イヤ12によるルーピングのループ高さは250μmで
ある。この後、図1(b)に示すように、絶縁被覆ワイ
ヤ12によるルーピングに、絶縁被覆ワイヤ14をクロ
スさせて押さえ付けるようにボンディングした。これに
よって、絶縁被覆ワイヤ12のループ高さを200μm
まで低減し、従来よりも薄型化した配線箇所を有する集
積回路パッケージを作製した。
【0008】実施例2 図2に示すように、集積回路チップ20の各パッド21
と他の部材の各リード23とに、それぞれ絶縁被覆ワイ
ヤ22を通常にボンディングした。これら絶縁被覆ワイ
ヤ22によるルーピングのループ高さは240μmであ
る。この後、各絶縁被覆ワイヤ22によるルーピングの
ループ高さを均一にするために、2本の絶縁被覆ワイヤ
24をクロスさせて押さえ付けるようにパッド25間で
ボンディングを交互に行った。これによって、各絶縁被
覆ワイヤ22のループ高さを160μmまで低減し、薄
型パッケージングを実現した。
と他の部材の各リード23とに、それぞれ絶縁被覆ワイ
ヤ22を通常にボンディングした。これら絶縁被覆ワイ
ヤ22によるルーピングのループ高さは240μmであ
る。この後、各絶縁被覆ワイヤ22によるルーピングの
ループ高さを均一にするために、2本の絶縁被覆ワイヤ
24をクロスさせて押さえ付けるようにパッド25間で
ボンディングを交互に行った。これによって、各絶縁被
覆ワイヤ22のループ高さを160μmまで低減し、薄
型パッケージングを実現した。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来のボンディング法やワイヤ材による低ループ化の努
力ではなく、通常のワイヤボンディングの後に絶縁被覆
ワイヤのメリットを利用したループ変形を行うことによ
って、通常のボンディング装置に特別な改造を施したり
特殊なループ材を用いたりすることなく、簡単に配線箇
所の実装高さを低減させることができ、小型薄型パッケ
ージ化に貢献することができる。
従来のボンディング法やワイヤ材による低ループ化の努
力ではなく、通常のワイヤボンディングの後に絶縁被覆
ワイヤのメリットを利用したループ変形を行うことによ
って、通常のボンディング装置に特別な改造を施したり
特殊なループ材を用いたりすることなく、簡単に配線箇
所の実装高さを低減させることができ、小型薄型パッケ
ージ化に貢献することができる。
【図1】本発明の実施例1において、(a)は配線用の
絶縁被覆ワイヤを通常にボンディングした状態の概略断
面図、(b)はループ変形用の絶縁被覆ワイヤでループ
高さを低減させた状態の概略断面図である。
絶縁被覆ワイヤを通常にボンディングした状態の概略断
面図、(b)はループ変形用の絶縁被覆ワイヤでループ
高さを低減させた状態の概略断面図である。
【図2】本発明の実施例2において、配線用の絶縁被覆
ワイヤのループ高さをループ変形用の絶縁被覆ワイヤで
低減させた状態の概略斜視図である。
ワイヤのループ高さをループ変形用の絶縁被覆ワイヤで
低減させた状態の概略斜視図である。
11 パッド面 12 配線用の絶縁被覆ワイヤ 13 リード面 14 ループ変形用の絶縁被覆ワイヤ 20 集積回路チップ 21 パッド 22 配線用の絶縁被覆ワイヤ 23 リード 24 ループ変形用の絶縁被覆ワイヤ 25 パッド
Claims (3)
- 【請求項1】 電気的な接続を行うために予めワイヤが
ボンディングされている配線箇所に、絶縁被覆ワイヤを
前記ワイヤに交差させてこのワイヤを押さえ付けるよう
にボンディングしてなる半導体装置。 - 【請求項2】 前記予めボンディングされているワイヤ
が絶縁被覆ワイヤであることを特徴とする請求項1記載
の半導体装置。 - 【請求項3】 前記絶縁被覆ワイヤが電気的な接続を行
うワイヤであることを特徴とする請求項1記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255732A JPH0684991A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255732A JPH0684991A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684991A true JPH0684991A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17282866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4255732A Withdrawn JPH0684991A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684991A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5625235A (en) * | 1995-06-15 | 1997-04-29 | National Semiconductor Corporation | Multichip integrated circuit module with crossed bonding wires |
| US5994784A (en) * | 1997-12-18 | 1999-11-30 | Micron Technology, Inc. | Die positioning in integrated circuit packaging |
| US6441501B1 (en) * | 2000-09-30 | 2002-08-27 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Wire-bonded semiconductor device with improved wire arrangement scheme for minimizing abnormal wire sweep |
| CN104051400A (zh) * | 2013-03-12 | 2014-09-17 | 飞思卡尔半导体公司 | 接合线的支架 |
| US12159857B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-12-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP4255732A patent/JPH0684991A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5625235A (en) * | 1995-06-15 | 1997-04-29 | National Semiconductor Corporation | Multichip integrated circuit module with crossed bonding wires |
| US5994784A (en) * | 1997-12-18 | 1999-11-30 | Micron Technology, Inc. | Die positioning in integrated circuit packaging |
| US6441501B1 (en) * | 2000-09-30 | 2002-08-27 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Wire-bonded semiconductor device with improved wire arrangement scheme for minimizing abnormal wire sweep |
| CN104051400A (zh) * | 2013-03-12 | 2014-09-17 | 飞思卡尔半导体公司 | 接合线的支架 |
| US12159857B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-12-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |