JPH0685126A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0685126A JPH0685126A JP4265220A JP26522092A JPH0685126A JP H0685126 A JPH0685126 A JP H0685126A JP 4265220 A JP4265220 A JP 4265220A JP 26522092 A JP26522092 A JP 26522092A JP H0685126 A JPH0685126 A JP H0685126A
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- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
部応力,ヒートサイクルによる熱応力の影響を殆ど受け
ることがない信頼性の高い半導体装置、特にその端子組
立構造を提供する。 【構成】半導体素子4を搭載したセラミック基板2に外
部導出端子6を半田付けした上で、該端子の一端を樹脂
製の外囲ケース7より引出し、かつ外囲ケース内にゲル
状樹脂9を充填して封止した半導体装置において、外部
導出端子6を外囲ケース7にインサート成形し、一体ブ
ロック化して固定する。これにより、外部導出端子を含
めた半導体装置の組立が簡単となるほか、外部導出端子
に加わる外部応力,熱応力は直接外囲ケースで受け止め
られるので、セラミック基板,ないしは該基板との間の
半田付け部に不当な応力の加わるこがなくなる。
Description
するパワースイッチング素子として用いるパワートラン
ジスタモジュールなどを対象とした半導体装置、特にそ
の組立構造に関する。
置の従来における組立構造を図7に示す。図において、
1は放熱用金属ベース、2はセラミック基板、3は基板
2の導体パターン、4は基板上に搭載した半導体素子
(パワートランジスタ)、5は内部配線のボンディング
ワイヤ、6はセラミック基板2上に起立させて導体パタ
ーン3と半田付けした外部導出端子、7は樹脂モールド
品で作られた外囲ケース、8はおなじく樹脂モールド品
のケース蓋、9は半導体素子4を封止して外囲ケース内
に充填したシリコーンゲルなどのゲル状樹脂、10は外
部導出端子6を固定するために外囲ケース7の端子引出
し部に注入,硬化したエポキシなどの成形樹脂である。
ース7内でゲル状樹脂9により封止保護され、また外部
導出端子6はモールド樹脂10により外囲ケース7に固
定されてセラミック基板2との間の半田付け部に外部か
ら加わる応力,ヒートサイクルによる熱応力が加わるの
を防止している。
導体装置の端子組立構造では、外部導出端子6を外囲ケ
ース7に固定するために、組立治具を用いて外部導出端
子6を所定の組立位置に精度よく保持することが必要と
なるほか、外囲ケース7に対して外部導出端子6の周囲
にモールド樹脂10の注入,硬化の工程が必要となるた
めに組立工数が多く、かつ部品のアッセンブリに多くの
時間と費用が掛かるためにコストアップとなる。また、
外部導出端子6を固定するエポキシなどのモールド樹脂
10とセラミック基板2とは熱膨張率が大きく異なるこ
とから、ヒートサイクルに伴う熱応力でセラミック基板
2に割れが生じたり、外部導出端子6の半田付け部が劣
化するなどのトラブルが発生し易い難点があった。
子として使用する場合には、スイッチング動作に伴う電
流変化(di/dt),電圧変化(dv/dt)が基
で、回路インダクタンス,浮遊容量によって高周波ノイ
ズが発生し、これが誘導ノイズとして電源回路,周囲空
間に伝播して周辺機器にノイズ障害を与えることが知ら
れており、その対策としてノイズカットフィルタを回路
に接続したり、あるいは半導体装置を大地に接地された
金属製容器内に収容して静電遮へいするなどの手段が従
来より講じられている。しかして、静電遮へいのために
特別な金属容器を付設することは重量が増し、寸法が大
形化するために好ましくなく、その改善策が望まれてい
る。
であり、第1の目的は前記課題を解決して組立性に優
れ、しかも外部導出端子に応力の影響を及ぼすことが殆
どない信頼性の高い半導体装置、特にその端子組立構造
を提供することにある。また、第2の目的はパッケージ
自身に静電遮へい機能を持たせてパワー素子のスイッチ
ング動作に伴って発生する誘導ノイズの周囲伝播を良好
に抑制できるようにした半導体装置を提供することにあ
る。
的は、本発明により、半導体装置を次記のように構成す
ることで達成される。まず、第1の目的に対しては、 (1)外部導出端子を樹脂製の外囲ケースにインサート
成形して一体ブロック化する。
脂製のピンブロックを一体成形するとともに、外囲ケー
ス側には前記ピンブロックの外形に対応する端子引出し
穴を開口し、該端子引出し穴に前記ピンブロックを嵌め
込んで接着する。 (3)前項(2)において、ピンブロックを異形輪郭体
で構成する。 (4)前項(1)または(2)において、外囲ケースの
底部側に末広り脚部を形成して基板ないし金属ベースと
の間を接合する。
外囲ケースと基板ないし金属ベースとの間を半田付けな
どにより合金接合する。 また、第2の目的に対する解決手段とし次記の構成があ
る。 (6)外囲ケースをその注型樹脂に導電性粉末を混在さ
せて成形する。 (7)外囲ケースの内周面に外部導出端子の貫通部を除
いて導電膜を被着形成する。
置の取扱時に外部導出端子に加わる外力は、樹脂ケース
で直接受け止められるのでセラミック基板,ないし基板
との間の半田付け部に外部応力が作用することがない。
また、ピンブロックを歯車形,十字形,楕円形,台形な
どの異形輪郭体とすることにより、例えば単純な円形輪
郭体と比べて外囲ケースとの間の接着面積が大となり、
これによりケースとの間で高い接着力が得られる。しか
も外囲ケース内にはゲル状樹脂が充填されているのでセ
ラミック基板,および外部導出端子の半田付け部にヒー
トサイクルに起因する熱応力の加わるおそれも殆どなく
なる。さらに、半導体装置の組立ラインでは外部導出端
子を固定するための位置決め保持,成形樹脂の注入,硬
化工程が不要となるので組立工数も少なくて済む。
ースと相手側のセラミック基板,あるいは金属ベースと
の間に広い接合面積が確保される。さらに、(5)項の
構成では、外囲ケースと基板,金属ベースとの接合を、
基板と外部導出端子との半田付け接合と同じ工程で同時
に行うことができ、接着剤による固着法と比べて接着剤
の塗布,硬化する工数が省ける。
導体装置のパッケージ自身が静電遮へい体のしての機能
を持つことになり、パワー素子のスイッチング動作に伴
う誘導ノイズが周辺空間へ伝播して周辺機器に影響する
ノイズ障害を抑制できる。
る。なお、各実施例で図7と対応する同一部材には同じ
符号が付してある。図1は本発明の請求項1に対応する
実施例を示すものであり、外部導出端子6は樹脂モール
ド品として作られた外囲ケース7の成形金型にインサー
トして一体成形され、外部導出端子6と外囲ケース7と
が一体にブロック化して構成される。そして、セラミッ
ク基板2に外部導出端子6を半田付けする際には、外部
導出端子6を外囲ケース7とともにセラミック基板上の
定位置に載置し、この状態で樹脂ケース7の接着,およ
び外部導出端子6と導体パターン3との間の半田付けを
行う。その後にケース蓋8を被着し、樹脂ケース7の内
部にゲル状樹脂9を充填して半導体素子4を封止する。
する実施例を示すものであり、この実施例においては、
まず外部導出端子6に対し、あらかじめ該端子が樹脂ケ
ース7を貫通する部位に樹脂製のピンブロック11を一
体成形して端子をピンブロックに埋め込み、一方では外
囲ケース7のモールド成形時に前記ピンブロック11の
外形に対応する端子引出し穴を開口しておく。そして、
外部導出端子6をセラミック基板2の導体パターン3の
上に立てて半田付けした後、上方から外囲ケース7を被
せてピンブロック11をケース側の端子引出し穴に嵌め
込むとともに、さらに両者間を接着剤で接着固定する。
うに、前記の樹脂ブロック11を外形歯車形,十字形,
楕円形などの異形輪郭体として成形しておくことによ
り、例えば単純な円形輪郭体と比べて樹脂ケースとの間
の接着面積が大となるので、これによりケースとの間で
高い接着力が得られ、より一層堅牢な構造となる。図4
(a),(b)はそれぞれ本発明の請求項4,5に対応す
る構造を図1の外囲ケースに適用した実施例を示すもの
である。すなわち、(a)図では外囲ケース7の底部側
に末広り脚部7aを形成してセラミック基板2との間を
接着剤により接合したものである。このように外囲ケー
ス7に末広り脚ブロック7aを設けておくことにより、
より広い接合面積が確保できてパッケージの組立接合強
度が高まる。また、(b)図では外囲ケース7の底面に
あらかじめメタライズを施しておき、外囲ケース7とセ
ラミック基板2との間を、接着剤を用いずに半田付けな
どで合金接合したものであり、その半田接合部を符号1
2で示す。この構成によれば、接着剤の塗布,硬化など
のわずらしい工程が不要となり、しかも外囲ケース7と
セラミック基板2との間の接合作業を外部導出端子6の
半田付け工程と同時に行うことができるので、半導体装
置の組立工数が少なくて済む利点が得られる。なお、
(a),(b)図の構成は図2で述べたピンブロック11
を採用の外囲ケース7に対しても同様に実施適用するこ
とができるのは勿論である。
ス7を対象に、本発明の請求項6,7による誘導ノイズ
防止対策を施した実施例を示すものである。なお、この
実施例においてはピンブロック11が断面台形の錐体と
して形成されている。まず、(a)図は外囲ケース7,
ケース蓋8の材料である注型樹脂に、適量のカーボン,
あるいは金属などの導電性粉末13を分散,混在して外
囲ケース7,ケース蓋8をモールド成形したものであ
る。なお、ピンブロック11は、外部導出端子6に対す
る沿面絶縁強度を確保するために導電性粉末を混在させ
ない。また(b)図は外囲ケース7,ケース蓋8の注型
樹脂に導電性粉末を混在させる代わりに、ピンブロック
11の貫通部を除いて外囲ケース7,ケース蓋8の内周
面に例えば銅または鉛合金の導電性薄膜14(膜厚35
μm程度)を印刷,あるいはメッキにより被着形成した
ものである。なお、この導電性薄膜14は、直接大地に
接地するか、あるいはセラミック基板2の導体パターン
3を介して接地することができる。
ス蓋8のパッケージ自身が静電遮へい体としての機能を
持つようになるので、ケース内に組み込んだ半導体素子
4のスイッチング動作により発生するノイズが周辺空間
に伝播するのを抑制し、周辺機器にノイズ障害を与える
のを防止できる。なお、図5のパッケージ構造は図1の
外囲ケースにも実施適用することができる。
のである。すなわち、図1〜図5で述べた各実施例では
外囲ケース7をセラミック基板2に接合したのに対し
て、この実施例は外囲ケース7を金属ベース1に接合し
てパッケージが組立て構成されている。なお、この実施
例の外囲ケース7に図5(b)で述べた導電性薄膜14
を被着形成し、かつ外囲ケース7と金属ベース1との接
合に図4(b)で述べた半田付け接合法を採用すること
により、セラミック基板2の導体パッケージ3を経由す
ることなく、静電遮へい体として機能する導電性薄膜1
4を金属ベース1を介して直接大地側に接地することが
できる。
によれば、次記の効果を奏する。 (1)本発明の請求項1〜3の構成を採用することによ
り、特に外部導出端子を定位置へ固定するのに位置決め
治具が不要であり、かつ外囲ケースとの間の固定も簡単
で組立工数が少なくて済む。しかも外部導出端子に加わ
る外部からの応力,ヒートサイクルによる熱応力などは
外囲ケースが直接吸収するので、外部導出端子と基板と
の間の半田接合部に不当な応力の加わることがない。
外囲ケースの接着面積が広く確保できてパッケージの接
合強度が高まる。 (3)本発明の請求項5の構成によれば、手間のかかる
接着剤の塗布,硬化工程を省略して外囲ケースと基板,
あるいは金属ベースとの間の接合作業を、外部導出端子
と基板との半田付けと同じ工程で同時に行うことができ
て組立工数の削減化が図れる。
することにより、半導体装置のパッケージ自身に静電遮
へい機能を与えることができ、これにより特別な静電遮
へい容器を付設することなく、パワー素子のスイッチン
グ動作に伴って発生する高周波ノイズが周囲空間に伝播
して他の周辺機器に及ぼすノイズ障害を良好に抑制でき
るど、機能面で優れた効果を発揮する。
図
図
ック外形輪郭体を表す平面図であり、(a) は歯車形,
(b) は十字形, (c)は楕円形の外形図
本発明の請求項4に対応する実施例の組立構成図、
(b)は本発明の請求項5に対応する実施例の組立構成
図
本発明の請求項6に対応する実施例の組立構成図、
(b)は本発明の請求項7に対応する実施例の組立構成
図
Claims (7)
- 【請求項1】放熱用金属ベース上に積層した基板に半導
体素子,外部導出端子を搭載してなる組立体に樹脂製の
外囲ケースを組合わせ、かつ外部導出端子の一端を外囲
ケースより外部に引き出すとともに、外囲ケース内にゲ
ル状樹脂を充填して封止した半導体装置において、外部
導出端子を樹脂ケースにインサート成形して一体ブロッ
ク化したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】放熱用金属ベース上に積層した基板に半導
体素子,外部導出端子を搭載してなる組立体に樹脂製の
外囲ケースを組合わせ、かつ外部導出端子の一端を外囲
ケースより外部に引き出すとともに、外囲ケース内にゲ
ル状樹脂を充填して封止した半導体装置において、外部
導出端子のケース貫通部位に樹脂製のピンブロックを一
体成形するとともに、外囲ケース側には前記ピンブロッ
クの外形に対応する端子引出し穴を開口し、該端子引出
し穴に前記ピンブロックを嵌め込んで接着したことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項3】請求項2記載の半導体装置において、ピン
ブロックを異形輪郭体で構成したことを特徴とする半導
体装置の端子組立構造。 - 【請求項4】請求項1,または2記載の半導体装置にお
いて、外囲ケースの底部側に末広り脚部を形成して基板
ないし金属ベースとの間を接合したことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項5】請求項1,または2記載の半導体装置にお
いて、外囲ケースと基板ないし金属ベースとの間を半田
付けなどにより合金接合したことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項6】請求項1,または2記載の半導体装置にお
いて、外囲ケースをその注型樹脂にカーボン,金属など
の導電性粉末を混在させて成形したことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項7】請求項1,または2記載の半導体装置にお
いて、外囲ケースの内周面に外部導出端子の貫通部を除
いて導電性膜を被着形成したことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4265220A JP2924498B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-10-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-188468 | 1992-07-16 | ||
| JP18846892 | 1992-07-16 | ||
| JP4265220A JP2924498B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-10-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685126A true JPH0685126A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2924498B2 JP2924498B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=26504947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4265220A Expired - Lifetime JP2924498B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-10-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924498B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0924845A3 (en) * | 1997-12-22 | 2001-05-23 | Omnirel LLC | Power semiconductor module |
| US6885097B2 (en) | 2000-04-25 | 2005-04-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor device |
| US8759839B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-06-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor module and method for manufacturing semiconductor module |
| KR20160047959A (ko) * | 2014-10-23 | 2016-05-03 | 주식회사 솔루엠 | 전력모듈 |
| KR20160051513A (ko) * | 2014-11-03 | 2016-05-11 | 주식회사 솔루엠 | 전력 모듈 및 그 제조 방법 |
| US11626333B2 (en) | 2020-05-22 | 2023-04-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP4265220A patent/JP2924498B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0924845A3 (en) * | 1997-12-22 | 2001-05-23 | Omnirel LLC | Power semiconductor module |
| US6885097B2 (en) | 2000-04-25 | 2005-04-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor device |
| US8759839B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-06-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor module and method for manufacturing semiconductor module |
| KR20160047959A (ko) * | 2014-10-23 | 2016-05-03 | 주식회사 솔루엠 | 전력모듈 |
| KR20160051513A (ko) * | 2014-11-03 | 2016-05-11 | 주식회사 솔루엠 | 전력 모듈 및 그 제조 방법 |
| US11626333B2 (en) | 2020-05-22 | 2023-04-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2924498B2 (ja) | 1999-07-26 |
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