JPH0685155A - モールド型半導体装置 - Google Patents
モールド型半導体装置Info
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- JPH0685155A JPH0685155A JP4233224A JP23322492A JPH0685155A JP H0685155 A JPH0685155 A JP H0685155A JP 4233224 A JP4233224 A JP 4233224A JP 23322492 A JP23322492 A JP 23322492A JP H0685155 A JPH0685155 A JP H0685155A
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- Japan
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- metal member
- mold
- semiconductor chip
- metal
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】モールド内部とモールド外部とをつなぐ金属リ
ードのインダクタンスによる高周波帯における、モール
ド内部、外部の回路のミスマッチを防ぐ。 【構成】半導体チップ１をマウントする第１の金属部材
２と、外部回路と接続される第２の金属部材３とを有
し、第２の金属部材３を中心導体とし、これをはさむ様
に第１の金属部材２の形状を接地導体として配置し、伝
送線路を構成する。半導体チップ１と外周回路がマッチ
ングできる様に、伝送線路の第１の金属部材２と第２の
金属部材３の形状寸法を決定する。これにより、モール
ド内部と外部とを接続していた金属リードのインダクタ
ンス成分によるミスマッチを防止する。
ードのインダクタンスによる高周波帯における、モール
ド内部、外部の回路のミスマッチを防ぐ。 【構成】半導体チップ１をマウントする第１の金属部材
２と、外部回路と接続される第２の金属部材３とを有
し、第２の金属部材３を中心導体とし、これをはさむ様
に第１の金属部材２の形状を接地導体として配置し、伝
送線路を構成する。半導体チップ１と外周回路がマッチ
ングできる様に、伝送線路の第１の金属部材２と第２の
金属部材３の形状寸法を決定する。これにより、モール
ド内部と外部とを接続していた金属リードのインダクタ
ンス成分によるミスマッチを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モールド型半導体装置
に関し、特に高周波体に使用されるモールド型半導体装
置に関する。
に関し、特に高周波体に使用されるモールド型半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のモールド型半導体装置
は、半導体チップと金属ワイヤ等でボンディング接続さ
れた金属部材が樹脂モールドの内部から外部へ引き出さ
れてモールド外部回路と、モールド内部の半導体チップ
との電気的接続を可能としていた。例えば、図３（ａ）
の従来のモールド型半導体装置の一例において、第１の
金部材２にマウントされた半導体チップ１と、金属ワイ
ヤ４によってボンディングされている第２の金属部材３
とが、樹脂７によってモールドされているモールド領域
６の内部から外部へ引き出されており、第２の金属部材
３が、外部回路との接続端子となっている。
は、半導体チップと金属ワイヤ等でボンディング接続さ
れた金属部材が樹脂モールドの内部から外部へ引き出さ
れてモールド外部回路と、モールド内部の半導体チップ
との電気的接続を可能としていた。例えば、図３（ａ）
の従来のモールド型半導体装置の一例において、第１の
金部材２にマウントされた半導体チップ１と、金属ワイ
ヤ４によってボンディングされている第２の金属部材３
とが、樹脂７によってモールドされているモールド領域
６の内部から外部へ引き出されており、第２の金属部材
３が、外部回路との接続端子となっている。
【０００３】このモールド型半導体装置では、外部回路
の接続端子となっている第２の金属部材３は、等価形状
として図３（ｂ）に示す様な矩形断面直線導体と見なす
ことができる。この形状の導体は、よく知られている様
に等価回路的にはインダクタンスＬとして働く。例えば
図３（ｂ）の寸法が、ａ＝０．４ｍｍ，ｂ＝０．２ｍ
ｍ，ｌ＝１ｍｍとすると、インダクタンスＬはおおよそ
Ｌ＝０．４ｎＨ程度になる。
の接続端子となっている第２の金属部材３は、等価形状
として図３（ｂ）に示す様な矩形断面直線導体と見なす
ことができる。この形状の導体は、よく知られている様
に等価回路的にはインダクタンスＬとして働く。例えば
図３（ｂ）の寸法が、ａ＝０．４ｍｍ，ｂ＝０．２ｍ
ｍ，ｌ＝１ｍｍとすると、インダクタンスＬはおおよそ
Ｌ＝０．４ｎＨ程度になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のモール
ド型半導体装置では、例えば５０Ωに設計された高周波
信号の入力又は出力端子をもつＩＣなどを実装した場
合、モールドの内部と外部をつなぐ第２の金属部材３の
もつインダクタンス成分により、モールド外部から見た
インピーダンスが５０Ωからずれてしまい、例えば５０
Ωで説明されている外部回路との接続においてミスマッ
チングを生ずることになる。
ド型半導体装置では、例えば５０Ωに設計された高周波
信号の入力又は出力端子をもつＩＣなどを実装した場
合、モールドの内部と外部をつなぐ第２の金属部材３の
もつインダクタンス成分により、モールド外部から見た
インピーダンスが５０Ωからずれてしまい、例えば５０
Ωで説明されている外部回路との接続においてミスマッ
チングを生ずることになる。
【０００５】例えば図３（ｂ）でａ＝０．４ｍｍ，ｂ＝
０．２ｍｍ，ｌ＝１ｍｍとした時インダクタンスＬ＝
０．４ｎＨで、この様な導体を高周波信号の入力端子に
用いて１５ＧＨｚの信号を入力した場合、半導体チップ
の入力インピーダンスが理想的に５０Ωで設計されてい
ても、電圧定在波比でＶＳＷＲ＝２程度まで入力反射が
生じてしまう。
０．２ｍｍ，ｌ＝１ｍｍとした時インダクタンスＬ＝
０．４ｎＨで、この様な導体を高周波信号の入力端子に
用いて１５ＧＨｚの信号を入力した場合、半導体チップ
の入力インピーダンスが理想的に５０Ωで設計されてい
ても、電圧定在波比でＶＳＷＲ＝２程度まで入力反射が
生じてしまう。
【０００６】本発明の目的は、このような問題を解決
し、良好なマッチングをとれるようにしたモールド型半
導体装置を提供することにある。
し、良好なマッチングをとれるようにしたモールド型半
導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、半導体
チップと、この半導体チップがマウントされる第１の金
属部材と、前記半導体チップに金属ワイヤ等のボンディ
ングで接続され、前記半導体チップを外周回路と電気的
に接続する第２の金属部材とがモールド樹脂により固定
されているモールド型半導体装置において、少なくとも
１つの高周波信号の入力又は出力端子が、前記第２の金
属部材を中心導体とし、この中心導体を挟んだ前記第１
の金属部材を接地導体として、所定の伝送線路インピー
ダンスを持たせたことを特徴とする。
チップと、この半導体チップがマウントされる第１の金
属部材と、前記半導体チップに金属ワイヤ等のボンディ
ングで接続され、前記半導体チップを外周回路と電気的
に接続する第２の金属部材とがモールド樹脂により固定
されているモールド型半導体装置において、少なくとも
１つの高周波信号の入力又は出力端子が、前記第２の金
属部材を中心導体とし、この中心導体を挟んだ前記第１
の金属部材を接地導体として、所定の伝送線路インピー
ダンスを持たせたことを特徴とする。
【０００８】
【実施例】図１（ａ）は本発明の第１の実施例の平面図
であり、第１の金属部材２上に、半導体チップ１がマン
ウントされ金属ワイヤ４で第２の金属部材３，３ａ，３
ｂと半導体チップ１がボンディング接続されている。特
に第２の金属部材３ａ，３ｂは高周波信号の入力及び出
力端子であり、第２の金属部材３ａ及び３ｂをはさむ様
に第１の金属部材２の形状を作っている。金属ワイヤ５
は、半導体チップ１を接地するために第１の金属部材２
と半導体チップ１とをボンディング接続している。領域
６がモールド樹脂７によりモールド封止されている。モ
ールド樹脂７は、半導体チップ１、金属ワイヤ４，５の
保護と、第１の金属部材２，第２の金属部材３の位置の
固定をかねている。
であり、第１の金属部材２上に、半導体チップ１がマン
ウントされ金属ワイヤ４で第２の金属部材３，３ａ，３
ｂと半導体チップ１がボンディング接続されている。特
に第２の金属部材３ａ，３ｂは高周波信号の入力及び出
力端子であり、第２の金属部材３ａ及び３ｂをはさむ様
に第１の金属部材２の形状を作っている。金属ワイヤ５
は、半導体チップ１を接地するために第１の金属部材２
と半導体チップ１とをボンディング接続している。領域
６がモールド樹脂７によりモールド封止されている。モ
ールド樹脂７は、半導体チップ１、金属ワイヤ４，５の
保護と、第１の金属部材２，第２の金属部材３の位置の
固定をかねている。
【０００９】半導体チップの高周波信号の入力パッド
８，出力パッド９は、インピーダンス５０Ωで作られて
おり、それぞれの伝送線路構成部１０，１１の特性イン
ピーダンスはほぼ５０Ωで設計されている。従って、高
周波信号の入力及び出力は、モールドの外部から見たイ
ンピーダンスもやはり、ほぼ５０Ωとなり、５０Ωの外
部回路と接続した場合のミスマッチを激減できる。
８，出力パッド９は、インピーダンス５０Ωで作られて
おり、それぞれの伝送線路構成部１０，１１の特性イン
ピーダンスはほぼ５０Ωで設計されている。従って、高
周波信号の入力及び出力は、モールドの外部から見たイ
ンピーダンスもやはり、ほぼ５０Ωとなり、５０Ωの外
部回路と接続した場合のミスマッチを激減できる。
【００１０】図１（ｂ）は図１（ａ）の構造を示す断面
図である。比誘電率Εｒのモールド樹脂７内に第２の金
属部材３ａ，３ｂを第１の金属部材２が左右に間隔Ｇで
配置され、伝送線路を形成している。この伝送線路の特
性インピーダンスＺは、第１の金属部材２と第２の金属
部材３ａ，３ｂの間の静電容量を求めることにより設計
できる。例えば、図でモールド樹脂７の比誘電率Εｒ＝
５，第１，第２の金属部材２，３の厚さｄ＝０．２ｍ
ｍ、第１の金属部材２と第２の金属部材３ａ，３ｂの間
隔Ｇ＝０．３ｍｍ、第２の金属部材３の幅Ｗ＝０．４ｍ
ｍ，樹脂の厚さＨ＝２ｍｍ（ｈ１＝ｈ２）とすると、お
およそ特性インピーダンスＺの５０Ωが実現できる。
図である。比誘電率Εｒのモールド樹脂７内に第２の金
属部材３ａ，３ｂを第１の金属部材２が左右に間隔Ｇで
配置され、伝送線路を形成している。この伝送線路の特
性インピーダンスＺは、第１の金属部材２と第２の金属
部材３ａ，３ｂの間の静電容量を求めることにより設計
できる。例えば、図でモールド樹脂７の比誘電率Εｒ＝
５，第１，第２の金属部材２，３の厚さｄ＝０．２ｍ
ｍ、第１の金属部材２と第２の金属部材３ａ，３ｂの間
隔Ｇ＝０．３ｍｍ、第２の金属部材３の幅Ｗ＝０．４ｍ
ｍ，樹脂の厚さＨ＝２ｍｍ（ｈ１＝ｈ２）とすると、お
およそ特性インピーダンスＺの５０Ωが実現できる。
【００１１】図２は本発明の第２の実施例の平面図であ
る。本実施例は第１の実施例と同様であるが、特に高周
波信号の出力部の伝送線路構成部１２がテーパ形状にな
っており、伝送線路のインピーダンスはモールド外部に
向って高くなっている。これは、例えば周波数コンバー
タ等に見られる様に、ＲＦ入力が５０Ω入力に対しＩＦ
出力が７５Ωといった回路構成をとる様な場合に外部回
路とのマッチングを考慮したものである。
る。本実施例は第１の実施例と同様であるが、特に高周
波信号の出力部の伝送線路構成部１２がテーパ形状にな
っており、伝送線路のインピーダンスはモールド外部に
向って高くなっている。これは、例えば周波数コンバー
タ等に見られる様に、ＲＦ入力が５０Ω入力に対しＩＦ
出力が７５Ωといった回路構成をとる様な場合に外部回
路とのマッチングを考慮したものである。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、モールド
内部の半導体チップと、モールド外部の回路とをつなぐ
リード端子部を伝送線路構造にしたことにより、高い周
波数の信号に対してもモールド内外の回路のミスマッチ
を激減できるという効果を有する。
内部の半導体チップと、モールド外部の回路とをつなぐ
リード端子部を伝送線路構造にしたことにより、高い周
波数の信号に対してもモールド内外の回路のミスマッチ
を激減できるという効果を有する。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面
図およびその伝送線路構成部の断面図。
図およびその伝送線路構成部の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の平面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は従来のモールド型半導体装置
の平面図およびその伝送線路構成部の断面図。
の平面図およびその伝送線路構成部の断面図。
１ 半導体チップ ２ 第１の金属部材（接地部材） ３，３ａ，３ｂ 第２の金属部材 ４ 金属ワイヤ ５ 金属ワイヤ ６ 半導体装置のモールド領域 ７ モールド樹脂 ８ 半導体チップの高周波入力パッド ９ 半導体チップの高周波出力パッド １０ 伝送線路構成部（入力部） １１ 伝送線路構成部（出力部）
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップと、この半導体チップがマ
ウントされる第１の金属部材と、前記半導体チップに金
属ワイヤ等のボンディングで接続され、前記半導体チッ
プを外周回路と電気的に接続する第２の金属部材とがモ
ールド樹脂により固定されているモールド型半導体装置
において、少なくとも１つの高周波信号の入力又は出力
端子が、前記第２の金属部材を中心導体とし、この中心
導体を挟んだ前記第１の金属部材を接地導体として、所
定の伝送線路インピーダンスを持たせたことを特徴とす
るモールド型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4233224A JP2809003B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | モールド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4233224A JP2809003B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | モールド型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685155A true JPH0685155A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2809003B2 JP2809003B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=16951704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4233224A Expired - Fee Related JP2809003B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | モールド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809003B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5495125A (en) * | 1993-11-19 | 1996-02-27 | Nec Corporation | Molded semiconductor device |
| JP2001168238A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高周波回路用パッケージ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234055A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH0287701A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波集積回路用パッケージ |
| JPH0468701A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｃパッケージ |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP4233224A patent/JP2809003B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234055A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH0287701A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波集積回路用パッケージ |
| JPH0468701A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｃパッケージ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5495125A (en) * | 1993-11-19 | 1996-02-27 | Nec Corporation | Molded semiconductor device |
| JP2001168238A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高周波回路用パッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2809003B2 (ja) | 1998-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980630 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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