JPH04368165A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
半導体装置用パッケージInfo
- Publication number
- JPH04368165A JPH04368165A JP3144385A JP14438591A JPH04368165A JP H04368165 A JPH04368165 A JP H04368165A JP 3144385 A JP3144385 A JP 3144385A JP 14438591 A JP14438591 A JP 14438591A JP H04368165 A JPH04368165 A JP H04368165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- lead
- high frequency
- coaxial
- impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用パッケージ
に関し、特に高周波用の半導体装置を封入する樹脂封止
型の半導体装置用パッケージに関する。
に関し、特に高周波用の半導体装置を封入する樹脂封止
型の半導体装置用パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置用パッケージは、図2
に示すように、リードフレームのアイランド部2に搭載
した半導体チップ1上の電極とリード6とをボンディン
グワイヤ4により接続し、封止用樹脂5により封入する
ことにより構成されていた。
に示すように、リードフレームのアイランド部2に搭載
した半導体チップ1上の電極とリード6とをボンディン
グワイヤ4により接続し、封止用樹脂5により封入する
ことにより構成されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置用パッケージは、半導体装置が高周波用である場合
は、リードと外部回路とのインピーダンス整合は考慮さ
れていないのでリード部分の容量成分や誘導成分等の影
響により高周波信号の伝送特性を損なうため、半導体装
置の本来の高周波特性を劣化させるという欠点があった
。
装置用パッケージは、半導体装置が高周波用である場合
は、リードと外部回路とのインピーダンス整合は考慮さ
れていないのでリード部分の容量成分や誘導成分等の影
響により高周波信号の伝送特性を損なうため、半導体装
置の本来の高周波特性を劣化させるという欠点があった
。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用パ
ッケージは、予め定めた特性インピーダンスの同軸線路
の構造を有する信号入出力端子を備えて構成されている
。
ッケージは、予め定めた特性インピーダンスの同軸線路
の構造を有する信号入出力端子を備えて構成されている
。
【0005】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0006】図1は本発明の半導体装置用パッケージの
一実施例を示す平面図である。
一実施例を示す平面図である。
【0007】本実施例の半導体装置用パッケージは、図
1に示すように、リードフレームのアイランド部2に搭
載した半導体チップ1上の電極のうちの高周波信号の入
出力用の電極と同軸構造の同軸リード3とをボンディン
グワイヤ4により接続し、封止用樹脂5により封入する
ことにより構成されている。同軸リード3は、中心導体
とその周りの誘電体と外部導体とを含んで構成され、外
部回路のインピーダンスに整合するように、たとえば5
0オームの特性インピーダンスを有するものである。な
お、その他の電極は、従来例と同様のリード6に接続す
る。
1に示すように、リードフレームのアイランド部2に搭
載した半導体チップ1上の電極のうちの高周波信号の入
出力用の電極と同軸構造の同軸リード3とをボンディン
グワイヤ4により接続し、封止用樹脂5により封入する
ことにより構成されている。同軸リード3は、中心導体
とその周りの誘電体と外部導体とを含んで構成され、外
部回路のインピーダンスに整合するように、たとえば5
0オームの特性インピーダンスを有するものである。な
お、その他の電極は、従来例と同様のリード6に接続す
る。
【0008】本実施例の半導体装置用パッケージを有す
る半導体装置は、高周波信号の入出力用の端子である同
軸リード3と外部回路とのインピーダンス整合が行なわ
れるので、半導体装置の高周波特性が完全に発揮される
ことになる。
る半導体装置は、高周波信号の入出力用の端子である同
軸リード3と外部回路とのインピーダンス整合が行なわ
れるので、半導体装置の高周波特性が完全に発揮される
ことになる。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置用パッケージは、予め定めた特性インピーダンスの同
軸線路の構造を有する信号入出力端子を備えることによ
り、リードと外部回路とのインピーダンス整合が行なわ
れ、リード部分の容量成分や誘導成分等の影響による高
周波信号の伝送特性の劣化を防止できるので半導体装置
の本来の高周波特性を完全に発揮できるという効果があ
る。
置用パッケージは、予め定めた特性インピーダンスの同
軸線路の構造を有する信号入出力端子を備えることによ
り、リードと外部回路とのインピーダンス整合が行なわ
れ、リード部分の容量成分や誘導成分等の影響による高
周波信号の伝送特性の劣化を防止できるので半導体装置
の本来の高周波特性を完全に発揮できるという効果があ
る。
【図1】本発明の半導体装置用パッケージの一実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図2】従来の半導体装置用パッケージの一例を示す平
面図である。
面図である。
1 半導体チップ
2 アイランド部
3 同軸リード
4 ボンディングワイヤ
5 封止用樹脂
6 リード
Claims (1)
- 【請求項1】 予め定めた特性インピーダンスの同軸
線路の構造を有する信号入出力端子を備えることを特徴
とする半導体装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3144385A JPH04368165A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3144385A JPH04368165A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04368165A true JPH04368165A (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=15360909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3144385A Pending JPH04368165A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04368165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480784B1 (ko) * | 2002-01-19 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 동축 케이블을 구비한 SMD(Surface Mounted Device) 형태의 패키지 제조 방법 |
| CN111751580A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-10-09 | 中国电力科学研究院有限公司 | 一种用于向电力变压器绕组传输高频信号的阻抗匹配夹具 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5415663A (en) * | 1974-01-10 | 1979-02-05 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS6239296A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-20 | 日立マクセル株式会社 | 光学記録カ−ド |
| JPS62119949A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Nec Corp | 半導体装置用パツケ−ジ |
| JPH03136358A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP3144385A patent/JPH04368165A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5415663A (en) * | 1974-01-10 | 1979-02-05 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS6239296A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-20 | 日立マクセル株式会社 | 光学記録カ−ド |
| JPS62119949A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Nec Corp | 半導体装置用パツケ−ジ |
| JPH03136358A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480784B1 (ko) * | 2002-01-19 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 동축 케이블을 구비한 SMD(Surface Mounted Device) 형태의 패키지 제조 방법 |
| CN111751580A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-10-09 | 中国电力科学研究院有限公司 | 一种用于向电力变压器绕组传输高频信号的阻抗匹配夹具 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5317107A (en) | Shielded stripline configuration semiconductor device and method for making the same | |
| US5521431A (en) | Semiconductor device with lead frame of molded container | |
| US5495125A (en) | Molded semiconductor device | |
| US20050035448A1 (en) | Chip package structure | |
| US4266239A (en) | Semiconductor device having improved high frequency characteristics | |
| JPH04307943A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03195049A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US5257411A (en) | Radio frequency switching device | |
| JP2003163310A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JP3157547B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPS6086852A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002110889A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01261837A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH04130654A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0412538A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005294871A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05211279A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS62119949A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| JPS63203001A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4164013B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0685155A (ja) | モールド型半導体装置 | |
| JPS63258054A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0719148Y2 (ja) | マイクロ波回路用パッケージ | |
| JPH05335472A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02238655A (ja) | 半導体パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970805 |