JPH068575Y2 - 反射体 - Google Patents
反射体Info
- Publication number
- JPH068575Y2 JPH068575Y2 JP1985046223U JP4622385U JPH068575Y2 JP H068575 Y2 JPH068575 Y2 JP H068575Y2 JP 1985046223 U JP1985046223 U JP 1985046223U JP 4622385 U JP4622385 U JP 4622385U JP H068575 Y2 JPH068575 Y2 JP H068575Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- slit
- reflecting surface
- magnetostrictive
- electrostrictive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案はレーザ光等を反射させるのに好適な反射体に関
する。
する。
［従来の技術］ 第３図はイオンビーム注入装置の概略を示すもので、充
分に排気された試料室１の略中央部には材料２が配置さ
れており、該材料の上方には、イオンコラム３のイオン
銃４からのイオンビームが該材料に照射され、且つ外部
に設けられたレーザ源５からのレーザ光が窓６を通って
該材料に照射される様に反射体７が配置されている。該
反射体にはレーザ光源５からのレーザ光が材料２方向に
照射される様に適宜な角度傾斜させた反射面８と、イオ
ンビームを材料方向に通過させる為の孔９が設けられて
いる。尚、１０は反射体支持棒である。斯くの如き装置
において、シリコンウエハの如き材料２の適宜箇所にイ
オン銃４からのイオンを前記反射体７の孔９を通して照
射する。該照射により材料内部にイオンが入り込み、該
材料の表面の結晶状態が歪む。次に、レーザ源５からの
レーザ光を前記反射体７の反射面８を介して該材料表面
に照射する。該照射により、該材料表面がアニールさ
れ、前記歪が取れる。
分に排気された試料室１の略中央部には材料２が配置さ
れており、該材料の上方には、イオンコラム３のイオン
銃４からのイオンビームが該材料に照射され、且つ外部
に設けられたレーザ源５からのレーザ光が窓６を通って
該材料に照射される様に反射体７が配置されている。該
反射体にはレーザ光源５からのレーザ光が材料２方向に
照射される様に適宜な角度傾斜させた反射面８と、イオ
ンビームを材料方向に通過させる為の孔９が設けられて
いる。尚、１０は反射体支持棒である。斯くの如き装置
において、シリコンウエハの如き材料２の適宜箇所にイ
オン銃４からのイオンを前記反射体７の孔９を通して照
射する。該照射により材料内部にイオンが入り込み、該
材料の表面の結晶状態が歪む。次に、レーザ源５からの
レーザ光を前記反射体７の反射面８を介して該材料表面
に照射する。該照射により、該材料表面がアニールさ
れ、前記歪が取れる。
さて、この様な装置の反射体８は、前記レーザ光が材料
上の適宜箇所に正確に照射される様に、構造が工夫され
ている。即ち、第４図（ａ）（反射体を上面側から見た
もの）、（ｂ）（反射体を正面側から見たもの）に示す
様に、反射体には反射面８に平行なスリット１１Ｓ
１と、該反射面の反対側の面１２に平行なスリット１１
Ｓ２が設けられており、調整捩子１３ｘ，１３ｙを調整
して適宜スリットを形成している一方の面を押す事によ
り、反射面をθｘ，θｙ方向に移動させている。
上の適宜箇所に正確に照射される様に、構造が工夫され
ている。即ち、第４図（ａ）（反射体を上面側から見た
もの）、（ｂ）（反射体を正面側から見たもの）に示す
様に、反射体には反射面８に平行なスリット１１Ｓ
１と、該反射面の反対側の面１２に平行なスリット１１
Ｓ２が設けられており、調整捩子１３ｘ，１３ｙを調整
して適宜スリットを形成している一方の面を押す事によ
り、反射面をθｘ，θｙ方向に移動させている。
［考案が解決しようとする問題点］ しかし乍ら、レーザ光が材料上の所定の箇所に当ってい
るかどうかは、試料室１内を排気し、レーザ光を実際に
出してみなければ分らず、その度に一々試料室１の真空
を破って反射面の位置調整を行なわねばならない。又、
調整捩子で反射面位置を調整する時に、調整捩子を回転
させると、その先端がスリットを形成している一方の面
と揺動して微小な振動を生じる為、反射面が暫くの間ゆ
れて調整しにくい。更に、この様なレーザアニールにお
けるエネルギービームを材料上に照射する場合は、一般
に試料の或る一定の範囲に照射する事から、例えば、前
記第３図の装置を例に取れば、レーザ源５と窓６の間に
走査鏡を配置する必要があって、それにより、装置全体
が複雑化及び大型化してしまう。
るかどうかは、試料室１内を排気し、レーザ光を実際に
出してみなければ分らず、その度に一々試料室１の真空
を破って反射面の位置調整を行なわねばならない。又、
調整捩子で反射面位置を調整する時に、調整捩子を回転
させると、その先端がスリットを形成している一方の面
と揺動して微小な振動を生じる為、反射面が暫くの間ゆ
れて調整しにくい。更に、この様なレーザアニールにお
けるエネルギービームを材料上に照射する場合は、一般
に試料の或る一定の範囲に照射する事から、例えば、前
記第３図の装置を例に取れば、レーザ源５と窓６の間に
走査鏡を配置する必要があって、それにより、装置全体
が複雑化及び大型化してしまう。
本考案はこの様な問題を解決する事を目的としたもの
で、新規な反射体を提供するものである。
で、新規な反射体を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］ 本考案の反射体は、反射面を有し、該反射面の保持体に
互いに異なった方向のスリットが設けられており、該各
スリット内に電歪素子若しくは磁歪素子が嵌挿されてお
り、一方のスリット内の電歪素子若しくは磁歪素子と他
方のスリット内の電歪素子若しくは磁歪素子夫々に適宜
な周波数比の電気的若しくは磁気的信号が与えられる様
に成しており、該各電歪素子若しくは磁歪素子の変形に
伴ない前記各スリットが変形することにより前記反射面
を二次元的に動かす様に成したものである。
互いに異なった方向のスリットが設けられており、該各
スリット内に電歪素子若しくは磁歪素子が嵌挿されてお
り、一方のスリット内の電歪素子若しくは磁歪素子と他
方のスリット内の電歪素子若しくは磁歪素子夫々に適宜
な周波数比の電気的若しくは磁気的信号が与えられる様
に成しており、該各電歪素子若しくは磁歪素子の変形に
伴ない前記各スリットが変形することにより前記反射面
を二次元的に動かす様に成したものである。
［実施例］ 第１図（ａ），（ｂ）は本考案の一実施例として示した
反射体を上面側から見た図、正面側から見た図である。
尚、該図中前記第４図（ａ），（ｂ）にて使用した番号
と同一番号の付されたものは同一構成要素である。
反射体を上面側から見た図、正面側から見た図である。
尚、該図中前記第４図（ａ），（ｂ）にて使用した番号
と同一番号の付されたものは同一構成要素である。
スリット１１Ｓ１，１１Ｓ２内にはピエゾ素子１３
Ｐ１，１３Ｐ２が夫々嵌入されている。即ち、前記スリ
ット１１Ｓ１の両壁には絶縁シート１４Ｚ１，１４Ｚ２
が敷かれており、該両絶縁シートの間に電極板１４
Ｄ１，１４Ｄが両面に張られたピエゾ素子１３Ｐ１が挿
入されている。該電極板１４Ｄ１，１４Ｄ２はリード線
１５Ｌ１，１５Ｌ２を介して発振器１６Ｏ１に繋がって
いる。１７Ｃ１は該発振器の発生する交流信号の周波数
をコントロールする為の制御回路である。同様に、前記
スリット１１Ｓ２の両壁には絶縁シート１４Ｚ３，１４
Ｚ４が敷かれており、該両絶縁シートの間に電極板１４
Ｄ３，１４Ｄ４が両面に張られたピエゾ素子１３Ｐ２が
挿入されている。該電極板１４Ｄ３，１４Ｄ４はリード
線１５Ｌ３，１５Ｌ４を介して発振器１６Ｏ２に繋がっ
ている。１７Ｃ２は該発振器の発生する交流信号の周波
数をコントロールする為の制御回路である。
Ｐ１，１３Ｐ２が夫々嵌入されている。即ち、前記スリ
ット１１Ｓ１の両壁には絶縁シート１４Ｚ１，１４Ｚ２
が敷かれており、該両絶縁シートの間に電極板１４
Ｄ１，１４Ｄが両面に張られたピエゾ素子１３Ｐ１が挿
入されている。該電極板１４Ｄ１，１４Ｄ２はリード線
１５Ｌ１，１５Ｌ２を介して発振器１６Ｏ１に繋がって
いる。１７Ｃ１は該発振器の発生する交流信号の周波数
をコントロールする為の制御回路である。同様に、前記
スリット１１Ｓ２の両壁には絶縁シート１４Ｚ３，１４
Ｚ４が敷かれており、該両絶縁シートの間に電極板１４
Ｄ３，１４Ｄ４が両面に張られたピエゾ素子１３Ｐ２が
挿入されている。該電極板１４Ｄ３，１４Ｄ４はリード
線１５Ｌ３，１５Ｌ４を介して発振器１６Ｏ２に繋がっ
ている。１７Ｃ２は該発振器の発生する交流信号の周波
数をコントロールする為の制御回路である。
斯くの如き反射体を例えば、前記第３図に示すイオン注
入装置に使用する場合には、反射体本体を試料室１内の
材料上に配置し、発振器と制御回路はリード線を介して
該試料室の外に配置する。そして、レーザ源５からのレ
ーザ光が該反射体の反射面で反射して材料２の適宜範囲
に照射される様に反射面の位置を次の様に調整する。
入装置に使用する場合には、反射体本体を試料室１内の
材料上に配置し、発振器と制御回路はリード線を介して
該試料室の外に配置する。そして、レーザ源５からのレ
ーザ光が該反射体の反射面で反射して材料２の適宜範囲
に照射される様に反射面の位置を次の様に調整する。
先ず、ピエゾ素子１３Ｐ１の電極に発振器１６Ｏ１から
第２図（ａ）に示す如き鋸歯状の発振信号Ｈが印加され
る様に制御回路１７Ｃ１は作動する。又、同期して、ピ
エゾ素子１３Ｐ２の電極に発振器１６Ｏ２から第２図
（ｂ）に示す如き鋸歯状の発振信号Ｖが印加される様に
制御回路１７Ｃ２は作動する。該発振信号ＨとＶの夫々
の周波数はレーザ光が照射すべき範囲を走査出来る様
に、例えばｎ：１に選択されている。このｎは走査の粗
さに関係する。この結果、前記ピエゾ素子１３Ｐ１はス
リット１１Ｓ２に垂直な方向に膨脹と収縮を繰返す。こ
の膨脹と収縮の格差は材料のレーザ照射範囲の一方の方
向の大きさに対応している。該膨脹と収縮により、該ピ
エゾ素子のスリット１１Ｓ１を挟んで反射面の反対側は
反射支持棒１０に直接固定されているので剛性が高く、
その為、反射面側が前記ピエゾ素子１３Ｐ１の膨脹と収
縮に合せてθｘ方向に繰返して振動する。又、前記ピエ
ゾ素子１３Ｐ２はスリット１１Ｓ２に垂直な方向に膨脹
と収縮を、前記ピエゾ素子１３Ｐ１の膨脹と収縮の繰返
回数の1/n回繰返す。この膨脹と収縮の格差は材料のレ
ーザ照射範囲の他方の方向（前記一方の方向に対し垂直
な方向）の大きさに対応している。該膨脹と収縮によ
り、該ピエゾ素子のスリット１１Ｓ２を挟んで反射面の
反対側は反射支持棒１０に直接固定されているので剛性
が高く、その為、反射面側が前記ピエゾ素子１３Ｐ２の
膨脹と収縮に合せてθｙ方向に前記θｘ方向の振動回数
の1/n回繰返して振動する。この様にして、反射体の反
射面はθｘ方向とθｙ方向に、夫々ｎ：１の割合で同期
して振動するので、前記レーザ源５からのレーザ光は材
料上の所定範囲を走査し、該範囲がアニールされる。
第２図（ａ）に示す如き鋸歯状の発振信号Ｈが印加され
る様に制御回路１７Ｃ１は作動する。又、同期して、ピ
エゾ素子１３Ｐ２の電極に発振器１６Ｏ２から第２図
（ｂ）に示す如き鋸歯状の発振信号Ｖが印加される様に
制御回路１７Ｃ２は作動する。該発振信号ＨとＶの夫々
の周波数はレーザ光が照射すべき範囲を走査出来る様
に、例えばｎ：１に選択されている。このｎは走査の粗
さに関係する。この結果、前記ピエゾ素子１３Ｐ１はス
リット１１Ｓ２に垂直な方向に膨脹と収縮を繰返す。こ
の膨脹と収縮の格差は材料のレーザ照射範囲の一方の方
向の大きさに対応している。該膨脹と収縮により、該ピ
エゾ素子のスリット１１Ｓ１を挟んで反射面の反対側は
反射支持棒１０に直接固定されているので剛性が高く、
その為、反射面側が前記ピエゾ素子１３Ｐ１の膨脹と収
縮に合せてθｘ方向に繰返して振動する。又、前記ピエ
ゾ素子１３Ｐ２はスリット１１Ｓ２に垂直な方向に膨脹
と収縮を、前記ピエゾ素子１３Ｐ１の膨脹と収縮の繰返
回数の1/n回繰返す。この膨脹と収縮の格差は材料のレ
ーザ照射範囲の他方の方向（前記一方の方向に対し垂直
な方向）の大きさに対応している。該膨脹と収縮によ
り、該ピエゾ素子のスリット１１Ｓ２を挟んで反射面の
反対側は反射支持棒１０に直接固定されているので剛性
が高く、その為、反射面側が前記ピエゾ素子１３Ｐ２の
膨脹と収縮に合せてθｙ方向に前記θｘ方向の振動回数
の1/n回繰返して振動する。この様にして、反射体の反
射面はθｘ方向とθｙ方向に、夫々ｎ：１の割合で同期
して振動するので、前記レーザ源５からのレーザ光は材
料上の所定範囲を走査し、該範囲がアニールされる。
尚、前記実施例ではピエゾ素子を使用したが、磁歪素子
を使用してもよい。
を使用してもよい。
又、前記実施例ではレーザによるアニールに反射体を使
用する例を上げたが、赤外線像を被写体上で走査する場
合の反射体としても使用出来る。
用する例を上げたが、赤外線像を被写体上で走査する場
合の反射体としても使用出来る。
［考案の効果］ 本考案によれば、従来の様に調整捩子の回転により反射
面位置を調整するのではなく、電気的若しくは磁気的に
調整するので、前記捩子の回転に伴う従来の如き反射面
の振動現象が無く、調整し易い。該本考案の如き反射体
を排気室内に配置する場合、反射体本体丈を該排気室内
に配置し、該反射体の反射面の位置の駆動機構は該排気
室外に設置して、該室外から反射体の反射面の位置をコ
ントロール出来るので、反射面の位置調整の為に一々排
気室の真空を破る必要がない。更に、本考案の反射体を
使用すれば、試料の或る一定の範囲にエネルギービーム
を照射する場合、そのエネルギービームの走査鏡を新た
に配置する必要が無いので、装置全体が単純化及び小形
化する。更に又、本考案では保持体に互いに異なった方
向のスリットを設け、該各スリット内に電歪素子若しく
は磁歪素子が嵌挿し、一方のスリット内の電歪素子若し
くは磁歪素子と他方のスリット内の電歪素子若しくは磁
歪素子夫々に適宜な周波数比の電気的若しくは磁気的信
号が与えることにより、該各電歪素子若しくは磁歪素子
を適宜変形させ、該変形に伴ない前記各スリットが同じ
量変形することにより前記反射面を該各スリットの変形
量に対応させて二次元的に動かす様に成している。即、
各スリットを通じて電歪素子若しくは磁歪素子により反
射面の動きをきめ細かく制御しているので、極めて高精
度且つ高速に反射面の二次元的位置制御が可能となる。
面位置を調整するのではなく、電気的若しくは磁気的に
調整するので、前記捩子の回転に伴う従来の如き反射面
の振動現象が無く、調整し易い。該本考案の如き反射体
を排気室内に配置する場合、反射体本体丈を該排気室内
に配置し、該反射体の反射面の位置の駆動機構は該排気
室外に設置して、該室外から反射体の反射面の位置をコ
ントロール出来るので、反射面の位置調整の為に一々排
気室の真空を破る必要がない。更に、本考案の反射体を
使用すれば、試料の或る一定の範囲にエネルギービーム
を照射する場合、そのエネルギービームの走査鏡を新た
に配置する必要が無いので、装置全体が単純化及び小形
化する。更に又、本考案では保持体に互いに異なった方
向のスリットを設け、該各スリット内に電歪素子若しく
は磁歪素子が嵌挿し、一方のスリット内の電歪素子若し
くは磁歪素子と他方のスリット内の電歪素子若しくは磁
歪素子夫々に適宜な周波数比の電気的若しくは磁気的信
号が与えることにより、該各電歪素子若しくは磁歪素子
を適宜変形させ、該変形に伴ない前記各スリットが同じ
量変形することにより前記反射面を該各スリットの変形
量に対応させて二次元的に動かす様に成している。即、
各スリットを通じて電歪素子若しくは磁歪素子により反
射面の動きをきめ細かく制御しているので、極めて高精
度且つ高速に反射面の二次元的位置制御が可能となる。
第１図（ａ）は本考案の一実施例の反射体を上面側から
見た図、第１図（ｂ）は該反射体を正面側から見た図、
第２図は発振信号の波形図、第３図はイオン注入装置の
概略図、第４図（ａ），（ｂ）は従来の反射体を表わし
た図である。 ７：反射体、８：反射面、９：孔、１０：反射体支持
棒、１１Ｓ１，１１Ｓ２：スリット、１３Ｐ１，１３Ｐ
２：ピエゾ素子、１４Ｄ１，１４Ｄ２，１４Ｄ３，１４
Ｄ４：電極、１４Ｚ１，１４Ｚ２，１４Ｚ３，１４
Ｚ４：絶縁シート、１５Ｌ１，１５Ｌ２，１５Ｌ３，１
５Ｌ４：リード線、１６Ｏ１，１６Ｏ２：発振器、１７
Ｃ１，１７Ｃ４：制御回路
見た図、第１図（ｂ）は該反射体を正面側から見た図、
第２図は発振信号の波形図、第３図はイオン注入装置の
概略図、第４図（ａ），（ｂ）は従来の反射体を表わし
た図である。 ７：反射体、８：反射面、９：孔、１０：反射体支持
棒、１１Ｓ１，１１Ｓ２：スリット、１３Ｐ１，１３Ｐ
２：ピエゾ素子、１４Ｄ１，１４Ｄ２，１４Ｄ３，１４
Ｄ４：電極、１４Ｚ１，１４Ｚ２，１４Ｚ３，１４
Ｚ４：絶縁シート、１５Ｌ１，１５Ｌ２，１５Ｌ３，１
５Ｌ４：リード線、１６Ｏ１，１６Ｏ２：発振器、１７
Ｃ１，１７Ｃ４：制御回路
Claims (1)
- 【請求項１】反射面を有し、該反射面の保持体に互いに
異なった方向のスリットが設けられており、該各スリッ
ト内に電歪素子若しくは磁歪素子が嵌挿されており、一
方のスリット内の電歪素子若しくは磁歪素子と他方のス
リット内の電歪素子若しくは磁歪素子夫々に適宜な周波
数比の電気的若しくは磁気的信号が与えられる様に成し
ており、該各電歪素子若しくは磁歪素子の変形に伴ない
前記各スリットが変形することにより前記反射面を二次
元的に動かす様に成した反射体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985046223U JPH068575Y2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 反射体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985046223U JPH068575Y2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 反射体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61162827U JPS61162827U (ja) | 1986-10-08 |
| JPH068575Y2 true JPH068575Y2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=30560425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985046223U Expired - Lifetime JPH068575Y2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 反射体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068575Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6078032U (ja) * | 1983-11-02 | 1985-05-31 | 日本電産コパル株式会社 | 一眼レフカメラのミラ−昇降装置 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP1985046223U patent/JPH068575Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61162827U (ja) | 1986-10-08 |
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