JPH0687492B2 - 薄膜コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
薄膜コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH0687492B2 JPH0687492B2 JP2057058A JP5705890A JPH0687492B2 JP H0687492 B2 JPH0687492 B2 JP H0687492B2 JP 2057058 A JP2057058 A JP 2057058A JP 5705890 A JP5705890 A JP 5705890A JP H0687492 B2 JPH0687492 B2 JP H0687492B2
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は小型電子回路に用いる薄膜コンデンサに関す
る。
る。
（従来の技術） 集積回路技術の発達によって電子回路がますます小型化
しており、各種電子回路に必須の回路素子であるコンデ
ンサの小型化も一段と重要になっている。誘電体薄膜を
用いた薄膜コンデンサが、トランジスタ等の能動素子と
同一の基板上に形成されて利用されているが、能動素子
の小型化が急速に進む中で薄膜コンデンサの小型化は遅
れており、より一層の高集積化を阻む大きな要因となっ
てきている。これは、従来用いられている誘電体薄膜材
料かSiO2，Si3N4等のような誘電率がたかだか10以下の
材料に限られているためであり、薄膜コンデンサを小型
化する手段として誘電率の大きな誘電体薄膜を開発する
ことが必要となっている。化学式ABO3で表されるベロブ
スカイ型酸化物であるBaTiO3，SrTiO3，PbZrO3およびイ
ルメナイト型酸化物LiNbO3あるいはBi4Ti3O12等の強誘
電体に属する酸化物は、上記の単一組成並びに相互の固
溶体組成で、単結晶あるいはセラミックにおいて100以
上10000にも及ぶ誘電率を有することが知られており、
セラミック・コンデンサに広く用いられている。これら
材料の薄膜化は上述の薄膜コンデンサの小型化に極めて
有効であり、かなり以前から研究が行われている。それ
らの中で比較的良好な特性が得られている例としては、
プロシーディング・オブ・アイ・イー・イー・イー（Pr
oceedings of the IEEE）第59巻10号1440−1447頁の所
載の論文があり、スパッタリングにより成膜および熱処
理を行ったBaTiO3薄膜で16（室温で作成）から1900（12
00℃で熱処理）の誘電率が得られている。
しており、各種電子回路に必須の回路素子であるコンデ
ンサの小型化も一段と重要になっている。誘電体薄膜を
用いた薄膜コンデンサが、トランジスタ等の能動素子と
同一の基板上に形成されて利用されているが、能動素子
の小型化が急速に進む中で薄膜コンデンサの小型化は遅
れており、より一層の高集積化を阻む大きな要因となっ
てきている。これは、従来用いられている誘電体薄膜材
料かSiO2，Si3N4等のような誘電率がたかだか10以下の
材料に限られているためであり、薄膜コンデンサを小型
化する手段として誘電率の大きな誘電体薄膜を開発する
ことが必要となっている。化学式ABO3で表されるベロブ
スカイ型酸化物であるBaTiO3，SrTiO3，PbZrO3およびイ
ルメナイト型酸化物LiNbO3あるいはBi4Ti3O12等の強誘
電体に属する酸化物は、上記の単一組成並びに相互の固
溶体組成で、単結晶あるいはセラミックにおいて100以
上10000にも及ぶ誘電率を有することが知られており、
セラミック・コンデンサに広く用いられている。これら
材料の薄膜化は上述の薄膜コンデンサの小型化に極めて
有効であり、かなり以前から研究が行われている。それ
らの中で比較的良好な特性が得られている例としては、
プロシーディング・オブ・アイ・イー・イー・イー（Pr
oceedings of the IEEE）第59巻10号1440−1447頁の所
載の論文があり、スパッタリングにより成膜および熱処
理を行ったBaTiO3薄膜で16（室温で作成）から1900（12
00℃で熱処理）の誘電率が得られている。
現在の高集積回路に広く用いられている電極材料は多結
晶シリコンあるいはシリコン基板自体の一部に不純物を
高濃度にドーピングした低抵抗シリコン層である。以下
これらを総してシリコン電極と呼ぶ。シリコン電極は微
細加工技術が確立されており、すでに広く用いられてい
るため、シリコン電極上に良好な高誘電率薄膜が作製で
きれば、集積回路用コンデンサへの利用が可能となる。
しかしながら従来技術では例えばIBM・ジャーナル・オ
ブ・リサーチ・アンド・ディベロップメント（IBM Jour
nal of Research and Development）1969年11月号686−
695頁に所載のSrTiO3膜に関する論文が、ジャーナル・
オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジー
（Journal of Vacuum Science and Technology）第16巻
２号315−318頁に所載のBaTiO3に関する論文が報告され
ている。
晶シリコンあるいはシリコン基板自体の一部に不純物を
高濃度にドーピングした低抵抗シリコン層である。以下
これらを総してシリコン電極と呼ぶ。シリコン電極は微
細加工技術が確立されており、すでに広く用いられてい
るため、シリコン電極上に良好な高誘電率薄膜が作製で
きれば、集積回路用コンデンサへの利用が可能となる。
しかしながら従来技術では例えばIBM・ジャーナル・オ
ブ・リサーチ・アンド・ディベロップメント（IBM Jour
nal of Research and Development）1969年11月号686−
695頁に所載のSrTiO3膜に関する論文が、ジャーナル・
オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジー
（Journal of Vacuum Science and Technology）第16巻
２号315−318頁に所載のBaTiO3に関する論文が報告され
ている。
（発明が解決しようとする課題） 上記のように高誘電率を得るためには高い成膜温度を必
要とするが、従来シリコン電極上に作製されているBaTi
O3等の誘電体薄膜は約100Åの二酸化シリコン（SiO2）
に等価な層が界面に形成されていまうと報告されてい
る。この界面層は誘電率が低い層であるため、結果とし
てシリコン上に形成した高誘電率薄膜の実効的な誘電率
は大きく低下してしまい。高誘電率材料を用いる利点が
ほとんど損なわれていた。
要とするが、従来シリコン電極上に作製されているBaTi
O3等の誘電体薄膜は約100Åの二酸化シリコン（SiO2）
に等価な層が界面に形成されていまうと報告されてい
る。この界面層は誘電率が低い層であるため、結果とし
てシリコン上に形成した高誘電率薄膜の実効的な誘電率
は大きく低下してしまい。高誘電率材料を用いる利点が
ほとんど損なわれていた。
（課題を解決するための手段） 本発明はシリコン電極上に導電層、誘電体、上部電極が
順次形成された構造の薄膜コンデンサにおいて、導電層
がシリコン上に形成される第１層とその上に形成される
第２層とから構成され、第１層がルテニウム、ルテニウ
ムシリサイド、酸化ルテニウムから選ばれる少なくとも
１種以上の材料であり、第２層が白金、パラヂウム、ロ
ジウムの高融点貴金属から選ばれる少なくとも１種類以
上の材料であることを特徴とする薄膜コンデンサと所定
温度で第１導電層を酸化する工程を備えた製造方法であ
る。
順次形成された構造の薄膜コンデンサにおいて、導電層
がシリコン上に形成される第１層とその上に形成される
第２層とから構成され、第１層がルテニウム、ルテニウ
ムシリサイド、酸化ルテニウムから選ばれる少なくとも
１種以上の材料であり、第２層が白金、パラヂウム、ロ
ジウムの高融点貴金属から選ばれる少なくとも１種類以
上の材料であることを特徴とする薄膜コンデンサと所定
温度で第１導電層を酸化する工程を備えた製造方法であ
る。
（実施例１） 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本実施例の薄膜コンデンサの構造図である。単
結晶シリコン１の表面の一部にリンを高濃度にドーピン
グして低抵抗層２が形成され、その上に層間絶縁膜とし
て酸化シリコン膜３が形成されている。酸化シリコン膜
の一部は、低抵抗層を通じて下部電極を引き出すための
コンタクトホールが２箇所形成されており、一方のコン
タクトホールは多結晶シリコン膜４で埋められ、もう一
方のコンタクトホールはAl膜５で埋められている。従っ
て、Al膜５は下部電極の端子となる。下部電極膜４はコ
ンタクトホールを埋めると共にその一部が酸化シリコン
膜上へ形成されてもよい。下部電極膜４上には導電層第
１層６、第２層７が形成され、その上にBaTiO3膜８が形
成され、その上には上部電極としてAl9が形成されてい
る。
結晶シリコン１の表面の一部にリンを高濃度にドーピン
グして低抵抗層２が形成され、その上に層間絶縁膜とし
て酸化シリコン膜３が形成されている。酸化シリコン膜
の一部は、低抵抗層を通じて下部電極を引き出すための
コンタクトホールが２箇所形成されており、一方のコン
タクトホールは多結晶シリコン膜４で埋められ、もう一
方のコンタクトホールはAl膜５で埋められている。従っ
て、Al膜５は下部電極の端子となる。下部電極膜４はコ
ンタクトホールを埋めると共にその一部が酸化シリコン
膜上へ形成されてもよい。下部電極膜４上には導電層第
１層６、第２層７が形成され、その上にBaTiO3膜８が形
成され、その上には上部電極としてAl9が形成されてい
る。
導電層は直流マグネトロンスパッタ法で第１層の酸化ル
テニウム、第２層の白金を順に作製した。Arガス雰囲
気、４×10-3Torr、基板温度100℃で行い、白金、酸化
ルテニウムの膜厚はいずれも1500Åとした。酸化ルテニ
ウムの成膜にはRuO2組成の焼結体ターゲットを用いた。
BaTiO3膜は化学量論組成の粉末ターゲットを用い、高周
波マグネトロンスパッタ法で3000Åの膜厚のものを作製
した。Ar−O2混合ガス中、１×10-2Torr、基板温度600
℃でスパッタ成膜した。上部電極には5000ÅのAlを直流
スパッタ法により成膜した。本コンデンサの有効面積は
250μｍ２である。つぎに導電層として本方法の白金、
酸化ルテニウムを用いた場合、高融点貴金属である白金
膜だけを用いた場合、更に導電層を形成しない場合のBa
TiO3膜の特性の違いについて述べる。第２図において
（ａ）は本方法の白金と酸化ルテニウムの多層膜を用い
た場合のBaTiO3膜の、（ｂ）は膜厚3000Åの白金膜を用
いた場合の、（ｃ）は膜厚3000Åでシート抵抗100Ω／c
m2の多結晶シリコン膜を用いた場合のBaTiO3膜の膜厚に
よる誘電率の変化を調べたものである。本方法の多層膜
を用いた場合のBaTiO3膜の誘電率はその膜厚に依存せず
一定であるのに対し、白金膜あるいは多結晶シリコン膜
を用いた場合には誘電体膜の膜厚が小さくなるにつれて
誘電率が著しく減少してしまう。
テニウム、第２層の白金を順に作製した。Arガス雰囲
気、４×10-3Torr、基板温度100℃で行い、白金、酸化
ルテニウムの膜厚はいずれも1500Åとした。酸化ルテニ
ウムの成膜にはRuO2組成の焼結体ターゲットを用いた。
BaTiO3膜は化学量論組成の粉末ターゲットを用い、高周
波マグネトロンスパッタ法で3000Åの膜厚のものを作製
した。Ar−O2混合ガス中、１×10-2Torr、基板温度600
℃でスパッタ成膜した。上部電極には5000ÅのAlを直流
スパッタ法により成膜した。本コンデンサの有効面積は
250μｍ２である。つぎに導電層として本方法の白金、
酸化ルテニウムを用いた場合、高融点貴金属である白金
膜だけを用いた場合、更に導電層を形成しない場合のBa
TiO3膜の特性の違いについて述べる。第２図において
（ａ）は本方法の白金と酸化ルテニウムの多層膜を用い
た場合のBaTiO3膜の、（ｂ）は膜厚3000Åの白金膜を用
いた場合の、（ｃ）は膜厚3000Åでシート抵抗100Ω／c
m2の多結晶シリコン膜を用いた場合のBaTiO3膜の膜厚に
よる誘電率の変化を調べたものである。本方法の多層膜
を用いた場合のBaTiO3膜の誘電率はその膜厚に依存せず
一定であるのに対し、白金膜あるいは多結晶シリコン膜
を用いた場合には誘電体膜の膜厚が小さくなるにつれて
誘電率が著しく減少してしまう。
多結晶シリコン膜での誘電率の低下は従来報告されてい
る通り、誘電体と電極の界面におけるシリコンの酸化層
の形成、あるいは誘電体膜成長初期の低誘電率層の形成
が原因である。（ｂ）の白金膜での場合には誘電体膜成
膜後のＸ線回折により白金のシリサイド化が確認され
た。これは600℃での誘電体の成膜時にシリコンが白金
と反応し、シリサイド化合物を形成しながら最表面に達
したことを意味している。従って、電極の最表面にはシ
リコンが存在し、多結晶シリコン膜の場合と同様な状態
で低誘電率層を形成したものと考えられる。これに対し
て、同じくＸ線回折によれば、白金と酸化ルテニウムの
多層膜では誘電体の成膜後も白金がシリサイド化せず元
の状態で存在している。即ち、シリコンは酸化ルテニウ
ム層でその拡散が抑えられて白金層に達しておらず、前
述のようなシリコンの酸化による低誘電率層の形成が起
こらなかったと考えられる。
る通り、誘電体と電極の界面におけるシリコンの酸化層
の形成、あるいは誘電体膜成長初期の低誘電率層の形成
が原因である。（ｂ）の白金膜での場合には誘電体膜成
膜後のＸ線回折により白金のシリサイド化が確認され
た。これは600℃での誘電体の成膜時にシリコンが白金
と反応し、シリサイド化合物を形成しながら最表面に達
したことを意味している。従って、電極の最表面にはシ
リコンが存在し、多結晶シリコン膜の場合と同様な状態
で低誘電率層を形成したものと考えられる。これに対し
て、同じくＸ線回折によれば、白金と酸化ルテニウムの
多層膜では誘電体の成膜後も白金がシリサイド化せず元
の状態で存在している。即ち、シリコンは酸化ルテニウ
ム層でその拡散が抑えられて白金層に達しておらず、前
述のようなシリコンの酸化による低誘電率層の形成が起
こらなかったと考えられる。
白金と酸化ルテニウムとの密着性を向上させることを目
的に、一般に行われているように白金と酸化ルテニウム
との間にチタンなどの密着層を挿入した構造としても本
発明の効果が損なわれることはない。また、白金の代わ
りにパラヂウム、あるいはロヂウムの高融点貴金属を用
いても同様な結果が得られることを確認した。
的に、一般に行われているように白金と酸化ルテニウム
との間にチタンなどの密着層を挿入した構造としても本
発明の効果が損なわれることはない。また、白金の代わ
りにパラヂウム、あるいはロヂウムの高融点貴金属を用
いても同様な結果が得られることを確認した。
（実施例２） 実施例１の薄膜コンデンサにおいて、導電層の第１層に
ルテニウムシリサイドを用い、BaTiO3膜の誘電率の膜厚
依存性を調べた。ルテニウムシリサイドはRu/Si＝1/1組
成の焼結体ターゲットを用いて直流スパッタ法で成膜
し、膜厚1500Åとした。
ルテニウムシリサイドを用い、BaTiO3膜の誘電率の膜厚
依存性を調べた。ルテニウムシリサイドはRu/Si＝1/1組
成の焼結体ターゲットを用いて直流スパッタ法で成膜
し、膜厚1500Åとした。
実施例１と同様にBaTiO3膜の誘電率はその膜厚に依存せ
ず本来の値約220が得られた。但し、誘電体膜成膜後の
Ｘ線回折によれば、酸化ルテニウムの場合とは異なり、
白金がシリサイド化していることが確認された。このこ
とから、ルテニウムシリサイドは少なくとも酸化ルテニ
ウムのようにシリコンの拡散を抑止する効果はなくシリ
コンは電極の最表面まで達するが、その上に形成された
誘電体膜の膜質は実施例１（ｂ）の白金膜上に形成され
た膜とは異なると考えられる。
ず本来の値約220が得られた。但し、誘電体膜成膜後の
Ｘ線回折によれば、酸化ルテニウムの場合とは異なり、
白金がシリサイド化していることが確認された。このこ
とから、ルテニウムシリサイドは少なくとも酸化ルテニ
ウムのようにシリコンの拡散を抑止する効果はなくシリ
コンは電極の最表面まで達するが、その上に形成された
誘電体膜の膜質は実施例１（ｂ）の白金膜上に形成され
た膜とは異なると考えられる。
本実施例でルテニウムシリサイドの代わりにルテニウム
を用いた場合にも同様な結果が得られることを確認し
た。
を用いた場合にも同様な結果が得られることを確認し
た。
（実施例３） 実施例１の薄膜コンデンサにおいて、導電層の第２層に
白金、パラヂウム、ロヂウムの高融点貴金属からなる合
金膜、あるいは多層膜を用いた。表１に本実施例で用い
た材料をまとめた。
白金、パラヂウム、ロヂウムの高融点貴金属からなる合
金膜、あるいは多層膜を用いた。表１に本実施例で用い
た材料をまとめた。
本実施例においても実施例１と同様に、BaTiO3膜の誘電
率はその膜厚に依存せず約220の値が得られ、界面での
低誘電率層の形成を防止できた。また、Ｘ線回折によっ
て、第２層の高融点貴金属の合金あるいは多層膜がシリ
サイド化していないことを確認した。
率はその膜厚に依存せず約220の値が得られ、界面での
低誘電率層の形成を防止できた。また、Ｘ線回折によっ
て、第２層の高融点貴金属の合金あるいは多層膜がシリ
サイド化していないことを確認した。
（実施例４） 実施例２と同様に導電層の第１層にルテニウムシリサイ
ドを直流スパッタ法で1500Å成膜した後、500℃、酸素
ガス雰囲気で熱処理してルテニウムシリサイド膜を酸化
し、しかる後に、実施例１と同様に白金、BaTiO3、Alを
形成した。
ドを直流スパッタ法で1500Å成膜した後、500℃、酸素
ガス雰囲気で熱処理してルテニウムシリサイド膜を酸化
し、しかる後に、実施例１と同様に白金、BaTiO3、Alを
形成した。
実施例１、２と同様にBaTiO3膜の誘電率はその膜厚に依
存せず約220の値が得られた。誘電体成膜後のＸ線回折
によれば白金はシリサイド化しておらず、その点で実施
例２の結果と異なる。即ち、ルテニウムシリサイドを酸
化した膜はシリコンを多量に含有するにもかかわらず、
白金へのシリコンの拡散を抑止している。ルテニウムシ
リサイド膜を酸化する温度としては400℃以上が必要で
ある。ルテニウムシリサイド膜のシート抵抗は酸化温度
に依存し、400℃から600℃までは約10Ω／□であるが、
630℃から増加し始め、700℃より高温で酸化すると著し
く増大して100Ω／□以上となる。薄膜コンデンサにお
いて電極の抵抗は小さいほどよく、従って、ルテニウム
シリサイドの酸化処理温度は400℃以上、700℃以下がよ
い。
存せず約220の値が得られた。誘電体成膜後のＸ線回折
によれば白金はシリサイド化しておらず、その点で実施
例２の結果と異なる。即ち、ルテニウムシリサイドを酸
化した膜はシリコンを多量に含有するにもかかわらず、
白金へのシリコンの拡散を抑止している。ルテニウムシ
リサイド膜を酸化する温度としては400℃以上が必要で
ある。ルテニウムシリサイド膜のシート抵抗は酸化温度
に依存し、400℃から600℃までは約10Ω／□であるが、
630℃から増加し始め、700℃より高温で酸化すると著し
く増大して100Ω／□以上となる。薄膜コンデンサにお
いて電極の抵抗は小さいほどよく、従って、ルテニウム
シリサイドの酸化処理温度は400℃以上、700℃以下がよ
い。
本実施例において作製されたルテニウム−シリコン酸化
物膜は、実施例１で作製された酸化ルテニウム膜よりも
シリコン電極との密着性に優れていることが特徴であ
る。例えば本実施例と同様にシリコン基板上に膜厚1500
Åのルテニウム−シリコンから成る酸化物膜を形成して
その上にBaTiO3膜２μｍをスパッタ成膜しても膜の剥離
は起こらなかったが、実施例１のようにシリコン電極上
に膜厚1500Åスパッタ成膜した酸化ルテニウム膜の上に
3500Å以上のBaTiO3を成膜すると、酸化ルテニウムとシ
リコン電極の間で全面剥離を生じた。
物膜は、実施例１で作製された酸化ルテニウム膜よりも
シリコン電極との密着性に優れていることが特徴であ
る。例えば本実施例と同様にシリコン基板上に膜厚1500
Åのルテニウム−シリコンから成る酸化物膜を形成して
その上にBaTiO3膜２μｍをスパッタ成膜しても膜の剥離
は起こらなかったが、実施例１のようにシリコン電極上
に膜厚1500Åスパッタ成膜した酸化ルテニウム膜の上に
3500Å以上のBaTiO3を成膜すると、酸化ルテニウムとシ
リコン電極の間で全面剥離を生じた。
また、本実施例のルテニウムシリサイド膜の代わりにル
テニウム膜を用いても同様に密着性向上の効果があっ
た。
テニウム膜を用いても同様に密着性向上の効果があっ
た。
以上の実施例はBaTiO3膜について説明したが、この他に
SrTiO3，PbTiO3，PbZrO3，LiNbO3，Bi3Ti4O12及び固溶
体（Ba,Sr）TiO3，（Ba,Pb）TiO3,Pb（Zr,Ti）O3につい
ても同様の作製、評価を行った結果、膜厚によらず誘電
体膜本来の誘電率が得られた。
SrTiO3，PbTiO3，PbZrO3，LiNbO3，Bi3Ti4O12及び固溶
体（Ba,Sr）TiO3，（Ba,Pb）TiO3,Pb（Zr,Ti）O3につい
ても同様の作製、評価を行った結果、膜厚によらず誘電
体膜本来の誘電率が得られた。
（発明の効果） 本発明は以上説明したように、シリコン電極上に形成さ
れた薄膜コンデンサにおいてシリコン電極と誘電体膜の
間に酸化ルテニウム、ルテニウムシリサイド、もしくは
ルテニウムからなる膜と高融点貴金属膜からなる導電層
を形成することにより、低誘電率層の形成を防ぎ、高誘
電率の薄膜コンデンサを提供することができる。
れた薄膜コンデンサにおいてシリコン電極と誘電体膜の
間に酸化ルテニウム、ルテニウムシリサイド、もしくは
ルテニウムからなる膜と高融点貴金属膜からなる導電層
を形成することにより、低誘電率層の形成を防ぎ、高誘
電率の薄膜コンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明における実施例１の薄膜コンデンサの断
側面図、第２図はBaTiO3膜の膜厚と誘電率の関係を示す
図。 図において、１…単結晶シリコン基板、２…単結晶シリ
コンの低抵抗層、３…酸化シリコン、４…多結晶シリコ
ン膜、5,9…Al,6…導電層第１層、７…導電層第２層、
８…BaTiO3膜。
側面図、第２図はBaTiO3膜の膜厚と誘電率の関係を示す
図。 図において、１…単結晶シリコン基板、２…単結晶シリ
コンの低抵抗層、３…酸化シリコン、４…多結晶シリコ
ン膜、5,9…Al,6…導電層第１層、７…導電層第２層、
８…BaTiO3膜。
Claims (2)
- 【請求項１】シリコン電極上に導電層、誘電体、上部電
極が順次形成された構造の薄膜コンデンサにおいて、導
電層がシリコン電極上に形成される第１層とその上に形
成される第２層とから構成され、第１層がルテニウム、
ルテニウムシリサイド、酸化ルテニウムから選ばれる少
なくとも１種以上の材料であり、第２層が白金、パラヂ
ウム、ロヂウムの高融点貴金属から選ばれる少なくとも
１種以上の材料であることを特徴とする薄膜コンデン
サ。 - 【請求項２】シリコン電極上に導電層の第１層にルテニ
ウムあるいはルテニウムシリサイドを形成した後400℃
以上700℃以下の酸素雰囲気で熱処理して導電層第１層
の一部または全体を酸化し、しかる後に導電層第２層に
白金、パラヂウム、ロヂウムの高融点貴金属から選ばれ
る少なくとも１種以上の材料を形成し、その上に誘電
体、上部電極を順次形成することを特徴とする薄膜コン
デンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057058A JPH0687492B2 (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057058A JPH0687492B2 (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257857A JPH03257857A (ja) | 1991-11-18 |
| JPH0687492B2 true JPH0687492B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=13044845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2057058A Expired - Fee Related JPH0687492B2 (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687492B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685193A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6358810B1 (en) * | 1998-07-28 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Method for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes |
| US6197628B1 (en) * | 1998-08-27 | 2001-03-06 | Micron Technology, Inc. | Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same |
| US6727140B2 (en) * | 2001-07-11 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Capacitor with high dielectric constant materials and method of making |
| JP7056290B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2022-04-19 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ、及び薄膜キャパシタの製造方法 |
| CN111968857B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-02-08 | 电子科技大学 | 化学法提高薄膜附着力实现介电薄膜双层复合的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222616A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | 宇部興産株式会社 | 耐熱性電極薄膜 |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP2057058A patent/JPH0687492B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03257857A (ja) | 1991-11-18 |
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