JPH0690502B2 - フォトマスクブランクの製造法 - Google Patents
フォトマスクブランクの製造法Info
- Publication number
- JPH0690502B2 JPH0690502B2 JP18411987A JP18411987A JPH0690502B2 JP H0690502 B2 JPH0690502 B2 JP H0690502B2 JP 18411987 A JP18411987 A JP 18411987A JP 18411987 A JP18411987 A JP 18411987A JP H0690502 B2 JPH0690502 B2 JP H0690502B2
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- JP
- Japan
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- film
- light
- shielding film
- photomask blank
- chromium
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、フォトマスクの素材であるフォトマスクブラ
ンクの製造方法に関する。
ンクの製造方法に関する。
＜従来の技術＞ フォトマスクブランクは、透明基板の表面に遮光膜が形
成されたものであり、前記遮光膜を所定パターン状に成
形して、フォトマスクとされる。
成されたものであり、前記遮光膜を所定パターン状に成
形して、フォトマスクとされる。
前記パターン成形にあたっては、通常、フォトリソグラ
フィ方式による。つまり、遮光膜の表面に形成したレジ
スト膜を所定パターン状に成形した後、エッチング加工
を施すことにより、前記パターンに対応して遮光膜をパ
ターニングするものである。
フィ方式による。つまり、遮光膜の表面に形成したレジ
スト膜を所定パターン状に成形した後、エッチング加工
を施すことにより、前記パターンに対応して遮光膜をパ
ターニングするものである。
一般に、透明基板としてはガラス基板が用いられ、遮光
膜としては真空蒸着やスパッタ法等により形成したクロ
ムが用いられており、第２図ａ〜ｂに示すような工程で
製造されている。
膜としては真空蒸着やスパッタ法等により形成したクロ
ムが用いられており、第２図ａ〜ｂに示すような工程で
製造されている。
すなわち、ガラス基板１上に金属クロム膜の遮光膜２を
真空蒸着またはスパッタ法などにより形成する。
真空蒸着またはスパッタ法などにより形成する。
＜発明が解決しようとする課題＞ 一般に用いられているクロムの遮光膜は、化学的・機械
的耐久性の点で充分であるとは言えず、フォトマスク製
造工程やフォトマスク洗浄中にマスクパターンの欠落な
どの欠陥を生じるといった欠点がある。また、金属クロ
ムは遮光膜の表面光反射率が高く、ウエハープロセス上
不都合がある。
的耐久性の点で充分であるとは言えず、フォトマスク製
造工程やフォトマスク洗浄中にマスクパターンの欠落な
どの欠陥を生じるといった欠点がある。また、金属クロ
ムは遮光膜の表面光反射率が高く、ウエハープロセス上
不都合がある。
本発明は、化学的・機械的耐久性の双方に優れ、表面光
反射率が低いクロム層からなる遮光膜を形成できるよう
な製造法を提供することを目的とする。
反射率が低いクロム層からなる遮光膜を形成できるよう
な製造法を提供することを目的とする。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明は、ガラス基板の表面に、真空蒸着またはスパッ
タ法等によりクロム層からなる遮光膜を形成する工程を
含むフォトマスクブランクの製造法において、前記遮光
膜形成後−レジスト膜形成前に、前記遮光膜表面にプラ
ズマ処理を施し、遮光膜表面に酸化膜あるいは窒化膜か
らなるクロム化合物層を形成する工程を含むことを特徴
とするものである。
タ法等によりクロム層からなる遮光膜を形成する工程を
含むフォトマスクブランクの製造法において、前記遮光
膜形成後−レジスト膜形成前に、前記遮光膜表面にプラ
ズマ処理を施し、遮光膜表面に酸化膜あるいは窒化膜か
らなるクロム化合物層を形成する工程を含むことを特徴
とするものである。
＜作用＞ プラズマ処理を施すことによって、金属クロム膜からな
る遮光膜の機械的耐久性を向上させることが可能であ
り、しかも遮光膜の反射率を低下させることが可能であ
る。
る遮光膜の機械的耐久性を向上させることが可能であ
り、しかも遮光膜の反射率を低下させることが可能であ
る。
また、プラズマ処理を行なう事で、遮光膜表面の残留有
機物が除去され、後工程で形成するレジスト膜との密着
性が向上する。
機物が除去され、後工程で形成するレジスト膜との密着
性が向上する。
＜実施例＞ 以下、本発明のフォトマスクブランクの製造法の実施例
を図面に基づいて説明する。
を図面に基づいて説明する。
第１図ａ〜ｃは、本発明におけるフォトマスクブランク
の製造法の一例を工程順に示す説明図、第３図は平行平
板型のプラズマ表面処理装置の説明図である。
の製造法の一例を工程順に示す説明図、第３図は平行平
板型のプラズマ表面処理装置の説明図である。
第１図ａに示すガラス基板10上に、従来と同様に真空蒸
着またはスパッタ法により1000Å前後の金属クロム膜層
11を第１図ｂに示すように形成する。
着またはスパッタ法により1000Å前後の金属クロム膜層
11を第１図ｂに示すように形成する。
次に、この金属クロム層を有する基板12を第３図に示す
ようなプラズマ表面処理装置20内に配し、酸素ガス雰囲
気中で約13.56MHzの高周波放電によりプラズマを発生さ
せ、金属クロム層11の表面の反応を行なわせしめる。こ
れにより第１図Ｃに示す様な金属クロム層11の表面を酸
化したプラズマ処理膜層13を有する基板14を得る。
ようなプラズマ表面処理装置20内に配し、酸素ガス雰囲
気中で約13.56MHzの高周波放電によりプラズマを発生さ
せ、金属クロム層11の表面の反応を行なわせしめる。こ
れにより第１図Ｃに示す様な金属クロム層11の表面を酸
化したプラズマ処理膜層13を有する基板14を得る。
なお、第３図においては、真空処理室21内にテーブル22
が設置され、テーブルの上方に上部電極24、下方には下
部電極23が設置されている。プラズマ処理を行なう際に
は、ターゲット材料をテーブル上に堆積させ、最初に処
理室21を真空に排気し、ガス導入口26より酸素ガスを流
入しながら、排気口27から排気して処理室内の圧力を一
定に保つ。そこで、高周波電源25からの高周波放電を行
なうことによってプラズマ処理を施すものである。
が設置され、テーブルの上方に上部電極24、下方には下
部電極23が設置されている。プラズマ処理を行なう際に
は、ターゲット材料をテーブル上に堆積させ、最初に処
理室21を真空に排気し、ガス導入口26より酸素ガスを流
入しながら、排気口27から排気して処理室内の圧力を一
定に保つ。そこで、高周波電源25からの高周波放電を行
なうことによってプラズマ処理を施すものである。
また、酸素ガスの代わりに窒素ガスや、酸素や窒素を含
有するガスを用いる事により、窒化膜や化合物膜を形成
する事も可能である。
有するガスを用いる事により、窒化膜や化合物膜を形成
する事も可能である。
上記の方法によって形成されたプラズマ処理膜（クロム
化合物層）は、従来の自然酸化による不働態皮膜よりも
厚い酸化膜あるいは窒化膜であり、機械的強度が向上し
ている。
化合物層）は、従来の自然酸化による不働態皮膜よりも
厚い酸化膜あるいは窒化膜であり、機械的強度が向上し
ている。
例えば、酸素ガス流量100［SCCM］，圧力0.1［Torr］の
条件下でプラズマ処理を施した金属クロム膜は、2500
［PSI］の高圧力水洗浄（75回繰り返し）において、プ
ラズマ処理を行なわない金属クロム膜のピンホール欠陥
発生が1.7［個／cm2］であるのに対し、0.9［個／cm2］
と著しく減少した。
条件下でプラズマ処理を施した金属クロム膜は、2500
［PSI］の高圧力水洗浄（75回繰り返し）において、プ
ラズマ処理を行なわない金属クロム膜のピンホール欠陥
発生が1.7［個／cm2］であるのに対し、0.9［個／cm2］
と著しく減少した。
さらに、酸素ガス流量50〜150［SCCM］，圧力0.1〜1.0
［Torr］の条件下でのプラズマ処理を施した金属クロム
膜の反射率は、プラズマ処理を施さない高反射率の金属
クロム膜と比較して、５％未満に低下した。
［Torr］の条件下でのプラズマ処理を施した金属クロム
膜の反射率は、プラズマ処理を施さない高反射率の金属
クロム膜と比較して、５％未満に低下した。
加えて、このようなプラズマ処理膜を有する金属クロム
膜を従来のウェットエッチング方でエッチングした後の
金属クロムパターンの形状はプラズマ処理を行なわない
場合のものと変化がなかった。
膜を従来のウェットエッチング方でエッチングした後の
金属クロムパターンの形状はプラズマ処理を行なわない
場合のものと変化がなかった。
＜発明の効果＞ 本発明によって、化学的・機械的耐久性の双方に優れ、
表面光反射率が低いクロム層からなる遮光膜を形成でき
るような製造法が提供された。
表面光反射率が低いクロム層からなる遮光膜を形成でき
るような製造法が提供された。
また、後工程において、プラズマ処理膜を有する金属ク
ロム膜を従来のウェットエッチング法でエッチングした
後の金属クロムパターンの形状は、プラズマ処理を行な
わない場合のものと変化がなかった事からも明らかなよ
うに、遮光膜にプラズマ処理を施した場合のエッチング
適性は、プラズマ処理を施さない従来の場合と変わらな
い。従って、本発明によるフォトマスクブランクは、後
工程において、従来設備を利用したフォトマスクの製造
にも対応できる。
ロム膜を従来のウェットエッチング法でエッチングした
後の金属クロムパターンの形状は、プラズマ処理を行な
わない場合のものと変化がなかった事からも明らかなよ
うに、遮光膜にプラズマ処理を施した場合のエッチング
適性は、プラズマ処理を施さない従来の場合と変わらな
い。従って、本発明によるフォトマスクブランクは、後
工程において、従来設備を利用したフォトマスクの製造
にも対応できる。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図ａ〜
ｃはフォトマスクブランクの製造法の一実施例を工程順
に示す説明図、また、第２図ａ〜ｂは従来の技術を説明
するものであって、従来のフォトマスクブランクの製造
法の一実施例を工程順に示す説明図である。 第３図は本発明に用いるプラズマ表面処理装置の一例を
示す説明図である。 10……ガラス基板 11……遮光膜層 12……従来のレジスト塗布形成前のフォトマスクブラン
ク 13……プラスマ処理膜層 14……プラズマ処理膜形成後のフォトマスクブランク
ｃはフォトマスクブランクの製造法の一実施例を工程順
に示す説明図、また、第２図ａ〜ｂは従来の技術を説明
するものであって、従来のフォトマスクブランクの製造
法の一実施例を工程順に示す説明図である。 第３図は本発明に用いるプラズマ表面処理装置の一例を
示す説明図である。 10……ガラス基板 11……遮光膜層 12……従来のレジスト塗布形成前のフォトマスクブラン
ク 13……プラスマ処理膜層 14……プラズマ処理膜形成後のフォトマスクブランク
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板の表面に、真空蒸着またはスパ
ッタ法等によりクロム層からなる遮光膜を形成する工程
を含むフォトマスクブランクの製造法において、前記遮
光膜形成後−レジスト膜形成前に、前記遮光膜表面にプ
ラズマ処理を施し、遮光膜表面に酸化膜あるいは窒化膜
からなるクロム化合物層を形成する工程を含むことを特
徴とするフォトマスクブランクの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18411987A JPH0690502B2 (ja) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | フォトマスクブランクの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18411987A JPH0690502B2 (ja) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | フォトマスクブランクの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6428644A JPS6428644A (en) | 1989-01-31 |
| JPH0690502B2 true JPH0690502B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=16147709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18411987A Expired - Lifetime JPH0690502B2 (ja) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | フォトマスクブランクの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690502B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5054674A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-14 | ||
| JPS5621147B2 (ja) * | 1974-10-04 | 1981-05-18 | ||
| JPS5876831A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-10 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 金属画像形成材料 |
-
1987
- 1987-07-23 JP JP18411987A patent/JPH0690502B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6428644A (en) | 1989-01-31 |
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