JPH0691029B2 - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0691029B2 JPH0691029B2 JP5682388A JP5682388A JPH0691029B2 JP H0691029 B2 JPH0691029 B2 JP H0691029B2 JP 5682388 A JP5682388 A JP 5682388A JP 5682388 A JP5682388 A JP 5682388A JP H0691029 B2 JPH0691029 B2 JP H0691029B2
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- Japan
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- gas
- ejection
- vapor deposition
- chemical vapor
- deposition apparatus
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造工程で薄膜形成に使用する化学気
相成長装置に関する。
相成長装置に関する。
従来、この種の化学気相成長装置は第３図に示すように
構成されている。これを同図および第４図に基づいて説
明すると、同図において、符号１で示すものは排気孔２
を有する反応器、３はこの反応器１内に設けられウエハ
４を載置する加熱ステージ、５はこの加熱ステージ３の
上方に設けられ所定の間隔をもって並列する複数のガス
噴出通路６を有するガス噴出ヘッドである。このガス噴
出ヘッド５は、前記ガス噴出通路６の噴出口6aからSH4,
O2等の反応ガス7,8を噴出するように構成されている。
構成されている。これを同図および第４図に基づいて説
明すると、同図において、符号１で示すものは排気孔２
を有する反応器、３はこの反応器１内に設けられウエハ
４を載置する加熱ステージ、５はこの加熱ステージ３の
上方に設けられ所定の間隔をもって並列する複数のガス
噴出通路６を有するガス噴出ヘッドである。このガス噴
出ヘッド５は、前記ガス噴出通路６の噴出口6aからSH4,
O2等の反応ガス7,8を噴出するように構成されている。
このように構成された化学気相成長装置においては、ガ
ス噴出通路６の噴出口6aから加熱ステージ３上のウエハ
４に対して交互に噴出した反応ガス7,8が噴出すると、
熱化学反応によってウエハ表面に薄膜が形成される。こ
のとき、反応ガス7,8は噴出後に混合し、未反応分のガ
スは排気孔２から排出される。
ス噴出通路６の噴出口6aから加熱ステージ３上のウエハ
４に対して交互に噴出した反応ガス7,8が噴出すると、
熱化学反応によってウエハ表面に薄膜が形成される。こ
のとき、反応ガス7,8は噴出後に混合し、未反応分のガ
スは排気孔２から排出される。
〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、この種の化学気相成長装置においては、各々
が互いに隣り合う２つの噴出口6a間に開口方向と垂直な
面が形成されているため、この面上に第５図に示すよう
に反応ガス7,8が噴出後に溜って異物Ａを形成してい
た。この結果、ガス噴出ヘッド５の先端面を定期的に清
掃する必要が生じ、ウエハ表面に対する薄膜形成時の点
検作業を煩雑にするという問題があった。すなわち、薄
膜形成時にガス噴出ヘッド５の開口端面5aに溜まった異
物Ａがウエハ表面に付着すると、薄膜形成上の信頼性が
大幅に低下するからである。
が互いに隣り合う２つの噴出口6a間に開口方向と垂直な
面が形成されているため、この面上に第５図に示すよう
に反応ガス7,8が噴出後に溜って異物Ａを形成してい
た。この結果、ガス噴出ヘッド５の先端面を定期的に清
掃する必要が生じ、ウエハ表面に対する薄膜形成時の点
検作業を煩雑にするという問題があった。すなわち、薄
膜形成時にガス噴出ヘッド５の開口端面5aに溜まった異
物Ａがウエハ表面に付着すると、薄膜形成上の信頼性が
大幅に低下するからである。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、ガス噴
出ヘッドの清掃を不要にし、もって薄膜形成時の点検作
業を簡単に行うことができる化学気相成長装置を提供す
るものである。
出ヘッドの清掃を不要にし、もって薄膜形成時の点検作
業を簡単に行うことができる化学気相成長装置を提供す
るものである。
本発明に係る化学気相成長装置は、ガス噴出通路の噴出
口をガス導入側からガス導出側に向かって拡がる路壁面
をもつ噴出口によって形成し、この噴出口の開口縁を隣
接する他の噴出口の開口縁に接触させたものである。
口をガス導入側からガス導出側に向かって拡がる路壁面
をもつ噴出口によって形成し、この噴出口の開口縁を隣
接する他の噴出口の開口縁に接触させたものである。
本発明においては、薄膜形成時に反応ガスが各ガス噴出
通路の路壁面に沿って流動し噴出口の外部で混合する。
通路の路壁面に沿って流動し噴出口の外部で混合する。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る化学気相成長装置の要部を示す断
面図で、同図以下において第３図〜第５図と同一の部材
については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
同図において、符号11で示すガス噴出ヘッドには、前記
ガス噴出ヘッド５と同様に所定の間隔をもって並列する
複数のガス噴出通路12,13が設けられている。これらガ
ス噴出通路12,13の噴出口14,15は、ガス導入側からガス
導出側に向かって拡がる路壁面14a,15aをもつ噴出口に
よって，すなわちガス噴出通路12,13のうち噴出口付近
の路壁を尖鋭状に形成されている。このうち噴出口14の
開口縁は隣接する他の噴出口15の開口縁に接触してい
る。
面図で、同図以下において第３図〜第５図と同一の部材
については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
同図において、符号11で示すガス噴出ヘッドには、前記
ガス噴出ヘッド５と同様に所定の間隔をもって並列する
複数のガス噴出通路12,13が設けられている。これらガ
ス噴出通路12,13の噴出口14,15は、ガス導入側からガス
導出側に向かって拡がる路壁面14a,15aをもつ噴出口に
よって，すなわちガス噴出通路12,13のうち噴出口付近
の路壁を尖鋭状に形成されている。このうち噴出口14の
開口縁は隣接する他の噴出口15の開口縁に接触してい
る。
このように構成された化学気相成長装置においては、ウ
エハ４の表面に対する薄膜形成時に第２図に示すように
反応ガス7,8が各噴出口14,15の路壁面14a,15aに沿って
流動し噴出口14,15の外部で反応ガス（SH4ガスとO2ガ
ス）7,8が混合した後、これら反応ガス7,8が熱化学反応
してウエハ４の表面上に薄膜が形成される。このとき、
反応ガス7,8は交互に各噴出口14,15から噴出され、また
未反応ガスは反応器１の排気孔２から外部に排出され
る。
エハ４の表面に対する薄膜形成時に第２図に示すように
反応ガス7,8が各噴出口14,15の路壁面14a,15aに沿って
流動し噴出口14,15の外部で反応ガス（SH4ガスとO2ガ
ス）7,8が混合した後、これら反応ガス7,8が熱化学反応
してウエハ４の表面上に薄膜が形成される。このとき、
反応ガス7,8は交互に各噴出口14,15から噴出され、また
未反応ガスは反応器１の排気孔２から外部に排出され
る。
したがって、本発明においては、各々が互いに隣り合う
２つの噴出口14,15間に反応ガス7,8による異物Ａが形成
されることがないから、従来必要とした噴出ヘッド11の
清掃が不要になる。
２つの噴出口14,15間に反応ガス7,8による異物Ａが形成
されることがないから、従来必要とした噴出ヘッド11の
清掃が不要になる。
なお、本実施例においては、ガス噴出通路12,13として
溝状のものを示したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、孔状のガス噴出通路（図示せず）としても実
施例と同様の効果を奏する。
溝状のものを示したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、孔状のガス噴出通路（図示せず）としても実
施例と同様の効果を奏する。
また、本発明における反応ガス7,8の種類は前述した実
施例に限定されず、他の種類のガスを使用しても化学気
相成長法による薄膜を形成できることは勿論である。
施例に限定されず、他の種類のガスを使用しても化学気
相成長法による薄膜を形成できることは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、ガス噴出ヘッドに
おけるガス噴出通路の噴出口をガス導入側からガス導出
側に向かって拡がる路壁面をもつ噴出口によって形成
し、この噴出口の開口縁を隣接する他の噴出口の開口縁
に接触させたので、ウエハ表面に対する薄膜形成時に反
応ガスを各ガス噴出通路の路壁面に沿って流動させ噴出
口の外部で混合させることができる。したがって、従来
のように各々が互いに隣り合う２つの噴出口間に反応ガ
スによる異物が形成されることがないから、ガス噴出ヘ
ッドの清掃が不要になり、薄膜形成時の点検作業を簡単
に行うことができる。
おけるガス噴出通路の噴出口をガス導入側からガス導出
側に向かって拡がる路壁面をもつ噴出口によって形成
し、この噴出口の開口縁を隣接する他の噴出口の開口縁
に接触させたので、ウエハ表面に対する薄膜形成時に反
応ガスを各ガス噴出通路の路壁面に沿って流動させ噴出
口の外部で混合させることができる。したがって、従来
のように各々が互いに隣り合う２つの噴出口間に反応ガ
スによる異物が形成されることがないから、ガス噴出ヘ
ッドの清掃が不要になり、薄膜形成時の点検作業を簡単
に行うことができる。
第１図は本発明に係る化学気相成長装置の要部を示す断
面図、第２図は同じく本発明の化学気相成長装置による
反応ガスの混合状態を説明するめたの断面図、第３図は
従来の化学気相成長装置を示す概略図、第４図はその要
部を示す断面図、第５図は従来の化学気相成長装置によ
る異物の形成状態を示す断面図である。 ３……加熱ステージ、４……ウエハ、7,8……反応ガ
ス、11……ガス噴出ヘッド、12,13……ガス噴出通路、1
4,15……噴出口、14a,15a……路壁面。
面図、第２図は同じく本発明の化学気相成長装置による
反応ガスの混合状態を説明するめたの断面図、第３図は
従来の化学気相成長装置を示す概略図、第４図はその要
部を示す断面図、第５図は従来の化学気相成長装置によ
る異物の形成状態を示す断面図である。 ３……加熱ステージ、４……ウエハ、7,8……反応ガ
ス、11……ガス噴出ヘッド、12,13……ガス噴出通路、1
4,15……噴出口、14a,15a……路壁面。
Claims (1)
- 【請求項１】所定の間隔をもって並列する複数のガス噴
出通路を有しこれら噴出通路の噴出口から加熱ステージ
上のウエハに対して反応ガスを噴出するガス噴出ヘッド
を備えた化学気相成長装置において、前記ガス噴出通路
の噴出口をガス導入側からガス導出側に向かって拡がる
路壁面をもつ噴出口によって形成し、この噴出口の開口
縁を隣接する他の噴出口の開口縁に接触させたことを特
徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5682388A JPH0691029B2 (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5682388A JPH0691029B2 (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 化学気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230224A JPH01230224A (ja) | 1989-09-13 |
| JPH0691029B2 true JPH0691029B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=13038097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5682388A Expired - Lifetime JPH0691029B2 (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691029B2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-09 JP JP5682388A patent/JPH0691029B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01230224A (ja) | 1989-09-13 |
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