JPH01230224A - 化学気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造工程で薄膜形成に使用する化学気
相成長装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の化学気相成長装置は第３図に示すように
構成されている。これを同図および第４図に基づいて説
明すると、同図において、符号１で示すものは排気孔２
を有する反応器、３はこの反応器１内に設けられウェハ
４を載置する加熱ステージ、５はこの加熱ステージ３の
上方に設けられ所定の間隔をもって並列する複数のガス
噴出通路６を有するガス噴出ヘッドである。このガス噴
出ヘッド５は、前記ガス噴出通路６の噴出口６ａからＳ
Ｈ，，０□等の反応ガス７．８を噴出するように構成さ
れている。

このように構成された化学気相成長装置においては、ガ
ス噴出通路６の噴出口６ａから加熱ステージ３上のウェ
ハ４に対して交互に噴出した反応ガス７．８が噴出する
と、熱化学反応によってウェハ表面に薄膜が形成される
。このとき、反応ガス７゜８は噴出後に混合し、未反応
分のガスは排気孔２から排出される。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、この種の化学気相成長装置においては、各々
が互いに隣り合う２つの噴出口６３間に開口方向と垂直
な面が形成されているため、この面上に第５図に示すよ
うに反応ガス７．８が噴出後に溜って異物Ａを形成して
いた。この結果、ガス噴出ヘッド５の先端面を定期的に
清掃する必要が生じ、ウェハ表面に対する薄膜形成時の
点検作業を煩雑にするという問題があった。すなわち、
薄膜形成時にガス噴出ヘッド５の開口端面５ａに溜まっ
た異物Ａがウェハ表面に付着すると、薄膜形成上の信頼
性が大幅に低下するからである。

本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、ガス噴
出ヘッドの清掃を不要にし、もって薄膜形成時の点検作
業を簡単に行うことができる化学気相成長装置を提供す
るものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る化学気相成長装置は、ガス噴出通路の噴出
口をガス導入側からガス導出側に向かって拡がる路壁面
をもつ噴出口によって形成し、この噴出口の開口縁を隣
接する他の噴出口の開口縁を接触させたものである。

〔作　用〕

本発明においては、薄膜形成時に反応ガスが各ガス噴出
通路の路壁面に沿って流動し噴出口の外部ご混合する。

〔実施例〕

以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。

第１図は本発明に係る化学気相成長装置の要部を示す断
面図で、同図以下において第３図〜第５図と同一の部材
については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

同図において、符号１１で示すガス噴出ヘッドには、前
記ガス噴出へラド５と同様に所定の間隔をもって並列す
る複数のガス噴出通路１２．１３が設けられている。こ
れらガス噴出通路１２．１３の噴出口１４．１５は、ガ
ス導入側からガス導出側に向かって拡がる路壁面１４ａ
、１５ａをもつ噴出口によって、すなわちガス噴出通路
１２．１３のうち噴出口付近の路壁を尖鋭状に形成され
ている。このうち噴出口１４の開口縁は隣接する他の噴
出口１５の開口縁に接触している。

このように構成された化学気相成長装置においては、ウ
ェハ４の表面に対する薄膜形成時に第２図に示すように
反応ガス７．８が各噴出口１４．１５の路壁面１４ａ、
　１５ａに沿って流動し噴出口１４．１５の外部で反応
ガス（ＳＨ４ガスと０２ガス）７，８が混合した後、こ
れら反応ガス７．８が熱化学反応してウェハ４の表面上
に薄膜が形成される。このとき、反応ガス７．８は交互
に各噴出口１４．１５から噴出され、また未反応ガスは
反応器１の排気孔２から外部に排出される。

したがって、本発明においては、各々が互いに隣り合う
２つの噴出口１４．１５間に反応ガス７．８による異物
Ａが形成されることがないから、従来必要とした噴出ヘ
ッド１１の清掃が不要になる。

なお、本実施例においては、ガス噴出通路１２゜１３と
して溝状のものを示したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、礼状のガス噴出通路（図示せず）として
も実施例と同様の効果を奏する。

また、本発明における反応ガス７．８の種類は前述した
実施例に限定されず、他の種類のガスを使用しても化学
気相成長法による薄膜を形成できることは勿論である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、ガス噴出ヘッドに
おけるガス噴出通路の噴出口をガス導入側からガス導出
側に向かって拡がる路壁面をもつ噴出口によって形成し
、この噴出口の開口縁を隣接する他の噴出口の開口縁に
接触させたので、ウェハ表面に対する薄膜形成時に反応
ガスを各ガス噴出通路の路壁面に沿って流動させ噴出口
の外部で混合させることができる。したがって、従来の
ように各々が互いに隣り合う２つの噴出口間に反応ガス
による異物が形成されることがないから、ガス噴出ヘッ
ドの清掃が不要になり、薄膜形成時の点検作業を簡単に
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る化学気相成長装置の要部を示す断
面図、第２図は同じく本発明の化学気相成長装置による
反応ガスの混合状態を説明するめだの断面図、第３図は
従来の化学気相成長装置を示す概略図、第４図はその要
部を示す断面図、第５図は従来の化学気相成長装置によ
る異物の形成状態を示す断面図である。 ３・・・・加熱ステージ、４・・・・ウェハ、７．８・
・・・反応ガス、１１・・・・ガス噴出ヘッド、１２．
１３・・・・ガス噴出通路、１４゜１５・・・・噴出口
、１４ａ、１５ａ・・・・路壁面。 代　　　理　　　人　　　大　岩　増　雄第１図 、／／１１ 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　所定の間隔をもって並列する複数のガス噴出通路を有
   しこれら噴出通路の噴出口から加熱ステージ上のウェハ
   に対して反応ガスを噴出するガス噴出ヘッドを備えた化
   学気相成長装置において、前記ガス噴出通路の噴出口を
   ガス導入側からガス導出側に向かって拡がる路壁面をも
   つ噴出口によって形成し、この噴出口の開口縁を隣接す
   る他の噴出口の開口縁に接触させたことを特徴とする化
   学気相成長装置。