JPH0692773A - 単結晶引上方法 - Google Patents
単結晶引上方法Info
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- JPH0692773A JPH0692773A JP13677691A JP13677691A JPH0692773A JP H0692773 A JPH0692773 A JP H0692773A JP 13677691 A JP13677691 A JP 13677691A JP 13677691 A JP13677691 A JP 13677691A JP H0692773 A JPH0692773 A JP H0692773A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本願は、気密容器の内部に設けられたルツボ
に半導体融液を貯留し、該半導体融液に磁場を印加しつ
つこの半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶
引上方法において、前記磁場の強度を前記半導体単結晶
の固化率に対応して変化させることを特徴とする。 【効果】 半導体融液の粘性及び対流を最適条件で制御
することができ、半導体融液の液面付近の酸素濃度の制
御性を向上させることができる。したがって、半導体単
結晶内の軸方向の酸素濃度分布を均質化することがで
き、半導体単結晶の品質を向上させることができる。ま
た、マグネットの消費電力を低減することができ、電力
コストを低減することができる。
に半導体融液を貯留し、該半導体融液に磁場を印加しつ
つこの半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶
引上方法において、前記磁場の強度を前記半導体単結晶
の固化率に対応して変化させることを特徴とする。 【効果】 半導体融液の粘性及び対流を最適条件で制御
することができ、半導体融液の液面付近の酸素濃度の制
御性を向上させることができる。したがって、半導体単
結晶内の軸方向の酸素濃度分布を均質化することがで
き、半導体単結晶の品質を向上させることができる。ま
た、マグネットの消費電力を低減することができ、電力
コストを低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体単結晶の軸方向
の酸素濃度分布を均質化することができ、かつ、製造コ
ストを削減することができる単結晶引上方法に関するも
のである。
の酸素濃度分布を均質化することができ、かつ、製造コ
ストを削減することができる単結晶引上方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン（Ｓｉ）やガリウムヒ素
（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を育成する方法の一つ
に、従来のチョクラルスキー法（ＣＺ法）を改良した磁
界印加型ＣＺ法（以下、ＭＣＺ法と略称する）がある。
（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を育成する方法の一つ
に、従来のチョクラルスキー法（ＣＺ法）を改良した磁
界印加型ＣＺ法（以下、ＭＣＺ法と略称する）がある。
【０００３】このＭＣＺ法は、ルツボに貯留された半導
体融液に磁場を印加しつつこの半導体融液より半導体単
結晶を育成するもので、磁場を印加することにより半導
体融液内の対流を抑制することができ、その結果、極め
て結晶性の良い半導体単結晶を育成することができる。
したがって、均一性に優れた半導体単結晶を得るには最
も優れた方法の一つである。
体融液に磁場を印加しつつこの半導体融液より半導体単
結晶を育成するもので、磁場を印加することにより半導
体融液内の対流を抑制することができ、その結果、極め
て結晶性の良い半導体単結晶を育成することができる。
したがって、均一性に優れた半導体単結晶を得るには最
も優れた方法の一つである。
【０００４】このＭＣＺ法に用いられる単結晶引上装置
は、不活性ガスが低圧で充填された気密容器と、該気密
容器内に設けられる石英（ＳｉＯ2）製ルツボと、前記
ルツボ内に貯留される半導体融液（加熱溶融された半導
体単結晶の原料）を加熱するヒーターと、前記半導体融
液に磁場を印加するマグネットとから概略構成されてい
る。
は、不活性ガスが低圧で充填された気密容器と、該気密
容器内に設けられる石英（ＳｉＯ2）製ルツボと、前記
ルツボ内に貯留される半導体融液（加熱溶融された半導
体単結晶の原料）を加熱するヒーターと、前記半導体融
液に磁場を印加するマグネットとから概略構成されてい
る。
【０００５】この単結晶引上装置により半導体単結晶を
育成するには、まず、ルツボ内に半導体原料を所定量投
入し、次に気密容器内にＡｒ等の不活性ガスを導入し、
前記ルツボを回転させながら半導体原料を単結晶成長温
度以上の温度まで加熱して完全に融解し、この半導体融
液に一定の磁場を印加しながら該半導体融液に種結晶を
浸漬し回転させつつ垂直上方に引き上げ半導体単結晶を
成長させる。
育成するには、まず、ルツボ内に半導体原料を所定量投
入し、次に気密容器内にＡｒ等の不活性ガスを導入し、
前記ルツボを回転させながら半導体原料を単結晶成長温
度以上の温度まで加熱して完全に融解し、この半導体融
液に一定の磁場を印加しながら該半導体融液に種結晶を
浸漬し回転させつつ垂直上方に引き上げ半導体単結晶を
成長させる。
【０００６】この結晶成長過程においては、半導体融液
に磁場を印加することにより該半導体融液内にローレン
ツ力が発生し、該ローレンツ力により前記半導体融液の
粘性及び対流が制御される。
に磁場を印加することにより該半導体融液内にローレン
ツ力が発生し、該ローレンツ力により前記半導体融液の
粘性及び対流が制御される。
【０００７】従来では、半導体単結晶中の酸素濃度はル
ツボの回転数を変化させることにより制御しており、ま
た、前記半導体単結晶の径方向の酸素濃度分布、抵抗率
分布は引き上げ時の半導体単結晶の回転数を変化させる
ことにより制御している。
ツボの回転数を変化させることにより制御しており、ま
た、前記半導体単結晶の径方向の酸素濃度分布、抵抗率
分布は引き上げ時の半導体単結晶の回転数を変化させる
ことにより制御している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の単結
晶引上方法においては、常に半導体融液に一定の磁場を
印加しているために、前記半導体単結晶が成長するにし
たがって、すなわち半導体単結晶の固化率（単結晶引き
上げ開始時の半導体融液の量に対する成長した単結晶の
量の割合）が増加するにしたがって、軸方向の酸素濃度
分布が指数関数的に低下するという欠点があった。
晶引上方法においては、常に半導体融液に一定の磁場を
印加しているために、前記半導体単結晶が成長するにし
たがって、すなわち半導体単結晶の固化率（単結晶引き
上げ開始時の半導体融液の量に対する成長した単結晶の
量の割合）が増加するにしたがって、軸方向の酸素濃度
分布が指数関数的に低下するという欠点があった。
【０００９】その理由は、半導体融液に印加される磁場
が常に一定であるために、半導体単結晶の固化率が増加
するにしたがって半導体融液内が漸次過剰磁場になり、
前記半導体融液の粘性及び対流が最適条件で制御できな
くなるからである。
が常に一定であるために、半導体単結晶の固化率が増加
するにしたがって半導体融液内が漸次過剰磁場になり、
前記半導体融液の粘性及び対流が最適条件で制御できな
くなるからである。
【００１０】前記半導体融液の液面付近の酸素濃度の制
御性が漸次低下すると、半導体単結晶内の軸方向の酸素
濃度分布が指数関数的に低下し、ひいては前記半導体単
結晶の品質が低下することとなる。
御性が漸次低下すると、半導体単結晶内の軸方向の酸素
濃度分布が指数関数的に低下し、ひいては前記半導体単
結晶の品質が低下することとなる。
【００１１】また、常に一定の磁場を印加し続けるため
に、電力コストを低減することができないという欠点も
あった。
に、電力コストを低減することができないという欠点も
あった。
【００１２】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、半導体単結晶の軸方向の酸素濃度分布を均
一に制御することができ、かつ、製造コストを削減する
ことができる単結晶引上方法を提供することにある。
のであって、半導体単結晶の軸方向の酸素濃度分布を均
一に制御することができ、かつ、製造コストを削減する
ことができる単結晶引上方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な単結晶引上方法を採用した。すな
わち、気密容器の内部に設けられたルツボに半導体融液
を貯留し、該半導体融液に磁場を印加しつつこの半導体
融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上方法にお
いて、前記磁場の強度を前記半導体単結晶の固化率に対
応して変化させることを特徴としている。
に、本発明は次の様な単結晶引上方法を採用した。すな
わち、気密容器の内部に設けられたルツボに半導体融液
を貯留し、該半導体融液に磁場を印加しつつこの半導体
融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上方法にお
いて、前記磁場の強度を前記半導体単結晶の固化率に対
応して変化させることを特徴としている。
【００１４】
【作用】本発明の単結晶引上方法では、前記磁場の強度
を前記半導体単結晶の固化率に対応して変化させること
により、半導体単結晶の固化率が増加しつつある状態に
おいて半導体融液内の磁場効果強度を一定に保ち、前記
半導体融液の粘性及び対流を最適条件で制御する。
を前記半導体単結晶の固化率に対応して変化させること
により、半導体単結晶の固化率が増加しつつある状態に
おいて半導体融液内の磁場効果強度を一定に保ち、前記
半導体融液の粘性及び対流を最適条件で制御する。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の単結晶引上方法の一実施例に
ついて説明する。まず、初めに本発明の単結晶引上方法
を実施する際に用いられる単結晶引上装置について図１
を参照して説明する。
ついて説明する。まず、初めに本発明の単結晶引上方法
を実施する際に用いられる単結晶引上装置について図１
を参照して説明する。
【００１６】この単結晶引上装置１は、アルゴン（Ａ
ｒ）等の不活性ガスが低圧で充填された気密容器２内に
立設され、上下方向の軸線を中心として所定の角速度で
回転するシャフト３と、該シャフト３上に固定された内
面略半球状のグラファイト製のサセプタ４と、該サセプ
タ４の内面に密着して固定された略半球状の石英（Ｓｉ
Ｏ2）製のルツボ５と、該ルツボ５内に貯留されている
Ｓｉ融液（半導体融液：加熱溶融されたＳｉ単結晶（半
導体単結晶）の原料）６を加熱するヒーター７と、気密
容器２の外方に設けられ前記Ｓｉ融液６に磁場を印加す
るマグネット８とから概略構成されている。
ｒ）等の不活性ガスが低圧で充填された気密容器２内に
立設され、上下方向の軸線を中心として所定の角速度で
回転するシャフト３と、該シャフト３上に固定された内
面略半球状のグラファイト製のサセプタ４と、該サセプ
タ４の内面に密着して固定された略半球状の石英（Ｓｉ
Ｏ2）製のルツボ５と、該ルツボ５内に貯留されている
Ｓｉ融液（半導体融液：加熱溶融されたＳｉ単結晶（半
導体単結晶）の原料）６を加熱するヒーター７と、気密
容器２の外方に設けられ前記Ｓｉ融液６に磁場を印加す
るマグネット８とから概略構成されている。
【００１７】該マグネット８においては、図示しない制
御装置により、Ｓｉ単結晶の固化率（Ｓｉ融液の減少
率）、換言すればＳｉ単結晶の成長した結晶長に対応し
て、前記Ｓｉ融液６に印加される磁場の強さが変化する
様に制御されている。
御装置により、Ｓｉ単結晶の固化率（Ｓｉ融液の減少
率）、換言すればＳｉ単結晶の成長した結晶長に対応し
て、前記Ｓｉ融液６に印加される磁場の強さが変化する
様に制御されている。
【００１８】この単結晶引上装置１によりＳｉ単結晶
（半導体単結晶）を育成する方法について説明する。
（半導体単結晶）を育成する方法について説明する。
【００１９】まず、ルツボ５内にＳｉ原料を所定量投入
し、気密容器２内を排気し真空状態とする。次に、該気
密容器２内にＡｒ等の不活性ガスを導入し、シャフト３
を上下方向の軸線を中心として所定の角速度で回転させ
ることで前記ルツボ５を所定の角速度で回転させなが
ら、ヒーター７に通電しルツボ５内のＳｉ原料を単結晶
成長温度以上の温度まで加熱し、Ｓｉ原料を完全に融解
する。この融解したＳｉ原料はＳｉ融液（半導体融液）
６と呼ばれる。
し、気密容器２内を排気し真空状態とする。次に、該気
密容器２内にＡｒ等の不活性ガスを導入し、シャフト３
を上下方向の軸線を中心として所定の角速度で回転させ
ることで前記ルツボ５を所定の角速度で回転させなが
ら、ヒーター７に通電しルツボ５内のＳｉ原料を単結晶
成長温度以上の温度まで加熱し、Ｓｉ原料を完全に融解
する。この融解したＳｉ原料はＳｉ融液（半導体融液）
６と呼ばれる。
【００２０】Ｓｉ原料が完全に融解した後、マグネット
８に通電してＳｉ融液６に所定の磁場を印加しながらヒ
ーター７の電力を調整してＳｉ融液６の中央の液面１１
付近を単結晶成長温度に保ち、Ｓｉ種結晶１２を上下方
向の軸線を中心として回転させながら垂直上方に引き上
げＳｉ単結晶（半導体単結晶）１３を成長させる。
８に通電してＳｉ融液６に所定の磁場を印加しながらヒ
ーター７の電力を調整してＳｉ融液６の中央の液面１１
付近を単結晶成長温度に保ち、Ｓｉ種結晶１２を上下方
向の軸線を中心として回転させながら垂直上方に引き上
げＳｉ単結晶（半導体単結晶）１３を成長させる。
【００２１】この結晶成長過程においては、Ｓｉ単結晶
１３の固化率（結晶長）に対応して前記Ｓｉ融液６に印
加される磁場の強さを段階的もしくは連続的に減少させ
る。
１３の固化率（結晶長）に対応して前記Ｓｉ融液６に印
加される磁場の強さを段階的もしくは連続的に減少させ
る。
【００２２】図２は、Ｓｉ単結晶１３の結晶長と格子間
酸素濃度との関係を示すグラフである。該グラフ中、Ａ
は本実施例の単結晶引上方法により育成したＳｉ単結晶
の測定データであり、Ｂは従来の単結晶引上方法により
育成したＳｉ単結晶の測定データである。
酸素濃度との関係を示すグラフである。該グラフ中、Ａ
は本実施例の単結晶引上方法により育成したＳｉ単結晶
の測定データであり、Ｂは従来の単結晶引上方法により
育成したＳｉ単結晶の測定データである。
【００２３】ここでは、 Ｓｉ単結晶の径 ：６インチ Ｓｉ融液の量（固化率０％）：３５ｋｇ Ｓｉ単結晶の最大固化率 ：９０％（結晶長６００ｍ
ｍの場合） 磁場強度（固化率０％） ：３５００Ｇ 磁場強度（固化率９０％） ：１０００Ｇ とした。
ｍの場合） 磁場強度（固化率０％） ：３５００Ｇ 磁場強度（固化率９０％） ：１０００Ｇ とした。
【００２４】また、前記結晶長は、Ｓｉ種結晶から育成
された所定の径の単結晶が充分無転位になった位置を基
準点（０ｍｍ）とし、この基準点からの成長の長さをｍ
ｍ単位で表わした。
された所定の径の単結晶が充分無転位になった位置を基
準点（０ｍｍ）とし、この基準点からの成長の長さをｍ
ｍ単位で表わした。
【００２５】このグラフから、本実施例の単結晶引上方
法により育成したＳｉ単結晶では結晶長２００ｍｍ以上
において格子間酸素濃度がほぼ一定の値を保持している
のに対し、従来の方法によるＳｉ単結晶では格子間酸素
濃度が指数関数的に減少していることが明白である。こ
れより、本実施例の単結晶引上方法は、Ｓｉ単結晶の軸
方向の酸素濃度分布を均質化することがわかる。
法により育成したＳｉ単結晶では結晶長２００ｍｍ以上
において格子間酸素濃度がほぼ一定の値を保持している
のに対し、従来の方法によるＳｉ単結晶では格子間酸素
濃度が指数関数的に減少していることが明白である。こ
れより、本実施例の単結晶引上方法は、Ｓｉ単結晶の軸
方向の酸素濃度分布を均質化することがわかる。
【００２６】以上説明した様に、上記一実施例の単結晶
引上方法によれば、Ｓｉ単結晶１３の固化率（結晶長）
に対応して前記Ｓｉ融液６に印加される磁場の強さを段
階的もしくは連続的に減少させることとしたので、Ｓｉ
単結晶１３の固化率が増加しつつある状態においてＳｉ
融液６内の磁場効果強度を一定に保ち、Ｓｉ融液６の粘
性及び対流を最適条件で制御することができ、Ｓｉ融液
６の液面１１付近の酸素濃度の制御性を向上させること
ができる。したがって、Ｓｉ単結晶１３内の軸方向の酸
素濃度分布を均質化することができ、Ｓｉ単結晶１３の
品質を向上させることができる。
引上方法によれば、Ｓｉ単結晶１３の固化率（結晶長）
に対応して前記Ｓｉ融液６に印加される磁場の強さを段
階的もしくは連続的に減少させることとしたので、Ｓｉ
単結晶１３の固化率が増加しつつある状態においてＳｉ
融液６内の磁場効果強度を一定に保ち、Ｓｉ融液６の粘
性及び対流を最適条件で制御することができ、Ｓｉ融液
６の液面１１付近の酸素濃度の制御性を向上させること
ができる。したがって、Ｓｉ単結晶１３内の軸方向の酸
素濃度分布を均質化することができ、Ｓｉ単結晶１３の
品質を向上させることができる。
【００２７】また、磁場の強さを段階的もしくは連続的
に減少させることにより、マグネット８の消費電力を低
減することができ、電力コストを低減することができ
る。
に減少させることにより、マグネット８の消費電力を低
減することができ、電力コストを低減することができ
る。
【００２８】以上により、Ｓｉ単結晶１３の軸方向の酸
素濃度分布を均一に制御することができ、かつ、製造コ
ストを削減することができる単結晶引上方法を提供する
ことが可能になる。
素濃度分布を均一に制御することができ、かつ、製造コ
ストを削減することができる単結晶引上方法を提供する
ことが可能になる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の単結晶引上
方法によれば、気密容器の内部に設けられたルツボに半
導体融液を貯留し、該半導体融液に磁場を印加しつつこ
の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上
方法において、前記磁場の強度を前記半導体単結晶の固
化率に対応して変化させることとしたので、半導体融液
の粘性及び対流を最適条件で制御することができ、半導
体融液の液面付近の酸素濃度の制御性を向上させること
ができる。したがって、半導体単結晶内の軸方向の酸素
濃度分布を均質化することができ、半導体単結晶の品質
を向上させることができる。
方法によれば、気密容器の内部に設けられたルツボに半
導体融液を貯留し、該半導体融液に磁場を印加しつつこ
の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上
方法において、前記磁場の強度を前記半導体単結晶の固
化率に対応して変化させることとしたので、半導体融液
の粘性及び対流を最適条件で制御することができ、半導
体融液の液面付近の酸素濃度の制御性を向上させること
ができる。したがって、半導体単結晶内の軸方向の酸素
濃度分布を均質化することができ、半導体単結晶の品質
を向上させることができる。
【００３０】また、磁場の強さを段階的もしくは連続的
に変化させることにより、マグネットの消費電力を低減
することができ、電力コストを低減することができる。
に変化させることにより、マグネットの消費電力を低減
することができ、電力コストを低減することができる。
【００３１】以上により、半導体単結晶の軸方向の酸素
濃度分布を均一に制御することができ、かつ、製造コス
トを削減することができる単結晶引上方法を提供するこ
とが可能になる。
濃度分布を均一に制御することができ、かつ、製造コス
トを削減することができる単結晶引上方法を提供するこ
とが可能になる。
【図１】本発明の単結晶引上方法を実施する際に用いら
れる単結晶引上装置を示す概略断面図である。
れる単結晶引上装置を示す概略断面図である。
【図２】Ｓｉ単結晶の結晶長と格子間酸素濃度との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１ 単結晶引上装置 ２ 気密容器 ３ シャフト ４ サセプタ ５ ルツボ ６ Ｓｉ融液（半導体融液） ７ ヒーター ８ マグネット １１ 液面 １２ Ｓｉ種結晶 １３ Ｓｉ単結晶（半導体単結晶）
Claims (1)
- 【請求項１】 気密容器の内部に設けられたルツボに半
導体融液を貯留し、該半導体融液に磁場を印加しつつこ
の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上
方法において、 前記磁場の強度を前記半導体単結晶の固化率に対応して
変化させることを特徴とする単結晶引上方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13677691A JPH0692773A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 単結晶引上方法 |
| DE19924218618 DE4218618A1 (de) | 1991-06-07 | 1992-06-05 | Einkristall-zuechtungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13677691A JPH0692773A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 単結晶引上方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0692773A true JPH0692773A (ja) | 1994-04-05 |
Family
ID=15183254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13677691A Pending JPH0692773A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 単結晶引上方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0692773A (ja) |
| DE (1) | DE4218618A1 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033291A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコンの製造方法 |
| JPH0431386A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶引上方法 |
| JPH0455388A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶引上方法 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP13677691A patent/JPH0692773A/ja active Pending
-
1992
- 1992-06-05 DE DE19924218618 patent/DE4218618A1/de not_active Ceased
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033291A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコンの製造方法 |
| JPH0431386A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶引上方法 |
| JPH0455388A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶引上方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4218618A1 (de) | 1992-12-10 |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
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