JPH0692889A - ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンの製造方法 - Google Patents
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンの製造方法Info
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- JPH0692889A JPH0692889A JP4243119A JP24311992A JPH0692889A JP H0692889 A JPH0692889 A JP H0692889A JP 4243119 A JP4243119 A JP 4243119A JP 24311992 A JP24311992 A JP 24311992A JP H0692889 A JPH0692889 A JP H0692889A
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 陽イオン交換樹脂触媒の劣化が防止され触媒
寿命の延長をもたらす２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）の製造方法を提
供すること。 【構成】 触媒の存在下、フェノールと不純物成分とし
てメタノールを含むアセトンとを反応させてビスフェノ
ールＡを製造するに当たり、アセトン中のメタノール濃
度を１0,０００重量ｐｐｍ以下としてビスフェノールＡ
を製造する方法、及び反応混合物をビスフェノールＡ分
離塔にて処理し、塔項からアセトン，フェノール，水分
及びメタノールを含む留分を抜き出したのち、該留分を
アセトン分離塔にて処理し、塔項からメタノールを除去
したアセトンを得、これとフレッシュアセトンとを混合
し、メタノール濃度を１0,０００重量ｐｐｍとしたもの
を原料アセトンとして用い、ビスフェノールＡを製造す
る方法。
寿命の延長をもたらす２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）の製造方法を提
供すること。 【構成】 触媒の存在下、フェノールと不純物成分とし
てメタノールを含むアセトンとを反応させてビスフェノ
ールＡを製造するに当たり、アセトン中のメタノール濃
度を１0,０００重量ｐｐｍ以下としてビスフェノールＡ
を製造する方法、及び反応混合物をビスフェノールＡ分
離塔にて処理し、塔項からアセトン，フェノール，水分
及びメタノールを含む留分を抜き出したのち、該留分を
アセトン分離塔にて処理し、塔項からメタノールを除去
したアセトンを得、これとフレッシュアセトンとを混合
し、メタノール濃度を１0,０００重量ｐｐｍとしたもの
を原料アセトンとして用い、ビスフェノールＡを製造す
る方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン（以下、ビスフェノールＡと
称する）の製造方法の改良に関するものである。さらに
詳しくいえば、本発明は、原料の一成分であるアセトン
中のメタノール分を少なくし、特に陽イオン交換樹脂触
媒の劣化を防止し、触媒寿命の延長をもたらすビスフェ
ノールＡの製造方法に関するものである。
ロキシフェニル）プロパン（以下、ビスフェノールＡと
称する）の製造方法の改良に関するものである。さらに
詳しくいえば、本発明は、原料の一成分であるアセトン
中のメタノール分を少なくし、特に陽イオン交換樹脂触
媒の劣化を防止し、触媒寿命の延長をもたらすビスフェ
ノールＡの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ビスフェノールＡは、ポリカーボネート
樹脂やポリアリレート樹脂などのエンジニアリングプラ
スチック、あるいはエポキシ樹脂などの原料として重要
な化合物であることが知られており、近年その需要はま
すます増大する傾向にある。このビスフェノールＡは、
酸性触媒及び場合により用いられる硫黄化合物などの助
触媒の存在下に、過剰のフェノールとアセトンとを縮合
させることにより製造される。そして、該酸性触媒とし
ては、最近陽イオン交換樹脂が注目され、この陽イオン
交換樹脂を用いてビスフェノールＡを製造する方法が実
用化されている。このような陽イオン交換樹脂触媒を用
いたビスフェノールＡの製造工程においては、通常反応
器から出てくる反応混合物中には未反応アセトンが存在
しており、この未反応アセトンは反応混合物から軽質系
成分と共に分離され、反応器に戻される（特公昭４１−
４４５４号公報）。原料アセトン中には、不純物として
メタノールが微量混合しており（通常１００〜４００重
量ｐｐｍ）、このメタノールは反応に関与しないため、
回収アセトン中に蓄積され、特に該陽イオン交換樹脂触
媒の劣化をもたらすという好ましくない事態を招来す
る。
樹脂やポリアリレート樹脂などのエンジニアリングプラ
スチック、あるいはエポキシ樹脂などの原料として重要
な化合物であることが知られており、近年その需要はま
すます増大する傾向にある。このビスフェノールＡは、
酸性触媒及び場合により用いられる硫黄化合物などの助
触媒の存在下に、過剰のフェノールとアセトンとを縮合
させることにより製造される。そして、該酸性触媒とし
ては、最近陽イオン交換樹脂が注目され、この陽イオン
交換樹脂を用いてビスフェノールＡを製造する方法が実
用化されている。このような陽イオン交換樹脂触媒を用
いたビスフェノールＡの製造工程においては、通常反応
器から出てくる反応混合物中には未反応アセトンが存在
しており、この未反応アセトンは反応混合物から軽質系
成分と共に分離され、反応器に戻される（特公昭４１−
４４５４号公報）。原料アセトン中には、不純物として
メタノールが微量混合しており（通常１００〜４００重
量ｐｐｍ）、このメタノールは反応に関与しないため、
回収アセトン中に蓄積され、特に該陽イオン交換樹脂触
媒の劣化をもたらすという好ましくない事態を招来す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、触媒、特に
陽イオン交換樹脂触媒の存在下、フェノールと不純物成
分としてメタノールを含有するアセトンとを反応させて
ビスフェノールＡを製造する際に生じる上記のような問
題を解決し、特に陽イオン交換樹脂触媒の劣化を防止
し、触媒寿命の延長をもたらすビスフェノールＡの製造
方法を提供することを目的としてなされたものである。
陽イオン交換樹脂触媒の存在下、フェノールと不純物成
分としてメタノールを含有するアセトンとを反応させて
ビスフェノールＡを製造する際に生じる上記のような問
題を解決し、特に陽イオン交換樹脂触媒の劣化を防止
し、触媒寿命の延長をもたらすビスフェノールＡの製造
方法を提供することを目的としてなされたものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、原料アセトン
として、メタノール濃度が１0,０００重量ｐｐｍ以下の
ものを用いることにより、その目的を達成しうることを
見出した。本発明は、このような知見に基づいてなされ
たものである。すなわち、本発明は、触媒の存在下、フ
ェノールと不純物成分としてメタノールを含有するアセ
トンとを反応させて、ビスフェノールＡを製造するに当
たり、該アセトン中のメタノール濃度を１0,０００重量
ｐｐｍ以下とすることを特徴とするビスフェノールＡの
製造方法を提供すると共に、本発明は触媒の存在下、フ
ェノールと不純物成分としてメタノールを含有するアセ
トンとを反応させて、ビスフェノールＡを製造するに当
たり、まず反応混合物をビスフェノールＡ分離塔にて処
理し、塔項からアセトン，フェノール，水分及び該不純
物成分であるメタノールを含む留分を抜き出したのち、
該留分をアセトン分離塔にて処理し、塔項からメタノー
ルを除去したアセトンを得、このアセトンと不足分に相
当するフレッシュアセトンとを混合し、メタノール濃度
を１0,０００重量ｐｐｍとしたものを原料アセトンとし
て用いることを特徴とするビスフェノールＡの製造方法
をも提供するものである。
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、原料アセトン
として、メタノール濃度が１0,０００重量ｐｐｍ以下の
ものを用いることにより、その目的を達成しうることを
見出した。本発明は、このような知見に基づいてなされ
たものである。すなわち、本発明は、触媒の存在下、フ
ェノールと不純物成分としてメタノールを含有するアセ
トンとを反応させて、ビスフェノールＡを製造するに当
たり、該アセトン中のメタノール濃度を１0,０００重量
ｐｐｍ以下とすることを特徴とするビスフェノールＡの
製造方法を提供すると共に、本発明は触媒の存在下、フ
ェノールと不純物成分としてメタノールを含有するアセ
トンとを反応させて、ビスフェノールＡを製造するに当
たり、まず反応混合物をビスフェノールＡ分離塔にて処
理し、塔項からアセトン，フェノール，水分及び該不純
物成分であるメタノールを含む留分を抜き出したのち、
該留分をアセトン分離塔にて処理し、塔項からメタノー
ルを除去したアセトンを得、このアセトンと不足分に相
当するフレッシュアセトンとを混合し、メタノール濃度
を１0,０００重量ｐｐｍとしたものを原料アセトンとし
て用いることを特徴とするビスフェノールＡの製造方法
をも提供するものである。
【０００５】本発明においては、触媒として酸性触媒、
特に陽イオン交換樹脂が好ましく用いられる。この陽イ
オン交換樹脂はスルホン酸系陽イオン交換樹脂が好適で
あり、このようなものとしては、スルホン酸基を有する
強酸性陽イオン交換樹脂であればよく、その具体例とし
ては、スルホン化スチレン−ジビニルベンゼンコポリマ
ー，スルホン化架橋スチレンポリマー，フェノールホル
ムアルデヒド−スルホン酸樹脂及びベンゼンホルムアル
デヒド−スルホン酸樹脂などを挙げることができる。こ
れらはその一種を単独で使用することもできるし、ま
た、その二種以上を併用することもできる。
特に陽イオン交換樹脂が好ましく用いられる。この陽イ
オン交換樹脂はスルホン酸系陽イオン交換樹脂が好適で
あり、このようなものとしては、スルホン酸基を有する
強酸性陽イオン交換樹脂であればよく、その具体例とし
ては、スルホン化スチレン−ジビニルベンゼンコポリマ
ー，スルホン化架橋スチレンポリマー，フェノールホル
ムアルデヒド−スルホン酸樹脂及びベンゼンホルムアル
デヒド−スルホン酸樹脂などを挙げることができる。こ
れらはその一種を単独で使用することもできるし、ま
た、その二種以上を併用することもできる。
【０００６】本発明においては、通常上記の陽イオン交
換樹脂触媒を充填した反応器にフェノールとアセトンと
を含む原料混合物を連続的に供給して反応させる固定床
連続反応方式が用いられる。該原料アセトンとしては、
不純物成分のメタノール濃度が１0,０００重量ｐｐｍ以
下のものを用いることが必要である。この濃度が１0,０
００重量ｐｐｍを超えると触媒の陽イオン交換樹脂の劣
化が大きく、本発明の目的が達せられない。
換樹脂触媒を充填した反応器にフェノールとアセトンと
を含む原料混合物を連続的に供給して反応させる固定床
連続反応方式が用いられる。該原料アセトンとしては、
不純物成分のメタノール濃度が１0,０００重量ｐｐｍ以
下のものを用いることが必要である。この濃度が１0,０
００重量ｐｐｍを超えると触媒の陽イオン交換樹脂の劣
化が大きく、本発明の目的が達せられない。
【０００７】上記原料混合物には、フェノール及びアセ
トン以外に、所望により選択率や反応速度を上げる目的
で助触媒を加えてもよい。この助触媒としては、例え
ば、メチルメルカプタン，エチルメルカプタン，ｎ−オ
クチルメルカプタンなどのアルキルメルカプタン類、チ
オグリコール酸，β−メルカプトプロピオン酸などのチ
オカルボン酸類、２−アミノエタンチオールなどのアミ
ノアルカンチオール類、メルカプトエタノールなどのメ
ルカプトアルコール類などが挙げられる。また、アセト
ン／フェノールモル比は、通常１／３０〜１／３、好ま
しくは１／１５〜１／５の範囲で選ばれる。このモル比
が１／３０より小さい場合、反応速度が遅すぎるし、１
／３より大きいと不純物の生成が多くなり、ビスフェノ
ールＡの選択率が低下する。一方、該助触媒／アセトン
モル比は、通常、0.１／１００〜２０／１００、好まし
くは１／１００〜１０／１００の範囲で選ばれる。この
モル比が0.１／１００より小さい場合、反応速度やビス
フェノールＡの選択率の向上効果が充分に発揮されない
し、２０／１００より大きいとその量の割には効果の向
上はあまり認められない。
トン以外に、所望により選択率や反応速度を上げる目的
で助触媒を加えてもよい。この助触媒としては、例え
ば、メチルメルカプタン，エチルメルカプタン，ｎ−オ
クチルメルカプタンなどのアルキルメルカプタン類、チ
オグリコール酸，β−メルカプトプロピオン酸などのチ
オカルボン酸類、２−アミノエタンチオールなどのアミ
ノアルカンチオール類、メルカプトエタノールなどのメ
ルカプトアルコール類などが挙げられる。また、アセト
ン／フェノールモル比は、通常１／３０〜１／３、好ま
しくは１／１５〜１／５の範囲で選ばれる。このモル比
が１／３０より小さい場合、反応速度が遅すぎるし、１
／３より大きいと不純物の生成が多くなり、ビスフェノ
ールＡの選択率が低下する。一方、該助触媒／アセトン
モル比は、通常、0.１／１００〜２０／１００、好まし
くは１／１００〜１０／１００の範囲で選ばれる。この
モル比が0.１／１００より小さい場合、反応速度やビス
フェノールＡの選択率の向上効果が充分に発揮されない
し、２０／１００より大きいとその量の割には効果の向
上はあまり認められない。
【０００８】本発明においては、反応温度は、通常４０
〜１５０℃、好ましくは６０〜１１０℃の範囲で選ばれ
る。該温度が４０℃未満では反応速度が遅い上、反応液
の粘度が極めて高く、場合により固化する恐れがある
し、１５０℃を超えると反応制御が困難となり、かつビ
スフェノールＡ（ｐ，ｐ’−体）の選択率が低下する
上、触媒の陽イオン交換樹脂が分解又は劣化することが
ある。また、液時空間速度（ＬＨＳＶ）は、通常0.２〜
３０Ｈｒ-1、好ましくは0.５〜６Ｈｒ-1の範囲で選ばれ
る。
〜１５０℃、好ましくは６０〜１１０℃の範囲で選ばれ
る。該温度が４０℃未満では反応速度が遅い上、反応液
の粘度が極めて高く、場合により固化する恐れがある
し、１５０℃を超えると反応制御が困難となり、かつビ
スフェノールＡ（ｐ，ｐ’−体）の選択率が低下する
上、触媒の陽イオン交換樹脂が分解又は劣化することが
ある。また、液時空間速度（ＬＨＳＶ）は、通常0.２〜
３０Ｈｒ-1、好ましくは0.５〜６Ｈｒ-1の範囲で選ばれ
る。
【０００９】次に、本発明の実施態様を添付図面に従っ
て説明すると、図１は本発明の方法を実施するための一
例の説明図であって、陽イオン交換樹脂が充填された反
応器１に、フェノール，助触媒及びメタノール濃度が１
0,０００重量ｐｐｍ以下のアセトン１１を供給してビス
フェノールＡを生成させたのち、反応混合物２はビスフ
ェノールＡ分離塔３に供給され、濃縮が行われる。濃縮
条件については特に制限はないが、通常温度１３０〜１
７０℃，圧力１００〜４００ｔｏｒｒの条件で濃縮が行
われる。温度が１３０℃未満では高真空が必要となる
し、１７０℃を超えると不純物が増加したり着色の原因
となる。また、濃縮残液のビスフェノールＡの濃度は２
５〜４０重量％の範囲にあるのが有利である。この濃度
が２５重量％未満ではビスフェノールＡの回収率が低い
し、４０重量％を超えると晶析後のスラリー移送が困難
となる。
て説明すると、図１は本発明の方法を実施するための一
例の説明図であって、陽イオン交換樹脂が充填された反
応器１に、フェノール，助触媒及びメタノール濃度が１
0,０００重量ｐｐｍ以下のアセトン１１を供給してビス
フェノールＡを生成させたのち、反応混合物２はビスフ
ェノールＡ分離塔３に供給され、濃縮が行われる。濃縮
条件については特に制限はないが、通常温度１３０〜１
７０℃，圧力１００〜４００ｔｏｒｒの条件で濃縮が行
われる。温度が１３０℃未満では高真空が必要となる
し、１７０℃を超えると不純物が増加したり着色の原因
となる。また、濃縮残液のビスフェノールＡの濃度は２
５〜４０重量％の範囲にあるのが有利である。この濃度
が２５重量％未満ではビスフェノールＡの回収率が低い
し、４０重量％を超えると晶析後のスラリー移送が困難
となる。
【００１０】ビスフェノールＡ分離塔３の塔項からはア
セトン，フェノール，水分及びメタノールを含む留分４
が留出し、この留分４はアセトン分離塔６に導かれる。
アセトン分離塔６は、通常常圧にて操作され、塔項から
メタノールが除去されたアセトン７が留出し貯槽１０に
導かれ、一部はアセトン分離塔６の塔項部へ還流され
る。このメタノールが除去されたアセトンにフレッシュ
アセトン（不足分）を混合して、メタノール濃度を１0,
０００重量ｐｐｍ以下とし、原料アセトン１１として反
応器１に供給される。
セトン，フェノール，水分及びメタノールを含む留分４
が留出し、この留分４はアセトン分離塔６に導かれる。
アセトン分離塔６は、通常常圧にて操作され、塔項から
メタノールが除去されたアセトン７が留出し貯槽１０に
導かれ、一部はアセトン分離塔６の塔項部へ還流され
る。このメタノールが除去されたアセトンにフレッシュ
アセトン（不足分）を混合して、メタノール濃度を１0,
０００重量ｐｐｍ以下とし、原料アセトン１１として反
応器１に供給される。
【００１１】また、アセトン分離塔６の中間部からはメ
タノールリッチのアセトン８が系外へ抜き出され、塔底
からはフェノールと水との混合物９が抜き出される。一
方、ビスフェノールＡ分離塔３の塔底から抜き出された
フェノール及びビスフェノールＡなどを含む濃縮残液５
は、ビスフェノールＡとフェノールとの付加物を晶析す
る工程へ導かれる。
タノールリッチのアセトン８が系外へ抜き出され、塔底
からはフェノールと水との混合物９が抜き出される。一
方、ビスフェノールＡ分離塔３の塔底から抜き出された
フェノール及びビスフェノールＡなどを含む濃縮残液５
は、ビスフェノールＡとフェノールとの付加物を晶析す
る工程へ導かれる。
【００１２】濃縮残液からのビスフェノールＡとフェノ
ールとの付加物の晶析は、通常、冷却晶析法によって行
われる。この際の晶析温度は４０〜７０℃が好ましい。
晶析温度が４０℃未満では、晶析液の粘度の増大や固化
をもたらす恐れがあり、また、７０℃を超えると、ビス
フェノールＡの溶解ロスが大きくなり、好ましくない。
ールとの付加物の晶析は、通常、冷却晶析法によって行
われる。この際の晶析温度は４０〜７０℃が好ましい。
晶析温度が４０℃未満では、晶析液の粘度の増大や固化
をもたらす恐れがあり、また、７０℃を超えると、ビス
フェノールＡの溶解ロスが大きくなり、好ましくない。
【００１３】次に、このようにして晶析されたビスフェ
ノールＡとフェノールとの付加物は、公知の方法により
分離したのち、通常、フェノールにより洗浄処理が施さ
れる。次いで、洗浄処理された付加物をビスフェノール
Ａとフェノールとに分解処理するが、この場合、温度は
通常１３０〜２００℃、好ましくは１５０〜１８０℃の
範囲で選ばれ、一方圧力は通常２０〜１５０ｔｏｒｒの
範囲で選ばれる。
ノールＡとフェノールとの付加物は、公知の方法により
分離したのち、通常、フェノールにより洗浄処理が施さ
れる。次いで、洗浄処理された付加物をビスフェノール
Ａとフェノールとに分解処理するが、この場合、温度は
通常１３０〜２００℃、好ましくは１５０〜１８０℃の
範囲で選ばれ、一方圧力は通常２０〜１５０ｔｏｒｒの
範囲で選ばれる。
【００１４】この分解処理により得られたビスフェノー
ルＡは、その中の残留フェノールをスチームストリッピ
ングなどの方法により、実質上完全に除去することによ
って、高品質のビスフェノールＡが得られる。
ルＡは、その中の残留フェノールをスチームストリッピ
ングなどの方法により、実質上完全に除去することによ
って、高品質のビスフェノールＡが得られる。
【００１５】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
するが、本発明はこれらの例によってなんら限定される
ものではない。 参考例 予めフェノールで膨潤した陽イオン交換樹脂〔スルホン
化スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、三菱化成
（株）製，商品名：ダイヤイオンＳＫ−１０４Ｈ〕７4.
４ミリリットルを充填した固定床反応器（直径1.３ｃ
ｍ，長さ５6.１ｃｍ）にフェノール4.６８モル／時間，
４００重量ｐｐｍのメタノールを含むアセトン0.４６８
モル／時間及びエチルメルカプタン0.０２３４モル／時
間を供給して連続反応を行った。
するが、本発明はこれらの例によってなんら限定される
ものではない。 参考例 予めフェノールで膨潤した陽イオン交換樹脂〔スルホン
化スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、三菱化成
（株）製，商品名：ダイヤイオンＳＫ−１０４Ｈ〕７4.
４ミリリットルを充填した固定床反応器（直径1.３ｃ
ｍ，長さ５6.１ｃｍ）にフェノール4.６８モル／時間，
４００重量ｐｐｍのメタノールを含むアセトン0.４６８
モル／時間及びエチルメルカプタン0.０２３４モル／時
間を供給して連続反応を行った。
【００１６】反応器出口から得られた反応混合物はビス
フェノールＡ分離塔へ供給し、塔底からフェノールに溶
解したビスフェノールＡを抜き出した。また、塔項から
得られたアセトン，フェノール，水及びメタノールは、
さらにアセトン分離塔へ供給し、塔底からフェノールと
水を抜き出し、一方塔項からメタノールを含むアセトン
を抜き出した。アセトン分離塔の塔項から抜き出された
アセトンに、反応によって消費された分のアセトン（含
メタノール）を追加して反応器へリサイクルし、反応を
連続して行った。
フェノールＡ分離塔へ供給し、塔底からフェノールに溶
解したビスフェノールＡを抜き出した。また、塔項から
得られたアセトン，フェノール，水及びメタノールは、
さらにアセトン分離塔へ供給し、塔底からフェノールと
水を抜き出し、一方塔項からメタノールを含むアセトン
を抜き出した。アセトン分離塔の塔項から抜き出された
アセトンに、反応によって消費された分のアセトン（含
メタノール）を追加して反応器へリサイクルし、反応を
連続して行った。
【００１７】実施例 反応に供する前のアセトン中に含まれるメタノール量を
常時監視した。アセトン中に含まれるメタノールは次第
に濃縮されて濃度を増し、８０００重量ｐｐｍとなった
時点で、アセトン分離塔からメタノールを含むアセトン
（メタノール濃度：８０００重量ｐｐｍ）を任意量抜き
出し、抜き出した分とほぼ同量のアセトン（メタノール
濃度：４００重量ｐｐｍ）を追加して反応に供した。こ
のとき、フェノールと助触媒を加えた原料溶液中のメタ
ノール濃度は６００重量ｐｐｍであった。このようにし
て、常時アセトン中のメタノール濃度が１0,０００重量
ｐｐｍ以下となるようにし、反応を連続して行ったとこ
ろ、反応当初（初めてアセトン中のメタノール濃度が８
０００重量ｐｐｍとなった時点）にフェノール転化率が
１1.8 ％であったものが、単位イオン交換樹脂量（ｇ）
当たり、ビスフェノールＡ生産量２００ｇのときは１1.
２％となった。このときの触媒の劣化率は5.１％〔（１
1.８−１1.２）／１1.８×１００〕であった。
常時監視した。アセトン中に含まれるメタノールは次第
に濃縮されて濃度を増し、８０００重量ｐｐｍとなった
時点で、アセトン分離塔からメタノールを含むアセトン
（メタノール濃度：８０００重量ｐｐｍ）を任意量抜き
出し、抜き出した分とほぼ同量のアセトン（メタノール
濃度：４００重量ｐｐｍ）を追加して反応に供した。こ
のとき、フェノールと助触媒を加えた原料溶液中のメタ
ノール濃度は６００重量ｐｐｍであった。このようにし
て、常時アセトン中のメタノール濃度が１0,０００重量
ｐｐｍ以下となるようにし、反応を連続して行ったとこ
ろ、反応当初（初めてアセトン中のメタノール濃度が８
０００重量ｐｐｍとなった時点）にフェノール転化率が
１1.8 ％であったものが、単位イオン交換樹脂量（ｇ）
当たり、ビスフェノールＡ生産量２００ｇのときは１1.
２％となった。このときの触媒の劣化率は5.１％〔（１
1.８−１1.２）／１1.８×１００〕であった。
【００１８】比較例 アセトン中に含まれるメタノール濃度の調整を行わずに
連続して反応を行った。初めてアセトン中のメタノール
濃度が８０００重量ｐｐｍとなるまでの時間は、実施例
の場合とほぼ同等であった。反応当初（初めてアセトン
中のメタノール濃度が８０００重量ｐｐｍとなった時
点）のフェノール転化率は１1.９％であったが、単位イ
オン交換樹脂量（ｇ）当たり、ビスフェノールＡ生産量
２００ｇのときには１0.２％となった。このときの触媒
の劣化率は１4.３％〔（１1.９−１0.２）／１1.９×１
００〕であった。なお、このときのアセトン中のメタノ
ール濃度は１3.８重量％であった。フェノールと助触媒
を加えた原料溶液中のメタノール濃度は８０００重量ｐ
ｐｍであった。
連続して反応を行った。初めてアセトン中のメタノール
濃度が８０００重量ｐｐｍとなるまでの時間は、実施例
の場合とほぼ同等であった。反応当初（初めてアセトン
中のメタノール濃度が８０００重量ｐｐｍとなった時
点）のフェノール転化率は１1.９％であったが、単位イ
オン交換樹脂量（ｇ）当たり、ビスフェノールＡ生産量
２００ｇのときには１0.２％となった。このときの触媒
の劣化率は１4.３％〔（１1.９−１0.２）／１1.９×１
００〕であった。なお、このときのアセトン中のメタノ
ール濃度は１3.８重量％であった。フェノールと助触媒
を加えた原料溶液中のメタノール濃度は８０００重量ｐ
ｐｍであった。
【００１９】
【発明の効果】本発明によると、原料アセトン中のメタ
ノール濃度を１0,０００重量ｐｐｍ以下に抑えることに
より、陽イオン交換樹脂触媒の劣化を防止し、触媒寿命
の延長をもたらすことができる。
ノール濃度を１0,０００重量ｐｐｍ以下に抑えることに
より、陽イオン交換樹脂触媒の劣化を防止し、触媒寿命
の延長をもたらすことができる。
【図１】 本発明の方法を実施するための一例の説明図
１ 反応器 ３ ビスフェノールＡ分離塔 ６ アセトン分離塔 １０ 貯槽 １１ メタノール濃度１0,０００重量ｐｐｍ以下のアセ
トン
トン
Claims (3)
- 【請求項１】 触媒の存在下、フェノールと不純物成分
としてメタノールを含有するアセトンとを反応させて、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを製
造するに当たり、該アセトン中のメタノール濃度を１0,
０００重量ｐｐｍ以下に保持することを特徴とする２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンの製造方
法。 - 【請求項２】 触媒の存在下、フェノールと不純物成分
としてメタノールを含有するアセトンとを反応させて、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを製
造するに当たり、まず反応混合物をビスフェノールＡ分
離塔にて処理し、塔項からアセトン，フェノール，水分
及び該不純物成分であるメタノールを含む留分を抜き出
したのち、該留分をアセトン分離塔にて処理し、塔項か
らメタノールを除去したアセトンを得、このアセトンと
不足分に相当するフレッシュアセトンとを混合し、メタ
ノール濃度を１0,０００重量ｐｐｍ以下としたものを原
料アセトンとして用いることを特徴とする２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパンの製造方法。 - 【請求項３】 触媒が陽イオン交換樹脂である請求項１
又は２記載の２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24311992A JP3475960B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24311992A JP3475960B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0692889A true JPH0692889A (ja) | 1994-04-05 |
| JP3475960B2 JP3475960B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=17099085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24311992A Expired - Lifetime JP3475960B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3475960B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997022573A1 (en) * | 1995-12-19 | 1997-06-26 | Shell Internationale Research Maatschappij B.V. | Improved process for the production of bisphenols |
| WO2000061532A1 (fr) * | 1999-04-13 | 2000-10-19 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Procede relatif a l'elaboration d'un bisphenol a |
| WO2002085830A1 (en) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Process for producing bisphenol a |
| WO2003014049A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-02-20 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method for producing bisphenol-a |
| US6653513B1 (en) * | 1998-10-22 | 2003-11-25 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Process for producing bisphenol A |
| US6680270B2 (en) | 2001-04-24 | 2004-01-20 | General Electric Company | Regeneration of catalysts used in the manufacture of bisphenols |
| WO2005047222A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | ビスフェノールａの製造方法 |
| JP2005162742A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | ビスフェノールａの製造方法 |
| WO2009032552A3 (en) * | 2007-08-29 | 2009-06-25 | Dow Global Technologies Inc | Method of reducing methanol in recycle streams in bisphenol-a-production process |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3049569A (en) | 1958-10-20 | 1962-08-14 | Union Carbide Corp | Production of 2, 2-bis(4-hydroxyphenyl) propane |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24311992A patent/JP3475960B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777180A (en) * | 1995-12-19 | 1998-07-07 | Shell Oil Company | Process for the production of bisphenols |
| WO1997022573A1 (en) * | 1995-12-19 | 1997-06-26 | Shell Internationale Research Maatschappij B.V. | Improved process for the production of bisphenols |
| US6653513B1 (en) * | 1998-10-22 | 2003-11-25 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Process for producing bisphenol A |
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| US6414199B1 (en) | 1999-04-13 | 2002-07-02 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method of producing bisphenol A |
| WO2002085830A1 (en) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Process for producing bisphenol a |
| US6680270B2 (en) | 2001-04-24 | 2004-01-20 | General Electric Company | Regeneration of catalysts used in the manufacture of bisphenols |
| JP2003055286A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-26 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ビスフェノールａの製造方法 |
| WO2003014049A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-02-20 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method for producing bisphenol-a |
| US6943273B2 (en) | 2001-08-06 | 2005-09-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method for producing bisphenol-A |
| WO2005047222A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | ビスフェノールａの製造方法 |
| JP2005162742A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | ビスフェノールａの製造方法 |
| WO2009032552A3 (en) * | 2007-08-29 | 2009-06-25 | Dow Global Technologies Inc | Method of reducing methanol in recycle streams in bisphenol-a-production process |
| JP2010537995A (ja) * | 2007-08-29 | 2010-12-09 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | ビスフェノールａ製造プロセスにおける循還流中のメタノールの低減方法 |
| US8143456B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-03-27 | Dow Global Technologies Llc | Method of reducing methanol in recycle streams in bisphenol-A production process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3475960B2 (ja) | 2003-12-10 |
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