JPH069292A - ダイヤモンド厚膜の製造法およびダイヤモンド厚膜をろう付けして得られたダイヤモンド切削工具 - Google Patents
ダイヤモンド厚膜の製造法およびダイヤモンド厚膜をろう付けして得られたダイヤモンド切削工具Info
- Publication number
- JPH069292A JPH069292A JP5064696A JP6469693A JPH069292A JP H069292 A JPH069292 A JP H069292A JP 5064696 A JP5064696 A JP 5064696A JP 6469693 A JP6469693 A JP 6469693A JP H069292 A JPH069292 A JP H069292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- thick film
- phase synthetic
- synthetic diamond
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細な組織および均一な厚さを有するダイヤ
モンド厚膜を効率よく製造する方法およびダイヤモンド
切削工具を提供する。 【構成】 （１） 熱フィラメント法またはマイクロ波
法により基板表面に厚さ：１〜２０μｍの気相合成ダイ
ヤモンド薄膜を被覆した複合基板を作製し、この複合基
板の気相合成ダイヤモンド薄膜の上に高温プラズマ法を
使って気相合成ダイヤモンド厚膜を形成するダイヤモン
ド厚膜の製造法。 （２） 上記方法で得られたダイヤモンド厚膜の上記熱
フィラメント法またはマイクロ波法により得られた厚
さ：１〜２０μｍの気相合成ダイヤモンド薄膜が切削面
となるように切削工具基体にろう付けしてなるダイヤモ
ンド切削工具。
モンド厚膜を効率よく製造する方法およびダイヤモンド
切削工具を提供する。 【構成】 （１） 熱フィラメント法またはマイクロ波
法により基板表面に厚さ：１〜２０μｍの気相合成ダイ
ヤモンド薄膜を被覆した複合基板を作製し、この複合基
板の気相合成ダイヤモンド薄膜の上に高温プラズマ法を
使って気相合成ダイヤモンド厚膜を形成するダイヤモン
ド厚膜の製造法。 （２） 上記方法で得られたダイヤモンド厚膜の上記熱
フィラメント法またはマイクロ波法により得られた厚
さ：１〜２０μｍの気相合成ダイヤモンド薄膜が切削面
となるように切削工具基体にろう付けしてなるダイヤモ
ンド切削工具。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、微細な組織および均
一な厚さを有するダイヤモンド厚膜を効率よく製造する
方法に関するものであり、さらに、上記ダイヤモンド厚
膜をろう付けして得られたダイヤモンド切削工具に関す
るものである。
一な厚さを有するダイヤモンド厚膜を効率よく製造する
方法に関するものであり、さらに、上記ダイヤモンド厚
膜をろう付けして得られたダイヤモンド切削工具に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、気相合成ダイヤモンド膜を作製
する方法として、熱フィラメント法、マイクロ波法、高
周波熱プラズマ法、直流アークプラズマ法などが知られ
ている。
する方法として、熱フィラメント法、マイクロ波法、高
周波熱プラズマ法、直流アークプラズマ法などが知られ
ている。
【０００３】これらの方法にうちでも熱フィラメント法
およびマイクロ波法による気相合成ダイヤモンド膜は粒
径が１〜５μｍと微細でかつ緻密な膜質を有するが、成
膜速度が遅く、これらの方法で厚さ：２００〜１０００
μｍの気相合成ダイヤモンド厚膜を形成しようとすると
２００〜３００時間かかると言われている。
およびマイクロ波法による気相合成ダイヤモンド膜は粒
径が１〜５μｍと微細でかつ緻密な膜質を有するが、成
膜速度が遅く、これらの方法で厚さ：２００〜１０００
μｍの気相合成ダイヤモンド厚膜を形成しようとすると
２００〜３００時間かかると言われている。
【０００４】したがって、近年、厚さ：２００〜１００
０μｍもの気相合成ダイヤモンド厚膜を形成するには、
主として成膜速度の早い高周波熱プラズマ法または直流
アークプラズマ法（以下、これらを高温プラズマ法と称
する）が採用されている。
０μｍもの気相合成ダイヤモンド厚膜を形成するには、
主として成膜速度の早い高周波熱プラズマ法または直流
アークプラズマ法（以下、これらを高温プラズマ法と称
する）が採用されている。
【０００５】これらの方法で作製された気相合成ダイヤ
モンド厚膜は、切削工具基体にろう付けされてダイヤモ
ンド切削工具を製造している（特開平１−１５３２８号
公報、特開平１−２１２７６６号公報など参照）。
モンド厚膜は、切削工具基体にろう付けされてダイヤモ
ンド切削工具を製造している（特開平１−１５３２８号
公報、特開平１−２１２７６６号公報など参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記高温プラ
ズマ法は、初期の核発生が遅く、さらに初期核が発生し
ても初期核発生密度が低くかつその分布が不均一であ
り、早期に初期核が発生した所では急速にダイヤモンド
成長が起ってひげ成長になりやすく、一方、遅れて初期
核が発生した所では気相合成ダイヤモンド厚膜の厚さが
不足し、均一な厚さの膜状に気相合成ダイヤモンドが成
長しにくいため、得られた気相合成ダイヤモンド厚膜全
体の厚さが不均一になると共に粒径も９０μｍ以上とな
って組織も不均一となり、かかる気相合成ダイヤモンド
厚膜をＷＣ基超硬合金切削工具基体にろう付けして得ら
れた切削工具を用いてＡｌまたはＡｌ合金などを切削し
ても平滑な切削面が得られないなどの課題があった。
ズマ法は、初期の核発生が遅く、さらに初期核が発生し
ても初期核発生密度が低くかつその分布が不均一であ
り、早期に初期核が発生した所では急速にダイヤモンド
成長が起ってひげ成長になりやすく、一方、遅れて初期
核が発生した所では気相合成ダイヤモンド厚膜の厚さが
不足し、均一な厚さの膜状に気相合成ダイヤモンドが成
長しにくいため、得られた気相合成ダイヤモンド厚膜全
体の厚さが不均一になると共に粒径も９０μｍ以上とな
って組織も不均一となり、かかる気相合成ダイヤモンド
厚膜をＷＣ基超硬合金切削工具基体にろう付けして得ら
れた切削工具を用いてＡｌまたはＡｌ合金などを切削し
ても平滑な切削面が得られないなどの課題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
かかる課題を解決し、厚さおよび組織が均一な気相合成
ダイヤモンド厚膜を高温プラズマ法により製造すべく研
究を行った結果、熱フィラメント法またはマイクロ波法
は初期核発生密度が高くかつ均一に分布し、これらの方
法で形成された気相合成ダイヤモンド薄膜は、１〜５μ
ｍの粒径を有する緻密な組織と均一な厚さを有するとこ
ろから、Ｍｏ、Ｗなどの基板表面に予め上記熱フィラメ
ント法またはマイクロ波法により厚さ：１〜２０μｍの
緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜を形成しておき、この
１〜２０μｍの厚さの緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜
を被覆した複合基板を基体として使用し、この複合基板
表面に高温プラズマ法により厚さ：１００〜１０００μ
ｍの気相合成ダイヤモンド厚膜を形成しても、粒径は３
０〜６０μｍの範囲内にとどまり、このようにして得ら
れたダイヤモンド厚膜を取り出し、超硬合金切削工具基
体にろう付けして熱フィラメント法またはマイクロ波法
により形成した緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜面を切
削面としたダイヤモンド切削工具は優れた切削性能を示
し、このダイヤモンド切削工具を用いて得られた被削面
も極めて平滑なものとなるという知見を得たのである。
かかる課題を解決し、厚さおよび組織が均一な気相合成
ダイヤモンド厚膜を高温プラズマ法により製造すべく研
究を行った結果、熱フィラメント法またはマイクロ波法
は初期核発生密度が高くかつ均一に分布し、これらの方
法で形成された気相合成ダイヤモンド薄膜は、１〜５μ
ｍの粒径を有する緻密な組織と均一な厚さを有するとこ
ろから、Ｍｏ、Ｗなどの基板表面に予め上記熱フィラメ
ント法またはマイクロ波法により厚さ：１〜２０μｍの
緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜を形成しておき、この
１〜２０μｍの厚さの緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜
を被覆した複合基板を基体として使用し、この複合基板
表面に高温プラズマ法により厚さ：１００〜１０００μ
ｍの気相合成ダイヤモンド厚膜を形成しても、粒径は３
０〜６０μｍの範囲内にとどまり、このようにして得ら
れたダイヤモンド厚膜を取り出し、超硬合金切削工具基
体にろう付けして熱フィラメント法またはマイクロ波法
により形成した緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜面を切
削面としたダイヤモンド切削工具は優れた切削性能を示
し、このダイヤモンド切削工具を用いて得られた被削面
も極めて平滑なものとなるという知見を得たのである。
【０００８】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、（１） 熱フィラメント法またはマ
イクロ波法により基板表面に厚さ：１〜２０μｍの気相
合成ダイヤモンド薄膜を被覆した複合基板を作製し、こ
の複合基板の気相合成ダイヤモンド薄膜の上に高温プラ
ズマ法を使って気相合成ダイヤモンド厚膜を形成するダ
イヤモンド厚膜の製造法、（２） 上記方法で得られた
ダイヤモンド厚膜の上記熱フィラメント法またはマイク
ロ波法により得られた厚さ：１〜２０μｍの気相合成ダ
イヤモンド薄膜が切削面となるように切削工具基体にろ
う付けしてなるダイヤモンド切削工具、に特徴を有する
ものである。
れたものであって、（１） 熱フィラメント法またはマ
イクロ波法により基板表面に厚さ：１〜２０μｍの気相
合成ダイヤモンド薄膜を被覆した複合基板を作製し、こ
の複合基板の気相合成ダイヤモンド薄膜の上に高温プラ
ズマ法を使って気相合成ダイヤモンド厚膜を形成するダ
イヤモンド厚膜の製造法、（２） 上記方法で得られた
ダイヤモンド厚膜の上記熱フィラメント法またはマイク
ロ波法により得られた厚さ：１〜２０μｍの気相合成ダ
イヤモンド薄膜が切削面となるように切削工具基体にろ
う付けしてなるダイヤモンド切削工具、に特徴を有する
ものである。
【０００９】この発明のダイヤモンド厚膜の製造法にお
いて、熱フィラメント法またはマイクロ波法による気相
合成ダイヤモンド薄膜の形成および高温プラズマ法によ
る気相合成ダイヤモンド厚膜の形成とを繰り返し行なう
ことによりダイヤモンド厚膜を作製することもできる。
いて、熱フィラメント法またはマイクロ波法による気相
合成ダイヤモンド薄膜の形成および高温プラズマ法によ
る気相合成ダイヤモンド厚膜の形成とを繰り返し行なう
ことによりダイヤモンド厚膜を作製することもできる。
【００１０】上記熱フィラメント法またはマイクロ波法
により基板表面に形成された複合基板上の気相合成ダイ
ヤモンド薄膜は、初期核発生密度が高く、組織が微細で
かつ膜の厚さが均一であり、この気相合成ダイヤモンド
薄膜の上に高温プラズマ法により気相合成ダイヤモンド
厚膜を形成すると、上記熱フィラメント法またはマイク
ロ波法による気相合成ダイヤモンド薄膜のもつ性質が高
温プラズマ法による厚膜に引き継がれて成長し、厚さが
均一で微細な組織を有する気相合成ダイヤモンド厚膜が
生成され、全体として優れた特性を有するダイヤモンド
厚膜が得られるものと考えられる 上記熱フィラメント法またはマイクロ波法による気相合
成ダイヤモンド薄膜の厚さを１〜２０μｍに限定した理
由は、厚さが１μｍ未満であると高温プラズマ法開始初
期に高温ブラズマ流にさらされてエッチングまたは変質
し、吹き飛ばされなくなってしまうことがあるので好ま
しくなく、一方、２０μｍを越えて厚くすると熱フィラ
メント法またはマイクロ波法では時間がかかりすぎて不
経済であり、また膜厚が厚くなるにつれて粒成長も促進
し、微細組織を維持することができなくなって好ましく
ないことによるものである。
により基板表面に形成された複合基板上の気相合成ダイ
ヤモンド薄膜は、初期核発生密度が高く、組織が微細で
かつ膜の厚さが均一であり、この気相合成ダイヤモンド
薄膜の上に高温プラズマ法により気相合成ダイヤモンド
厚膜を形成すると、上記熱フィラメント法またはマイク
ロ波法による気相合成ダイヤモンド薄膜のもつ性質が高
温プラズマ法による厚膜に引き継がれて成長し、厚さが
均一で微細な組織を有する気相合成ダイヤモンド厚膜が
生成され、全体として優れた特性を有するダイヤモンド
厚膜が得られるものと考えられる 上記熱フィラメント法またはマイクロ波法による気相合
成ダイヤモンド薄膜の厚さを１〜２０μｍに限定した理
由は、厚さが１μｍ未満であると高温プラズマ法開始初
期に高温ブラズマ流にさらされてエッチングまたは変質
し、吹き飛ばされなくなってしまうことがあるので好ま
しくなく、一方、２０μｍを越えて厚くすると熱フィラ
メント法またはマイクロ波法では時間がかかりすぎて不
経済であり、また膜厚が厚くなるにつれて粒成長も促進
し、微細組織を維持することができなくなって好ましく
ないことによるものである。
【００１１】
実施例１ 直径：３０mmの円板状Ｍｏ基板を用意し、このＭｏ基板
の表面に下記の条件の熱フィラメント法またはマイクロ
波法により表１に示される合成時間をかけて表１に示さ
れる平均粒径および厚さの気相合成ダイヤモンド薄膜を
形成し、複合基板を作製した。
の表面に下記の条件の熱フィラメント法またはマイクロ
波法により表１に示される合成時間をかけて表１に示さ
れる平均粒径および厚さの気相合成ダイヤモンド薄膜を
形成し、複合基板を作製した。
【００１２】（１） 熱フィラメント法の条件 反応容器：直径が２００mmの石英管、 使用フィラメント：金属タングステン、 フィラメント温度：２０３０℃、 基体温度：８５０℃、 雰囲気：８TorrのＣＨ4 ＋Ｈ2 、 反応ガス割合：ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝０．０１、 （２） マイクロ波法の条件 反応容器：直径が４０mmの石英管、 周波数：２．４５ＧＨｚ、 マイクロ波出力：６００Ｗ、 雰囲気圧力：３０TorrＨ2 ＋ＣＨ4 、 基体温度：８５０℃、 反応ガス割合：ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝０．０１、 ついで、上記複合基板を通常の高周波熱プラズマ装置の
基板ホルダーに載置し、 シースガス：Ａｒガス（３５ｌ／min ）＋水素ガス（１
０ｌ／min ）、 プラズマガス：Ａｒガス（４ｌ／min ）＋水素ガス（３
ｌ／min ）、 原料ガス：メタンガス（０．２ｌ／min ）、 キャリアガス：Ａｒガス（５ｌ／min ）＋水素ガス（３
ｌ／min ）、 となるように流しながら、上記高周波熱プラズマ装置に
３．５ＭＨｚの高周波を５０kw加え、上記複合基板に気
相合成ダイヤモンド厚膜を形成し、本発明法１〜７およ
び比較法１〜２を実施した。
基板ホルダーに載置し、 シースガス：Ａｒガス（３５ｌ／min ）＋水素ガス（１
０ｌ／min ）、 プラズマガス：Ａｒガス（４ｌ／min ）＋水素ガス（３
ｌ／min ）、 原料ガス：メタンガス（０．２ｌ／min ）、 キャリアガス：Ａｒガス（５ｌ／min ）＋水素ガス（３
ｌ／min ）、 となるように流しながら、上記高周波熱プラズマ装置に
３．５ＭＨｚの高周波を５０kw加え、上記複合基板に気
相合成ダイヤモンド厚膜を形成し、本発明法１〜７およ
び比較法１〜２を実施した。
【００１３】この複合基板に形成された気相合成ダイヤ
モンド厚膜の中心部の膜厚および平均結晶粒径、並びに
周辺部の膜厚および平均結晶粒径を測定し、その測定結
果を表１に示した。
モンド厚膜の中心部の膜厚および平均結晶粒径、並びに
周辺部の膜厚および平均結晶粒径を測定し、その測定結
果を表１に示した。
【００１４】さらに比較のために、円板状Ｍｏ基板に直
接上記条件の高周波熱プラズマ法により気相合成ダイヤ
モンド厚膜を形成し、従来法１を実施した。この従来法
１による気相合成ダイヤモンド厚膜についても中心部の
膜厚および平均結晶粒径、並びに周辺部の膜厚および平
均結晶粒径を測定し、それらの結果を表１に示した。
接上記条件の高周波熱プラズマ法により気相合成ダイヤ
モンド厚膜を形成し、従来法１を実施した。この従来法
１による気相合成ダイヤモンド厚膜についても中心部の
膜厚および平均結晶粒径、並びに周辺部の膜厚および平
均結晶粒径を測定し、それらの結果を表１に示した。
【００１５】
【表１】 表１に示される結果から、本発明法１〜７の複合基板上
に高周波熱プラズマ法により形成した気相合成ダイヤモ
ンド厚膜は、中心部と周辺部の膜厚およびダイヤモンド
の平均結晶粒径に大きな差は見られず、均一な膜厚およ
び微細な組織を有するが、従来法１のようにＭｏ基板に
直接高周波熱プラズマ法により気相合成ダイヤモンド厚
膜を被覆すると、得られた気相合成ダイヤモンド厚膜の
結晶粒は粗大化するとともに中心部と周辺部で大きく相
違し、さらに膜厚も中心部と周辺部では相違し、不均一
な気相合成ダイヤモンド厚膜が形成されることがわか
る。
に高周波熱プラズマ法により形成した気相合成ダイヤモ
ンド厚膜は、中心部と周辺部の膜厚およびダイヤモンド
の平均結晶粒径に大きな差は見られず、均一な膜厚およ
び微細な組織を有するが、従来法１のようにＭｏ基板に
直接高周波熱プラズマ法により気相合成ダイヤモンド厚
膜を被覆すると、得られた気相合成ダイヤモンド厚膜の
結晶粒は粗大化するとともに中心部と周辺部で大きく相
違し、さらに膜厚も中心部と周辺部では相違し、不均一
な気相合成ダイヤモンド厚膜が形成されることがわか
る。
【００１６】また、熱フィラメント法またはマイクロ波
法による複合基板の気相合成ダイヤモンド薄膜が１μｍ
未満の複合基板を用いた比較法１により形成しても均一
な気相合成ダイヤモンド厚膜が得られないこと、さらに
気相合成ダイヤモンド薄膜が２０μｍ以上の厚さの複合
基板を用いた比較法２により形成された気相合成ダイヤ
モンド厚膜は結晶粒が粗大化して好ましくないことがわ
かる。
法による複合基板の気相合成ダイヤモンド薄膜が１μｍ
未満の複合基板を用いた比較法１により形成しても均一
な気相合成ダイヤモンド厚膜が得られないこと、さらに
気相合成ダイヤモンド薄膜が２０μｍ以上の厚さの複合
基板を用いた比較法２により形成された気相合成ダイヤ
モンド厚膜は結晶粒が粗大化して好ましくないことがわ
かる。
【００１７】実施例２ 実施例１で用意したＭｏ基板の表面に下記の条件により
熱フィラメント法またはマイクロ波法により表２に示さ
れる合成時間をかけて表２に示される平均粒径および膜
厚を有する第１層の緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜を
形成し、上記気相合成ダイヤモンド薄膜の上に更に下記
の条件の直流アークプラズマ法により表２に示される合
成時間をかけて表２に示される平均粒径および膜厚を有
する第２層の気相合成ダイヤモンド厚膜を形成し、表２
に示すダイヤモンド厚膜を作製した。
熱フィラメント法またはマイクロ波法により表２に示さ
れる合成時間をかけて表２に示される平均粒径および膜
厚を有する第１層の緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜を
形成し、上記気相合成ダイヤモンド薄膜の上に更に下記
の条件の直流アークプラズマ法により表２に示される合
成時間をかけて表２に示される平均粒径および膜厚を有
する第２層の気相合成ダイヤモンド厚膜を形成し、表２
に示すダイヤモンド厚膜を作製した。
【００１８】（ａ） 熱フィラメント法の条件 反応容器：直径が２００mmの石英管、 使用フィラメント：金属タングステン、 フィラメント温度：２０３０℃、 基体温度：８５０℃、 雰囲気：８TorrのＣＨ4 ＋Ｈ2 、 反応ガス割合：ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝０．０１、 （ｂ） マイクロ波法の条件 反応容器：直径が４０mmの石英管、 周波数：２．４５ＧＨｚ、 マイクロ波出力：６００Ｗ、 雰囲気圧力：３０TorrＨ2 ＋ＣＨ4 、 基体温度：８５０℃、 反応ガス割合：ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝０．０１、 （ｃ） 直流アークプラズマ法の条件 プラズマガス：Ａｒガス（５ｌ／min ）＋Ｈ2 ガス（３
ｌ／min ）、 原料ガス：ＣＨ4 ガス（０．１ｌ／min ）、 電力：１０kw、 基板温度：９５０〜１０５０℃内の所定の温度、 上記Ｍｏ基板を溶解除去して得られたダイヤモンド厚膜
の直流アークプラズマ法により形成された気相合成ダイ
ヤモンド厚膜の面を切削工具にろう付けし、本発明ダイ
ヤモンド切削工具１〜７および比較ダイヤモンド切削工
具１〜２を作製した。
ｌ／min ）、 原料ガス：ＣＨ4 ガス（０．１ｌ／min ）、 電力：１０kw、 基板温度：９５０〜１０５０℃内の所定の温度、 上記Ｍｏ基板を溶解除去して得られたダイヤモンド厚膜
の直流アークプラズマ法により形成された気相合成ダイ
ヤモンド厚膜の面を切削工具にろう付けし、本発明ダイ
ヤモンド切削工具１〜７および比較ダイヤモンド切削工
具１〜２を作製した。
【００１９】さらに比較のために、Ｍｏ基板に直接直流
アークプラズマ法により気相合成ダイヤモンド厚膜を形
成し、Ｍｏ基板を溶解除去して得られた気相合成ダイヤ
モンド厚膜を切削工具にろう付けし従来ダイヤモンド切
削工具１を作製した。
アークプラズマ法により気相合成ダイヤモンド厚膜を形
成し、Ｍｏ基板を溶解除去して得られた気相合成ダイヤ
モンド厚膜を切削工具にろう付けし従来ダイヤモンド切
削工具１を作製した。
【００２０】上記本発明ダイヤモンド切削工具１〜７、
比較ダイヤモンド切削工具１〜２および従来ダイヤモン
ド切削工具１について、下記の条件で湿式切削試験を行
なったところ被削面の表面粗さは１μｍ以下といずれも
良好であった。つぎに各ダイヤモンド切削工具の逃げ面
摩耗量を測定し、それらの測定結果を表２に示した。 湿式切削条件 被削材：Ａ３９０−Ｔ６（１８％Ｓｉ−Ａｌ合金） 切削速度：８００ｍ／min 、 切り込み深さ：０．５mm、 送り速度：０．１mm／rev.、 切削時間：６０分、
比較ダイヤモンド切削工具１〜２および従来ダイヤモン
ド切削工具１について、下記の条件で湿式切削試験を行
なったところ被削面の表面粗さは１μｍ以下といずれも
良好であった。つぎに各ダイヤモンド切削工具の逃げ面
摩耗量を測定し、それらの測定結果を表２に示した。 湿式切削条件 被削材：Ａ３９０−Ｔ６（１８％Ｓｉ−Ａｌ合金） 切削速度：８００ｍ／min 、 切り込み深さ：０．５mm、 送り速度：０．１mm／rev.、 切削時間：６０分、
【００２１】
【表２】 表２に示される結果から、本発明ダイヤモンド切削工具
１〜７はいすれも従来ダイヤモンド切削工具１および比
較ダイヤモンド切削工具１〜２に比べて優れた切削性能
を有することがわかる。
１〜７はいすれも従来ダイヤモンド切削工具１および比
較ダイヤモンド切削工具１〜２に比べて優れた切削性能
を有することがわかる。
【００２２】
【発明の効果】上述のように、この発明によると、厚さ
が均一で微細組織を有するダイヤモンド厚膜を効率よく
得ることができ、このダイヤモンド厚膜をろう付けして
得られたダイヤモンド切削工具は優れた切削性能を示す
ところから、優れた性能を有するダイヤモンド切削工具
を従来よりも安価に供給することができ、産業の発展に
大いに貢献しうるものである。
が均一で微細組織を有するダイヤモンド厚膜を効率よく
得ることができ、このダイヤモンド厚膜をろう付けして
得られたダイヤモンド切削工具は優れた切削性能を示す
ところから、優れた性能を有するダイヤモンド切削工具
を従来よりも安価に供給することができ、産業の発展に
大いに貢献しうるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２３Ｐ 15/28 Ａ 7041−3Ｃ Ｃ３０Ｂ 25/02 Ｐ 9040−4Ｇ 25/18 9040−4Ｇ
Claims (4)
- 【請求項１】 熱フィラメント法またはマイクロ波法に
より基板表面に気相合成ダイヤモンド薄膜を被覆した複
合基板を作製し、上記複合基板の気相合成ダイヤモンド
薄膜の上に高周波熱プラズマ法または直流アークプラズ
マ法を使って気相合成ダイヤモンド厚膜を形成すること
を特徴とするダイヤモンド厚膜の製造法。 - 【請求項２】 上記フィラメント法またはマイクロ波法
により基板表面に形成される気相合成ダイヤモンド薄膜
の厚さは１〜２０μｍの範囲内にあることを特徴とする
請求項１記載のダイヤモンド厚膜の製造法。 - 【請求項３】 上記熱フィラメント法またはマイクロ波
法により気相合成ダイヤモンド薄膜を形成し、ついで高
周波熱プラズマ法または直流アークプラズマ法を使って
気相合成ダイヤモンド厚膜を形成する工程を複数回繰り
返すことを特徴とする請求項１または２記載のダイヤモ
ンド厚膜の製造法。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載の方法で作製
されたダイヤモンド厚膜の高周波熱プラズマ法または直
流アークプラズマ法により形成された気相合成ダイヤモ
ンド厚膜の面を切削工具基体にろう付けしてなることを
特徴とするダイヤモンド切削工具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5064696A JPH069292A (ja) | 1992-03-10 | 1993-03-01 | ダイヤモンド厚膜の製造法およびダイヤモンド厚膜をろう付けして得られたダイヤモンド切削工具 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-86417 | 1992-03-10 | ||
| JP8641792 | 1992-03-10 | ||
| JP5064696A JPH069292A (ja) | 1992-03-10 | 1993-03-01 | ダイヤモンド厚膜の製造法およびダイヤモンド厚膜をろう付けして得られたダイヤモンド切削工具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH069292A true JPH069292A (ja) | 1994-01-18 |
Family
ID=26405804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5064696A Withdrawn JPH069292A (ja) | 1992-03-10 | 1993-03-01 | ダイヤモンド厚膜の製造法およびダイヤモンド厚膜をろう付けして得られたダイヤモンド切削工具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069292A (ja) |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP5064696A patent/JPH069292A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100212120B1 (ko) | Cvd다이아몬드 공작편의 제조방법 | |
| KR940009659B1 (ko) | 다결정 다이어몬드 공구 및 그 제조방법 | |
| EP0365218B1 (en) | A polycrystal diamond fluted tool and a process for the production of the same | |
| KR940004903B1 (ko) | 다결정 다이아몬드 공구 및 그 제조방법 | |
| US5851658A (en) | Diamond coated article and process for producing thereof | |
| JPH07315989A (ja) | ダイヤモンド被覆部材の製造方法 | |
| JPH0791651B2 (ja) | ダイヤモンド被覆炭化タングステン基超硬合金製切削工具チツプ | |
| JP2557560B2 (ja) | 多結晶ダイヤモンド切削工具およびその製造方法 | |
| JPH069292A (ja) | ダイヤモンド厚膜の製造法およびダイヤモンド厚膜をろう付けして得られたダイヤモンド切削工具 | |
| JPH04238896A (ja) | 気相法によるダイヤモンド板の製造方法 | |
| JP2797612B2 (ja) | 高い付着強度を有する人工ダイヤモンド被覆硬質焼結工具部材 | |
| JP2675218B2 (ja) | 多結晶ダイヤモンド工具及びその製造方法 | |
| JPH07276106A (ja) | 気相合成ダイヤモンド膜ろう付け切削工具 | |
| JPH05195224A (ja) | 金属製の中間スクリーンを用いて厚く付着性のダイヤモンド被膜を得る方法 | |
| JP3235206B2 (ja) | ダイヤモンド切削工具およびその製造方法 | |
| JPH04261703A (ja) | 多結晶ダイヤモンド切削工具 | |
| JP2792136B2 (ja) | 高靭性多結晶ダイヤモンド及びその製造方法 | |
| JPH05253757A (ja) | ダイヤモンド切削工具およびその製造方法 | |
| JPH05214532A (ja) | 被覆焼結体 | |
| JPH05148089A (ja) | 切削工具用ダイヤモンド膜 | |
| JPH0657426A (ja) | ダイヤモンド切削工具およびその製造方法 | |
| JP2686970B2 (ja) | 膜状ダイヤモンドの製造方法 | |
| JPH0623431B2 (ja) | 硬質被膜被覆切削工具部材 | |
| JPH06293594A (ja) | Ｃｖｄによる単結晶ダイヤモンド粒子生成法 | |
| JPH0874056A (ja) | ダイヤモンド被覆基体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |