JPH0693314A - 高純度のタングステンまたはモリブデン粉末の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高純度のタングステンまたはモリブデン粉末
を得るための効率的な方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 タングステンまたはモリブデンからなる金属
粉末の高純度精製物を得る方法であって、前記金属の二
酸化物粉末をハロゲンと反応させることによって前記金
属のオキシハロゲン化物を生成させるとともに生成した
オキシハロゲン化物を加熱することによりこれを揮発さ
せて含有不純物を分離除去するに際し、該オキシハロゲ
ン化物の生成反応を、非強制流動下であって、かつ、傾
斜させた反応系内において実施し、さらに得られたオキ
シハロゲン化物を加水分解して前記金属の三酸化物と
し、次いで得られた三酸化物を還元することにより高純
度の金属粉末を得ることを特徴とする、高純度のタング
ステンまたはモリブデン粉末の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は金属粉末の精製方法に関
し、特に、高集積ＬＳＩの配線電極の製造に用いるタン
グステン・モリブデンシリサイドターゲットを製造する
際に原料として使用する高純度のタングステンまたはモ
リブデン粉末の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体分野の発達は目をみはるも
のがあり、特に超ＬＳＩの集積度は年を追う毎に高まっ
ている。集積度が高くなると誤動作の影響は当然大きく
なるので、これらに使用する資材中に含まれる誤動作や
特性に悪影響を及ぼす様な不純物（例：Ｕ、Ｔｈ、アル
カリ金属、鉄等の重金属）の量は、集積度が上る程、き
びしく規制されてきている。超ＬＳＩの電極、配線に用
いられるタングステン、モリブデン材料中からは特に精
製除去する必要がある。特に、Ｕ、Ｔｈについては将来
０．１PPb レベル迄下げなければならない。従来、たと
えば金属タングステンを硝酸で分解洗浄する方法によ
り、前記不純物を除去することが行われているが、タン
グステン原料中に不純物を多く含む場合には完全な品質
保証を行うことは困難であり、必ずしも十分な方法とは
言い得ない。Ｍｏについては、モリブデンを過酸化水素
水に溶解した、過モリブデン酸液を、陽イオン交換樹脂
中を通す事により、Ｕ、Ｔｈ及びその他の陽イオン
（例、Ｎａ、Ｋ、Ｆｅ等）の不純物をPPb レベル迄引下
げることも提案されているが、タングステンについて
は、同じ方法でＵ、Ｔｈを同レベル迄引下げる事は困難
である。また陽イオン交換樹脂中を通す際、溶液を硝酸
酸性で行う事によりＵ、Ｔｈを除去出来るが、後工程
（濃縮、乾燥）の際、硝酸ガスが出るので好ましくな
い。また、アンモニア水に溶かした後、濃縮してＡＰＴ
として得る方法もあるが、工程が繁雑となり、工程汚染
の問題も生じうる。したがって、PPb 単位の汚染を防止
しながら濃縮を行うのは大変困難である。一般的に液の
加熱は金属の伝熱を利用して行われるがPPb 汚染防止の
為には金属を使用する事が出来ない。また、セラミック
スもPPb 汚染防止上から見ると必ずしも安全とは言い得
ないからである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した従来
技術の問題点に鑑みてなされたものであり、高純度のタ
ングステンまたはモリブデン粉末を得るための効率的な
方法を提供することを目的としている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明による高純度のタ
ングステンまたはモリブデン粉末の製造方法は、タング
ステンまたはモリブデンからなる金属粉末の高純度精製
物を得る方法であって、前記金属の二酸化物粉末をハロ
ゲンと反応させることによって前記金属のオキシハロゲ
ン化物を生成させるとともに生成したオキシハロゲン化
物を加熱することによりこれを揮発させて含有不純物を
分離除去するに際し、該オキシハロゲン化物の生成反応
を、非強制流動下であって、かつ、傾斜させた反応系内
において実施し、さらに得られたオキシハロゲン化物を
加水分解して前記金属の三酸化物とし、次いで得られた
三酸化物を還元することにより高純度の金属粉末を得る
ことを特徴とするものである。

【０００５】さらに、本発明においては、前記精製対象
となる金属二酸化物粉末に、当該精製対象金属の単体金
属粉末を少量混合することにより、さらに一層効率的な
高純度精製を行うことができる。

【０００６】以下、本発明の方法をさらに具体的に説明
するが、以下の記載においては、ハロゲンとして塩素を
使用する場合について主として説明する。

【０００７】本発明の方法においては、出発原料とし
て、精製対象金属の二酸化物またはこれに単体金属粉末
を少量添加したものを使用する。

【０００８】たとえば、タングステンを精製する場合に
ついて説明すると、まず、二酸化タングステン粉末と塩
素とを反応させることによって二塩化オキシタングステ
ンを生成させる。このオキシ塩化物は揮発性である。本
発明の方法においては、このオキシ塩化物の生成反応に
おける温度条件を特定範囲に制限することによって、含
有不純物とオキシ塩化物との沸点差を利用し、タングス
テン成分のみを揮発させて、これにより不純物と分離す
る。この場合の温度条件は、５５０℃以下の温度条件
で、ＮａやＫなどのアルカリ金属成分を除去することが
でき、さらにＵやＴｈ成分は４００℃以下の温度で分離
され得る。また、Ｆｅ成分が存在する場合は、３５０℃
以下の温度でこれを除去することができる。したがっ
て、ほとんどの含有不純物は、３５０℃以下の比較的低
温度の反応条件によって同時に除去することが可能とな
ることが判明している。

【０００９】揮発収集されたオキシ塩化物を、次いで加
熱下において加水分解することにより、三酸化物ＷＯ_３
にする。これは、オキシ塩化物のままでは、これを還元
することが困難なためである。加水分解は、たとえばス
チームを接触させて、２２０℃前後の温度下で反応させ
ることによって、下記の反応にしたがって三酸化物を得
る。 ＷＯ_２Ｃｌ_２＋Ｈ_２Ｏ＝ＷＯ_３＋２ＨＣｌ ついで、このようにして得られた三酸化物を常法に従っ
て還元することによって、高純度のタングステンを得
る。

【００１０】ところで、本発明者の知見によれば、上記
のオキシ塩化物を生成させる反応装置（特にボートおよ
び炉芯管）を大きくすると、オキシ塩化物の揮発速度が
極端に低下する現象が見られる。この原因としては、
（イ）反応生成ガスが、ボート表面に滞留し、ハロゲン
ガスと粉末との反応を妨害、ハロゲンガスの大半はその
上を素通りすること、また、（ロ）反応生成ガスの密度
が高い（＝８．７g/l ）ためボート壁を、越す事が出来
ず、ボート内に滞留し、そのためハロゲンガスと粉末の
反応を妨害することが考えられる。

【００１１】試しに４００℃における塩素（Ｃｌ_２）と
オキシ塩化タングステン（ＷＯ_２Ｃｌ_２）の密度を比較
してみると、 Ｃｌ_２(400℃）＝3.214g/l×273 ℃／400 ℃＝2.194g/l ＷＯ_２Ｃｌ_２(400℃）＝287g÷22.4l ×273 ℃／400 ℃
＝8.74g/l となり密度は約４倍になる。

【００１２】一方、ＷＣｌ_６(400℃）＝397g＋22.4l ×
273 ／400 ＝12.096g/l さらに他の要因としては、反応生成ガスが、加熱帯域を
過ぎると、冷えて析出し、炉芯管壁から内部に向って年
輪の如く成長し、やがて上記の重いガスの流れを塞止
め、上記原因（イ）および（ロ）をさらに助長すること
が考えられる。

【００１３】上述した欠点を解決するためには、反応装
置中（炉芯管中）においてハロゲンガスを強制流動させ
ることが考えられるが、本発明者の知見によれば、強制
流動を行うと揮発速度そのものは増大するが、逆に含有
不純物をピックアップしてしまい、本発明の目的に反す
る結果となる。

【００１４】したがって、本発明の方法においては、上
記の問題を解消するために、オキシハロゲン化物の生成
反応を、非強制流動下であって、かつ、傾斜させた反応
系（たとえば炉芯管ならびにボート）内において実施す
るようにしている。

【００１５】すなわち、ＷＯ_２（ＭｏＯ_２）とハロゲン
ガス（Ｃｌ_２）との反応は加熱状態で両者が接触して起
り、塩化タングステン、オキシ塩化タングステン等を生
成するが、これらのガスは重い為、ボート内や炉芯管内
に留ってしまい、ハロゲンガスと金属との接触が困難と
なる。

【００１６】流動性を向上させるためには、具体的に
は、下記のような方法がとられ得る。 （イ） 炉芯管を傾斜させ重いガスを出側へ流れ易くす
る。 （ロ） ボートの出側の壁を低くして、ボート内の重い
ガスを外へ流れ出させる。 （ハ） 反応炉の炉芯管に直結する捕集器の径を太くし
て揮発析出物による詰まりを防止する。 （ニ） 反応炉の炉芯管との直結部迄を保温し（３００
℃以上）炉芯管内析出による詰まりを防止する。 （ホ） 捕集器内部に掻取機構を具備せしめ詰まりの防
止と共に、捕集器をあけずに揮発析出物を下部の捕集瓶
に集める。 （ヘ） 捕集器（揮発粉の析出部）を炉芯管に対して垂
直に接続して、炉芯管から出てくる揮発粉が、落下、析
出し易い様にする（落下中に析出すればその分だけ器壁
への析出は少なくなる）。 （ト） 掻取り器は、石英棒にプロペラの如き形状の石
英板を数個取付け、このプロペラ部分だけで掻取る事に
より、棒部にかかる負担を小さくすると共に掻取った粉
が落ち易くする（円板だと接触部分が多くなり負担増加
と、円板上に掻取った粉が乗ってしまい下に落ち憎くな
る）。 （チ） 掻取り棒のプロペラ部の下方（取出し容器に届
く）迄、棒を延長し、捕集器下方部に詰まったものを突
落せる様にする。 （リ） 捕集器上部と掻取り器との接続はフレキシブル
チューブＢと０‐リングゴム栓を介して行う事により掻
取り器が上下、左右、回転が自由に行える様にする。 （ヌ） 反応セットは複数個を直列に接続稼動せしめる
事により、塩素の反応効率を向上せしめる。 （ル） 各セットの入口側には耐塩素性を有する内圧測
定器を取付け反応系内での詰まりを目視出来る様にす
る。所定圧を越えた場合、警報を発する様にすれば更に
よい。 （オ） 高純度塩素（半導体用）を使用する場合は問題
無いが、高価な為工業用塩素を使用すると少量の酸素を
含有しているので、反応時、この酸素はＷＯ_２を酸化し
不揮発性のＷＯ_３になり、これがボート内表面に棚板状
固形物を形成し、ＷＯ_２とＣｌ_２との接触を妨害する。
又、投入ＷＯ_２の中、ＷＯ_３として残る量が多くなるた
めＷの歩溜りが低下する。これを防止するためＷＯ_２に
少量のＷ粉末を加えて塩素中の酸素を、このＷ粉末と反
応せしめ、反応性とＷ歩溜りの向上をはかる（Ｗ＋Ｏ_２
＝ＷＯ_２）。

【００１７】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明の方法を説明
する。

【００１８】第１図は、本実施例において使用した塩素
化反応装置の概要図である。すなわち、図に示すよう
に、この反応装置は、基本的に、オキシ塩素化物を生成
させるための反応炉１とオキシ塩素化物捕集するための
捕集器２と、捕集物を取り出すための取出し容器３を具
備し、反応炉１にはその内部に炉芯管４が捕集器２に対
して傾斜させた角度で配置されており、炉芯管４中には
原料粉末５を充填するためのボート６が載置されてい
る。また、反応炉１には炉中の温度を測定するための温
度センサー７ならびに反応炉内部の圧力を測定するため
の内圧計８が接続されている。捕集器２の上部にはこの
部分を保温するための保温器９が具備され、反応生成物
を掻き取るための掻取器１０が頭頂部から挿入されてお
り、上部と下部（取出し容器３との間）にはテフロンゴ
ムなどからなるフレキシブルチューブ１１ａならびに１
１ｂが連結されている。第２図は、上記掻取器１０の掻
取羽の部分の平面図である。実施例１ （塩素の流速による揮発速度） 石英製のボート６（幅５０mm×深さ３０mm×長さ２２０
mm）に二酸化タングステン粉末（以後ＷＯ_２）約３００
ｇを入れ、内径５０mmの石英製の炉芯管４に装填した
後、内部をアルゴン（Ａｒ）で十分置換して昇温、所定
温度（３５０℃）に達してからアルゴンの供給を止め工
業用塩素（Ｃｌ_２）を６０l/h 、４５l/h、３０l/h
と、流速を変えて約３時間の塩素化を行った。又、Ａｒ
と併用した場合の効果を見るためにＣｌ_２４５l/h ＋Ａ
ｒ４０l/h の条件を加え、これにつきＷＯ_２の揮発速度
及び塩素の反応効率を比較した。結果は表−１の如く
で、塩素の流速を大きくすると、揮発速度は上昇する
が、塩素の反応効率は落ちる事が判った。又、Ａｒの併
用は揮発速度に悪い影響を与えている。

【００１９】

【表１】 Ａｒの併用は反応用ガス（Ｃｌ_２＋Ａｒ）の比重を低め
てしまう為上部を素通りし易くなり揮発速度を低下させ
たものと思われる。

【００２０】問題点としてテストNo１〜３は反応の進行
に伴ない、ボート表面に黄色の物質（多分ＷＯ_３）が次
第に増加し２〜３mm厚さの板状に成長して棚をつくり、
その一部が割れ、下側に空洞をつくり、反応生成ガスは
益々、出憎くなる。

【００２１】テストNo４は表面に３mm程度の軟らかい黄
色物質をなしその下にＷＯ_２が残る。実施例２ （ＷＯ_２の酸化防止のためＷ粉末混合） 工業用塩素中に含まれる酸素や水分により、テストNo１
〜４の如き、ＷＯ_２の表面酸化が起り、揮発速度の低下
を招いていると考えられたので、ＷＯ_２にＷ粉末を混合
し、酸素をＷに結合させる事を考えた。酸素濃度が低け
ればＷＯ_３迄は進行せず、ＷＯ_２に止まるものとすれ
ば、唯、原料を増したのと同じ事になる。 （Ｗ（１８４ｇ）＋Ｏ_２（３２ｇ）＝ＷＯ_２（２１６
ｇ）） 実施例−１と同じ装置を用い、原料ＷＯ_２にＷ粉末を１
５％、２５％を混合し、同条件（アルゴンパージ、３５
０℃にてアルゴン停止）にて工業用塩素を３０l/h の流
速で流し、ＷＯ_２換算した揮発速度と塩素の反応効率を
テストNo３と比較した結果を表−２に示す。

【００２２】

【表２】 1)反応後のボート表面 矢張り表面に酸化物は生成するが、その量は少なく（１
５％Ｗ＝３ｇ＞、２５％Ｗ＝１ｇ＞） 軟らかい。 2)揮発速度及び反応効率 １５％Ｗ混合では揮発速度が１７．８％、反応効率は８
％（１６．４％→２４．５％）程アップする。

【００２３】２５％Ｗでは反応効率は、ほぼ同じである
が揮発速度の上昇は１．７％にすぎない。Ｗの混合比が
増える程、ＷＣｌ_６が多く生成して塩素を３倍も消費す
る事と生成するＷＣｌ_６ガス（４００℃）の密度はオキ
シ塩化物より更に大きい（１２．０９g/l ）ので、Ｃｌ
_２ガスとＷＯ_２との接触部分に滞留して両者の接触を妨
害する為と思われる。実施例３ （ボート傾斜による揮発速度の向上） 反応生成ガスの比重が大きいため、これが滞留すると、
塩素は上部を素通りしてしまい、ＷＯ_２との接触反応が
困難となり揮発速度を低下させるので、反応生成ガス
（例、ＷＯ_２Ｃｌ_２（４００℃）＝８．７g/l ）は成可
く、反応系外に排出させる必要がある。炉を傾斜させ
て、重い反応ガスを下流に移動し易くし、ＷＯ_２と塩素
を接触を良くし、これにより揮発速度の向上を試みた。
今回炉の傾斜は１０°に固定して行った。結果を表−３
に示す。

【００２４】

【表３】 炉を傾斜させる事により揮発速度は飛躍的に向上し２倍
以上（７４．２g/l →１５６．２g/h ）にアップし、当
然Ｃｌ_２反応効率も２４．５％が４０．６％にと１６％
も向上した。更にボートへのチャージ法を変えると揮発
速度は更に向上した。これは、ボートにＷＯ_２をチャー
ジする際、出側を少なくすると共にＣｌ_２入側に於ては
ボート壁面よりＷＯ_２の頂部が高くなっているため反応
生成ガスは、初期段階に於て、このＷＯ_２の山の斜面を
滑り降りたものと思われ、この場合、ＷＯ_２Ｃｌ_２の質
量が大きい事と、烈しい揮発反応により不揮発性不純物
を同伴し易くなる恐れが出てくる。従ってチャージの
際、原料粉は、揮発速度を犠牲にしてもボート壁面より
低く保つ必要がある。処理後の残留ＷＯ_２の残り方から
見ると、チャージ方法をＢ法の如く出側は低くすると
か、ボートの出側の壁面を低くする等の工夫が必要であ
る（出側の壁面を全く取り去ってしまうのは不揮発性不
純物同伴を防止する上から、好ましくない）。オキシ塩化物の加水分解 Ｗ、Ｍｏの塩化物や、オキシ塩化物は沸点が低い（２２
０〜３５０℃）のでＷの水素による還元開始温度（６５
０〜７００℃）で、これら化合物は、皆揮発してしまい
水素との気相反応による超微粒子（煙状）のＷが生じ、
捕集は非常に困難となる。又、水素との反応により、腐
食性の強い塩化水素ガスが副生するので、炉の前後を含
めた各種金属材料を強く腐蝕するので、このままで、還
元材料として使用する事は出来ない。従って還元前に酸
化物や、アンモニア塩の形に変換しておく必要がある。

【００２５】小さいボート（幅９mm×長さ８３mm×深さ
７．６mm）によりオキシ塩化タングステンを高温加水分
解（１００〜３５０℃の温度に加熱し乍ら、スチームを
吹込み、被加熱物を加水分解）する際はボートが浅い
為、スチームが浸透するが、処理量が多くなると、下層
部へのスチームの浸透迄、大変時間がかかる様になる。

【００２６】もし、スチームが完全に浸透する前に、塩
化物の沸点以上に昇温した時は、ボート内部での揮発に
より、表面で噴出現象を起し、これにより表面酸化物が
飛散し、ロス原因となる。従って内部（底部）迄スチー
ムが浸透し終る迄、化合物の沸騰点以下で長時間、徐々
に反応させねばならず、化合物層が厚くなる程、時間が
かかり能率が悪くなる問題があった。実施例４ 実施例−１と同一の石英ボート、炉芯管を使用し、一方
の端からスチームを吹込み、他方は洗浄塔、排気ファン
に接続した。高温加水分解によって得られるＷＯ_３は、
ＷＯ_２Ｃｌ_２で行った場合の理論量は次式により、 ＷＯ_２Ｃｌ_２＋Ｈ_２Ｏ→ＷＯ_３＋２ＨＣｌ^{（分子量）287 232g(80.8%<)} ８０．８％以上である。

【００２７】石英ボートにＷＯ_２Ｃｌ_２２５６ｇをチャ
ージし、スチームを（水６００ml／ｈのスピード）吹込
みながら１回目２００〜２３０℃×１ｈ、更に２回目２
５０〜３００℃×１ｈ、３回目３００℃×１Ｈと順次温
度を上げながら、高温加水分解を行い、その都度、ボー
トを計量して重量減少を測定した。結果を表−４に示
す。

【００２８】

【表４】 １回目の処理で約２０wt％、分解揮発があり、既に理論
量に相当しているこの過程で表面噴出が見られ、炉芯管
壁は揮発後析出するタングステン酸化物により黄色して
くる。２回目で分解揮発が更に進行するが、２回目と３
回目との差は殆ど無くなる。即ち約２時間＋αで分解反
応は大体終了した事になる。３回目迄の結果から、実際
のロスはＷＯ_３理論値８０．８％から３回目の７２．３
％を差引いた８．５％で、このロスは製造工程としては
大きい。

【００２９】更に石英ボートへのチャージ量を４００ｇ
に増した場合は２回目迄の焙焼で７５．６％（ロス＝
５．２％）になる上、ボートの底半分は未分解となっ
た。

【００３０】これは層が厚くなる程、分解ガス（ＨＣ
ｌ）や揮発ガス（ＷＯＣｌ_４、ＷＯ_２Ｃｌ_２）等が下か
ら吹出てくるためスチームが粉末中に益々入り込めなく
なる為と思われる。加水分解時におけるロスの低減と分解時間の短縮 ＷＣｌ_６やＷＯＣｌ_４、ＷＯ_２Ｃｌ_２は水と烈しく反応
し、多量のＨＣｌガスを発生し、発熱する。従って水を
加えて加水分解を行うとすれば、大量の水の中に投入
し、その水の中からタングステン酸として回収せねばな
らない。この場合、工程が長くなり汚染し易い事と、水
中（低温度）で析出したタングステン酸は非常に濾過し
憎く、又、細かいので沈み憎く塩酸を水洗いするのに大
変な困難を伴なっていた。タングステン酸の沈殿は粘性
が強く重く（克細かい為）濾過材はすぐ目詰りを来た
し、濾過には長時間を要する。

【００３１】上記問題の解決と、加水分解時のロス低減
のため、これらの塩化物に対しタングステン酸に分解す
るに要する理論量の水を、攪拌している塩化物上から極
めて細かい噴霧として、間欠的に徐々に加えて分解して
後、しばらく熟成後、１００〜３５０℃で高温加水分解
を完結せしめる。実施例５ ＷＯ_２Ｃｌ_２８６１を広く（浅くて）大きいテフロン容
器にとり、攪拌し乍ら理論量の超純水１６２mlをクリー
ンエアーを用いた噴霧器で間欠的に徐々に加え、分解反
応によるＨＣｌと発熱を見乍ら徐々に加水分解を行っ
た。注水終了後ポリ袋に入れ、１日放置し、これを取出
し石英ボートに約４５０ｇをチャージし、２００℃×３
０分、３５０℃×３０分、スチームを吹込みながら加熱
処理した。全量処理後、焙焼済粉末８００ｇを得た。理
論収量８０４ｇに対し９９．５％の歩溜りでロスは０．
５％で許容されるロス範囲であった。

【００３２】 ＷＯ_２Ｃｌ_２＋３Ｈ_２Ｏ＝Ｈ_２ＷＯ_４，Ｈ_２Ｏ＋２ＨＣｌ ８６１ｇ １６２ml ８０４ｇ ２１９ｇ 噴霧による加水分解はＨＣｌガスの発生量が多く、発熱
もあるが、大量処理が可能であり、炉による処理も短時
間で済み、汚染が小さく克、高歩溜りが得られる。塩素化法により得られたＷ粉末の純度 塩素化法で得られたＷＯ_２Ｃｌ_２を実施例−５の方法で
分解し、得られた三酸化タングステンを石英ボートに入
れ、チャージ１５０ｇで５０％石英炉芯管、Ｈ_２１００
０l/h 、８００℃×３．５ｈの還元を行い金属粉末（平
均粒径０．５μｍ）とし、不純物の分析を行った。

【００３３】尚使用した塩素化原料は一般のＷ粉末製造
の途中工程から取ったものでＮａ＝７０００PPb 、Ｋ＝
３５００PPb 、Ｆｅ＝３５００PPb 、Ｕ＝３．４PPb 、
Ｔｈ＝２．５PPb を含んだものである。

【００３４】

【表５】 テストNo３と５（ＷＯ_２とＷＯ_２＋１５％Ｗ）では大差
ない。テストNo７（傾斜１０°あり）は揮発速度が他に
比較して２倍以上となっている関係もあり、予想の如く
不純物の同伴が多くなって来ており、全般的に不純物は
１．５倍近くに増加している。従って特に高純度が必要
な場合は、塩素化時、更に温度を下げる、傾斜を小さく
する、塩素を少なくする。等、多少揮発速度を犠牲にし
て純度を保つ配慮が必要となる。

【００３５】このように、塩素化法により高純度のＷ、
Ｍｏ粉末（半導体用）を作るに際し、スケールアップ時
の問題点（揮発速度の低下、加水分解時の歩溜り低下、
同長時間未分解等）を解決し、工業用ベースでの生産が
可能な技術を確立し、半導体用のアルカリ金属、Ｕ、Ｔ
ｈの如き放射性不純物の少ない金属Ｗ（Ｍｏ）粉末が得
られた。

【００３６】

【発明の効果】本発明の方法によれば、高純度のタング
ステンおよびモリブデン粉末を効率的に得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例において使用する反応装置の概
要図。

【図２】反応装置内の掻取羽の平面図。

【符号の説明】

１ 反応炉 ２ 捕集炉 ３ 取出し容器

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】タングステンまたはモリブデンからなる金
   属粉末の高純度精製物を得る方法であって、 前記金属の二酸化物粉末をハロゲンと反応させることに
   よって前記金属のオキシハロゲン化物を生成させるとと
   もに生成したオキシハロゲン化物を加熱することにより
   これを揮発させて含有不純物を分離除去するに際し、該
   オキシハロゲン化物の生成反応を、非強制流動下であっ
   て、かつ、傾斜させた反応系内において実施し、さらに
   得られたオキシハロゲン化物を加水分解して前記金属の
   三酸化物とし、次いで得られた三酸化物を還元すること
   により高純度の金属粉末を得ることを特徴とする、高純
   度のタングステンまたはモリブデン粉末の製造方法。
2. 【請求項２】前記の精製対象となる金属二酸化物粉末
   に、精製対象金属の単体金属粉末を少量混合する、請求
   項１に記載の製造方法。