JPH0693423B2 - フオトレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
フオトレジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPH0693423B2 JPH0693423B2 JP60233292A JP23329285A JPH0693423B2 JP H0693423 B2 JPH0693423 B2 JP H0693423B2 JP 60233292 A JP60233292 A JP 60233292A JP 23329285 A JP23329285 A JP 23329285A JP H0693423 B2 JPH0693423 B2 JP H0693423B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- pattern
- photoresist pattern
- taper
- post
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はフォトレジストパターンの形成方法、特にパタ
ーンの端部にテーパを形成し、なだらかな端部形状のフ
ォトレジストパターンを形成する方法に係り、更に、特
には、基板面とフォトレジスト端部のフォトレジスト面
とのなすテーパ角度が15度以下になる様な極端にテーパ
角度の小さなフォトレジストパターンの形成方法に関
し、磁気バブルメモリや半導体デバイス等に適用される
ものである。
ーンの端部にテーパを形成し、なだらかな端部形状のフ
ォトレジストパターンを形成する方法に係り、更に、特
には、基板面とフォトレジスト端部のフォトレジスト面
とのなすテーパ角度が15度以下になる様な極端にテーパ
角度の小さなフォトレジストパターンの形成方法に関
し、磁気バブルメモリや半導体デバイス等に適用される
ものである。
フォトレジストにテーパを形成する方法としてポジ形フ
ォトレジストでは一般的にポストベークを行いレジスト
リフローを起させる方法が用いられる。しかし、この方
法でテーパ角度15度以下と極端にテーパ角度を小さくす
るためには、ポストベークを高温で行う必要があり、し
かも市販のフォトレジストでは高温でポストベークを行
なうとレジストが熱重合し、溶剤で不要レジストを除去
することが困難となり、レジスト除去が複雑になるとい
う欠点がある。
ォトレジストでは一般的にポストベークを行いレジスト
リフローを起させる方法が用いられる。しかし、この方
法でテーパ角度15度以下と極端にテーパ角度を小さくす
るためには、ポストベークを高温で行う必要があり、し
かも市販のフォトレジストでは高温でポストベークを行
なうとレジストが熱重合し、溶剤で不要レジストを除去
することが困難となり、レジスト除去が複雑になるとい
う欠点がある。
なお、低分子量の特殊フォトレジストを用いたテーパエ
ッチング方法は特願昭58−224106号に開示されている。
ッチング方法は特願昭58−224106号に開示されている。
本発明の一つの目的は被加工物のパターン端部にテーパ
を設けることができるパターニング方法を提供すること
である。
を設けることができるパターニング方法を提供すること
である。
本発明の他の目的は、特殊なフォトレジストの使用を絶
対条件としない市販のノボラック樹脂を用いたフォトレ
ジストを用いて、フォトレジスト端部にテーパを形成す
る方法を提供することにある。
対条件としない市販のノボラック樹脂を用いたフォトレ
ジストを用いて、フォトレジスト端部にテーパを形成す
る方法を提供することにある。
本発明の実施例は、フォトレジストの熱重合は感光基で
あるキノンジアジドと、ノボラック樹脂中のフェノル基
とが反応するためであるとの予測に基づき、検証のた
め、キノンジアジドを光分解した後にポストベークを行
ったことにより見出した現像を応用したものである。即
ち、フォトレジストパターンを形成した後、更にパター
ンを形成しているフォトレジスト（感光基が分解されて
いないため現像されずに残った）の感光基を光分解した
後ポストベークしてテーパを形成する方法が開示され
る。
あるキノンジアジドと、ノボラック樹脂中のフェノル基
とが反応するためであるとの予測に基づき、検証のた
め、キノンジアジドを光分解した後にポストベークを行
ったことにより見出した現像を応用したものである。即
ち、フォトレジストパターンを形成した後、更にパター
ンを形成しているフォトレジスト（感光基が分解されて
いないため現像されずに残った）の感光基を光分解した
後ポストベークしてテーパを形成する方法が開示され
る。
以下本発明の一実施例を磁気バブルメモリ素子プロセス
により説明する。第１図は磁気バブルメモリ素子プロセ
スにおいて、層間絶縁膜２をフォトエッチングするため
のフォトレジストパターン１を形成した要素断面図であ
る。６はガーネット基板（GGG）、５は磁性ガーネッ
ト、４は絶縁膜、３はコンダクタパターンである。本実
施例では層間絶縁膜にポリイミドイソインドロキナゾリ
ンを用い、フォトレジストパターン１は公知の露光、現
像技術により形成される。本実施例ではフォトレジスト
にボラック樹脂を用いたポジ型フォトレジストを用い
た。その後、再びフォトレジストパターンを紫外線で露
光し、ポストベークを行った。露光装置の照度は150mj/
cm2であった。またポストベークはクリーンオーブンを
用い、180℃20分間行なった。
により説明する。第１図は磁気バブルメモリ素子プロセ
スにおいて、層間絶縁膜２をフォトエッチングするため
のフォトレジストパターン１を形成した要素断面図であ
る。６はガーネット基板（GGG）、５は磁性ガーネッ
ト、４は絶縁膜、３はコンダクタパターンである。本実
施例では層間絶縁膜にポリイミドイソインドロキナゾリ
ンを用い、フォトレジストパターン１は公知の露光、現
像技術により形成される。本実施例ではフォトレジスト
にボラック樹脂を用いたポジ型フォトレジストを用い
た。その後、再びフォトレジストパターンを紫外線で露
光し、ポストベークを行った。露光装置の照度は150mj/
cm2であった。またポストベークはクリーンオーブンを
用い、180℃20分間行なった。
この方法により得られたフォトレジストのテーパ角度α
（第２図）は、チップ断面を走査型電子顕微鏡で観察し
た結果約11度であった。
（第２図）は、チップ断面を走査型電子顕微鏡で観察し
た結果約11度であった。
この後、酸素プラズマによりフォトレジストパターン１
と、層間絶縁膜２を同時にエッチングし、フォトレジス
トパターン１のテーパを層間絶縁膜２に転写した結果、
層間絶縁膜２に約８度のテーパを形成できた。また、エ
ッチング後不用となったフォトレジストはアセトンに侵
漬し取り去った。
と、層間絶縁膜２を同時にエッチングし、フォトレジス
トパターン１のテーパを層間絶縁膜２に転写した結果、
層間絶縁膜２に約８度のテーパを形成できた。また、エ
ッチング後不用となったフォトレジストはアセトンに侵
漬し取り去った。
次に、本発明によるポストベーク前にフォトレジストパ
ターンを紫外線で露光する方法と、通常の露光せずにポ
ストベークする方法をポストベーク温度を変えてフォト
レジスト端部のテーパ角度を比較した、表に（ ）で示
した試料は、アセントによりフォトレジストを取り去る
ことが困難であった。表１に示す様に、本発明によれ
ば、テーパ角度の小さな，なだらかなパターン端を有す
るフォトレジストパターンが形成でき、また、不用とな
ったフォトレジストを容易にアセトンに侵漬して取り去
ることができる。
ターンを紫外線で露光する方法と、通常の露光せずにポ
ストベークする方法をポストベーク温度を変えてフォト
レジスト端部のテーパ角度を比較した、表に（ ）で示
した試料は、アセントによりフォトレジストを取り去る
ことが困難であった。表１に示す様に、本発明によれ
ば、テーパ角度の小さな，なだらかなパターン端を有す
るフォトレジストパターンが形成でき、また、不用とな
ったフォトレジストを容易にアセトンに侵漬して取り去
ることができる。
本発明はパターンのエッジ部にテーパを形成する必要の
あるデバイスに広く利用できる。
あるデバイスに広く利用できる。
本発明の一実施例によれば、パターニングされたフォト
レジストを紫外線で露光することによって、小さい角度
のテーパを形成することができる。また、レジストの除
去も容易にできる。
レジストを紫外線で露光することによって、小さい角度
のテーパを形成することができる。また、レジストの除
去も容易にできる。
第１図及び第２図は本発明が適用される磁気バブルメモ
リの断面を示す図である。 １……フォトレジシト、２……ポリイミド・パターン、
３……コンダクタパータン、４……絶縁膜、５……磁性
膜、６……GGG基板。
リの断面を示す図である。 １……フォトレジシト、２……ポリイミド・パターン、
３……コンダクタパータン、４……絶縁膜、５……磁性
膜、６……GGG基板。
フロントページの続き (72)発明者 野沢 悠夫 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭51−111072（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】コンダクタパターン上にポリイミドからな
る層間絶縁膜を設ける磁気バブルメモリ素子のフォトレ
ジストパターン形成方法において、フォトレジストを露
光、現像してパターニングした後、ポストベークを行う
前に上記フォトレジストパターンを紫外線で露光する工
程により、上記フォトレジストパターン端部及び、上記
層間絶縁膜のパターン端部に角度15度以下になる、テー
パを設けることを特徴とするフォトレジストパターンの
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60233292A JPH0693423B2 (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60233292A JPH0693423B2 (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293935A JPS6293935A (ja) | 1987-04-30 |
| JPH0693423B2 true JPH0693423B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=16952816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60233292A Expired - Lifetime JPH0693423B2 (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693423B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP60233292A patent/JPH0693423B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6293935A (ja) | 1987-04-30 |
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