JPH0693524B2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH0693524B2 JPH0693524B2 JP6547185A JP6547185A JPH0693524B2 JP H0693524 B2 JPH0693524 B2 JP H0693524B2 JP 6547185 A JP6547185 A JP 6547185A JP 6547185 A JP6547185 A JP 6547185A JP H0693524 B2 JPH0693524 B2 JP H0693524B2
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- solder
- light emitting
- emitting element
- optical transmission
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は発光素子に対向して、これと同一光軸上に光
ファイバをチップキャリアを用いて半田保持する光電変
換装置に関する。
ファイバをチップキャリアを用いて半田保持する光電変
換装置に関する。
第６図は従来の光電変換装置を示す正面図であり、図に
おいて、１は一対の取付台部2,3およびこれらの取付台
部2,3を一体に継ぐ連結部４を有するチップキャリア
で、このチップキャリア１の一端部である取付台部２上
には発光素子（発光半導体素子）５が保持され、チップ
キャリア１の他端部である取付台部３上には、光ファイ
バ６が発光素子５の発光部７に対向し、光軸合せされる
ように、半田付けによって固定されている。８は光ファ
イバ６を包むように取付台部３に固着させた半田であ
る。なお、光ファイバ６の発光素子５に対向する先端は
球面状をなし、発光素子５の放射光7aを効率良く光伝送
路である光ファイバ６中に導入および伝搬するようにな
っている。
おいて、１は一対の取付台部2,3およびこれらの取付台
部2,3を一体に継ぐ連結部４を有するチップキャリア
で、このチップキャリア１の一端部である取付台部２上
には発光素子（発光半導体素子）５が保持され、チップ
キャリア１の他端部である取付台部３上には、光ファイ
バ６が発光素子５の発光部７に対向し、光軸合せされる
ように、半田付けによって固定されている。８は光ファ
イバ６を包むように取付台部３に固着させた半田であ
る。なお、光ファイバ６の発光素子５に対向する先端は
球面状をなし、発光素子５の放射光7aを効率良く光伝送
路である光ファイバ６中に導入および伝搬するようにな
っている。
また、かかる光学系では発光素子５と光ファイバ６との
相対光軸の一致、不一致が光伝送効率に大きく影響する
ものであり、発光素子５と光ファイバ６の諸条件によっ
ては許容される軸ズレの大きさが１ミクロンメートル以
下である場合がある。そして、従来は光ファイバ６を取
り付ける際に、一般的には半田を溶融した状態で、予め
固定した発光素子５に対し光軸合わせを行い、光軸合わ
せ後、冷却して半田を硬化するようにしている。
相対光軸の一致、不一致が光伝送効率に大きく影響する
ものであり、発光素子５と光ファイバ６の諸条件によっ
ては許容される軸ズレの大きさが１ミクロンメートル以
下である場合がある。そして、従来は光ファイバ６を取
り付ける際に、一般的には半田を溶融した状態で、予め
固定した発光素子５に対し光軸合わせを行い、光軸合わ
せ後、冷却して半田を硬化するようにしている。
ここで、光ファイバ６とチップキャリア１の固定に樹脂
を用いる手段も考えられるが、この方法は半田を用いて
固定する手段に比べて温度特性や長期的な信頼性におい
て劣る。
を用いる手段も考えられるが、この方法は半田を用いて
固定する手段に比べて温度特性や長期的な信頼性におい
て劣る。
光ファイバ６とチップキャリア１の固定に半田を用いる
場合には、光ファイバ６と半田８の接着力を増すため
に、光ファイバ６の表面に金属薄膜のコーテイングを施
すことが望ましい。
場合には、光ファイバ６と半田８の接着力を増すため
に、光ファイバ６の表面に金属薄膜のコーテイングを施
すことが望ましい。
従来の光電変換装置１に対する光ファイバ６の取付構造
は以上のように構成されているので、光軸合せ作業後に
半田８を冷却し、凝固させ、光ファイバ６を取付台部３
に固定させるが、半田８は凝固してからさらに室温まで
冷える際に収縮するため、半田８に固定された光ファイ
バ６の位置が軸合わせ調整が終了した位置から移動し
て、発光素子５と光ファイバ６の結合効率が大きく低下
してしまうという問題点があった。
は以上のように構成されているので、光軸合せ作業後に
半田８を冷却し、凝固させ、光ファイバ６を取付台部３
に固定させるが、半田８は凝固してからさらに室温まで
冷える際に収縮するため、半田８に固定された光ファイ
バ６の位置が軸合わせ調整が終了した位置から移動し
て、発光素子５と光ファイバ６の結合効率が大きく低下
してしまうという問題点があった。
また、半田８は均一に収縮するので、半田８を盛る量が
増えると、収縮する距離、すなわち半田８の収縮によっ
て光ファイバ６が移動する移動距離Lhaは、光ファイバ
６の光軸とチップキャリア１の上面との間の距離L1と比
例する。ところで、光ファイバ６の軸芯と発光素子５の
光軸との軸合わせ調整において最大の結合効率が得られ
る位置を見つけるためには、光ファイバ６を自由に動か
せるある範囲が必要とされる。従って、光ファイバ６の
軸芯とチップキャリア１の上面との間の距離L1は、上記
範囲を確保する距離L1imitより小さくできないため、
（L1L1imit）、従来のチップキャリアを用いた場合に
はこの距離に比例する半田８の収縮による光ファイバ６
の軸ズレを前述の１ミクロンメートル以下にすることは
困難であるという問題点があった。
増えると、収縮する距離、すなわち半田８の収縮によっ
て光ファイバ６が移動する移動距離Lhaは、光ファイバ
６の光軸とチップキャリア１の上面との間の距離L1と比
例する。ところで、光ファイバ６の軸芯と発光素子５の
光軸との軸合わせ調整において最大の結合効率が得られ
る位置を見つけるためには、光ファイバ６を自由に動か
せるある範囲が必要とされる。従って、光ファイバ６の
軸芯とチップキャリア１の上面との間の距離L1は、上記
範囲を確保する距離L1imitより小さくできないため、
（L1L1imit）、従来のチップキャリアを用いた場合に
はこの距離に比例する半田８の収縮による光ファイバ６
の軸ズレを前述の１ミクロンメートル以下にすることは
困難であるという問題点があった。
また、チップキャリア１は、一般に発光素子５の動作時
の放熱を良好にするために熱伝導性の良い材料で作られ
ている。光ファイバ６の軸合わせ調整は発光素子５を動
作させながら行われるが、この時チップキャリア１の半
田８に接している部分は半田８の融点以上の温度になっ
たおり、これに伴って第５図に示した従来のチップキャ
リアにおいては、発光素子５も高温になる。高温で半導
体素子を動作されることは、発光素子５の特性を劣化さ
せる原因となる。
の放熱を良好にするために熱伝導性の良い材料で作られ
ている。光ファイバ６の軸合わせ調整は発光素子５を動
作させながら行われるが、この時チップキャリア１の半
田８に接している部分は半田８の融点以上の温度になっ
たおり、これに伴って第５図に示した従来のチップキャ
リアにおいては、発光素子５も高温になる。高温で半導
体素子を動作されることは、発光素子５の特性を劣化さ
せる原因となる。
さらに、半田８を冷却して光ファイバ６を固定する際
に、チップキャリア１も冷却されることとになるが、取
付台部２と３との温度差によってチップキャリア１に歪
が生じて光ファイバ６の発光素子５に対する軸ズレが起
こるなどの問題点があった。
に、チップキャリア１も冷却されることとになるが、取
付台部２と３との温度差によってチップキャリア１に歪
が生じて光ファイバ６の発光素子５に対する軸ズレが起
こるなどの問題点があった。
この発明（第１の発明）は上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、発光素子の光軸に対して半田
の収縮による光ファイバの軸ズレを従来に比べて小さく
し、光ファイバと発光素子を効率良く結合できるように
した光電変換装置を得ることを目的とする。
るためになされたもので、発光素子の光軸に対して半田
の収縮による光ファイバの軸ズレを従来に比べて小さく
し、光ファイバと発光素子を効率良く結合できるように
した光電変換装置を得ることを目的とする。
別の発明（第２の発明）は、上記目的に加えて、光ファ
イバの軸合わせ調整時の発光素子の温度を下げて発光素
子の特性劣化を防止するとともに、チップキャリアの上
記温度差による歪で光ファイバの発光素子に対する軸ズ
レを小さくできるようにした光電変換装置を得ることを
目的とする。
イバの軸合わせ調整時の発光素子の温度を下げて発光素
子の特性劣化を防止するとともに、チップキャリアの上
記温度差による歪で光ファイバの発光素子に対する軸ズ
レを小さくできるようにした光電変換装置を得ることを
目的とする。
この発明に係るチップキャリアは、一端部に発光素子
を、他端部に光ファイバを半田ａで固定したプレートを
設けたベースを有し、半田ａを介して固定された光ファ
イバとプレートとの距離より小距離を保持して上記プレ
ートを上記ベースに対して半田ｂで固定したものであ
る。
を、他端部に光ファイバを半田ａで固定したプレートを
設けたベースを有し、半田ａを介して固定された光ファ
イバとプレートとの距離より小距離を保持して上記プレ
ートを上記ベースに対して半田ｂで固定したものであ
る。
また、第２の発明は上記第１の発明において、さらに、
プレートを固定する部分のベースに断熱部を設けたもの
である。
プレートを固定する部分のベースに断熱部を設けたもの
である。
この発明におけるチップキャリアは光ファイバをベース
に固定する際に生ずる半田収縮による光ファイバの位置
ズレを極力小さくすることができる。
に固定する際に生ずる半田収縮による光ファイバの位置
ズレを極力小さくすることができる。
さらに、ベースとプレートとを半田で固定する際におい
ても、ベースおよび発光素子の温度上昇を極力抑え、温
度差に起因するベースの歪による軸ズレ、発光素子の劣
化を防止できる。
ても、ベースおよび発光素子の温度上昇を極力抑え、温
度差に起因するベースの歪による軸ズレ、発光素子の劣
化を防止できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第５
図を同一または相当部分は同一符号を以って示した第１
図において、９はこの発明に係るチップキャリアであっ
て、熱伝導性の良好な材料で作られたベース10の上に、
平板状の金属板（プレート）11を半田b12で固定した構
造になっている。
図を同一または相当部分は同一符号を以って示した第１
図において、９はこの発明に係るチップキャリアであっ
て、熱伝導性の良好な材料で作られたベース10の上に、
平板状の金属板（プレート）11を半田b12で固定した構
造になっている。
第２図は第１図に示すチップキャリアを用いて光ファイ
バを軸合わせ固定した状態を示す断面図である。ベース
10上の一端側には発光素子５を半田固定するとともに、
ベース10上の他端側には半田b12により金属板11を固定
する。そして、この金属板11上にはベース10と金属板11
とを固定させた半田b12より多い量の半田a8を用いて光
伝送路である。光ファイバ６が固定されている。
バを軸合わせ固定した状態を示す断面図である。ベース
10上の一端側には発光素子５を半田固定するとともに、
ベース10上の他端側には半田b12により金属板11を固定
する。そして、この金属板11上にはベース10と金属板11
とを固定させた半田b12より多い量の半田a8を用いて光
伝送路である。光ファイバ６が固定されている。
すなわち、ベース10の上面と金属板11の下面との距離よ
り金属板11の上面と光ファイバ６の軸芯との距離の方が
大きくなるように半田a8によって固定する。
り金属板11の上面と光ファイバ６の軸芯との距離の方が
大きくなるように半田a8によって固定する。
ここで、光ファイバ６の表面は半田a8との接着力を増す
ために金属薄膜コーテイングが施されている。また光フ
ァイバ６の先端は、光ファイバ６と発光素子５の出射光
7aとを効率良く結合するために球面状に加工されてい
る。
ために金属薄膜コーテイングが施されている。また光フ
ァイバ６の先端は、光ファイバ６と発光素子５の出射光
7aとを効率良く結合するために球面状に加工されてい
る。
次に、動作について説明する。まず、半田a8を加熱して
融解した状態で光ファイバ６と発光素子５との軸合わせ
調整を行い、半田a8を冷却し、凝固させて光ファイバ６
を金属板11に固定させる。この光ファイバ６を金属板11
に固定する過程において、半田a8は凝固してから室温ま
で冷える間に収縮するため、発光素子５の光軸に対する
光ファイバ６の軸芯位置は前述のように光ファイバ６と
発光素子５との軸合わせ調整が終了した位置から距離Lh
a（第３図参照）の軸ズレを生じる。
融解した状態で光ファイバ６と発光素子５との軸合わせ
調整を行い、半田a8を冷却し、凝固させて光ファイバ６
を金属板11に固定させる。この光ファイバ６を金属板11
に固定する過程において、半田a8は凝固してから室温ま
で冷える間に収縮するため、発光素子５の光軸に対する
光ファイバ６の軸芯位置は前述のように光ファイバ６と
発光素子５との軸合わせ調整が終了した位置から距離Lh
a（第３図参照）の軸ズレを生じる。
そこで、距離Lhaの軸ズレを減少させるために次に半田b
12を加熱して融解した状態で発光素子５の光軸に対して
光ファイバ６の軸芯のずれを補正するように再び光ファ
イバ６の軸芯と発光素子５の光軸との軸合わせ調整を行
い、次いで半田b12を冷却し、凝固させて金属板11をベ
ース10上に固定する。この際にも同様に半田b12は収縮
するため、半田b12の収縮によって発光素子５の光軸に
対する光ファイバ６の軸芯位置は距離Lhb（第３図参
照）の軸ズレを生ずる。
12を加熱して融解した状態で発光素子５の光軸に対して
光ファイバ６の軸芯のずれを補正するように再び光ファ
イバ６の軸芯と発光素子５の光軸との軸合わせ調整を行
い、次いで半田b12を冷却し、凝固させて金属板11をベ
ース10上に固定する。この際にも同様に半田b12は収縮
するため、半田b12の収縮によって発光素子５の光軸に
対する光ファイバ６の軸芯位置は距離Lhb（第３図参
照）の軸ズレを生ずる。
前述のように、半田a8の収縮による発光素子５の光軸に
対する光ファイバ６の軸芯の軸ズレの距離Lhaは光ファ
イバ６の軸芯から金属板11の表面までの距離L2、すなわ
ち光ファイバ６の軸芯と発光素子５の光軸との軸合わせ
調整において光ファイバ６を自由に動かせる範囲である
前述の距離L1imitに比例する。他方、半田b12の収縮に
よる発光素子５の光軸に対する光ファイバ６の軸芯の軸
ズレの距離Lhbは金属板11の表面からベース10の表面ま
での間の距離L3、すなわち光ファイバ６の軸芯と発光素
子５の光軸とを軸合わせ調整するために金属板11を自由
に動かせる範囲を確保する距離に比例する。
対する光ファイバ６の軸芯の軸ズレの距離Lhaは光ファ
イバ６の軸芯から金属板11の表面までの距離L2、すなわ
ち光ファイバ６の軸芯と発光素子５の光軸との軸合わせ
調整において光ファイバ６を自由に動かせる範囲である
前述の距離L1imitに比例する。他方、半田b12の収縮に
よる発光素子５の光軸に対する光ファイバ６の軸芯の軸
ズレの距離Lhbは金属板11の表面からベース10の表面ま
での間の距離L3、すなわち光ファイバ６の軸芯と発光素
子５の光軸とを軸合わせ調整するために金属板11を自由
に動かせる範囲を確保する距離に比例する。
ここで、上記金属板11の表面からベース10の表面までの
間の距離L3は金属板11が光ファイバ６の距離Lhaの軸ズ
レを補正する目的で設けられるため、光ファイバ６の軸
芯と金属板11の光軸との距離L1imitに比べて充分小さく
する。
間の距離L3は金属板11が光ファイバ６の距離Lhaの軸ズ
レを補正する目的で設けられるため、光ファイバ６の軸
芯と金属板11の光軸との距離L1imitに比べて充分小さく
する。
したがって、従来のチップキャリア１を用いて光ファイ
バ６を固定した際の発光素子５の光軸に対する光ファイ
バ６の軸芯の軸ズレは前述のように距離Lhaの長さであ
り、この発明に係るチップキャリア９を用いて光ファイ
バ６を固定した際の軸ズレ距離Lhbは従来の軸ズレ距離L
haに比べて充分に小さくできる。
バ６を固定した際の発光素子５の光軸に対する光ファイ
バ６の軸芯の軸ズレは前述のように距離Lhaの長さであ
り、この発明に係るチップキャリア９を用いて光ファイ
バ６を固定した際の軸ズレ距離Lhbは従来の軸ズレ距離L
haに比べて充分に小さくできる。
次に、第４図により第２の発明の一実施例を説明する。
この実施例に用いる断熱材としてガラス板を用いた場合
について示す。13は第２の発明に係るチップキャリアで
あって、前述の第１の発明のチップキャリア９の構成に
加えて断熱材であるガラス板14を設けたもので、このガ
ラス板14はベース10上に固定され、ガラス板14上に半田
b12を介して金属板11を固定した構造となっている。こ
のガラス板14の両面は、ガラス板14と金属板11との接着
力及びガラス板14とベース10との接着力を増すために、
金属薄膜をコーテイングしてあることは言うまでもな
い。
この実施例に用いる断熱材としてガラス板を用いた場合
について示す。13は第２の発明に係るチップキャリアで
あって、前述の第１の発明のチップキャリア９の構成に
加えて断熱材であるガラス板14を設けたもので、このガ
ラス板14はベース10上に固定され、ガラス板14上に半田
b12を介して金属板11を固定した構造となっている。こ
のガラス板14の両面は、ガラス板14と金属板11との接着
力及びガラス板14とベース10との接着力を増すために、
金属薄膜をコーテイングしてあることは言うまでもな
い。
第５図は第２の発明に係るチップキャリア13を用いて光
ファイバ６を軸合わせ固定した状態説明図である。ガラ
ス板14はベース10上に予め固定され、光ファイバ６と金
属板11との半田a8による固定もすでに説明したように予
め行う。金属板11とガラス板14との半田b12を用いた固
定に伴なう光ファイバ６の軸ズレは、前述した金属板11
とベース10との半田b12を用いた固定に伴なう光ファイ
バ６の軸ズレと同様で、半田の収縮による光ファイバ６
の軸ズレを従来のチップキャリア１を用いた場合の光フ
ァイバ６の軸ズレに比べて充分小さくできる。
ファイバ６を軸合わせ固定した状態説明図である。ガラ
ス板14はベース10上に予め固定され、光ファイバ６と金
属板11との半田a8による固定もすでに説明したように予
め行う。金属板11とガラス板14との半田b12を用いた固
定に伴なう光ファイバ６の軸ズレは、前述した金属板11
とベース10との半田b12を用いた固定に伴なう光ファイ
バ６の軸ズレと同様で、半田の収縮による光ファイバ６
の軸ズレを従来のチップキャリア１を用いた場合の光フ
ァイバ６の軸ズレに比べて充分小さくできる。
加えて、金属板11とガラス板14との間の半田b12が加熱
されて融解した状態においてガラス板14の上面側は高い
温度になるが、ガラスは熱伝導率が極めて低いために、
ガラス板14のベース10に接した下面側の温度上昇は極く
わずかである。従って、半田b12が融けた状態において
もベース10及び発光素子５の温度上昇は少なく、発光素
子５の特性の劣化及びベース10が一端部と他端部とで温
度差が生じ、これによってベース10が歪むことによる光
ファイバ６の軸ズレが生じるおそれはない。
されて融解した状態においてガラス板14の上面側は高い
温度になるが、ガラスは熱伝導率が極めて低いために、
ガラス板14のベース10に接した下面側の温度上昇は極く
わずかである。従って、半田b12が融けた状態において
もベース10及び発光素子５の温度上昇は少なく、発光素
子５の特性の劣化及びベース10が一端部と他端部とで温
度差が生じ、これによってベース10が歪むことによる光
ファイバ６の軸ズレが生じるおそれはない。
上記実施例においては、平板状のプレートとし金属板を
用いた場合について説明したが、ガラス板もしくはセラ
ミック板を用いた場合にも同様の発明の効果が得られ
る。
用いた場合について説明したが、ガラス板もしくはセラ
ミック板を用いた場合にも同様の発明の効果が得られ
る。
また上記実施例においては、断熱材としてガラス板を用
いた場合について説明したが、他の断熱材を用いた場合
にも同様の発明の効果が得られる。
いた場合について説明したが、他の断熱材を用いた場合
にも同様の発明の効果が得られる。
また上記実施例においては、発光素子の出射光を直接光
ファイバに結合する場合について説明したが、発光素子
と光ファイバの間にレンズ他の光学系を配置した場合に
も同様の発明の効果が得られる。
ファイバに結合する場合について説明したが、発光素子
と光ファイバの間にレンズ他の光学系を配置した場合に
も同様の発明の効果が得られる。
さらに上記実施例において、光ファイバとプレートとを
固定する半田ａはベースとプレートとを固定する半田よ
りも融点の高いものを用いることにより効果的に軸ズレ
防止が行える。
固定する半田ａはベースとプレートとを固定する半田よ
りも融点の高いものを用いることにより効果的に軸ズレ
防止が行える。
以上のように、この発明によれば、発光素子を一端部に
直接取付けたベースと、このベースの他端部に半田付け
固定されたプレートとによりチップキャリアを成し、か
つそのプレートと光伝送路とを固定する半田層の距離よ
りベースとプレートとを固定する半田層の距離を小さく
し、そのプレートと光伝送路とを固定する半田層の収縮
を上記ベースとプレートとを固定する半田層により補正
するように構成したので、光伝送路のチップキャリアに
固定する際の半田収縮による光伝送路の位置ズレを極力
小さくすることができる。また、半田層による補正なの
で、プレートの線膨張係数にその補正精度が依存するこ
となく、プレートの材料に高価な材料を用いることな
く、材料の選定を容易に行うことができる。さらに、発
光素子をベースの一端部に直接取付けるように構成した
ので、構成および製作時の工程を容易にすることがで
き、また、発光素子と光伝送路との軸合わせの調整を容
易に、かつ、精度よく行うことができる効果を奏する。
直接取付けたベースと、このベースの他端部に半田付け
固定されたプレートとによりチップキャリアを成し、か
つそのプレートと光伝送路とを固定する半田層の距離よ
りベースとプレートとを固定する半田層の距離を小さく
し、そのプレートと光伝送路とを固定する半田層の収縮
を上記ベースとプレートとを固定する半田層により補正
するように構成したので、光伝送路のチップキャリアに
固定する際の半田収縮による光伝送路の位置ズレを極力
小さくすることができる。また、半田層による補正なの
で、プレートの線膨張係数にその補正精度が依存するこ
となく、プレートの材料に高価な材料を用いることな
く、材料の選定を容易に行うことができる。さらに、発
光素子をベースの一端部に直接取付けるように構成した
ので、構成および製作時の工程を容易にすることがで
き、また、発光素子と光伝送路との軸合わせの調整を容
易に、かつ、精度よく行うことができる効果を奏する。
また、別の発明によれば、上記発明の構成に加えて、ベ
ースとプレートとの間に断熱部を設けるように構成した
ので、上記発明の効果に加えて、チップキャリアのベー
スとプレートとを半田で固定する際に、発光素子の温度
上昇を極力抑えてその発光素子の劣化を防止するととも
に、温度差に起因するベースの歪みによる発光素子と光
伝送路との軸ズレを防止できる効果がある。
ースとプレートとの間に断熱部を設けるように構成した
ので、上記発明の効果に加えて、チップキャリアのベー
スとプレートとを半田で固定する際に、発光素子の温度
上昇を極力抑えてその発光素子の劣化を防止するととも
に、温度差に起因するベースの歪みによる発光素子と光
伝送路との軸ズレを防止できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はこ
の発明に係るチップキャリアを用いて光ファイバを軸合
わせ固定した状態を示す断面図、第３図はこの第２図の
作用を説明するための状態説明図、第４図はこの発明の
別の発明の一実施例を示す断面図、第５図はこの発明の
別の発明に係るチップキャリアを用いて光ファイバを軸
合わせ固定した状態を示す断面図、第６図は従来のチッ
プキャリアを用いて光ファイバを軸合わせ固定した状態
を示す断面図である。 図において１は従来のチップキャリア、５は発光（半導
体）素子、６は光ファイバ、８は半田ａ、9,13はこの発
明に係るチップキャリア、10はベース、11はプレート、
12は半田ｂ、14は断熱部である。 なお、図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示してある。
の発明に係るチップキャリアを用いて光ファイバを軸合
わせ固定した状態を示す断面図、第３図はこの第２図の
作用を説明するための状態説明図、第４図はこの発明の
別の発明の一実施例を示す断面図、第５図はこの発明の
別の発明に係るチップキャリアを用いて光ファイバを軸
合わせ固定した状態を示す断面図、第６図は従来のチッ
プキャリアを用いて光ファイバを軸合わせ固定した状態
を示す断面図である。 図において１は従来のチップキャリア、５は発光（半導
体）素子、６は光ファイバ、８は半田ａ、9,13はこの発
明に係るチップキャリア、10はベース、11はプレート、
12は半田ｂ、14は断熱部である。 なお、図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示してある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹居 敏夫 神奈川県鎌倉市上町屋325番地 三菱電機 株式会社情報電子研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−138191（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−26909（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】発光素子の光軸に対して光伝送路の軸心を
合致させるようにチップキャリア上に対向させて上記発
光素子及び上記光伝送路を半田を用いて固定させた光電
変換装置において、上記発光素子を一端部に直接取付け
たベースと、このベースの他端部に半田付け固定された
プレートとにより上記チップキャリアを構成し、かつ上
記プレートに上記光伝送路を半田付け固定するととも
に、上記プレートと光伝送路とを固定する半田層の距離
より上記ベースとプレートとを固定する半田層の距離を
小さくし、上記プレートと光伝送路とを固定する半田層
の収縮を上記ベースとプレートとを固定する半田層によ
り補正したことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】プレートとして金属板を用いたことを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の光電変換装置。 - 【請求項３】プレートとしてセラミック板を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光電変換
装置。 - 【請求項４】プレートとして金属薄膜のコーティングを
施したガラス板を用いたことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の光電変換装置。 - 【請求項５】光伝送路とプレートとを固定する半田はベ
ースとプレートとを固定する半田よりも融点の高いもの
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の光電変換装置。 - 【請求項６】発光素子の光軸に対して光伝送路の軸心を
合致させるようにチップキャリア上に対向させて上記発
光素子及び上記光伝送路を半田を用いて固定させた光電
変換装置において、上記発光素子を一端部に直接取付け
たベースと、このベースの他端部に取付けた断熱部と、
この断熱部上に半田付け固定されたプレートとにより上
記チップキャリアを構成し、かつ上記プレートに上記光
伝送路を半田付け固定するとともに、上記プレートと光
伝送路とを固定する半田層の距離より上記断熱部とプレ
ートとを固定する半田層の距離を小さくし、上記プレー
トと光伝送路とを固定する半田層の収縮を上記断熱部と
プレートとを固定する半田層により補正したことを特徴
とする光電変換装置。 - 【請求項７】断熱部として金属薄膜のコーティングを施
した断熱材を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
（６）項記載の光電変換装置。 - 【請求項８】光伝送路とプレートとを固定する半田は断
熱部とプレートとを固定する半田よりも融点の高いもの
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第（６）項記
載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6547185A JPH0693524B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6547185A JPH0693524B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224471A JPS61224471A (ja) | 1986-10-06 |
| JPH0693524B2 true JPH0693524B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=13288057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6547185A Expired - Lifetime JPH0693524B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693524B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302214A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | チップキャリア |
| WO2011122440A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 株式会社フジクラ | レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2015184621A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社 | 光装置とその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57138191A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-26 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | United structure of semiconductor laser and optical fiber |
| JPS6026909A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-09 | Nec Corp | 光ファイバ付半導体レーザ装置 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6547185A patent/JPH0693524B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61224471A (ja) | 1986-10-06 |
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