JPH0695511B2 - 洗浄乾燥処理方法 - Google Patents
洗浄乾燥処理方法Info
- Publication number
- JPH0695511B2 JPH0695511B2 JP61219969A JP21996986A JPH0695511B2 JP H0695511 B2 JPH0695511 B2 JP H0695511B2 JP 61219969 A JP61219969 A JP 61219969A JP 21996986 A JP21996986 A JP 21996986A JP H0695511 B2 JPH0695511 B2 JP H0695511B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- light
- liquid
- cleaning
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウエハやガラス基板等の薄板状被処
理基板（以下「ウエハ」と称す）の表面を洗浄した後、
水切り、乾燥させる方法に関する。
理基板（以下「ウエハ」と称す）の表面を洗浄した後、
水切り、乾燥させる方法に関する。
従来、例えば特開昭59−100540号公報（発明の名称「シ
リコンウエハーの処理に用いる遠心乾燥機における処理
方法」）においては、籠に収納されたウエハに水シャワ
ーを吹き付けながら所要時間（０〜t1）定速回転させ、
次に水シャワーを止めてから所要時間（t1〜t2）高速回
転させ、続いて高速回転の状態でウエハ表面に窒素ガス
を所要時間（t2〜t3）吹き付けて乾燥処理を終るように
した遠心乾燥機における処理方法が知られている（第５
図参照）。
リコンウエハーの処理に用いる遠心乾燥機における処理
方法」）においては、籠に収納されたウエハに水シャワ
ーを吹き付けながら所要時間（０〜t1）定速回転させ、
次に水シャワーを止めてから所要時間（t1〜t2）高速回
転させ、続いて高速回転の状態でウエハ表面に窒素ガス
を所要時間（t2〜t3）吹き付けて乾燥処理を終るように
した遠心乾燥機における処理方法が知られている（第５
図参照）。
特開昭59−100540号公報においては、高速回転開始より
所要時間（t2−t1）後にウエハ表面の水滴が高速回転に
より振り切られたものとして、不活性ガスを供給し、乾
燥させているが、ウエハの表面状態、ウエハの材質、ウ
エハの寸法等により、所要時間（t2−t1）を、いちいち
実験的に求め、再設定する必要があった。
所要時間（t2−t1）後にウエハ表面の水滴が高速回転に
より振り切られたものとして、不活性ガスを供給し、乾
燥させているが、ウエハの表面状態、ウエハの材質、ウ
エハの寸法等により、所要時間（t2−t1）を、いちいち
実験的に求め、再設定する必要があった。
一方、不活性ガスを供給する代わりにウエハ表面に光を
照射してウエハを乾燥させる場合には、ウエハ表面に水
滴が残っていると、その部分がシミとなって残るという
問題があるため、パターンとして形成された微細な凹部
以外のウエハ表面を完全に脱水処理した後、光照射によ
り乾燥する必要があり、そのためには脱水処理の完了時
を正確に検出することが課題となっていた。
照射してウエハを乾燥させる場合には、ウエハ表面に水
滴が残っていると、その部分がシミとなって残るという
問題があるため、パターンとして形成された微細な凹部
以外のウエハ表面を完全に脱水処理した後、光照射によ
り乾燥する必要があり、そのためには脱水処理の完了時
を正確に検出することが課題となっていた。
この発明はウエハを回転させながらその表面に洗浄液を
供給して洗浄し、しかる後、ウエハを洗浄時より高速に
回転させてウエハ表面に付着した洗浄液を振り切って脱
液し、脱液したウエハ表面に光照射して加熱し、乾燥す
る方法において、脱液処理時、ウエハの周辺部表面に光
を照射し、その表面から反射光または透過光を検知し、
その検知信号の信号レベルがほぼ一定になった時を脱液
処理終了と判定して、その後乾燥処理を行なうようにし
たことを特徴とする洗浄乾燥処理方法である。
供給して洗浄し、しかる後、ウエハを洗浄時より高速に
回転させてウエハ表面に付着した洗浄液を振り切って脱
液し、脱液したウエハ表面に光照射して加熱し、乾燥す
る方法において、脱液処理時、ウエハの周辺部表面に光
を照射し、その表面から反射光または透過光を検知し、
その検知信号の信号レベルがほぼ一定になった時を脱液
処理終了と判定して、その後乾燥処理を行なうようにし
たことを特徴とする洗浄乾燥処理方法である。
脱液処理工程において、ウエハ表面に光を照射し、その
表面からの反射光または透過光を検知すると、その前後
においてはその検知信号はウエハ表面上の水滴表面での
光の乱反射または吸収等により大きく変動するが、脱液
処理後段になってくるとウエハ表面に残存する薄い水膜
により反射光または透過光に干渉が生じ、検知信号は一
定の振幅を有する信号に変化し、ウエハ表面に形成され
た微細な凹部以外の水分が遠心力により振り切られた状
態で脱液処理が完了すれば、検知信号はほぼ一定とな
る。この場合、脱液処理工程においてウエハが高速回転
させられると、ウエハ表面上の洗浄液は、その中央部か
ら周辺部へ移動し、ウエハの中央部から周辺部へ向かっ
て脱液が進行するので、ウエハの周辺部表面の一点に光
照射してその反射光または透過光を検知するようにして
おくだけで、その検知信号に基づいて脱液処理終了時を
判定すれば、その時点ではウエハ表面の全範囲で脱液処
理が終了していることになる。また、脱液処理終了時の
判定のためのウエハ表面への光照射は、ウエハ周辺部に
大して行なわれるので、ウエハの中央部に洗浄液を供給
する際の支障となることがない。そして、脱液処理完了
検知後、ウエハ表面に光照射して、乾燥させることによ
り、ウエハの均一で完全な乾燥処理を行なうことができ
る。
表面からの反射光または透過光を検知すると、その前後
においてはその検知信号はウエハ表面上の水滴表面での
光の乱反射または吸収等により大きく変動するが、脱液
処理後段になってくるとウエハ表面に残存する薄い水膜
により反射光または透過光に干渉が生じ、検知信号は一
定の振幅を有する信号に変化し、ウエハ表面に形成され
た微細な凹部以外の水分が遠心力により振り切られた状
態で脱液処理が完了すれば、検知信号はほぼ一定とな
る。この場合、脱液処理工程においてウエハが高速回転
させられると、ウエハ表面上の洗浄液は、その中央部か
ら周辺部へ移動し、ウエハの中央部から周辺部へ向かっ
て脱液が進行するので、ウエハの周辺部表面の一点に光
照射してその反射光または透過光を検知するようにして
おくだけで、その検知信号に基づいて脱液処理終了時を
判定すれば、その時点ではウエハ表面の全範囲で脱液処
理が終了していることになる。また、脱液処理終了時の
判定のためのウエハ表面への光照射は、ウエハ周辺部に
大して行なわれるので、ウエハの中央部に洗浄液を供給
する際の支障となることがない。そして、脱液処理完了
検知後、ウエハ表面に光照射して、乾燥させることによ
り、ウエハの均一で完全な乾燥処理を行なうことができ
る。
この発明に係る方法にフローチャートを第１図、そのフ
ローチャートを実施するための装置の１実施例を示す概
要図を第２図、第１図のフローチャートにおける各処理
工程のウエハ回転数等の時間的変化を表わす説明図を第
３図に示す。
ローチャートを実施するための装置の１実施例を示す概
要図を第２図、第１図のフローチャートにおける各処理
工程のウエハ回転数等の時間的変化を表わす説明図を第
３図に示す。
第２図の概要図において、１はウエハＷを保持し、水平
回転させるチャック、２はチャック１の上方および吊設
した洗浄液供給用ノズル、３および４はウエハＷにその
周辺部においてそれらの一端が近接すべく、表面処理室
５の内側面に吊設された投光用ファイバー及び受光用フ
ァイバーである。また、表面処理室５の底面には、処理
液排出用ドレン管９が設けられており、処理室側壁に
は、真空源（図示せず）と連結された減圧用配管12が配
設されている。さらに、処理室５の上部蓋体５′は透明
板で開閉可能に構成され、その上方には、ウエハ乾燥用
の赤外線照射ランプ10、および必要により点灯される紫
外線照射ランプ11が配設されている。
回転させるチャック、２はチャック１の上方および吊設
した洗浄液供給用ノズル、３および４はウエハＷにその
周辺部においてそれらの一端が近接すべく、表面処理室
５の内側面に吊設された投光用ファイバー及び受光用フ
ァイバーである。また、表面処理室５の底面には、処理
液排出用ドレン管９が設けられており、処理室側壁に
は、真空源（図示せず）と連結された減圧用配管12が配
設されている。さらに、処理室５の上部蓋体５′は透明
板で開閉可能に構成され、その上方には、ウエハ乾燥用
の赤外線照射ランプ10、および必要により点灯される紫
外線照射ランプ11が配設されている。
また、投光用ファイバー３の他端には、発光ダイオード
または半導体レーザー等の発光手段７、受光用ファイバ
ー４の他端には、光電変換手段６がそれぞれ配設されて
いる。光電変換手段６からの出力信号は、制御手段８に
入力され、該光電変換手段６からの信号により、ウエハ
Ｗの表面処理状態を検出することができる。
または半導体レーザー等の発光手段７、受光用ファイバ
ー４の他端には、光電変換手段６がそれぞれ配設されて
いる。光電変換手段６からの出力信号は、制御手段８に
入力され、該光電変換手段６からの信号により、ウエハ
Ｗの表面処理状態を検出することができる。
第６図は、この制御手段８の１実施例を示すブロック図
であり、光電変換手段６からの出力信号は、まず増幅器
81を介してA/D変換器82にデジタル信号に変換され、中
央演算装置（CPU）83に入力される。CPU83では所定の演
算処理、例えば微分処理が行なわれ、微分された光電変
換手段６からの出力信号が一定期間所定レベル値以下に
なった時点で脱液処理を終了させるため、回転制御回路
84を介して回転チャック１の駆動モータを停止させる。
であり、光電変換手段６からの出力信号は、まず増幅器
81を介してA/D変換器82にデジタル信号に変換され、中
央演算装置（CPU）83に入力される。CPU83では所定の演
算処理、例えば微分処理が行なわれ、微分された光電変
換手段６からの出力信号が一定期間所定レベル値以下に
なった時点で脱液処理を終了させるため、回転制御回路
84を介して回転チャック１の駆動モータを停止させる。
以後、第１図のフローチャートに従って説明する。ま
ず、処理が開始（ステップS0）されると、チャック１に
保持されたウエハＷが水平回転し始める。この時の回転
数Ｎは第３図Ａに示す如く、０からN1となり、ノズル２
（第２図）からはウエハＷに洗浄液が供給される（ステ
ップS1）。
ず、処理が開始（ステップS0）されると、チャック１に
保持されたウエハＷが水平回転し始める。この時の回転
数Ｎは第３図Ａに示す如く、０からN1となり、ノズル２
（第２図）からはウエハＷに洗浄液が供給される（ステ
ップS1）。
ウエハＷの回転数がN1にてウエハＷ表面を所要時間（０
〜t1）洗浄処理した後、ウエハＷの回転数ＮはN1からN2
（N2≧2000rpm）び切り換えられ、遠心力にて振り返る
脱液処理工程（ステップS2）に移行する。この脱液処理
工程への移行と同時に、発光手段７からファイバー３を
介してウエハＷの表面に光を照射し、その反射光をファ
イバー４を介して光電変換手段６に入射させることによ
り、ウエハＷの表面における反射光の変化を電気信号Ｖ
として制御手段８に入力する。第３図Ｂは、光電変換手
段６からの出力信号Ｖの１例を示すもので、ウエハ表面
の洗浄液の水滴が残留している間は、ウエハ表面への照
射光が乱反射するため、受光ファイバー４に入る光量の
変化は大きいが、パターンが形成された微細な凹部以外
のウエハＷの表面から洗浄液の水滴が完全に振り切ら
れ、その表面に薄い水膜が残留する脱液処理段になると
出力信号の振幅が一定となり、最終的に前記凹部以外の
水分がなくなった時は、受光量に相当する光電変換手段
６からの出力信号Ｖはほぼ一定となる。この出力信号Ｖ
が一定となる時間t2を脱液処理終了後と判定する。例え
ば第３図Ａの回転数N2をそれぞれN2＝500、1000、200
0、および4000rpmとした場合、第３図Ｂの脱水処理に要
する時間（t2−t1）はそれぞれ60、40、25および15秒と
なる。また、かかる脱液処理終了後の判定は、例えば、
第３図Ｂの時間t2より所定時間後を脱液処理終了時とし
て判定することもできる。
〜t1）洗浄処理した後、ウエハＷの回転数ＮはN1からN2
（N2≧2000rpm）び切り換えられ、遠心力にて振り返る
脱液処理工程（ステップS2）に移行する。この脱液処理
工程への移行と同時に、発光手段７からファイバー３を
介してウエハＷの表面に光を照射し、その反射光をファ
イバー４を介して光電変換手段６に入射させることによ
り、ウエハＷの表面における反射光の変化を電気信号Ｖ
として制御手段８に入力する。第３図Ｂは、光電変換手
段６からの出力信号Ｖの１例を示すもので、ウエハ表面
の洗浄液の水滴が残留している間は、ウエハ表面への照
射光が乱反射するため、受光ファイバー４に入る光量の
変化は大きいが、パターンが形成された微細な凹部以外
のウエハＷの表面から洗浄液の水滴が完全に振り切ら
れ、その表面に薄い水膜が残留する脱液処理段になると
出力信号の振幅が一定となり、最終的に前記凹部以外の
水分がなくなった時は、受光量に相当する光電変換手段
６からの出力信号Ｖはほぼ一定となる。この出力信号Ｖ
が一定となる時間t2を脱液処理終了後と判定する。例え
ば第３図Ａの回転数N2をそれぞれN2＝500、1000、200
0、および4000rpmとした場合、第３図Ｂの脱水処理に要
する時間（t2−t1）はそれぞれ60、40、25および15秒と
なる。また、かかる脱液処理終了後の判定は、例えば、
第３図Ｂの時間t2より所定時間後を脱液処理終了時とし
て判定することもできる。
かかる脱液処理の終了後、赤外線照射ランプ10によりウ
エハＷ表面に赤外線を照射し、ウエハ表面を乾燥する
（ステップS4）。なお、ウエハＷの材質がシリコンの場
合には、シリコン基板が最も吸収しやすい波長1.2μｍ
の赤外線領域の光線を主に含むハロゲンランプを赤外線
照射ランプ10として用いることが好ましい。
エハＷ表面に赤外線を照射し、ウエハ表面を乾燥する
（ステップS4）。なお、ウエハＷの材質がシリコンの場
合には、シリコン基板が最も吸収しやすい波長1.2μｍ
の赤外線領域の光線を主に含むハロゲンランプを赤外線
照射ランプ10として用いることが好ましい。
第４図は、この発明に係る洗浄乾燥処理方式の他の実施
例を説明するためのウエハＷの回転数のグラフを示す。
ここでは、前記制御手段８（第２図）に、エッチング処
理等の表面処理の終了時点（エンドポイント）を検知す
る機能をも付加した場合を開示したもので、所定の回転
数N1で回転するウエハＷの表面に第２図に図示していな
いノズルからエッチング液を供給して、ウエハＷ表面の
金属薄膜を選択的にエッチングし、そのエッチング状態
を、光ファイバー３および４を介してウエハＷ表面から
の反射光の変化に基づいてエッチング処理のエンドポイ
ントを検知する。
例を説明するためのウエハＷの回転数のグラフを示す。
ここでは、前記制御手段８（第２図）に、エッチング処
理等の表面処理の終了時点（エンドポイント）を検知す
る機能をも付加した場合を開示したもので、所定の回転
数N1で回転するウエハＷの表面に第２図に図示していな
いノズルからエッチング液を供給して、ウエハＷ表面の
金属薄膜を選択的にエッチングし、そのエッチング状態
を、光ファイバー３および４を介してウエハＷ表面から
の反射光の変化に基づいてエッチング処理のエンドポイ
ントを検知する。
エッチング処理の終了時t1をエンドポイント（E.P.）と
し、エッチング液の供給を停止するとともに、ウエハＷ
の回転数をN1からN2に変え、ウエハＷ表面に洗浄液を供
給し、ウエハＷ表面を洗浄する。所定時間経過後、洗浄
液の供給を停止し、回転数をN2からN4に切り換え、ウエ
ハＷ表面に残留する洗浄液を振り切り、同時に前記した
と同様にして脱液処理の終了点を検知し始める。しかる
後、ウエハＷの反射光がファイバー４に入射する量が一
定となった時t3を脱液処理終了後とし、次にウエハＷの
表面にランプ11より所定時間t4まで紫外線を照射し、ウ
エハＷ表面に付着している有機および無機の不純物を分
解する。
し、エッチング液の供給を停止するとともに、ウエハＷ
の回転数をN1からN2に変え、ウエハＷ表面に洗浄液を供
給し、ウエハＷ表面を洗浄する。所定時間経過後、洗浄
液の供給を停止し、回転数をN2からN4に切り換え、ウエ
ハＷ表面に残留する洗浄液を振り切り、同時に前記した
と同様にして脱液処理の終了点を検知し始める。しかる
後、ウエハＷの反射光がファイバー４に入射する量が一
定となった時t3を脱液処理終了後とし、次にウエハＷの
表面にランプ11より所定時間t4まで紫外線を照射し、ウ
エハＷ表面に付着している有機および無機の不純物を分
解する。
次にウエハＷの回転速度をN4からN3に切り換え、純水を
ウエハＷ表面に供給し、ウエハＷ表面上の分解した不純
物をウエハＷ表面から除去する。なお、この純水洗浄と
紫外線照射とは、一定時間重複させる方が不純物の分解
除去にとっては、好ましい。
ウエハＷ表面に供給し、ウエハＷ表面上の分解した不純
物をウエハＷ表面から除去する。なお、この純水洗浄と
紫外線照射とは、一定時間重複させる方が不純物の分解
除去にとっては、好ましい。
所要時間（t4〜t5）純水にて洗浄後、ウエハ表面にI.P.
A.（イソ・プロピル・アルコール）等の溶剤を供給し、
ウエハ表面に残留する水分と置換させる。
A.（イソ・プロピル・アルコール）等の溶剤を供給し、
ウエハ表面に残留する水分と置換させる。
また、このI.P.A.等の溶剤をウエハＷ表面に供給する際
には、その供給と同時に紫外線を照射すると、I.P.A.等
の溶剤が溶解するため、紫外線照射と溶剤供給とは重複
しないように制御される。
には、その供給と同時に紫外線を照射すると、I.P.A.等
の溶剤が溶解するため、紫外線照射と溶剤供給とは重複
しないように制御される。
次にウエハＷの回転数をN3からN4に切り換え、再び脱液
処理工程に入り（t6〜t7）、脱液処理の終了点が検知さ
れて、脱液処理を終了する。この脱液処理終了後、ウエ
ハＷの回転数はN4のまま乾燥処理工程に入り、ランプ10
によりウエハＷ表面に赤外線を所定時間（t7〜t8）照射
する。
処理工程に入り（t6〜t7）、脱液処理の終了点が検知さ
れて、脱液処理を終了する。この脱液処理終了後、ウエ
ハＷの回転数はN4のまま乾燥処理工程に入り、ランプ10
によりウエハＷ表面に赤外線を所定時間（t7〜t8）照射
する。
なお、上記した脱液処理工程および光照射による乾燥工
程は、減圧室内において行なうことができることは言う
までもない。
程は、減圧室内において行なうことができることは言う
までもない。
なお、第７図はこの発明に係る方法の他の実施例（透過
光の場合）を示す概略図であり、ここでは発光手段７か
らシリコンウエハＷに、例えば1.2μｍを主波長とする
光を照射し、その透過光を光電変換手段６により受光し
て制御手段８に入力することにより、反射光の場合と同
様脱液処理の終了を検知することができる。
光の場合）を示す概略図であり、ここでは発光手段７か
らシリコンウエハＷに、例えば1.2μｍを主波長とする
光を照射し、その透過光を光電変換手段６により受光し
て制御手段８に入力することにより、反射光の場合と同
様脱液処理の終了を検知することができる。
ウエハを洗浄後、高速回転させ、遠心力による脱液処理
後、光照射によりウエハを乾燥させる際、ウエハを必要
以上に高速回転させることもなく、また逆に、ウエハ表
面に洗浄液が残留した状態でウエハ表面に光を照射し
て、ウエハ表面にシミを発生させるという問題は、脱液
処理の終了点を的確に検出することにより解消し、ウエ
ハの回転数に応じた必要最少限度の脱液処理時間で処理
することができる。また、脱液処理終了時の判定のため
のウエハ表面への光照射は、ウエハの周辺部においてか
つその一点で行なわれるので、この発明に係る方法を実
施するための装置の構成が複雑化することもない。
後、光照射によりウエハを乾燥させる際、ウエハを必要
以上に高速回転させることもなく、また逆に、ウエハ表
面に洗浄液が残留した状態でウエハ表面に光を照射し
て、ウエハ表面にシミを発生させるという問題は、脱液
処理の終了点を的確に検出することにより解消し、ウエ
ハの回転数に応じた必要最少限度の脱液処理時間で処理
することができる。また、脱液処理終了時の判定のため
のウエハ表面への光照射は、ウエハの周辺部においてか
つその一点で行なわれるので、この発明に係る方法を実
施するための装置の構成が複雑化することもない。
第１図はこの発明に係る方法を実施するための１例を示
すフローチャート、第２図はこの発明に係る方法を実施
するための１例を示す装置の概要図、第３図はこの発明
に係る方法を実施するための１例を示す説明図、第４図
はこの発明に係る方法を実施するための他の例を示す説
明図、第５図は従来の説明図、第６図は制御手段の１例
を示すブロック図、第７図はこの発明に係る方法を実施
するための他の例を示す装置概要図である。 Ｗ……ウエハ、１……回転チャック、 ２……ノズル、３……投光用ファイバー、 ４……受光用ファイバー、 ５……表面処理室、６……光電変換素子、 ７……発光手段、８……制御手段、 ９……排液管、10……赤外線ランプ、 11……紫外線ランプ、12……減圧配管。
すフローチャート、第２図はこの発明に係る方法を実施
するための１例を示す装置の概要図、第３図はこの発明
に係る方法を実施するための１例を示す説明図、第４図
はこの発明に係る方法を実施するための他の例を示す説
明図、第５図は従来の説明図、第６図は制御手段の１例
を示すブロック図、第７図はこの発明に係る方法を実施
するための他の例を示す装置概要図である。 Ｗ……ウエハ、１……回転チャック、 ２……ノズル、３……投光用ファイバー、 ４……受光用ファイバー、 ５……表面処理室、６……光電変換素子、 ７……発光手段、８……制御手段、 ９……排液管、10……赤外線ランプ、 11……紫外線ランプ、12……減圧配管。
Claims (1)
- 【請求項１】被処理基板を回転させながらその表面に洗
浄液を供給して洗浄し、しかる後、被処理基板を洗浄時
より高速に回転させて被処理基板表面に付着した洗浄液
を振り切って脱液し、脱液した被処理基板に光照射して
加熱し、乾燥する方法において、脱液処理時、被処理基
板の周辺部表面に光を照射し、その表面からの反射光ま
たは透過光を検知し、その検知信号の信号レベルがほぼ
一定になった時を脱液処理終了と判定して、その後乾燥
処理を行なうようにしたことを特徴とする洗浄乾燥処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219969A JPH0695511B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 洗浄乾燥処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219969A JPH0695511B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 洗浄乾燥処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373628A JPS6373628A (ja) | 1988-04-04 |
| JPH0695511B2 true JPH0695511B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=16743863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219969A Expired - Lifetime JPH0695511B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 洗浄乾燥処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695511B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6558964B2 (en) * | 2000-12-27 | 2003-05-06 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for monitoring a semiconductor wafer during a spin drying operation |
| EP2157480B1 (en) | 2003-04-09 | 2015-05-27 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| KR101289959B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
| TWI474380B (zh) | 2003-05-23 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
| JP5058550B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、及び液体回収方法 |
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-
1986
- 1986-09-17 JP JP61219969A patent/JPH0695511B2/ja not_active Expired - Lifetime
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