JPH0696224B2 - 磁気ディスク基板の表面加工方法 - Google Patents
磁気ディスク基板の表面加工方法Info
- Publication number
- JPH0696224B2 JPH0696224B2 JP62254488A JP25448887A JPH0696224B2 JP H0696224 B2 JPH0696224 B2 JP H0696224B2 JP 62254488 A JP62254488 A JP 62254488A JP 25448887 A JP25448887 A JP 25448887A JP H0696224 B2 JPH0696224 B2 JP H0696224B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- glass
- cloth
- powder
- magnetic disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、磁気ディスク基板、特にガラスコーティン
グしたAl2O3系、結晶化ガラス、またはガラス系等のセ
ラミックスからなる磁気ディスク基板両面に、同心円状
の特定寸法の凹凸溝を形成する表面加工方法に関する。
グしたAl2O3系、結晶化ガラス、またはガラス系等のセ
ラミックスからなる磁気ディスク基板両面に、同心円状
の特定寸法の凹凸溝を形成する表面加工方法に関する。
背景技術 一般に、磁気ディスク用の基板には、アルミニウム合金
が使用されている。
が使用されている。
このアルミニウム合金基板では、材料の結晶異方性、材
料欠陥及び材料中に存在する非金属介在物等のため、機
械加工や研摩加工において、非金属介在物が基板表面に
突起として残存したり、あるいは脱落して凹みを生じ、
十分な研摩を施しても精々200Å程度の表面粗度しか得
られなかった。
料欠陥及び材料中に存在する非金属介在物等のため、機
械加工や研摩加工において、非金属介在物が基板表面に
突起として残存したり、あるいは脱落して凹みを生じ、
十分な研摩を施しても精々200Å程度の表面粗度しか得
られなかった。
かかる突起や凹み、うねりのある表面状態では、高密度
記録、低浮上高さの実現が困難であり、高い信頼性を有
する高密度磁気記録用磁気ディスク用基板材としては十
分ではなかった。
記録、低浮上高さの実現が困難であり、高い信頼性を有
する高密度磁気記録用磁気ディスク用基板材としては十
分ではなかった。
すなわち、磁気ディスク基板表面形状、精度の加工の良
否が、そのまま、磁気ディスクの変位、加速度成分、媒
体の信号エラー等に影響する。
否が、そのまま、磁気ディスクの変位、加速度成分、媒
体の信号エラー等に影響する。
ところで、アルミニウム合金基板の場合、金属材料のた
め、ビッカース硬度も100kg/mm2程度であり、曲げ強度
も1000kg/cm2程度であって、高密度磁気記録となるに従
って、スクラッチ、疵、平坦度、うねり等の形状密度も
厳しくなるため、加工は一層困難となっている。
め、ビッカース硬度も100kg/mm2程度であり、曲げ強度
も1000kg/cm2程度であって、高密度磁気記録となるに従
って、スクラッチ、疵、平坦度、うねり等の形状密度も
厳しくなるため、加工は一層困難となっている。
また、アルミニウム合金基板の場合、砥粒加工の際に、
砥粒が表面凹みに埋め込まれやすく、欠陥となり、さら
に、表面の耐食性、耐候性を高めて汚染を防ぐ上で、旋
削工程、ポリッシング工程、保管の際、清浄度、防錆、
汚れ等には十分な配慮が必要となる。
砥粒が表面凹みに埋め込まれやすく、欠陥となり、さら
に、表面の耐食性、耐候性を高めて汚染を防ぐ上で、旋
削工程、ポリッシング工程、保管の際、清浄度、防錆、
汚れ等には十分な配慮が必要となる。
そこで、発明者らは従来のアルミニウム合金基板の問題
点を解決するため、先に磁気ディスク基板として、ビッ
カース硬度が600kg/mm2以上、曲げ強度が4000kg/mm2以
上の特性を有し、５μｍ以下の微細孔を有し、相対理論
密度が90％以上のアルミナ系セラミックス材料からなる
基板表面に、該基板と特定の熱膨張係数差及び軟化点を
有し、表面粗度が180Å以下の無孔、無歪のガラス被膜
を有する磁気ディスク基板を提案し、また特定の表面粗
度及び無歪の表面層を有する結晶化ガラスからなる磁気
ディスク基板を提案した（特開昭60-229234号公報、特
開昭61-48123号公報）。
点を解決するため、先に磁気ディスク基板として、ビッ
カース硬度が600kg/mm2以上、曲げ強度が4000kg/mm2以
上の特性を有し、５μｍ以下の微細孔を有し、相対理論
密度が90％以上のアルミナ系セラミックス材料からなる
基板表面に、該基板と特定の熱膨張係数差及び軟化点を
有し、表面粗度が180Å以下の無孔、無歪のガラス被膜
を有する磁気ディスク基板を提案し、また特定の表面粗
度及び無歪の表面層を有する結晶化ガラスからなる磁気
ディスク基板を提案した（特開昭60-229234号公報、特
開昭61-48123号公報）。
従来技術の問題点 一方、磁気ディスク用基板の表面には、スパッタリング
法等により成膜する磁性薄膜表面に、潤滑材の溜溝を設
け、また、該磁性薄膜の配向性を向上させるため、所要
寸法の凹凸溝が形成されている。
法等により成膜する磁性薄膜表面に、潤滑材の溜溝を設
け、また、該磁性薄膜の配向性を向上させるため、所要
寸法の凹凸溝が形成されている。
しかし、上記凹凸溝は、例えば、溝深さ100Å、溝幅１
μｍ以下の寸法にて、溝ピッチ幅0.3〜５μｍ間隔で同
心円状に多数条を配設する必要があり、溝形成の表面加
工に多大の工程を要していた。
μｍ以下の寸法にて、溝ピッチ幅0.3〜５μｍ間隔で同
心円状に多数条を配設する必要があり、溝形成の表面加
工に多大の工程を要していた。
発明の目的 この発明は、先に提案したガラス被膜をスパッター法、
またはグレージング法により被着したアルミナ基板、結
晶化ガラス、あるいはガラス等のセラミックス基板両面
に、同心円状の多数の凹凸溝を形成するための加工方法
を目的とし、所要寸法の凹凸溝を効率よく形成できる磁
気ディスク基板の表面加工方法を目的としている。
またはグレージング法により被着したアルミナ基板、結
晶化ガラス、あるいはガラス等のセラミックス基板両面
に、同心円状の多数の凹凸溝を形成するための加工方法
を目的とし、所要寸法の凹凸溝を効率よく形成できる磁
気ディスク基板の表面加工方法を目的としている。
発明の構成と効果 この発明は、 固定した被加工材のセラミックス基板の両面に、基板と
同軸で回転可能な支持板に着設したクロスを対向配置
し、 各クロスに、平均粒度１μｍ〜10μｍのダイヤモンド粉
末、SiC粉末、Al2O3粉末、ZrO2粉末の単独または混合砥
粒を純水中に0.1wt％〜20wt％懸濁させた懸濁液を含浸
させ 前記基板に前記クロスを介して 0.01kg/cm2〜0.2kg/cm2の荷重を負荷しながらクロスを
回転させ、 セラミックス基板面に所要寸法の同心円状溝を形成する
ことを特徴とする磁気ディスク基板の表面加工方法であ
る。
同軸で回転可能な支持板に着設したクロスを対向配置
し、 各クロスに、平均粒度１μｍ〜10μｍのダイヤモンド粉
末、SiC粉末、Al2O3粉末、ZrO2粉末の単独または混合砥
粒を純水中に0.1wt％〜20wt％懸濁させた懸濁液を含浸
させ 前記基板に前記クロスを介して 0.01kg/cm2〜0.2kg/cm2の荷重を負荷しながらクロスを
回転させ、 セラミックス基板面に所要寸法の同心円状溝を形成する
ことを特徴とする磁気ディスク基板の表面加工方法であ
る。
この発明の表面加工方法は、被加工材のセラミックス基
板を固定し、基板の中心軸と回転軸とを同心配置したク
ロスに、比較的粒径の大きな砥粒の懸濁液を含浸させ
て、所要荷重にてクロスを回転させることにより、砥粒
が同心円状の回転軌跡を描き、所要の凹凸溝を形成する
ことができる。
板を固定し、基板の中心軸と回転軸とを同心配置したク
ロスに、比較的粒径の大きな砥粒の懸濁液を含浸させ
て、所要荷重にてクロスを回転させることにより、砥粒
が同心円状の回転軌跡を描き、所要の凹凸溝を形成する
ことができる。
基板の両面に対向させる一対のクロスの回転方向は、相
互に反対方向に回転させるのが好ましい。
互に反対方向に回転させるのが好ましい。
この発明による磁気ディスクは、0.3μｍ以下の浮上高
さにおける磁気ヘッドの安定な浮上と記録特性の安定性
が得られ、また、基板表面に形成される磁性薄膜の同心
円状溝に欠陥がなく、さらに、使用時の高速・回転に十
分耐える機械的強度を有し、耐食性、耐候性、及び耐熱
性にすぐれており、磁気ディスクに要求される条件をす
べて満足する。
さにおける磁気ヘッドの安定な浮上と記録特性の安定性
が得られ、また、基板表面に形成される磁性薄膜の同心
円状溝に欠陥がなく、さらに、使用時の高速・回転に十
分耐える機械的強度を有し、耐食性、耐候性、及び耐熱
性にすぐれており、磁気ディスクに要求される条件をす
べて満足する。
発明の限定理由 この発明において、砥粒には、ダイヤモンド粉末、SiC
粉末、Al2O3粉末、ZrO2粉末の単独または混合砥粒を用
いる。
粉末、Al2O3粉末、ZrO2粉末の単独または混合砥粒を用
いる。
懸濁液中に懸濁する砥粒の平均粒度は、１μｍ未満では
所要の溝が形成できないため好ましくなく、また10μｍ
を超えると溝深さ、幅の制限ができないため、１μｍ〜
10μｍの範囲が好ましく、さらに望ましくは平均粒度を
２μｍ〜６μｍの範囲である。
所要の溝が形成できないため好ましくなく、また10μｍ
を超えると溝深さ、幅の制限ができないため、１μｍ〜
10μｍの範囲が好ましく、さらに望ましくは平均粒度を
２μｍ〜６μｍの範囲である。
また、懸濁液の該砥粒含有量が0.1wt％未満では所要の
溝が形成できなく、20wt％を超えると所要の溝製造に対
するコストが上るため、 0.1wt％〜20wt％とする。
溝が形成できなく、20wt％を超えると所要の溝製造に対
するコストが上るため、 0.1wt％〜20wt％とする。
この発明において、懸濁液を含浸するクロスは植物質、
鉱物質、合成樹脂系の公知のいずれのクロスでもよく、
線径が30μｍ〜300μｍのものを、コーティング膜種類
や砥粒種類に応じて適宜選定するとよい。
鉱物質、合成樹脂系の公知のいずれのクロスでもよく、
線径が30μｍ〜300μｍのものを、コーティング膜種類
や砥粒種類に応じて適宜選定するとよい。
また、基板表面に懸濁液を含浸するクロスの加圧荷重
は、0.01kg/cm2未満では所要の溝形成ができず、また、
0.2kg/cm2を超えると砥粒の分布が悪くなるため、0.01k
g/cm2〜0.2kg/cm2の相対的荷重とする。
は、0.01kg/cm2未満では所要の溝形成ができず、また、
0.2kg/cm2を超えると砥粒の分布が悪くなるため、0.01k
g/cm2〜0.2kg/cm2の相対的荷重とする。
発明の好ましい実施態様 この発明において、基板のアルミナ系セラミックス材
は、Al2O3を主成分とし、その他に金属酸化物を含有す
るもので、金型成形、押出成形、射出成形、シート成形
等により成形され、焼成処理されて得られるものであ
る。
は、Al2O3を主成分とし、その他に金属酸化物を含有す
るもので、金型成形、押出成形、射出成形、シート成形
等により成形され、焼成処理されて得られるものであ
る。
また、アルミナ系セラミックス材料微細孔大きさが５μ
ｍを超えると、材料表面にガラスコーティングした際
に、微細孔部に気泡が発生してガラス膜精度が劣化する
ため、微細孔は５μｍ以下が望ましく、好ましくは３μ
ｍ以下にする必要がある。
ｍを超えると、材料表面にガラスコーティングした際
に、微細孔部に気泡が発生してガラス膜精度が劣化する
ため、微細孔は５μｍ以下が望ましく、好ましくは３μ
ｍ以下にする必要がある。
さらに、アルミナ系セラミックス材料の相対理論密度は
90％以上が好ましく、相対理論密度が90％未満では、上
記した微細孔の大きさが５μｍ以上となり易い。
90％以上が好ましく、相対理論密度が90％未満では、上
記した微細孔の大きさが５μｍ以上となり易い。
この発明において、ガラスコーティング膜に用いるガラ
スは、基板との熱膨張係数差が２×10-6/deg以下、軟化
点が400℃以上を満足するものを用いる。
スは、基板との熱膨張係数差が２×10-6/deg以下、軟化
点が400℃以上を満足するものを用いる。
また、基板として用いられるガラスも軟化点が400℃以
上を満足するガラスを用いる。
上を満足するガラスを用いる。
例えば、 ソーダ石灰ガラス（Na2O-CaO-SiO2系）、 鉛ガラス（PbO-SiO2系）、 バリウムガラス（BaO-Al2O3-SiO2系）、 ホウケイ酸ガラス（Na2O3-B2O3-SiO2系）、 アルミナケイ酸ガラス（Al2O3-SiO2系）、 リチヤアルミナケイ酸ガラス（Li2O-Al2O3-SiO2系）等
のケイ酸塩系ガラス、及び 鉛ホウ酸ガラス（PbO-B2O3-SiO2）、 アルミナホウ酸ガラス（RO-Al2O3-B2O3）等のホウ酸塩
系ガラス、 アルミナリン酸ガラス（R2O-RO-Al2O3）、 等を用いることができる。
のケイ酸塩系ガラス、及び 鉛ホウ酸ガラス（PbO-B2O3-SiO2）、 アルミナホウ酸ガラス（RO-Al2O3-B2O3）等のホウ酸塩
系ガラス、 アルミナリン酸ガラス（R2O-RO-Al2O3）、 等を用いることができる。
この発明におけるコーティング膜のガラス及び基板のガ
ラスの軟化点は、400℃以上が好ましく、400℃未満では
熱膨張係数が大きくなりすぎて、基板のそれに合致せ
ず、化学的に安定性を欠き好ましくないためである。ま
た、耐熱性の上でも400℃以上が好ましい。
ラスの軟化点は、400℃以上が好ましく、400℃未満では
熱膨張係数が大きくなりすぎて、基板のそれに合致せ
ず、化学的に安定性を欠き好ましくないためである。ま
た、耐熱性の上でも400℃以上が好ましい。
このガラスコーティング膜と前記基板との熱膨張係数
｛20℃〜歪点（ガラスの粘度約1014.5ポイズに相当する
温度）｝の差は、その差が大きくなると相互応力が増
し、そりゃ破壊等の問題が生じるため、両者の熱膨張係
数の相対差が２×10-6/deg以下であることが必要であ
る。
｛20℃〜歪点（ガラスの粘度約1014.5ポイズに相当する
温度）｝の差は、その差が大きくなると相互応力が増
し、そりゃ破壊等の問題が生じるため、両者の熱膨張係
数の相対差が２×10-6/deg以下であることが必要であ
る。
また、ガラスコーティング膜表面に圧縮応力が掛る方が
好ましいため、コーティング膜材料の熱膨張係数が、該
基板材料の熱膨張係数より小さい方が望ましい。さら
に、ガラスコーティング膜と前記基板との熱膨張係数
（20℃〜歪点）は、同一傾向を有するものが最も好まし
い。
好ましいため、コーティング膜材料の熱膨張係数が、該
基板材料の熱膨張係数より小さい方が望ましい。さら
に、ガラスコーティング膜と前記基板との熱膨張係数
（20℃〜歪点）は、同一傾向を有するものが最も好まし
い。
ガラスコーティング膜の厚みは、アルミナ基板が表面に
露出せず、均一にコーティングされていることが必要
で、かつ研摩精度を考慮すると0.3μｍ以上の膜厚みが
必要であるが、200μｍを超えると、基板との熱膨張係
数の差によって生じる応力が、基板内に大きな歪みをも
たらす恐れがあるため、0.3μｍ〜200μｍが好ましい。
露出せず、均一にコーティングされていることが必要
で、かつ研摩精度を考慮すると0.3μｍ以上の膜厚みが
必要であるが、200μｍを超えると、基板との熱膨張係
数の差によって生じる応力が、基板内に大きな歪みをも
たらす恐れがあるため、0.3μｍ〜200μｍが好ましい。
また、ガラスコーティング膜あるいは結晶化ガラス基板
またはガラス基板表面粗度は、180Åを超えるとディス
クの特性を劣化させるため好ましくなく、さらに、表面
粗度の好ましい範囲は50Å〜150Åである。
またはガラス基板表面粗度は、180Åを超えるとディス
クの特性を劣化させるため好ましくなく、さらに、表面
粗度の好ましい範囲は50Å〜150Åである。
また、この発明における基板の結晶化ガラスは材質が実
質的に（例えば20％以上）結晶化されたガラスで高強
度、高硬度を有し、熱的、電気的に安定なものがよい。
質的に（例えば20％以上）結晶化されたガラスで高強
度、高硬度を有し、熱的、電気的に安定なものがよい。
このような条件を満たす結晶化ガラスは多数存在する。
析出結晶として、β‐コークリプタイト、β‐スポージ
ウメン、石英（SiO2）、メタ硅酸リチウム（LiO2・Si
O2）、二硅酸リチウム（LiO2・SiO2）、あるいはこれら
の混合物を用いたものが最も一般的である。
析出結晶として、β‐コークリプタイト、β‐スポージ
ウメン、石英（SiO2）、メタ硅酸リチウム（LiO2・Si
O2）、二硅酸リチウム（LiO2・SiO2）、あるいはこれら
の混合物を用いたものが最も一般的である。
結晶化ガラスの膨張係数は、 およそ０〜130×10-7/℃のものが得られるが、使用する
磁性媒体との整合性を考慮して適宜選定することができ
る。
磁性媒体との整合性を考慮して適宜選定することができ
る。
結晶化ガラスの好ましい例としては、SiO2-LiO2系、SiO
2-LiO2-Al2O3系のもの、Na2O3系のものである。
2-LiO2-Al2O3系のもの、Na2O3系のものである。
図面に基づく発明の開示 第１図はこの発明の加工方法を実施するためのラップ装
置の概略縦断説明図である。
置の概略縦断説明図である。
被加工材であるセラミックス基板（１）は、固定金具
（７）にて外周部により水平に保持固定されている。
（７）にて外周部により水平に保持固定されている。
セラミックス基板（１）の両主面に各々に、上部クロス
（２），下部クロス（2a）を対向配設してある。
（２），下部クロス（2a）を対向配設してある。
一対の上部クロス（２），下部クロス（2a）は、ガラス
板またはステンレス板からなる上部支持板（３）、下部
支持板（3a）の対向面に着設され、さらに、上部支持板
（３），下部支持板（3a）の他面に、それぞれ上部定盤
（４），下部定盤（4a）を配設し、上部定盤（４）の上
面には必要に応じて重錘（６）を載置可能に構成してあ
る。
板またはステンレス板からなる上部支持板（３）、下部
支持板（3a）の対向面に着設され、さらに、上部支持板
（３），下部支持板（3a）の他面に、それぞれ上部定盤
（４），下部定盤（4a）を配設し、上部定盤（４）の上
面には必要に応じて重錘（６）を載置可能に構成してあ
る。
また、上部回転軸（５）は、上部定盤（４），上部支持
板（３），上部クロス（２），セラミックス基板
（１），下部クロス（２），下部支持板（3a）の中心部
を貫通し、先端部が下部定盤（4a）の中心部に遊嵌配置
されている。
板（３），上部クロス（２），セラミックス基板
（１），下部クロス（２），下部支持板（3a）の中心部
を貫通し、先端部が下部定盤（4a）の中心部に遊嵌配置
されている。
また、下部定盤（4a）の中心部には下部回転軸（5a）が
固定される。
固定される。
この発明において、上部クロス（２）、下部クロス（2
a）中に含浸させる懸濁液は、平均粒度１μｍ〜10μｍ
のダイヤモンド粉末、Al2O3粉末、SiC粉末、ZrO2粉末の
単独または混合粉を砥粒として、純水中に0.1wt％〜20w
t％懸濁したものであり、予め前記クロス（２）（2a）
中に含浸させてもよいし、また、前記上部回転軸（５）
により前記クロス（２）（2a）中に連続的に供給しても
よく、クロス（２）（2a）含浸可能でればいずれの方法
でもよい。
a）中に含浸させる懸濁液は、平均粒度１μｍ〜10μｍ
のダイヤモンド粉末、Al2O3粉末、SiC粉末、ZrO2粉末の
単独または混合粉を砥粒として、純水中に0.1wt％〜20w
t％懸濁したものであり、予め前記クロス（２）（2a）
中に含浸させてもよいし、また、前記上部回転軸（５）
により前記クロス（２）（2a）中に連続的に供給しても
よく、クロス（２）（2a）含浸可能でればいずれの方法
でもよい。
前記の特定の懸濁液を含浸する下部クロス（2a）を固着
する下部支持板（3a）を介して下部定盤（4a）に固着す
る下部回転軸（5a）を、駆動装置により図中の矢印方向
に回転させる また、別途に配設されたタイミングヘッド、プーリー、
回転軸等の連動機構を介して駆動装置により、上部固定
盤（４）に固着した上部支持板（３）を介して上部クロ
ス（２）を、下部クロス（2a）と反対方向に回転負荷す
る。
する下部支持板（3a）を介して下部定盤（4a）に固着す
る下部回転軸（5a）を、駆動装置により図中の矢印方向
に回転させる また、別途に配設されたタイミングヘッド、プーリー、
回転軸等の連動機構を介して駆動装置により、上部固定
盤（４）に固着した上部支持板（３）を介して上部クロ
ス（２）を、下部クロス（2a）と反対方向に回転負荷す
る。
各クロス（２）（2a）に含浸した砥粒は、前記の回転に
より同心円状の回転軌跡を描き、固定した被加工セラミ
ック基板両面に特定の方向の同心円状凹凸溝を多数形成
することができる。
より同心円状の回転軌跡を描き、固定した被加工セラミ
ック基板両面に特定の方向の同心円状凹凸溝を多数形成
することができる。
また、この発明において、基板に特定溝を形成する荷重
は、溝寸法、加工装置の形状、重量等により、適宜選定
でき、必要に応じて重錘を用いてもよい。
は、溝寸法、加工装置の形状、重量等により、適宜選定
でき、必要に応じて重錘を用いてもよい。
実 施 例 被加工セラミックス基板として、寸法外径130mm×内径4
0mm×厚み1.9mmの理論密度96％のAl2O3系基板を用い、
該基板上に軟化点600℃のPbO-B2O3系ガラス膜を膜厚30
μｍにグレージング法にて被着して、ガラス膜面の表面
粗度を50Åに、且つ無孔無歪層に精密加工した。
0mm×厚み1.9mmの理論密度96％のAl2O3系基板を用い、
該基板上に軟化点600℃のPbO-B2O3系ガラス膜を膜厚30
μｍにグレージング法にて被着して、ガラス膜面の表面
粗度を50Åに、且つ無孔無歪層に精密加工した。
その後、第１図の如き加工装置を用いて、商品名SobaI
V、（株）ロベールニッタ社製からなる上部クロス及び
下部クロスに、平均粒度４〜８μｍのダイヤモンド粉末
の砥粒を純粋中に0.15％懸濁させた懸濁液を含浸させ、
前記クロスを介して前記基板に0.04kg/cm2を負荷して、
前記クロスを相互に反対方向に回転させラッピングを行
なった。
V、（株）ロベールニッタ社製からなる上部クロス及び
下部クロスに、平均粒度４〜８μｍのダイヤモンド粉末
の砥粒を純粋中に0.15％懸濁させた懸濁液を含浸させ、
前記クロスを介して前記基板に0.04kg/cm2を負荷して、
前記クロスを相互に反対方向に回転させラッピングを行
なった。
その結果、前記セラミックス基板表面のガラスグレージ
ング膜面に、溝深さ200Å、溝幅0.1〜0.5μｍ、溝ピッ
チ幅0.2〜0.7μｍの同心円状の凹凸溝を多数形成するこ
とができた。
ング膜面に、溝深さ200Å、溝幅0.1〜0.5μｍ、溝ピッ
チ幅0.2〜0.7μｍの同心円状の凹凸溝を多数形成するこ
とができた。
得られた表面に凹凸溝が有するガラスグレージング基板
上に、磁性膜としてCo-Ni-Crをスパッター法にて被着し
たところ、磁性膜表面には溝深さ200Å、溝幅0.1〜0.5
μｍ、溝ピッチ幅0.2〜0.7μｍの同心円状の多数の凹凸
溝が得られた。
上に、磁性膜としてCo-Ni-Crをスパッター法にて被着し
たところ、磁性膜表面には溝深さ200Å、溝幅0.1〜0.5
μｍ、溝ピッチ幅0.2〜0.7μｍの同心円状の多数の凹凸
溝が得られた。
第１図はこの発明の加工方法を実施するためのラップ装
置の概略縦断説明図である。 １……セラミックス基板、2,2a……クロス、3,3a……支
持板、4,4a……定盤、5,5a……回転軸、６……重錘、７
……固定金具。
置の概略縦断説明図である。 １……セラミックス基板、2,2a……クロス、3,3a……支
持板、4,4a……定盤、5,5a……回転軸、６……重錘、７
……固定金具。
Claims (1)
- 【請求項１】固定した被加工材のセラミックス基板の両
面に、基板と同軸で回転可能な支持板に着設したクロス
を対向配置し、 各クロスに、平均粒度１μｍ〜10μｍのダイヤモンド粉
末、SiC粉末、Al2O3粉末、ZrO2粉末の単独または混合砥
粒を純水中に0.1wt％〜20wt％懸濁させた懸濁液を含浸
させ 前記基板に前記クロスを介して 0.01kg/cm2〜0.2kg/cm2の荷重を負荷しながらクロスを
回転させ、 セラミックス基板面に所要寸法の同心円状溝を形成する
ことを特徴とする磁気ディスク基板の表面加工方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62254488A JPH0696224B2 (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 磁気ディスク基板の表面加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62254488A JPH0696224B2 (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 磁気ディスク基板の表面加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0197562A JPH0197562A (ja) | 1989-04-17 |
| JPH0696224B2 true JPH0696224B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=17265750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62254488A Expired - Lifetime JPH0696224B2 (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 磁気ディスク基板の表面加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696224B2 (ja) |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP62254488A patent/JPH0696224B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0197562A (ja) | 1989-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2736869B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
| US8728638B2 (en) | Magnetic disk substrate, method for manufacturing the same, and magnetic disk | |
| US20130040169A1 (en) | Glass substrate for information recording medium and magnetic information recording medium to which the glass substrate is applied | |
| EP0384574B1 (en) | Magnetic memory storage devices | |
| JP2023106546A (ja) | 磁気ディスク用基板、磁気ディスク及びハードディスクドライブ | |
| US4690846A (en) | Recording disk substrate members and process for producing same | |
| JPH0364933B2 (ja) | ||
| JP6577501B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク、ガラス基板中間体、及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
| JP2006092722A (ja) | 磁気ディスク用基板および磁気ディスクの製造方法 | |
| US4808455A (en) | Magnetic recording disc and process for producing the same | |
| JP3526509B2 (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| JP2589986B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US20010022705A1 (en) | Glass substrate for recording medium | |
| JPH0319130A (ja) | チタン製磁気ディスク基板の製造方法 | |
| KR100613239B1 (ko) | 자기 기록 매체용 글라스 기판의 제조 방법 | |
| US4816128A (en) | Process for producing substrate member for magnetic recording disc | |
| JPH0696224B2 (ja) | 磁気ディスク基板の表面加工方法 | |
| JPH10241134A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPH044656B2 (ja) | ||
| JPS61131229A (ja) | 磁気デイスク用基板とその製造方法 | |
| CN108564970B (zh) | 玻璃基板的制造方法、磁盘用玻璃基板的制造方法 | |
| CN105164753B (zh) | 磁盘用玻璃基板的制造方法、磁盘的制造方法和磨削磨石 | |
| JP7717846B2 (ja) | 磁気ディスク用基板及びこれを用いた磁気ディスク | |
| JP2014235760A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
| JPH03142158A (ja) | 磁気ディスク基板の表面加工方法 |