JPS61131229A - 磁気デイスク用基板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、低温焼成セラミックス材料からなる磁気デ
ィスク用基板に係り、無孔・無歪表面層からなり、すぐ
れた表面粗度を有する磁気ディスク用基板並びに低温焼
成及び無孔化・無歪化処理により、すぐれた表面粗度を
有する磁気ディスクを得る製造方法に関する。

背景技術 一般に、磁気ディスク用基板としては、次のような特性
が要求される。

［１］　０．３ｕｎ以下の低い磁気ヘッド浮上高さに伴
ない磁気ヘッドの安定な浮上と記録特性の安定性を得る
ため、研摩後の基板表面粗度がすぐれていること、 （２）基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥の要因とな
る突起や礼状のへこみがないこと、 （３）機械加工、？σＩ摩あるいは使用時の高速・回転
に十分耐える機械的強度を有づること、 （４）耐食性、耐候性、及び耐熱性にすぐれること。

従来、磁気ディスク用基板には、アルミニウム合金が使
用されているが、アルミニウム合金基板では、材ｙｐ＋
の結晶異方性、材料欠陥及び材Ｆ１中に存在する非金属
介在物等のため、機械加工や研摩加工において、非金属
介在物が基板表面に突起として残存したり、あるいはｎ
ｂ落して凹みを生じ、十分研摩を施しても精々２００人
程度の表面粗度しか得られず、突起や凹み、うねりのあ
る表面状態では、高密度磁気記録用磁気ディスク用基板
材としては十分でない。

すなわち、磁気ディスク基板表面の加工の良否が、その
まま、磁気ディスクのランアウト、加速度成分、媒体の
信ＢＴラー等に影響するのである。

ところで、アルミニウム合金の基板の場合、金属材料の
ため、ビッカース硬度もｉｏｏｋｇ看稈面（セラミック
の場合６００　ｋｉ−ＪＪ以上）であり、曲げ強度モ１
０００ｋｉＪ　（ｔラミック（７）場合４０００ｋｉＪ
以上）であって、高密度磁気記録となるに従って、スク
ラッチ、疵、平坦度、うねりなとの形状精度も厳しくな
るため、加工は一層困難どなっている。

また、アルミニウム合金基板の場合、砥粒前■の際に、
砥粒が表面凹みに埋め込まれやすく、欠陥となり、さら
に、表面の耐食性、耐候性を高めて汚染を防ぐ−にで、
旋削に程、ポリッシング工程。

保管の際、清浄度、防錆、汚れ等には十分な配慮が必要
となる。

アルミニウム合金基板の改善のため、その表面に高硬度
の膜を形成する方法が提案されており、例えば、アルミ
ニウム合金基板表面にアルマイト層を形成して硬度を増
加させ、研摩加工性を向上させる方法が取られるが、ア
ルマイト形成中にアルミニウム合金中の微量不純物（Ｆ
ｅ　、　Ｍｎ　、　Ｓｊ　）が金属間化合物として析出
するため、アルマイト処理後、上記化合物部分が凹みの
発生要因となっている。

また、アルミニウム合金用材の高純度化を片することは
、製造工程上至難に近く、さらに、耐食性。

清浄度の而でも取り扱いが問題どなる。

また、アルミニウム合金表面へのスパッタリングやメッ
キによって薄膜磁性媒体を形成する場合、該合金と磁性
膜との化学反応や拡散の問題を生じ、更に、磁性膜被着
時の熱処理により、基板の変形と共に基板回転時の而振
れ、加速度が増加する問題がある。

一方、アルミニウム合金基板上に、５ＬＯｐ。

Ｍ２Ｏ３等の酸化物をスパッタリングによって形成する
方法も提案されているが、該合金基板とスパッタ形成後
の被膜との密着力が弱いという欠点があった。

今日、アルミナ系セラミックス料が、アルミニウム合金
材料に比べて、耐熱性、耐摩耗性、耐候性、絶縁性、及
び機械的強度のすぐれているため、各種分野の広範囲な
用途に利用されているが、磁気ディスク用基板としては
、基板表面に薄膜磁性媒体を形成する必要並びに、媒体
の薄膜化、高密度化に伴ない、アルミナ系セラミック基
板表面の＝４− 無孔化・無歪化を削ることが切望されている。

一般に、セラミック基板の製造方法として、単結晶法、
金型成形、ラバープレス、ドクターブレード法等により
成形後に焼結する方法、さらに高密度化のため、ホット
プレス法、熱間静水圧プレス法が知られているが、前者
の単結晶化法では製造コストが高い上に、大径基板の製
造が困難であり、また、後者のホットプレスや熱間静水
圧プレスにより高密度化された基板であっても、５１Ｉ
ＩＩｌ以下の微細孔が基板に存在するため、磁気ディス
ク用基板に要することは、表面微細欠陥によるドロップ
アウトの発生、ヘッドクラッシコ等の信頼性を損う等の
問題があった。

また、一般に、磁気ディスク基板等に適用し得る表面研
摩法として、メカノケミカル研摩法は、シリコン基板、
ＧＧＧ結晶、フェライト等の表面、　　物性を劣化させ
ることなく精密表面に仕上げる方法として公知であるが
、微細孔の存在するセラミックス材料にこのメカノケミ
カル研摩法を適用する場合は、微細孔がセラミックス表
面に露出した状態となり、薄膜媒体を被着する該基板材
としては不十分であり、また、アルミナ系セラミック材
にメカノケミカル研摩法を適用すると、各材質あるいは
結晶面での化学浸蝕速度が異なるため、微細孔の露出と
同時に結晶段差を生ずる問題があっｌこ。

発明の目的 この発明は、上述の問題点に鑑み、セラミックス材料か
らなる磁気ディスク用基板の欠点を解決し、すぐれた表
面粗度を有し、かつ無孔で無歪みの表面を有するセラミ
ックス系磁気ディスク用基板を目的とし、さらに、かか
る無孔・無歪表面のセラミックス系磁気ディスク用基板
を容易にかつ安価に得ることができる磁気ディスク用基
板の製造方法を目的どしている。

発明の構成 この発明は、磁気ディスク用基板として、要求される無
孔・無歪ですぐれた表面粗度を有するセラミックス系該
基板を目的に種々検問した結束、１０００℃以下の低温
焼成が可能で微細孔が少ないガラスセラミック材料表面
に、ガラスコーティングし、被着後に特定の条件のメカ
ノケミカル研摩を施し、すぐれた表面粗度でかつ無孔・
無歪のガラスコーティング膜を設けることによって、前
述した磁気ディスク用基板として要求される条件を満足
したガラスセラミックス系磁気ディスク基板が１７られ
ることを知見したものである。

すなわち、この発明は、 ５加以上の微細孔を有し、相対理論密度が９４％以上で
、　Ｂ２Ｏ３　３ｗｔ％〜１５ｗｔ％を含有するガラス
セラミック材料からなる基板表面に、 該基板との熱膨張係数差がｌＸ１０−６　／ｄｅｇ以下
で１表面粗度が８０Å以下でかつ無孔無歪表面を有する
０、３加〜２００ρ膜厚みのガラスコーティング膜を設
けたことを特徴とする磁気ディスク用基板であり、 また、 ５１１ｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が９４％以
上で、　Ｂ２Ｏ３３ｗｔ％〜１５ｗｔ％を含有するガラ
スセラミックＩｙｐｌからなる基板表面に、該基板との
熱膨張係数差がｌＸ１０−Ｂ　／ｄｅｇ以下の０．５ｐ
〜２２０加膜厚みのガラスコーティング膜を形成した後
、 該コーティング膜を、粒径０．１ｐ以下のＳＬｏ。

１’に＋ｏ　、　ＣｅＯ２またはＮ２Ｏ３微粉のうち少
なくとも１種を、０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％純水中に懸
濁した懸濁液で、０．０５　ｋｑＪ〜２ｋｇＪの相対的
ラップ荷重で研摩加工し、 表面粗度が８０Å以下でかつ無孔無歪表面を有する０、
３Ｐ〜２００緬膜厚みのガラスコーティング膜を設けた
ことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法である
。

この発明による磁気ディスク用基板は、研摩後の基板表
面粗度がすぐれているため、０．３１１１以下の浮上高
さにおける磁気ヘッドの安定な浮上と記録特性の安定性
が得られ、また、基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥
の要因となる突起や礼状の凹みがなく、さらに、機械加
工、研摩あるいは使用時の高速・回転に十分耐える機械
的強度を有し、耐食性、耐候性、及び耐熱性にすぐれて
おり、該８一 基板に要求される条件をすべて満足する。

発明の限定条件 この発明において、ガラスセラミック材としては、ｆｉ
１２０３　、５ＬＯａ　、　Ｆｂ２０　・Ｋ　２０　　
及び結合材としてのＢ２Ｏ３を主成分とするガラスセラ
ミック材が適しており、必要に応じて、顔料及び■族元
素酸化物、あるいは補強用の各種ｉｌＨを含有し、金型
成形、押出成形、射出成形、シート成形等により成型さ
れ、１０００℃以下の低温焼成処理されて得られるもの
である。

ガラスセラミック材料組成中のＢ２Ｏ３を３ｗｔ％〜１
５ｗｔ％に限定したのは、Ｂ２Ｏ３が３ｗｔ％未満であ
ると、１０００℃以下の低温で焼成することが困難とな
り、また、１５ｗｔ％を越えると、焼結時の熱膨張係数
が大きくなり好ましくないためである。

このガラスセラミック材料の微細孔大きさが５加を越え
ると、材料表面にガラスコーティングした際に、微細孔
部に気泡が発生して膜精陵が劣化するため、微細孔は５
１Ｉｍ以下が望ましく、好ましくは３ＪＩｌｎ以下にす
る必要がある。

また、ガラスセラミック月１１の相対理論密度を９４％
以上どしたのは、上記した微細孔の大きさが５ｎ以」二
どなりやすいＩこめである。

ガラスコーティング膜に用いるガラスには、ソーダ石灰
ガラス（Ｎａ２０　　ＣａＯ５ＬＯ２系）、鉛ガラス（
ＰｂＯ５ＬＯ２系）、 バリウムガラス（ＢａＯ−／Ｖ２Ｏ３−５ｊＯ２系）、
ホウケイ酸ガラス（Ｎａ２０　　Ｅｌ　２０３　５ｉ０
２系）、アルミナケイ酸ガラス（Ａｇ２０３Ｓ１２系）
、リヂＡ７アルミナケイ酸ガラス （Ｌｉ２Ｏ／Ｖ２Ｏ３５Ｌ０２系）のケイ酸塩ガラス、
鉛ホウ酸ガラス（ＰｂＯＥｌ２０３　）、アルミナホウ
酸ガラス（／Ｖ２Ｏ３Ｂ２Ｏ３）のホウ酸塩ガラス、 アルミナリン酸ガラス（Ｍ２０３Ｐ２０３　）、などを
用いることができる。

このガラスコーティング膜と前記基板との熱膨張係数（
２０℃〜歪点）の差は、差が大きくなると相互応力が増
し、そりや破壊等の問題が生じるため、両者の熱膨張係
数の相対差が １ｘ１０−６／ｄｅｇ以下であることが必要であり、ま
た、ガラスコーティング膜表面に圧縮応力が掛る方が好
ましいため、コーティング膜材料の熱膨張係数が、該基
板材料の熱膨張係数より小さいはうが望ましい。

ガラスコーティング膜の厚みは、基板と表面に設ける磁
性薄膜との絶縁性を確保するのに必要でかつ研摩精度を
考慮すると０．３ρ以上の膜厚みが必要であるが、２０
０加を越えると、基板との熱膨張係数の差によって生じ
る応力が、基板内に太きな歪みをもたらす恐れがあるた
め、０，３１Ｉｍ〜２００左とする。

また、ガラスコーティング膜表面粗度を８０Å以下とし
たのは、ガラスコーティング膜の十に被着する磁性薄膜
に欠陥が発生するのを防ぐのに必要な表面粗度であり、
望ましくは５０Å以下、もつとも好ましいのは２０Å以
下である。

また、ガラスコーティング膜の研摩加工前の被　　　　
　　　　　１着膜厚みを、０．５ρ〜２２０１Ｍ１とし
たのは、グレージング法、スパッタ法、蒸着法、イオン
プレーテインク法、金属のアルコキシド溶液等による化
学合成法等の被着方法で、均一なｆｌｕ　Ｊｉ＃みを得
て表面の研摩加工を可能ならしめるのに必要な膜厚みで
あり、さらに熱膨張係数差に起因して基板内に歪が発生
するのを防止するためである。

ガラスコーティング膜の研摩加工方法の条件は、粒径ｏ
、　ｉｌＩｍ以下のＳｊＯ、ＭｇＯ、Ｃｅ０ｅまたはＡ
ｎ２０３微粉のうち少なくとも１種を、０．１ｗｔ％〜
２０ｗｔ％純水中に懸濁した懸濁液で、０．０５　ｋｇ
４〜２　ｋｑ　４の相対的ラップ荷重で研摩加工するが
、粒径が０．１．を越えるとコーティング膜表面に疵が
発生し、表面１１度が劣化するため好ましくなく、また
、懸濁液の該微粉末含有量が０．１ｗｔ％未満であると
研摩効果が少なく、２０Ｗ［％を越えるど微粉末にＪ：
る水和熱が発生しやづく、あるいはゲル化しやすくなり
、かつ活性が大になり、研摩表面状態が劣化するため、
上記限定範囲とする。

また、純水には、有機汚濁物や浮遊物を含まない水で、
イオン交換水や蒸溜水がに＜、ラップ盤には、Ｓη、は
んだ合金、Ｐｂ等の軟質金属あるいは硬質クロス等が適
しており、ラップ荷重は、０．０５　ｋｉｄ未満では所
要の表面粗度が得られず、かつ加工能率が悪く、また、
２−６２を越えると、加工能率の点では望ましいが、研
摩精度が劣化するため、０．０５　ｋｇ４〜２−４２の
相対的ラップ荷重とする。

好ましい実施態様 この発明におけるガラスセラミック材料の組成は、好ま
しくは、／Ｖ２ｎ３２０ｗｔ％〜６０ｗｔ％、ＳＬＯ２
２０ｗｔ％〜７０ｗｔ％、Ｎｉ２Ｏ・Ｋ　２０１ｗｔ％
〜５ｗｔ％、結合材として　Ｂ２Ｏ３３ｗｔ％〜１５ｗ
ｔ％を含有したもので、さらに必要により、着色剤とし
て、Ｆｅ、ＣｒＪ　、Ｃｏ等の酸化物を１ｗｔ％〜４ｗ
ｔ％含有させることができ、■族元素の酸化物として、
Ｆｅ２Ｏ２。

ＮｆＯ、Ｒｕｎｇ　、Ｒｈ２Ｏ３を０，０１　ｗｔ％〜
０，５ｗｔ％含有し、また、耐水性の改善のために、少
量の一、Ｃａ、１１ｎ等の酸化物を含有してもよい。

上記組成において、Ｍ２Ｏ３が２０ｗｔ％未満では、抗
折強度が低下して電気的特性が劣化し、また、８０ｗｔ
％を越えると１０００℃以下での焼結が困難となるため
、／Ｖ　２０３は２０ｗｔ％〜６０ｗｔ％どする。

５ＬＯ２が２０ｗｔ％未満では、１ｏｏｏ℃以下での焼
結が困難どなり、また、７０ｗｔ％を越えるど抗折強度
が低下づるため、Ｓ、０．は２０ｗｔ％〜ｙｏｗｔ％ど
リ−る。

Ｂ２Ｏ３が３ｗｔ％未満であると、１０００℃以下の低
温で焼成することが困難となり、また、１５ｗｔ％を越
えると、焼結時の熱膨張係数が大きくなり好ましくない
ため、９２０ｇは３ｗｔ％〜１５Ｗ１％とする。

アルカリ金属及びアルカリ土類金属酸化物が１ｗｔ％未
満であると１０００℃以下での焼結が困難となり、また
、５ｗｔ％を越えると絶縁抵抗、誘電正接等の電気的特
性が劣化するため、１ｗｔ％〜５ｗｔ％とする。

また、■族元素の酸化物であるＦｅ２Ｏ２、ＮｉＯ。

Ｒｕｍｐ　、Ｒ１１２０３が０．０１　ｗｔ％未満であ
るど、抗折力等の物理特性が低下し、０．５ｗｔ％を越
えると絶縁抵抗なとの電気的特性が劣化するため、０．
０１　ｗｔ％〜０．５ｗｔ％とする。

また、着色剤としては、赤褐色はＦｅ２Ｏ２、青色はｃ
ＯＯ１緑色はＣｒ２Ｏ３を使用する。

基板の補強材としては、１ｕｍ〜２０（１７ｇφのホウ
ケイ酸ガラス、溶融ケイ酸アルミナ、ジルコニア、窒化
硼素、窒化珪素、溶融石英等の無機質ｍｕや、０．０２
加〜０．１μｍ１φのアスベスト等の天然無機質ｆ４紺
、５７１ｍ−１５０膳のスデンレス、タングステン。

モリブデン、ベリリウム、チタン等の金属１１［，０，
２ρ〜０．３加φのチタン酸カリウム繊紺を使用するこ
とができ、上記繊維長ざは１．ｉｘｍ〜５μｍ１の短繊
維から３０通の長繊維を、５ｗｔ％・〜３０ｗｔ％含右
させることができる。

この発明のガラスセラミック基板刊の平均結晶粒径は、
５β１以下が好ましく、理論密度９４％以上の一般市販
規格品を用いることができる。

この発明において、ガラスセラミック基板へのガラスコ
ーティング膜は、グレージング法、スパッタ法、蒸着法
、イオンブレーティング法、金属のアルコキシド溶液等
にＪ：る化学合成法等の被着方法で、均一な膜厚みを１
７で表面の研摩加工を可能ならしめるが、コーディング
膜の形成に際し、５１０２膜を先に形成したのち、所要
のガラス」−テインクを行なうと、基板とコーティング
ガラスとの接着密度及び濡れ性を改善することができる
。

また、スパッタ用ガラスとしては、前述した種々のガラ
スのうち軟化点が６００’Ｃ以上の高融点ガラスが、タ
ーゲット用としてスパッタ時の温度上昇及び強度の点で
好ましく、グレージング用ガラスとしては、軟化点が６
００°Ｃ以下の低融点ガラスが、処理温度を低くできる
ことより、適している。

また、この発明によるガラスコーティング膜の厚みは、
用途や使用する材質等に応じて種々選定されるが、基板
への被着方法としてグレージング法を用いた場合は、膜
厚みが１１０７膜未満では、均一なコーティング膜どす
ることが困難であり、前述した条件のメカノケミカル研
摩によって所要の表面粗度及び無孔化無歪化が得られず
、また、２２０通を越えると、基板との熱膨張係数差に
より生じる応力によって基板内に大ぎな歪を発生さゼる
恐れがあるため、膜厚みは１０１Ｅｒｌ〜２２０．とす
る必要がある。

スパッタ法の場合は、膜厚みが５１Ｍ１未満では、均一
なコーティング膜とすることが内勤であり、前述した条
件のメカノケミカル研摩によって所要の表面粗度及び無
孔化無歪化が得られず、また、２２０左を越えると、基
板との熱膨張係数差により生じる応力によって基板内に
大きな歪を発生させる恐れがあるため、膜厚みは５ρ〜
２２０．とＪる必要があり、ざらに、膜形成速麻の点か
ら、好ましくは１５左〜２５左厚みである。

また、コーティング膜のメカノケミカル研摩後の厚みは
、研摩精麿を考慮して、被着方法がグレージング法の場
合は、３ｕｍ〜２００ｕｍであり、スパッタ法の場合は
、０．３ρ〜２００Ｍｌ１であり、さらに好ましくは１
０加〜２０ρである。

発明の効果 この発明にＪ：る磁気ディスク用基板は、研摩後の基板
表面粗度がすぐれているため、０，３．ｚａ以下の浮上
高さにお（ｊる磁気ヘッドの安定な浮上ど記録特性の安
定性が得られ、また、基板表面に形成される磁性薄膜の
欠陥の要因どなる突起や礼状の凹みがなく、さらに、機
械加工、研摩あるいは使用時の高速・回転に十分耐える
機械的強度を右し、耐食性、′＃４侯性、及び耐熱ｔ７
＋にリ−ぐれており、該基板に要求される条件のすべて
を満足する。

また、この発明に」；るガラスセラミック基板を、両面
記録用磁気ディスクに用いる場合は、該基板両面にガラ
スコーティング膜を形成し、両面を同時にメカノケミカ
ル研摩加工することにより、両面のｉｔ　ＩＢｉ中の内
部応力は相殺され、平Ｊｌ　ｆ５が１ぐれ、かつ表面粗
度並びに無孔化無歪化のすぐれた基板が得られる。

所定のガラスコーティング膜を被着したガラスセラミッ
クからなるこの発明ににる磁気ディスク用基板は、研摩
加工での形状精度の管理が従来と比較して容易であり、
さらに、基板自体の耐食性。

耐候性に特別配慮する必要がなく、表面の汚染も、ガラ
スコーティングをスパッタで行なう際に、スパッタクリ
ーニングにＪ：って清浄化することができる利点がある
。

また、従来のアルミニウム合金のものは、合金の旋削加
工した際に、表面に加工変質層が残存するのに対して、
この発明によるガラスセラミック基板は、メカノケミカ
ル研摩仕上げによって、表面にはバルクでの応力歪の差
異が生じることがなく、基板に被着される磁性簿膜への
歪みの転写が生じない利点がある。

すなわち、基板表面にガラスコーティング膜を設【プる
ため、ガラス膜結晶がアモルファスの均一構造となって
おり、この発明にＪ：るメカノケミカル研摩によって加
工歪も発生させないことが可能となった。

上述したように、この発明の磁気ディスク用基板を用い
ることにより、信頼性が著しく向上した高密度磁気ディ
スク記録媒体を製作することができ、また、出発ガラス
セラミック材料に理論密度９４％以上の規格品が使用で
き、量産性にすぐれている。

実施例 実施例１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　。

基板には、組成がＡ＃２ｈ　４１，０ｗ１％、５ＬＯ２
４８，０ｗ１％、Ｎａ２Ｏ・Ｋ　２０２，９７　Ｗｊ％
、Ｂ２Ｏ３ａ、ｏｗｔ％からなり、圧縮成形後、９００
℃で焼成し、５ＪＩｍ以下の微細孔を右し、平均結晶粒
袢が４６０証有し、相対理論密度が９６％で、熱膨張係
数が５３，５Ｘ　１０　”／ｄｅｇ　、寸法１４５．Ｏ
ｍｍＲＸ　２．７ｍｍ厚みのガラスセラミック基板を用
いた。

つぎに、ガラスセラミック基板の表面を精密ラップ法に
より表面粗度２００Å以下に精密研摩した。

熱膨張係数が６０ｘ１０−７　／ｄｅｇ　、軟化点５９
５℃、平均ね末粒径が３２５メツシユの鉛系ガラスをペ
ースト状にし、これを上記基板の研摩表面に、３０ｐ厚
みで塗布し、空気中、８００℃、５分間保持する条件で
ガラスコーティングした。

コーティング時の４温速度は、ｉ　ｏｏｏ℃／ｈｒ、冷
却速度は歪点までは１０００℃／ｈｒであり、歪点にて
１時間保持し歪取りを行なってから徐冷した。

ガラスコーティング膜の膜厚み精度は５加で気泡は見ら
れなかった。

次に、該コーティング膜を、粒径０．０１　、のＳｌ微
粉末を、純水中に５ｗｔ％懸濁した懸濁液で、ラップ盤
にＳｒ１盤を用い、０．５ｋＩｊＪの相対的ラップ荷重
で研摩加工し、表面粗度を４０Å以下に仕上げた。この
際の研摩代は３加で平坦度は１加であった。

接触側径０，１成Ｒの薄膜段差測定器（Ｔａｌｓｔｅｐ
）により、上記の研摩後のコーティング膜の表面状況を
測定し、その結果を第１表に示す。また、同様に、コー
ティング前の基板の表面状況を測定し、その結果を第２
図に示す。

第１図より、ガラスセラミック基板表面の微細孔は、コ
ーティング膜の研摩により表面の無孔化が得られており
、表面粗度４０人に什」二けられたことが明らかである
。

また、ガラスコーティング膜と基板との付着力を判定す
る方法として、硬度計を用い、打手を５００から１００
０　！＋まで順次増大させて、コーティング膜の剥離の
有無を判定基準として測定したところ、１０００　　（
ｌまで剥離はなく、強固な付着力を示した。

実施例２ 基板には、組成がＭｓＯａ　４１．０ｗ１％、Ｓｉｎ、
　　４８．０ｗ１％、−２０・に２０２．９７　ｗｔ％
、９２Ｑ３　８．０ｗ１％、Ｒｈ２ｏ３　０，０３　Ｗ
１％からなり、射出成形後、９００℃で焼成し、５ｕｍ
Ｊス下の微細孔を有し、平均結晶粒径が４．０）ｒｍ右
し、相対理論密度が９７％で、熱膨張係数が５３．５Ｘ
１０−’　／ｄｃｇ　、ｚｊ法１４５．Ｏｗｕ＋＋ＲＸ
２．７ｍｍ厚みのガラスセラミック基板を用いた。

つき′に、ガラスレラミック基板の表面を精密ラップ法
にＪ、り表面精度２０ＯＡ以下に精密研摩した。

熱膨張係数がｅｏｘ　１ｏ−７／　ｄｃｇ　、軟化点５
９５℃、平均粉末粒径が２００メツシユの鉛系ガラスを
ペースミル状にし、これを−１−記基板の研摩表面に、
スクリーン印刷により３０Ｂｍ厚みで塗布し、真空雰囲
気。

８００℃、１０分間保持し、その後同温度で常圧にまで
戻す条件でガラスコーティングした。

コーティング時の臂渇速ｔαは、５００°Ｑ／ｌｌｒで
、４００℃で１時間保持後、同速度で７００　’Ｃまで
昇温し、１０−１　　ｍｂａｒまで真空引きし、１０分
間保持し、イの後空気を常圧まで入れたのち、冷却した
。冷却速度は歪点の３８０℃までは５００℃／ｈｒであ
り、歪点にて１時間保持し歪取りを行なってから徐冷し
た。

ガラスコーディング膜の膜厚み精度は５ρで気泡は見ら
れなかった。

次に、該コーティング膜を、粒径０．０５　）ｉｎの６
０２微粉末を、純水中に２ｗｔ％懸濁した懸濁液で、ラ
ップ盤に硬質クロスを用い、１ｋｉ４の相対的ラップ荷
重で研摩加工し、表面粗度を４０Å以下に仕上げた。こ
の際の研摩代は２０炬で平坦度は１加であった。

接触側径０，１ρＲの薄膜段差測定器（Ｔａｌｓｔｅｐ
）により、」−記の研摩後の］−ティング膜の表面状況
及びコーティング前の基板の表面状況を測定したところ
、第１図及び第２図と同様の結果を得た。

夫４鯉１ 基板には、組成がＡ＆２０３４１，０ｗｔ％、５ＬＯｐ
　　４８，０ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ・Ｋ　２０２，９７　Ｗ
ｊ％、１３２Ｑ３　８．０ｗｔ％、Ｒ１１２０３０，０
３Ｗｊ％からなり、射出成形後、９００℃で焼成し、５
加以下の微細孔を有し、平均結晶粒径が４．０．有し、
相対理論密度が９７％で、熱膨張係数が５３，５ｘ１０
−７／ｄｅｇ　、寸法１４５．ＯｍｍＲＸ２．７ｍｍ厚
みのガラスセラミック基板を用いた。

２３一 つぎに、ガラスセラミック基板の表面を精密ラップ法に
より表面粗度２００Å以下に精密研摩した。

高周波スパッタ装置を用い、ターゲツト板どして、寸法
直径３５０ｍｍＸ厚み６旧のＮａ２ＯＢ２Ｏ−８ＬＯｐ
系で、軟化点７６５℃、熱膨張係数４７Ｘ１０−’　／
ｄｅｇを有するガラスを使用し、スパッタアルゴン圧１
ｘ　ｉｏ　−ｓ　　ｍｂａｒに到達排気後に、スパッタ
リングを行ない、前記基板にガラスコーティングを施し
た。なお、コーティング膜の熱膨張係数は、５２ｘｌＯ
−’　／ｄｅｇテある。

正スパッタの投入パワーは３ｋＷであり、基板側に負の
バイアス（−１００Ｖ）を印加した。バイアス効果によ
り、セラミックボア部のステップカバレージが図られ、
ボア部にもガラスが付着した。

また、スパッタ膜面の表面粗度は５００人であった。

なお、従来の酸化物のスパッタ法では、スパッタ速度が
遅く、被着に時間を要したが、電極間距離を４０ｍｍと
して投入パワーを大ぎくしたことにより、スパッタレー
トは５００人／ｍｉｎで、２０．厚み形成するのに４０
０分を要した。

次に、該コーティング膜を、粒径０．０１　ＪｌのＳＬ
Ｏ微粉末を、純水中に５ｗｔ％懸濁した懸濁液で、ラッ
プ盤にＳｒ１盤を用い、０．５ｋｔＪの相対的ラップ荷
重で研摩加工し、表面粗度を４０Å以下に仕上げた。こ
の際の研摩代は３．で平坦度は１庫であっ１こ。

接触ω１径０．１成Ｒの薄膜段差測定器（Ｔａｌｓｔｅ
ｐ）により、」−記の研摩後のコーティング膜の表面状
況及びコーティング前の基板の表面状況を測定したとこ
ろ、第１図及び第２図と同様の結果を得た。

【図面の簡単な説明】

第１図と第２図は、実施例において、薄膜段差測定器（
Ｔａｌｓｔｅｐ）により、基板表面に被着して研摩後の
コーティング膜の表面状況と、コーティング前の基板の
表面状況を示すグラフである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　５μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が９４％
   以上で、Ｂ＿２Ｏ＿３３ｗｔ％〜１５ｗｔ％を含有する
   ガラスセラミック材料からなる基板表面に、該基板との
   熱膨張係数差が１×１０＾−＾６／ｄｅｇ以下で、表面
   粗度が８０Å以下でかつ無孔無歪表面を有する０．３μ
   ｍ〜２００μｍ膜厚みのガラスコーティング膜を設けた
   ことを特徴とする磁気ディスク用基板。 ２　５μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が９４％
   以上で、Ｂ＿２Ｏ＿３３ｗｔ％〜１５ｗｔ％を含有する
   ガラスセラミック材料からなる基板表面に、該基板との
   熱膨張係数差が１×１０＾−＾６／ｄｅｇ以下の０．５
   μｍ〜２２０μｍ膜厚みのガラスコーティング膜を形成
   した後、該コーティング膜を、粒径０．１μｍ以下のＳ
   ｉＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ＿２またはＡｌ＿２Ｏ＿３微粉の
   うち少なくとも１種を、０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％純水
   中に懸濁した懸濁液で、０．０５ｋｇ／ｃｍ＾２〜２ｋ
   ｇ／ｃｍ＾２の相対的ラップ荷重で研摩加工し、表面粗
   度が８０Å以下でかつ無孔無歪表面を有する０．３μｍ
   〜２００μｍ膜厚みのガラスコーティング膜を設けたこ
   とを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。