JPH0697100A - 半導体装置の加熱装置 - Google Patents
半導体装置の加熱装置Info
- Publication number
- JPH0697100A JPH0697100A JP24793192A JP24793192A JPH0697100A JP H0697100 A JPH0697100 A JP H0697100A JP 24793192 A JP24793192 A JP 24793192A JP 24793192 A JP24793192 A JP 24793192A JP H0697100 A JPH0697100 A JP H0697100A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- light
- heating lamp
- semiconductor substrate
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板をランプを用いて急速加熱する場
合に、加熱によりダメージを受ける領域が加熱されない
ように、部分的に加熱を行う。 【構成】 加熱用ランプ２と半導体基板６との間には、
透過制御手段として遮光材４を選択的に配置した透光板
３が設けられる。 【効果】 加熱用ランプの発する光は透過制御手段を選
択的に透過し、半導体基板のうち遮光材の影となる領域
には照射されない。
合に、加熱によりダメージを受ける領域が加熱されない
ように、部分的に加熱を行う。 【構成】 加熱用ランプ２と半導体基板６との間には、
透過制御手段として遮光材４を選択的に配置した透光板
３が設けられる。 【効果】 加熱用ランプの発する光は透過制御手段を選
択的に透過し、半導体基板のうち遮光材の影となる領域
には照射されない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は加熱装置に関し、、特
に半導体装置を部分的に加熱する技術に関するものであ
る。
に半導体装置を部分的に加熱する技術に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に際し、接合を形成す
る時に特定領域に不純物を注入し、その後熱処理を行っ
て不純物を拡散させる工程が用いられる。そしてこの熱
処理には加熱用ランプを用いて急速加熱する方法が採ら
れる。
る時に特定領域に不純物を注入し、その後熱処理を行っ
て不純物を拡散させる工程が用いられる。そしてこの熱
処理には加熱用ランプを用いて急速加熱する方法が採ら
れる。
【０００３】図５は、従来の熱処理に用いられていた加
熱装置の構造を示す。チャンバ１の上方には加熱用ラン
プ２が設けられ、その下方においてツメ７によって半導
体基板６が支持されている。加熱用ランプ２は、半導体
基板６を加熱する。
熱装置の構造を示す。チャンバ１の上方には加熱用ラン
プ２が設けられ、その下方においてツメ７によって半導
体基板６が支持されている。加熱用ランプ２は、半導体
基板６を加熱する。
【０００４】図６は、加熱用ランプ２の位置から見た場
合の平面図を示す。図５には現れないが、加熱用ランプ
２は支持棒２１によって支持されている。図７は、図５
を半導体基板６の位置から見た場合の平面図を示す。半
導体基板６は加熱用ランプ２の光をその全面に受ける構
造となっている。
合の平面図を示す。図５には現れないが、加熱用ランプ
２は支持棒２１によって支持されている。図７は、図５
を半導体基板６の位置から見た場合の平面図を示す。半
導体基板６は加熱用ランプ２の光をその全面に受ける構
造となっている。
【０００５】このように支持された半導体基板６に対し
て急速加熱を行う場合には、まずチャンバ１の内部を真
空に引き、そしてＮ2 ガスを所定量だけ流す。その後、
所定の時間だけ加熱用ランプ２を点灯させ、半導体基板
６を加熱する。
て急速加熱を行う場合には、まずチャンバ１の内部を真
空に引き、そしてＮ2 ガスを所定量だけ流す。その後、
所定の時間だけ加熱用ランプ２を点灯させ、半導体基板
６を加熱する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の加熱技術では半
導体基板６の全体を加熱するので、加熱すべき領域以外
の領域も加熱されてダメージを受ける場合もある。
導体基板６の全体を加熱するので、加熱すべき領域以外
の領域も加熱されてダメージを受ける場合もある。
【０００７】例えば、既に接合が形成されている領域な
どでは、加熱により過剰の不純物拡散が進むので、デバ
イス特性に悪影響が及ぼされるという問題点があった。
どでは、加熱により過剰の不純物拡散が進むので、デバ
イス特性に悪影響が及ぼされるという問題点があった。
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、加熱すべき領域のみを選択的
に加熱することにより、それ以外の領域の加熱によるダ
メージの付与を回避することを目的としている。
るためになされたもので、加熱すべき領域のみを選択的
に加熱することにより、それ以外の領域の加熱によるダ
メージの付与を回避することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
装置の加熱装置は、加熱する対象となる半導体装置に対
向して設けられた加熱用ランプと、加熱用ランプと前記
半導体装置との間に設けられ、選択的に加熱用ランプの
発する光を透過させる透過制御手段と、を備える。
装置の加熱装置は、加熱する対象となる半導体装置に対
向して設けられた加熱用ランプと、加熱用ランプと前記
半導体装置との間に設けられ、選択的に加熱用ランプの
発する光を透過させる透過制御手段と、を備える。
【００１０】透過制御手段は、光を透過させる透光板
と、光透過板上に選択的に載置され、光を遮断する遮光
材と、を有する。
と、光透過板上に選択的に載置され、光を遮断する遮光
材と、を有する。
【００１１】
【作用】この発明における透過制御手段は、加熱用ラン
プの発する光を加熱対象である半導体装置へ選択的に与
える。
プの発する光を加熱対象である半導体装置へ選択的に与
える。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１乃至図４を
用いて説明する。従来の技術同様にして、チャンバ１の
上方には加熱用ランプ２が設けられ、その下方にはツメ
７によって半導体基板６が支持されている。加熱用ラン
プ２は、半導体基板６を加熱する。
用いて説明する。従来の技術同様にして、チャンバ１の
上方には加熱用ランプ２が設けられ、その下方にはツメ
７によって半導体基板６が支持されている。加熱用ラン
プ２は、半導体基板６を加熱する。
【００１３】ツメ５は加熱用ランプの発する光を透過さ
せる材料で形成された透光板３を支持し、透光板３の上
部には加熱用ランプの発する光を反射させる材料で形成
された遮光材４が選択的に載置されている。
せる材料で形成された透光板３を支持し、透光板３の上
部には加熱用ランプの発する光を反射させる材料で形成
された遮光材４が選択的に載置されている。
【００１４】図２は、加熱用ランプ２の位置から見た場
合の平面図を示す。図１には現れないが、加熱用ランプ
２は支持棒２１によって支持されている。図３は、図１
を透光板３の位置から見た場合の平面図を示す。透光板
３の上部には遮光材４が選択的に載置されているので、
加熱用ランプ２の発する光は、遮光材４の影となる領域
には届かない。図４は、図１を半導体基板６から見た場
合の平面図を示す。ツメ７は、半導体基板６が透光板３
と平行になるように、半導体基板６を支持する。
合の平面図を示す。図１には現れないが、加熱用ランプ
２は支持棒２１によって支持されている。図３は、図１
を透光板３の位置から見た場合の平面図を示す。透光板
３の上部には遮光材４が選択的に載置されているので、
加熱用ランプ２の発する光は、遮光材４の影となる領域
には届かない。図４は、図１を半導体基板６から見た場
合の平面図を示す。ツメ７は、半導体基板６が透光板３
と平行になるように、半導体基板６を支持する。
【００１５】このように支持された半導体基板６に対し
て急速加熱を行う場合には、まずチャンバ１の内部を真
空に引き、そしてＮ2 ガスを所定量だけ流す。その後、
所定の時間だけ加熱用ランプ２を点灯させ、半導体基板
６を加熱する。
て急速加熱を行う場合には、まずチャンバ１の内部を真
空に引き、そしてＮ2 ガスを所定量だけ流す。その後、
所定の時間だけ加熱用ランプ２を点灯させ、半導体基板
６を加熱する。
【００１６】この時、加熱用ランプ２の発する光は、透
光板３のうち遮光材４が配置されていない部分のみを透
過する。即ち半導体基板６のうち遮光材４の影となる領
域には加熱用ランプ２の発する光が照射されない。
光板３のうち遮光材４が配置されていない部分のみを透
過する。即ち半導体基板６のうち遮光材４の影となる領
域には加熱用ランプ２の発する光が照射されない。
【００１７】従って、半導体基板６のうち加熱すべきで
ない領域が遮光材４の影に入るように遮光材４を配置す
れば、加熱すべきでない領域の加熱によるダメージを回
避しつつ、加熱すべき領域を加熱用ランプ２の発する光
によって加熱することができる。
ない領域が遮光材４の影に入るように遮光材４を配置す
れば、加熱すべきでない領域の加熱によるダメージを回
避しつつ、加熱すべき領域を加熱用ランプ２の発する光
によって加熱することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば加熱用
ランプと、加熱用ランプの下方に設けられ、加熱する対
象となる半導体装置との間に、選択的に加熱用ランプの
発する光を透過させる透過制御手段を設けたので、加熱
すべき領域のみを選択的に加熱することにより、それ以
外の領域の加熱によるダメージの付与を回避することが
できる。
ランプと、加熱用ランプの下方に設けられ、加熱する対
象となる半導体装置との間に、選択的に加熱用ランプの
発する光を透過させる透過制御手段を設けたので、加熱
すべき領域のみを選択的に加熱することにより、それ以
外の領域の加熱によるダメージの付与を回避することが
できる。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】この発明の一実施例を示す平面図である。
【図３】この発明の一実施例を示す平面図である。
【図４】この発明の一実施例を示す平面図である。
【図５】従来の技術を示す断面図である。
【図６】従来の技術を示す平面図である。
【図７】従来の技術を示す平面図である。
２ 加熱用ランプ ３ 透光板 ４ 遮光材 ７ ツメ
Claims (2)
- 【請求項１】 加熱する対象となる半導体装置に対向し
て設けられた加熱用ランプと、 前記加熱用ランプと前記半導体装置との間に設けられ、
選択的に前記加熱用ランプの発する光を透過させる透過
制御手段と、を備える半導体装置の加熱装置。 - 【請求項２】 前記透過制御手段は、 前記光を透過させる透光板と、 前記光透過板上に選択的に載置され、前記光を遮断する
遮光材と、を備える請求項１記載の半導体装置の加熱装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24793192A JPH0697100A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体装置の加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24793192A JPH0697100A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体装置の加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697100A true JPH0697100A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17170687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24793192A Pending JPH0697100A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体装置の加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697100A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001059823A1 (en) * | 2000-02-08 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lamp anneal device and substrate of display device |
| US7122448B2 (en) | 2004-06-07 | 2006-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Annealing apparatus, annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device |
| CN115178884A (zh) * | 2022-09-13 | 2022-10-14 | 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) | 一种晶片热分离方法 |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24793192A patent/JPH0697100A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001059823A1 (en) * | 2000-02-08 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lamp anneal device and substrate of display device |
| US7122448B2 (en) | 2004-06-07 | 2006-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Annealing apparatus, annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device |
| CN115178884A (zh) * | 2022-09-13 | 2022-10-14 | 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) | 一种晶片热分离方法 |
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