JPH0697498A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH0697498A JPH0697498A JP4247793A JP24779392A JPH0697498A JP H0697498 A JPH0697498 A JP H0697498A JP 4247793 A JP4247793 A JP 4247793A JP 24779392 A JP24779392 A JP 24779392A JP H0697498 A JPH0697498 A JP H0697498A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、光取り出し効率を向上させて、
高輝度化を達成し得ることを目的とする。 【構成】 この発明は、半導体基板２上に形成されたＩ
ｎＧａＡｌＰの混晶からなる発光層５と、発光層５に電
流を供給する電極１，１０と、半導体基板２と発光層５
との間及び光取り出し側の電極１０直下に配置形成さ
れ、異なる組成のIII −Ｖ族化合物層が交互に積層され
て発光層５の放射光を反射する反射層３，９と、反射層
３，９の間に、隣接する半導体層６，８と逆導電型に配
置形成され、光取り出し側の電極１０下方部分の発光層
５に電流が流れることを抑制する電流ブロック層７とか
ら構成される。
高輝度化を達成し得ることを目的とする。 【構成】 この発明は、半導体基板２上に形成されたＩ
ｎＧａＡｌＰの混晶からなる発光層５と、発光層５に電
流を供給する電極１，１０と、半導体基板２と発光層５
との間及び光取り出し側の電極１０直下に配置形成さ
れ、異なる組成のIII −Ｖ族化合物層が交互に積層され
て発光層５の放射光を反射する反射層３，９と、反射層
３，９の間に、隣接する半導体層６，８と逆導電型に配
置形成され、光取り出し側の電極１０下方部分の発光層
５に電流が流れることを抑制する電流ブロック層７とか
ら構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光取り出し効率を高
めた半導体発光素子に関し、特に屋内、屋外の情報表示
板、自動車のストップランプ、信号機等に使用される高
輝度の半導体発光素子に関する。
めた半導体発光素子に関し、特に屋内、屋外の情報表示
板、自動車のストップランプ、信号機等に使用される高
輝度の半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】上述した分野に用いられる発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）としては、文献「日経エレクトロニクス，
１９９１．７．１（号外）Ｐ．Ｐ．７１〜８２」に記載
されているように、橙色（ピーク波長約６２０ｎｍ）か
ら緑色（ピーク波長約５６０ｎｍ）まで高輝度化を可能
とするＩｎＧａＡｌＰ系の半導体発光材料を用いたＬＥ
Ｄが注目されており、実用化されつつある。
ド（ＬＥＤ）としては、文献「日経エレクトロニクス，
１９９１．７．１（号外）Ｐ．Ｐ．７１〜８２」に記載
されているように、橙色（ピーク波長約６２０ｎｍ）か
ら緑色（ピーク波長約５６０ｎｍ）まで高輝度化を可能
とするＩｎＧａＡｌＰ系の半導体発光材料を用いたＬＥ
Ｄが注目されており、実用化されつつある。
【０００３】このようなＩｎＧａＡｌＰ混晶のＬＥＤの
ペレット構造は、図５（上記文献図９）に示すように、
ｎ−ＧａＡｓからなる基板１０１上にｎ−ＩｎＧａＡｌ
Ｐからなるクラッド層１０２、アンドープのＩｎＧａＡ
ｌＰからなる活性層（発光層）１０３、Ｐ−ＩｎＧａＡ
ｌＰからなるクラッド層１０４、Ｐ−ＧａＡｌＡｓから
なる低抵抗の電流拡散層１０５が順次積層形成され、電
流拡散層１０５上に所定の形状のＰ側電極１０６、基板
１０１側の全面にｎ側電極１０７がそれぞれ形成されて
いる。
ペレット構造は、図５（上記文献図９）に示すように、
ｎ−ＧａＡｓからなる基板１０１上にｎ−ＩｎＧａＡｌ
Ｐからなるクラッド層１０２、アンドープのＩｎＧａＡ
ｌＰからなる活性層（発光層）１０３、Ｐ−ＩｎＧａＡ
ｌＰからなるクラッド層１０４、Ｐ−ＧａＡｌＡｓから
なる低抵抗の電流拡散層１０５が順次積層形成され、電
流拡散層１０５上に所定の形状のＰ側電極１０６、基板
１０１側の全面にｎ側電極１０７がそれぞれ形成されて
いる。
【０００４】このような構造において、両電極１０６，
１０７間に電圧を与えて活性層１０３に電流を供給する
ことによって、活性層１０３から上方へ発した光の一部
が外側へ放射されて取り出される。
１０７間に電圧を与えて活性層１０３に電流を供給する
ことによって、活性層１０３から上方へ発した光の一部
が外側へ放射されて取り出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
図５に示すような構造のＩｎＧａＡｌＰ系の従来のＬＥ
Ｄにあっては、基板１０１がＧａＡｓで形成されている
ため、活性層１０３から下方へ発した放射光は基板１０
１に吸収されていた。また、活性層１０３から上方へ発
した放射光のうちＰ側電極１０６の直下に達する放射光
は、Ｐ側電極１０６に吸収されていた。
図５に示すような構造のＩｎＧａＡｌＰ系の従来のＬＥ
Ｄにあっては、基板１０１がＧａＡｓで形成されている
ため、活性層１０３から下方へ発した放射光は基板１０
１に吸収されていた。また、活性層１０３から上方へ発
した放射光のうちＰ側電極１０６の直下に達する放射光
は、Ｐ側電極１０６に吸収されていた。
【０００６】このため、活性層１０３で得られた光のう
ち外部に取り出せる割合を示す光取り出し効率が著しく
低下して、発光効率が低くなるという不具合を招いてい
た。
ち外部に取り出せる割合を示す光取り出し効率が著しく
低下して、発光効率が低くなるという不具合を招いてい
た。
【０００７】そこで、この発明は、上記に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、光取り出し効
率を向上させて、より一層の高輝度化を図った半導体発
光素子を提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、光取り出し効
率を向上させて、より一層の高輝度化を図った半導体発
光素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、半導体基板上に形成された
ＩｎＧａＡｌＰの混晶からなる発光層と、発光層に電流
を供給する電極と、半導体基板と発光層との間及び光取
り出し側の電極直下に配置形成され、異なる組成のIII
−Ｖ族化合物層が交互に積層されて発光層の放射光を反
射する反射層と、反射層の間に、隣接する半導体層と逆
導電型に配置形成され、光取り出し側の電極下方部分の
発光層に電流が流れることを抑制する電流ブロック層と
を有して構成される。
に、請求項１記載の発明は、半導体基板上に形成された
ＩｎＧａＡｌＰの混晶からなる発光層と、発光層に電流
を供給する電極と、半導体基板と発光層との間及び光取
り出し側の電極直下に配置形成され、異なる組成のIII
−Ｖ族化合物層が交互に積層されて発光層の放射光を反
射する反射層と、反射層の間に、隣接する半導体層と逆
導電型に配置形成され、光取り出し側の電極下方部分の
発光層に電流が流れることを抑制する電流ブロック層と
を有して構成される。
【０００９】請求項３記載の発明は、前記電流ブロック
層が放射光に対して透明になる様に前記発光層よりバン
ドギャップを大きくして構成される。
層が放射光に対して透明になる様に前記発光層よりバン
ドギャップを大きくして構成される。
【００１０】
【作用】上記構成において、この発明は、半導体基板な
らびに電極による放射光の吸収を反射層によって抑制す
るとともに、発光層における発光領域を電流ブロック層
により電極下方の領域を除く領域に設定するようにして
いる。
らびに電極による放射光の吸収を反射層によって抑制す
るとともに、発光層における発光領域を電流ブロック層
により電極下方の領域を除く領域に設定するようにして
いる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いてこの発明の実施例を説明
する。
する。
【００１２】図１はこの発明の第１の実施例に係わる半
導体発光素子の断面構造を示す図である。
導体発光素子の断面構造を示す図である。
【００１３】図１において、ｎ型のＡｕＧｅからなる電
極１が一方の面に形成されたｎ型のＧａＡｓからなる半
導体基板２上には、ｎ型の第１反射層３が形成されてい
る。この第１反射層３は、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰとｎ型
のＩｎＡｌＰの厚さが発光波長（λ）に対してλ／４の
積層周期で交互に１０から４０対程度積層されて形成さ
れ、発光層から放射された光を反射する。
極１が一方の面に形成されたｎ型のＧａＡｓからなる半
導体基板２上には、ｎ型の第１反射層３が形成されてい
る。この第１反射層３は、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰとｎ型
のＩｎＡｌＰの厚さが発光波長（λ）に対してλ／４の
積層周期で交互に１０から４０対程度積層されて形成さ
れ、発光層から放射された光を反射する。
【００１４】この第１反射層３上には、ｎ型のＩｎＧａ
ＡｌＰからなるクラッド層４、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰか
らなる発光層５、Ｐ型のＩｎＧａＡｌＰからなるクラッ
ド層６が順次積層形成されている。
ＡｌＰからなるクラッド層４、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰか
らなる発光層５、Ｐ型のＩｎＧａＡｌＰからなるクラッ
ド層６が順次積層形成されている。
【００１５】クラッド層６上には、ｎ型のＩｎＧａＡｌ
Ｐからなる電流ブロック層７が積層されている。この電
流ブロック層７は、後述する光取り出し側の電極１０の
直下に相当する領域の発光層５に電流が流れることを抑
制し、発光層５における発光領域を電極１０の直下に相
当する部分領域を除く領域に設定する。電流ブロック層
７は、上述した機能を達成するために、隣接する層と逆
導電型に形成される必要があり、また、発光層５への電
流抑制効果を十分に得るために、電極１０と同等もしく
は広い面積で形成される必要がある。さらに、電流ブロ
ック層７は、そのバンドギャップを発光層５のバンドギ
ャップよりも大きく形成することにより、発光層５から
の放射光に対して透明にした場合には、光取り出し効率
をより高めることが可能となる。
Ｐからなる電流ブロック層７が積層されている。この電
流ブロック層７は、後述する光取り出し側の電極１０の
直下に相当する領域の発光層５に電流が流れることを抑
制し、発光層５における発光領域を電極１０の直下に相
当する部分領域を除く領域に設定する。電流ブロック層
７は、上述した機能を達成するために、隣接する層と逆
導電型に形成される必要があり、また、発光層５への電
流抑制効果を十分に得るために、電極１０と同等もしく
は広い面積で形成される必要がある。さらに、電流ブロ
ック層７は、そのバンドギャップを発光層５のバンドギ
ャップよりも大きく形成することにより、発光層５から
の放射光に対して透明にした場合には、光取り出し効率
をより高めることが可能となる。
【００１６】このような電流ブロック層７及びクラッド
層６上にはＰ型のＧａＡｌＡｓからなる電流拡散層８が
形成され、発光層５に供給される電流を拡散する。電流
拡散層５上には、第１反射層と同様の第２反射層９が半
導体基板２上の略中央一部に形成され、第２反射層９上
にＰ型のＡｕＺｎからなる光取り出し側の電極１０が積
層形成されている。
層６上にはＰ型のＧａＡｌＡｓからなる電流拡散層８が
形成され、発光層５に供給される電流を拡散する。電流
拡散層５上には、第１反射層と同様の第２反射層９が半
導体基板２上の略中央一部に形成され、第２反射層９上
にＰ型のＡｕＺｎからなる光取り出し側の電極１０が積
層形成されている。
【００１７】次に、このような構造を得るための一製造
方法を説明する。
方法を説明する。
【００１８】まず、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）により、第１反射層を積層形成した後、続けてＩｎ
０．５（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）０．５Ｐを１μｍ程度の厚
さ、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ｙＡｌｙ）０．５Ｐを０．６
μｍ程度の厚さ、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）０．
５Ｐを１．０μｍ程度の厚さ、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ｕ
Ａｌｕ）０．５Ｐを０．２μ程度の厚さに順次成長させ
て、クラッド層４、発光層５、クラッド層６、電流ブロ
ック層を積層形成する。
法）により、第１反射層を積層形成した後、続けてＩｎ
０．５（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）０．５Ｐを１μｍ程度の厚
さ、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ｙＡｌｙ）０．５Ｐを０．６
μｍ程度の厚さ、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）０．
５Ｐを１．０μｍ程度の厚さ、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ｕ
Ａｌｕ）０．５Ｐを０．２μ程度の厚さに順次成長させ
て、クラッド層４、発光層５、クラッド層６、電流ブロ
ック層を積層形成する。
【００１９】次に、リソグラフィ工程により所定形状の
レジストパターンを形成して、このレジスタパターンを
マスクとして電流ブロック層をウェット又はドライエッ
チングにより選択的に除去し、所定形状の電流ブロック
層７を形成する。
レジストパターンを形成して、このレジスタパターンを
マスクとして電流ブロック層をウェット又はドライエッ
チングにより選択的に除去し、所定形状の電流ブロック
層７を形成する。
【００２０】次に、レジスタパターンを除去した後、Ｍ
ＯＣＶＤ法によりＧａ１−ｗＡｌｗＡｓを７．０μｍ程
度の厚さに成長させて電流拡散層８を形成し、続いて第
２反射層を成長形成する。
ＯＣＶＤ法によりＧａ１−ｗＡｌｗＡｓを７．０μｍ程
度の厚さに成長させて電流拡散層８を形成し、続いて第
２反射層を成長形成する。
【００２１】ここでｎ−クラッド層４、発光層５、Ｐ−
クラッド層６のＡｌ混晶比は、ｚ≒ｘ＞ｙとなるように
設定され、発光層５と電流ブロツク層７のＡｌ混晶比
は、ｕ＞ｙとなるように設定され、電流拡散層８のＡｌ
混晶比（Ｗ）も発光波長に対して透明になるように設定
される。
クラッド層６のＡｌ混晶比は、ｚ≒ｘ＞ｙとなるように
設定され、発光層５と電流ブロツク層７のＡｌ混晶比
は、ｕ＞ｙとなるように設定され、電流拡散層８のＡｌ
混晶比（Ｗ）も発光波長に対して透明になるように設定
される。
【００２２】次に、半導体基板２側にＡｕＧｅを、第２
反射層上にＡｕＺｎをそれぞれ蒸着した後５００℃で１
０分間熱処理して、オーミック電極層を形成する。
反射層上にＡｕＺｎをそれぞれ蒸着した後５００℃で１
０分間熱処理して、オーミック電極層を形成する。
【００２３】次に、フォトリソグラフィー工程によりレ
ジストパターンを、電流ブロック層７の面積と同等もし
くは小さくなるようにＡｕＺｎのオーミック電極層上に
形成する。続いて、このレジストパータンをマスクにし
てＡｕＺｎのオーミック電極層及び第２反射層をウェッ
ト又はドライエッチングにより選択的に除去して、所定
形状の第２反射層９とＰ側の電極１０を形成し、Ｐ側の
電極１０の周囲に発光層５からの放射光を外部に取り出
す光取り出し面を形成する。
ジストパターンを、電流ブロック層７の面積と同等もし
くは小さくなるようにＡｕＺｎのオーミック電極層上に
形成する。続いて、このレジストパータンをマスクにし
てＡｕＺｎのオーミック電極層及び第２反射層をウェッ
ト又はドライエッチングにより選択的に除去して、所定
形状の第２反射層９とＰ側の電極１０を形成し、Ｐ側の
電極１０の周囲に発光層５からの放射光を外部に取り出
す光取り出し面を形成する。
【００２４】最後に、ダイシング工程により、素子を個
別化して、図１に示すような半導体発光素子が製造され
る。
別化して、図１に示すような半導体発光素子が製造され
る。
【００２５】このような工程によって製造される構造の
発光素子にあっては、半導体基板２と発光層５及び発光
層５と光取り出し側の電極１０のそれぞれの間に第１，
第２反射層３，９を設けているので、発光層５からの放
射光がそれぞれ反射層３，９によって反射され、半導体
基板２ならびに電極１０による放射光の吸収が抑制され
る。
発光素子にあっては、半導体基板２と発光層５及び発光
層５と光取り出し側の電極１０のそれぞれの間に第１，
第２反射層３，９を設けているので、発光層５からの放
射光がそれぞれ反射層３，９によって反射され、半導体
基板２ならびに電極１０による放射光の吸収が抑制され
る。
【００２６】さらに、電流ブロック層７により発光層５
における発光領域を取り出し面の直下に設定しているた
め、発光領域から上方への放射光の一部は何等妨げられ
ることなく直接光取り出し面から外部に取り出される。
における発光領域を取り出し面の直下に設定しているた
め、発光領域から上方への放射光の一部は何等妨げられ
ることなく直接光取り出し面から外部に取り出される。
【００２７】また、電流ブロック層７によって発光領域
を光取り出し側の電極１０の周囲に設定しているため、
第１，第２反射層３，９間での多重反射が減少し、反射
層３，９によって反射された光が発光層５を通過するこ
とによって生じる再吸収の影響を低減することができ
る。さらに、電流ブロック層７を放射光に対して透明に
なる様に設定することにより、反射層３、及び９により
反射された放射光の吸収を低減することができる。
を光取り出し側の電極１０の周囲に設定しているため、
第１，第２反射層３，９間での多重反射が減少し、反射
層３，９によって反射された光が発光層５を通過するこ
とによって生じる再吸収の影響を低減することができ
る。さらに、電流ブロック層７を放射光に対して透明に
なる様に設定することにより、反射層３、及び９により
反射された放射光の吸収を低減することができる。
【００２８】これらのことから、図２に示すような構造
にあっては、図５に示す構造では外部に取り出せずに無
効となっていた放射光を外部に有効に取り出すことが可
能となり、光取り出し効率が大幅に向上して、従来構造
に比べて輝度を１０倍程度にまで高めることができるよ
うになる。
にあっては、図５に示す構造では外部に取り出せずに無
効となっていた放射光を外部に有効に取り出すことが可
能となり、光取り出し効率が大幅に向上して、従来構造
に比べて輝度を１０倍程度にまで高めることができるよ
うになる。
【００２９】図２はこの発明の第２の実施例に係わる半
導体発光素子の断面構造を示す図である。
導体発光素子の断面構造を示す図である。
【００３０】この第２の実施例の特徴とするところは、
電流ブロック層１１を第１反射層３とｎ型のクラッド層
４の間にＰ型となるように配置形成したことにあり、他
の構造は図１と同様である。このような構造にあって、
第１の実施例と同様な効果を得ることが可能となる。
電流ブロック層１１を第１反射層３とｎ型のクラッド層
４の間にＰ型となるように配置形成したことにあり、他
の構造は図１と同様である。このような構造にあって、
第１の実施例と同様な効果を得ることが可能となる。
【００３１】図３はこの発明の第３の実施例に係わる半
導体発光素子の断面構造を示す図である。
導体発光素子の断面構造を示す図である。
【００３２】この第３の実施例の特徴とするところは、
図１に示す構造に対して、光取り出し面をペレットの中
央部に設定し、電流ブロック層１２、第２反射層１３、
Ｐ側の電極１４をペレットの周囲に配置形成したことに
ある。このような構造にあっては、集光性が向上し、指
向性が要求される用途に好適となる。
図１に示す構造に対して、光取り出し面をペレットの中
央部に設定し、電流ブロック層１２、第２反射層１３、
Ｐ側の電極１４をペレットの周囲に配置形成したことに
ある。このような構造にあっては、集光性が向上し、指
向性が要求される用途に好適となる。
【００３３】図４はこの発明の第４の実施例に係わる半
導体発光素子の断面構造を示す図である。
導体発光素子の断面構造を示す図である。
【００３４】この第４の実施例の特徴とするところは、
図３に示す構造に対して、電流ブロック層１５を第１反
射層３とｎ型のクラッド層４との間にＰ型となるように
配置形成したことにあり、他の構造は図３と同様であ
る。このような構造にあっても、第３の実施例と同様な
効果を得ることが可能となる。
図３に示す構造に対して、電流ブロック層１５を第１反
射層３とｎ型のクラッド層４との間にＰ型となるように
配置形成したことにあり、他の構造は図３と同様であ
る。このような構造にあっても、第３の実施例と同様な
効果を得ることが可能となる。
【００３５】なお、この発明は、上記実施例に限ること
はなく、半導体基板にならびに各層はＰ型であってもよ
い。
はなく、半導体基板にならびに各層はＰ型であってもよ
い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、発光層からの放射光の半導体基板ならびに光取り出
し側の電極への入射を反射層により抑制したので、外部
に取り出される有効な放射光を増やすことができる。ま
た、電流ブロック層により発光領域を光取り出し側の電
極下方の領域を除く領域に設定するようにし、さらに放
射光に対し透明になる様設定したので、外部に取り出さ
れる有効な放射光を増やすことができる。
ば、発光層からの放射光の半導体基板ならびに光取り出
し側の電極への入射を反射層により抑制したので、外部
に取り出される有効な放射光を増やすことができる。ま
た、電流ブロック層により発光領域を光取り出し側の電
極下方の領域を除く領域に設定するようにし、さらに放
射光に対し透明になる様設定したので、外部に取り出さ
れる有効な放射光を増やすことができる。
【００３７】この結果、光取り出し効率が向上し、高輝
度化を達成することができるようになる。
度化を達成することができるようになる。
【図１】この発明の第１の実施例に係わる半導体発光素
子の断面構造を示す図である。
子の断面構造を示す図である。
【図２】この発明の第２の実施例に係わる半導体発光素
子の断面構造を示す図である。
子の断面構造を示す図である。
【図３】この発明の第３の実施例に係わる半導体発光素
子の断面構造を示す図である。
子の断面構造を示す図である。
【図４】この発明の第４の実施例に係わる半導体発光素
子の断面構造を示す図である。
子の断面構造を示す図である。
１ ｎ−ＡｕＧｅ電極 ２ ｎ−ＧａＡｓ基板 ３ 第１反射層 ４ ｎ−クラッド層 ５ 発光層 ６ Ｐ−クラッド層 ７，１１，１２，１５ 電流ブロック層 ８ 電流拡散層 ９，１３ 第２反射層 １０，１４ Ｐ−ＡｕＺｎ電極
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成されたＩｎＧａＡｌ
Ｐの混晶からなる発光層と、 発光層に電流を供給する電極と、 半導体基板と発光層との間及び光取り出し側の電極直下
に配置形成され、異なる組成のIII −Ｖ族化合物層が交
互に積層されて発光層の放射光を反射する反射層と、 反射層の間に、隣接する半導体層と逆導電型に配置形成
され、光取り出し側の電極下方部分の発光層に電流が流
れることを抑制する電流ブロック層とを有することを特
徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記電流ブロック層は、光取り出し側の
電極と同等又は広い面積により形成されてなることを特
徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記電流ブロック層は、そのバンドギャ
ップが発光層のバンドギャップよりも大きいことを特徴
とする請求項１又は２記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記光取り出し側の電極は、半導体基板
上の略中央一部に形成されてなることを特徴とする請求
項１，２又は３記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記光取り出し側の電極は、半導体基板
上の周辺部に形成されてなることを特徴とする請求項
１，２又は３記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4247793A JPH0697498A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4247793A JPH0697498A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697498A true JPH0697498A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17168738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4247793A Pending JPH0697498A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697498A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008159627A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US7488989B2 (en) | 2003-06-10 | 2009-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element, its manufacturing method and semiconductor light emitting device |
| JP2009510730A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | ラティス パワー （チアンシ） コーポレイション | 半導体発光デバイスおよびその製造方法 |
| US7868344B2 (en) | 2005-09-09 | 2011-01-11 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device including electrodes of a multilayer structure |
| JP2011187966A (ja) * | 2003-05-09 | 2011-09-22 | Cree Inc | イオン・インプラント・アイソレーションによるｌｅｄ製作 |
| CN104868032A (zh) * | 2010-12-31 | 2015-08-26 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光二极管结构 |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP4247793A patent/JPH0697498A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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