JPH0699767B2

JPH0699767B2 - Ｎｉ―Ｆｅ系高透磁率磁性合金

Info

Publication number: JPH0699767B2
Application number: JP1260218A
Authority: JP
Inventors: 正井上; 正行木下; 智良大北
Original assignee: 日本鋼管株式会社
Priority date: 1989-10-06
Filing date: 1989-10-06
Publication date: 1994-12-07
Anticipated expiration: 2009-12-07
Also published as: JPH03122237A

Description

【発明の詳細な説明】「発明の目的」（産業上の利用分野）本発明は、Ni−Fe系高透磁率磁性合金に係り、その磁気
特性を改良し、特に優れた直流磁気特性および卓越した
交流磁気特性を合わせ持ち、更に熱間加工性の良好な磁
性合金に関するものである。

（従来の技術） JIS PC相当のNi−Fe系磁性合金は、現在磁気ヘッドケー
スおよび各種コア、変成磁心、各種磁気シールド材など
のようにその利用範囲が極めて広い磁性材料である。即
ちこのようなPCパーマロイは高透磁率で、低保磁力であ
ることが特徴であり、今日実用化されているものは、80
％Ni−５％Mo−Fe（スーパーマロイ）や、77％Ni−５％
Cu−４％Mo−Fe（Mo、Cuパーマロイ）などであり、それ
ら合金で通常得られる透磁率のレベルは、直流特性でみ
ると初透磁率（以下μｉという）が150,000、最大透磁
率（以下μｍという）が300,000程度である。

また、交流特性でみると、たとえば、板厚0.2mmでのイ
ングクタンス透磁率μｉは10000程度である。

ところが、昨今におけるエレクトロニクスの発達から各
種機器の小型高性能化が進み、上記したような磁性合金
の特性についてもより一層の向上が望まれている。即ち
このような要求に対して上記成分系の磁性合金における
直流磁気特性を不純物元素の低減およびCrの添加により
向上させた特開昭62−227053および特開昭62−227054が
発表されている。

又、特開昭63−149361では上記成分系の合金に製造時の
熱間加工性を改善するためＢを添加した材料において、
磁性焼鈍時に脱Ｂを行ない直流磁性特性を改善すること
が発表されている。

一方、上記成分系ではNiが約80wt％程度含まれていて高
価なため、成分系を根本的に見直し、Niを低減し、代り
にNiより安価なCu、Mnを添加して高い初透磁率を達成し
た特公昭62−13420、更にはこの特公昭62−13420の技術
に加えて適量のAl添加を行ない酸化物系介在物を減少し
直流磁気特性を高めるという特開昭63−247336および特
開昭63−247339の技術も開発されている。特にこれら特
開昭63−247336および特開昭63−247339の提案による合
金のμｉは最高で426,000という高いレベルである。

更に上記したような磁気特性向上の要望に加え、最近で
は所要の特性をより低コストに製造することも求められ
ており、このような観点からは特開平１−100232の技術
も提案されている。即ちこの技術は通常のMoスーパーマ
ロイにSiを１〜4wt％添加し、磁性焼鈍温度を1030℃以
下といった比較的低い温度によっても充分に満足する50
Hzでの透磁率および磁気シールド性を得ることを特徴と
している。

（発明が解決しようとする課題）前記した特開昭62−227053および同227054で特徴として
いる不純物低減、Cr添加によっても最終の水素雰囲気で
の熱処理（1100℃×３時間）後の直流磁気特性は、例え
ばμｉで高々100,000であり、それ以上の磁気特性が要
求される用途に対しては不適とならざるを得ない。

また、特開昭62−227054の提案では、通常のNi−Fe−Mo
系またはNi−Fe−Mo−Cu系の成分に新たにCrを添加する
ためコスト高となる。一方特開昭62−227053の提案では
このCr添加によるコスト高に加え、Mnを通常レベルより
高くする（1.2〜10wt％とする）ため熱間加工性が極め
て悪くなるという製造上の問題も有している。

なお上記した２つの提案では何れもＢの添加が行なわれ
ているが、この場合のＢ添加は熱間加工性および打抜き
性を改善するためのもので、これらの提案で意図するＢ
の添加だけでは磁気特性の明らかな向上は見られず、逆
に劣化するケースも認められる。

更に、特開昭63−149361では、磁気性を脱Ｂ処理により
改善するものであるが、この処理の後で得られる直流磁
気特性はμｉで高々75,000であり、このレベルは通常の
Ni−Fe−Mo−Cu系合金で得られるレベルである。従って
この技術ではそれ以上の磁気特性が要求される用途に対
しては不適とならざるを得ない。

なお、前記した特開昭62−227053、および同227054、特
開昭63−149361では、共通して交流磁気特性の向上は未
だ達成されていない。

一方、特公昭62−13420、特開昭63−247336および同247
339の技術によっては高い直流磁気特性を有するパーマ
ロイを提供し得るが、Mn、Cuを高めるため製造時の熱間
加工性が本質的に低くなるという製造上の問題点を有し
ている。又この提案で得られる合金の飽和磁束密度は、
例えばB₁₀（10エルステッドでの磁束密度）で見ると、
高々5000ガウスであり、スーパーマロイやMo、Cuパーマ
ロイにおけるB₁₀の7000〜8000ガウスに比較すると低
い。このことは、この合金がスーパーマロイやMo、Cuパ
ーマロイに比し低い外部磁場で材料内の磁束が飽和して
しまうことを意味し、シールド材料として用いる場合に
おいて外部磁場が比較的高い場所での使用は不適となら
ざるを得ない。さらには、この合金の交流磁気性質は、
スーパーマロイやMo、Cuパーマロイに比し低いという欠
点を有している。

なお、上記した特開平１−100232の技術では、Siを多く
添加するため加工性が劣化し、製造性が悪くなるという
不利を有している。またこの技術では50Hzのシールド性
能は所要のレベルに達しているが、直流でのシールド性
能がやや劣るという欠点を有している。

「発明の構成」（課題を解決するための手段）本発明は上記したような従来の技術における問題点を解
決するように検討を重ねて創案されたれものであって、
熱間加工性が良好で、特に優れた交流磁気特性と共に優
れた直流磁気特性の両者を合わせて有し、更には従来と
同じレベル要求磁気特性を得るのに、磁気焼鈍温度を従
来よりも100℃程度低温化することをも可能ならしめた
もので、磁気特性に対するNi、Mo、Cu、Feなどの主要成
分による影響を更に検討し、そこで得られた特性と成分
との関係をＢ添加系にまで拡大して実験、研究を行なっ
た結果、本発明を完成した。即ち本発明は以下の如くで
ある。

（１）Ni:77.5〜79.5wt％、Mo:3.8〜4.6wt％、 Cu:1.8〜2.5wt％、Mn:0.1〜1.10wt％、 Si:0.2〜1.0wt％、P:0.010wt％未満、 S:0.0020wt％以下、O:0.0030wt％以下、 N:0.0010wt％以下、C:0.020wt％以下を含有し、かつＢをの範囲内で含有し、残部が基本的にFeからなり、しかもNi、Mo、Cu、Mn、Feが（但し〔〕内はwt％）を満たす範囲でそれぞれ含有されたことを特徴とするNi
−Fe系高透磁率磁性合金。

（２）前項に記載の成分組成を有し、かつ磁気焼鈍後で
オーステナイト粒界およびその近傍でのＢ量が10〜50at
m％であることを特徴とするNi−Fe系高透磁率磁性合
金。

（作用）本発明によるものは、不純物元素の適正制御のもとで、
熱間加工性を良好ならしめるレベルとして、Si、Ni、M
o、Cu、Mn、FeおよびＢの各添加量を適正化し、かつ各
量の成分バランスを特定範囲内に制御することによって
従来の同系統によるMo、Cuパーマロイやスーパーマロイ
で見られなかった優れた直流磁気特性と、優れた交流磁
気特性を合わせ持ち、さらには従来と同じレベルの要求
磁気特性を得るのに磁気焼鈍温度を従来よりも100℃程
度低温化することを可能とする。

即ち、先ず本発明で意図する磁気特性の向上は合金中不
純物レベルの制御のもとで達成され、Si、Ｓ、Ｏ、Ｎ、
Ｃの限度理由はwt％（以下単に％という）で以下の如く
である。

Ｓは、熱間加工性に有害であり、かつ硫化物の形成を通
じて最終の水素焼鈍時における粒成長を阻害し、焼鈍後
の粒径が小さくなるため透磁率が向上しないという理由
から磁気特性に対しては極めて有害な元素である。この
Ｓ量が0.0020％を超えると、以下に示すようなNi、Mo、
Cu、Fe、Ｂ量の適正化を計っても本発明で目的とするよ
うな磁気特性の向上が計れず、又熱間加工性が著しく悪
くなるため0.0020％を上限とすることが必要である。な
お直流および交流での透磁率を更に向上するためには0.
0005％以下がより望ましい。

Ｏは、本発明で対象とする合金の中では酸化物系介在物
として存在し、その量が多いと最終の水素焼鈍時におけ
る粒成長を阻害し、焼鈍後の粒径が小さいため透磁率が
向上しないことから磁気特性に対し極めて有害な元素で
ある。即ちこのＯ量が0.0030％を超えると上記同様にN
i、Mo、Cu、Fe、Ｂ量の適正化を図っても本発明で意図
する磁気特性向上が計れないため0.0030％を上限とし
た。なお直流での透磁率向上のためには0.0010％以下が
より好ましい。

Ｎは、Ｂ添加を基本とした合金においては、Ｂと容易に
結合しBNを形成するため有効Ｂ量が低下する。また形成
されたBNにより磁気特性が著しく劣化せしめられるなど
の理由により合金中に多く含有されると悪影響を及ぼ
す。即ちこのＮが0.0010％を越えると上記のような理由
から磁気特性劣化が著しくなるので0.0010％を上限とし
た。なお交流での透磁率のさらなる向上のためには0.00
05％以下がより好ましい。

Ｃは、本発明の対象合金の中では侵入型元素として存在
し、その量が多いと透磁率が低下するので磁気特性に対
して有害な元素であり、0.020％を越えるとこのような
理由により磁気特性劣化が著しくなるため、0.020％を
上限と定めた。

さて、本発明では上記のような不純物元素の制御下にお
いて、Ni、Mo、Cu、FeおよびＢの各添加量を適正化し、
又各量の成分バランスを特性範囲内として始めてその目
的が達成され、これらについては以下の如くである。

Niは、77.5〜79.5％の範囲で本発明の意図するような高
い磁気特性および高いシールド特性を得しめる。このNi
が77.5％未満または79.5％を越えると何れの場合におい
ても透磁率が低下するので77.5％を下限とし、79.5％を
上限とした。

Moは、3.8〜4.6％の範囲内のときに本発明の目的とする
高い磁気特性および高いシールド特性を達成し得る。即
ちMoが3.8％未満または4.6％を超えると透磁率向上が達
成されないので、3.8〜4.6％とすることが必要である。

Cuは、Ni、Moや他の成分が本発明の規定範囲内にある合
金において、後述するＢの共存のもとで、直流磁気特性
を飛躍的に向上させ、かつ交流の実効透磁率をも向上せ
しめ、しかも交流（50Hz）での角型性（Br/Bm）も向上
させる効果を有する。このようなCuの効果は、Niが77.5
〜79.5％、Mo:3.8〜4.6％のときにあらわれ、最適のCu
量は1.8〜2.5％である。なおCuが1.8％未満ではこのよ
うなCuによる特性向上が計れず、一方Cuが2.5％を越え
ると逆にこれらの特性が劣化するので、Cuの範囲は1.8
〜2.5％と定めた。

Mnは、上記したMo、Cuと同様に本発明対象合金の磁性に
影響を及ぼす元素であり、このMnが1.10％以下でも本発
明で目的とする高透磁率を達成し得るが、1.10％を超え
ると斯うした透磁率向上が達成されないので1.10％を上
限とする。一方Mnが0.10％未満では熱間加工性が劣化
し、好ましくないので0.10％を下限とした。

Ｂは、本発明で意図する高い透磁率を達成するためには
必須の元素である。

（〔Ｂ〕、〔Ｎ〕はそれぞれＢ、Ｎの合金中添加量、
％）が0.0005〜0.0070％の範囲では本発明の目的を有効
に達成し得るが、0.0005％未満では透磁率が向上せず、
一方0.0070％を超えると透磁率が低くなるので、の下限および上限をそれぞれ0.0005％、0.0070％と定め
た。

Ｐは、本発明の対象とする高Ni−Fe合金の熱間加工性に
有害な元素である。このＰが0.010％以上となると熱間
加工性が悪くなるため、上限を0.010％未満とした。な
お、下限は溶製上の経済性から好ましくは0.0010％であ
る。

Siは、本発明の規定範囲内の成分において、直流磁気特
性を劣化させることなく交流磁気特性、即ち交流での実
効透磁率の向上を達成する元素である。またこのSiも適
量添加により直流および交流の透磁率の歪による劣化を
小さくすることを可能とする元素である。

直流磁気特性を劣化させることなく上記のような交流磁
気特性を向上させるSi量は0.20〜1.00％の範囲である。
即ちSiが0.20％未満では本発明で意図する交流磁気特性
の向上が図れず、一方1.00％を超えると直流磁気特性が
劣化するため上記のような範囲とした。

なお本発明で意図する透磁率の歪による劣化を小さくす
るSiの添加量としては0.30％以上であることが必要であ
る。

本発明の目的とする磁気特性向上のためには、上記した
Ｓ、Ｏ、Ｃ、Ni、Mo、Cu、Mn、Ｂ量の適正化とSiの適量
添加のもとで、Ni、Mo、CuおよびFeの成分バランスを適
正化することが必要である。即ちこの成分バランスを規
定するパラメータＸは、において、3.2〜3.8の範囲内で、かつが0.0005〜0.0070％の範囲内であり、磁気焼鈍後におけ
る直流の初透磁率、500ミリガウスの直流磁界に対する
磁気遮蔽度、1KHzでの実効透磁率、50Hzでの角型性とい
った直流および交流の磁気特性を飛躍的に向上させるこ
とができる。

即ち上記のような成分規定および成分バランスの規定に
より、後述する実施例に示すように、初透磁率μｉは30
0,000以上、500ミリガウスの直流磁界に対する磁気遮蔽
度を250以上、板厚0.20mmにおける1KHzでの実効透磁率
を15,000以上、50Hzでの角型性を0.90以上とそれぞれ向
上することができる。

本発明合金において磁気特性を更に高めるためには、最
終の磁性を高めるための熱処理後のオーステナイト結晶
粒界およびその近傍でのＢ量が10〜50atm％の範囲内
で、より高い初透磁率とより高い磁気遮蔽度、比較的高
い実効透磁率、比較的高い角型性を合わせ持つことがで
きる。

即ち、本発明合金を用いて、磁気焼鈍後のオーステナイ
ト粒界およびその近傍でのＢ量が上記の範囲であれば後
述する実施例１より優れた磁気特性を付与することがで
きる。つまり後述する実施例２に示すように初透磁率μ
ｉは400,000以上、500ミリガウスの直流磁界に対する磁
気遮蔽度を350以上、板厚0.20mmにおける1KHzでの実効
透磁率を16,000以上、50Hzでの角型性を0.92以上と、そ
れぞれ高めることができる。このような磁気特性の向上
原因は必ずしも明らかでないが、粒界およびその近傍で
適量のＢが存在することにより粒界部分の性状を変え、
この変化が磁気特性、特に初透磁率といった磁壁の移動
のしやすさ、又は回転磁化のしやすさが求められる特性
値に対して良い影響を与えているものと推察される。

なお本発明で対象とするNi−Fe合金では、熱間加工性が
劣っている。この加工性を改良する方法としては微量の
Ｂ添加と微量のCa添加を組合せることがしばしば行なわ
れるが、斯うした微量Ca添加を行なっても上述したよう
な本発明の構成要件を満たせば本発明の目的とする初透
磁率の向上は達成される。又本発明においては上記した
ような成分組成の他、鉄合金とする場合に不可避的に含
まれるAlについても、詳しく言及しないが、例えば、A
l:0.03％以下の範囲内での含有が許容される。

本発明によるものの具体的な実施例について説明する
と、以下の如くである。

実施例1. 次の第１表に示すような化学成分を有する高Ni−Fe合金
の本発明合金および比較合金を真空溶解にて溶製し、こ
れを熱間加工、脱スケールを施し、冷延素材を準備し
た。

上記したような第１表の各素材は次いで冷延加工、焼鈍
して0.5mmないし0.2mmの薄板サンプルとし、これらのサ
ンプルより外径が45mmで内径33mmのJISリングを打抜き
試料とした。又磁気特性をこれらの試料について、パラ
ジウム膜を透過させ精製した高純度水素気流中雰囲気下
において1100℃で３時間の熱処理を行ない、1100℃〜65
0℃の間は400℃/hrにて冷却し、その後は炉冷させて測
定し、μｉを0.005エルステッドでの透磁率として求め
た結果および遮蔽度、実効透磁率、50Hzでの角型性、保
磁力、磁束密度および面圧付加時の初透磁率の結果は次
の第２表の如くである。

即ち遮蔽度は、上記と同じ製造履歴を経た板厚0.5mmの
素材を直径50mm、長さ200mmの円筒に加工し、上記と同
じ磁気焼鈍条件にて熱処理したサンプルを用いて、ヘル
ムホルツコイルにて外部磁場（H₀）、500ミリガウスを
円筒の軸方向に対して直角方向にかけた場合の円筒内側
中央部での内部磁場（H₁）を測定することにより求め
た。遮蔽度の測定に際しては地磁気の影響が十分無視で
きるレベルまで磁気シールドしたボックスを用いて行な
った。

1KHzの実効透磁率は、上記と同じに磁気焼鈍を経た板厚
0.2mmのリングサンプルを用い、５ミリエルステッドで
のイングクタンス透磁率を測定することにより求め、50
Hzでの角型性は実効透磁率を測定した場合と同じリング
サンプルを用いて磁場の0.1エルステッドでの残留磁束
密度（Br）と磁束密度（B_0.1）の比から求めた。

なお磁束密度および保磁力は、初透磁率を求めたと同じ
リングサンプルにて測定した。即ち磁束密度B₁₀₀₀は100
0A/mの外部磁界を加えたときの磁束密度であり、保磁力
は1000A/mの外部磁場を加え、次に反転し、磁束密度を
０とする磁界の強さである。

面圧付加時の初透磁率は、上記の初透磁率を測定したサ
ンプルを用い、リングサンプルの板面に垂直な方向に均
一な荷重（面圧4kgf/mm²）を印加して初透磁率を測定す
ることにより求めた。

また熱間加工性は第１表の合金鋼塊（厚さ70mm）を1150
℃に加熱し、最終板厚5mmまで熱間圧延し、その熱延板
エッヂ部における割れの発生状態を観察することにより
行なった。一般に熱間加工性の悪い場合にはエッヂ部に
割れが発生し易くなることは経験的に知られている。然
して上記したような第１、２表の結果について言うなら
ば、合金No.1およびNo.2の各材はＣ、Ｓ、Ｏ、Ｎ、Ｂ、
Ｐ、Si、Ni、Mo、CuおよびMn量が何れも本発明成分範囲
内のもので、μｉは350,000以上、遮蔽度も約250以上、
実効透磁率（以下μｅという）も15,000以上、50Hzでの
角型性（以下Br/Bmと略称する）も0.90以上と、比較合
金No.4〜No.19の各材に比較して優れた磁気特性を示し
ている。また熱延板のエッヂ割れもなく、熱間加工性が
良好である。なおNo.2材ではＣ、Ｓ、Ｏ、Ｎがより好ま
しいレベルまで低減されており、μｉ、遮蔽度、μｅ、
Br/BmはNo.1材より更に高くなっている。又これらNo.1
〜No.2材の本発明合金では、面圧4kgf/mm²付加時の初透
磁率劣化も後述比較合金No.4〜19のものより小さくなっ
ており、歪に対する特性の劣化も小さい。No.3合金材
は、Siが0.25％で、他の成分は何れも本発明範囲内のも
のであり、μｉ、遮蔽度、μｅ、Br/Bmは、上記したNo.
1およびNo.2合金材と略同じレベルを示している。しか
し面圧4kgf/mm²付加時の初透磁率劣化の大きさは約75,0
00と、No.1およびNo.2合金材の約50,000に比し大きい。
このように初透磁率の歪に対する劣化を小さくするため
にはSi量を本発明の規定範囲内でも、0.30％以上と高く
しなければならないことが理解される。

比較合金No.4材は、Ｐのみが本発明規定を超えるもので
あり、この場合にはμｉ、遮蔽度、μｅ、Br/Bm、歪付
加時のμｉは本発明合金No.1、No.2と略同じレベルを示
しているが、熱延板のエッヂ割れがあり、熱間加工性が
劣っている。なおNo.21材はＰのみが本発明規定範囲を
超えるものであるが、Ｐが0.090％と0.080％を超える場
合にはμｉ、遮蔽度、μｅ、Br/Bm、歪付加時のμｉは
本発明合金に比し低いレベルを示している。又この場合
も熱延板のエッヂ割れがあり、熱間加工性は悪い。この
ように本発明で意図する磁気特性を確保するにはＰが0.
080％以下であることが必要である。

これに対し、合金No.5およびNo.6の各材は、Ni量がそれ
ぞれ上限を越え、あるいは下限未満のものであり、又、
合金No.7およびNo.8の各材はMo量が上限を越えたもの、
あるいは下限未満のものであって、合金No.9およびNo.1
0はCu量がそれぞれ上限を越え、あるいは下限未満のも
のである。さらに合金No.11は、Mn量が上限を越えたも
のであり、合金No.12はSi量が上限を越えたものであっ
て、合金No.13およびNo.14のものは、それぞれＢ量が上
限を越え、あるいは下限未満のものである。さらに、合
金No.15〜18の各材は、それぞれＣ、Ｓ、Ｏ、Ｎの何れ
かが本発明成分範囲を超えるもの、又合金No.19およびN
o.20はそれぞれパラメータＸが本発明で規定した下限を
超えるものと、下限未満のものであるが、これらの供試
材No.5〜No.20は何れも本発明例に比べて低いレベルに
ある。

なお、比較合金において、No.6、No.7、No.9〜No.16、N
o.18〜No.20の各材は、Ｐが本発明規定を超える場合で
あり、熱延板のエッヂ割れは何れも発生しており、熱間
加工性は劣っている。これに対して、合金No.8および合
金No.17はＰが本発明規定内であり、熱延板のエッヂ割
れはなく、熱間加工性は良好である。又合金No.22のも
のはMn量が下限未満のもので、μｉ、遮蔽度、μｅ、Br
/Bm、歪付加時のμｉは本発明合金と略同じレベルにあ
るが、熱延板のエッヂ割れがあり、熱間加工性は劣って
いる。

即ち本発明によるものは、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｏ、Ｎの不純物
元素低減のもとで、Ni、Mo、Cu、Mn、Ｂ、Si、Feをそれ
らの単独量およびバランスが厳密に規定された範囲とす
ることにより、良好な熱間加工性を有し、しかも優れた
初透磁率、遮蔽度、実効透磁率、50Hzでの角型性の何れ
もを適切に得ることができる。なお本発明において所要
の特性を得るためには熱処理に使用するガスは、この実
施例で示したような高純度のH₂ガスでよいが、同様な特
性はJISに規定されているような通常のH₂雰囲気、すな
わち融点−40℃以下のH₂ガス気流中で熱処理を行なうこ
とによっても得られる。

実施例2. 前記した実施例１の本発明合金No.2について冷延、焼鈍
を経た0.5mmの薄板サンプルより外径45mm、内径33mmのJ
ISリングを打抜きによって作製し、試料とした。またオ
ージエ観察用ステージに取付け可能なノッチ入り試験片
も同様のサンプルより切出した。

上記のようにして得られたサンプルは、次の第３表
（Ａ）に示すような種々の雰囲気下で、1100℃×３時間
の熱処理を行ない、1100℃〜650℃の間をそれぞれに異
なった冷却速度で冷却し、その後は炉冷したサンプルに
より磁気特性および遮蔽度を測定した。

またオーステナイト粒界およびその近傍でのＢ量は、上
記熱処理の後に、カソード電解法により電解水素を添加
して粒界脆化処理を施し、粒界破壊を真空中で行ない、
顕われた粒界破面の成分分析をオージエ分光法により異
なる10点について行ない平均して求めた。これら結果は
第３表（Ａ）（Ｂ）に併せて示す如くである。

即ち、本発明の前記した合金No.2を用いたものにおい
て、供試材No.1〜４は、そのオーステナイト粒界および
その近傍でのＢ量が本発明規定範囲内であり、μｉ、遮
蔽度、μｅ、Br/Bmはオーステナイト粒界およびその近
傍でのＢ量が本発明規定範囲外の供試材No.6のものより
高くなっている。また、これらの供試材では面圧4kgf/c
m²付加時の初透磁率劣化も前記した実施例１の比較合金
に比較して小さく、歪による特性劣化が小さいことがわ
かる。

なお第３表における供試材５は1100℃×3hrの雰囲気保
持中におけるH₂の露点が−40℃より高い場合であり、こ
のような条件で熱処理されたサンプルのμｉ、遮蔽度、
μｅ、Br/Bmは他の発明例に比較して低い。即ち本発明
の効果はJISで規定されている露点−40℃以下のH₂で熱
処理を行なうことにより適切に発揮される。また１×10
^-5Torrというような高真空下の熱処理でも本発明の効果
は発揮し得る。

実施例3. 前記した実施例１の本発明合金No.2および次の第４表に
示すような成分を有する比較合金No.23について実施例
２と同様の作製条件にてサンプルを作製し、それぞれ、
第５表に示すような磁気焼鈍条件にて、熱処理を行な
い、磁気特性および遮蔽度を実施例２と同様の方法にて
測定した。結果を次の第６表に示す。

なお、この比較合金No.23は、Ni、Cu、Ｐ、Siが本発明
規定外であり、その他の成分は、本発明規定内のもので
ある。

発明合金No.2を用いて、1000℃×１時間の磁気焼鈍後で
得られる特性は、比較合金No.23を用いて、1100℃×１
時間の磁気焼鈍後に得られる磁気性質、即ちμｉ、遮蔽
度、μｅ、Br/Bm、μｍおよびHcと比べて略同じレベル
か、稍々高い値を示している。つまり本発明によれば、
比較合金と同じ特性を得るのに磁気焼鈍温度を約100℃
低温化することができることを理解し得る。

本発明によるものは、上記した実施例の製造方法のみで
なく、溶解・溶製し、薄鋳板に鋳造し、鋳造のまま又は
熱間加工後および又は脱スケールし、冷延加工、焼鈍し
ても良い。

熱間加工に代えて又は冷延加工の高能率化のために温間
加工を施しても良い。

但し表面性状、板厚形状、寸法精度が要求される場合
は、最終溶製の前に冷延加工を施した方が好ましい。

更に、１回の冷延加工に代えて冷延加工、再結晶焼鈍
（例えば800℃以上）、冷延加工を繰りかえしても良
い。

以上のような製造方法であっても、本発明の範囲内であ
ればほぼ同等のものが得られる。

「発明の効果」以上説明したような本発明によるときは、Ni−Fe系の高
透磁率磁性合金における磁気特性を適切に改善し、特に
直流および低周波域での透磁率などの磁気特性およびシ
ールド性能、更には交流透磁率が従来におけるPCパーマ
ロイの如きに比し飛躍的に優れた高透磁率磁気合金を提
供せしめ、従来におけるより更にシールド特性の要求さ
れる各種磁器シールド材や磁気ヘッドケース、コア類、
さらには磁器増幅器、パルス変圧器などの非線形応用に
用いられる材料などに広く採用せしめ得、更には従来と
同じレベルの要求特性を得るための磁気焼鈍温度を相当
に低温化することを可能とし、又、歪による特性劣化も
小さく、シールドルームのような構造部材とした際にお
いても所要の磁気特性を発揮せしめ、加うるに熱間加工
性も良好なことから製造時における歩留まりを高くする
ことができるなどの効果を有しており、近時におけるエ
レクトロニクス産業の要請に対して適切に即応し得るも
のであるから工業的にその効果の大きい発明である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ni:77.5〜79.5wt％、Mo:3.8〜4.6wt％、 Cu:1.8〜2.5wt％、Mn:0.1〜1.10wt％、 Si:0.2〜1.0wt％、P:0.010wt％未満、 S:0.0020wt％以下、O:0.0030wt％以下、 N:0.0010wt％以下、C:0.020wt％以下を含有し、かつＢをの範囲内で含有し、残部が基本的にFeからなり、しかもNi、Mo、Cu、Mn、Feが（但し〔〕内はwt％）を満たす範囲でそれぞれ含有されたことを特徴とするNi
−Fe系高透磁率磁性合金。
【請求項２】請求項１に記載の成分組成を有し、かつ磁
気焼鈍後でオーステナイト粒界おおよびその近傍でのＢ
量が10〜50atm％であることを特徴とするNi−Fe系高透
磁率磁性合金。