JPH07101598B2 - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
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- JPH07101598B2 JPH07101598B2 JP61149553A JP14955386A JPH07101598B2 JP H07101598 B2 JPH07101598 B2 JP H07101598B2 JP 61149553 A JP61149553 A JP 61149553A JP 14955386 A JP14955386 A JP 14955386A JP H07101598 B2 JPH07101598 B2 JP H07101598B2
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- JP
- Japan
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- intermediate layer
- layer
- amorphous
- selenium
- image pickup
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
-
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- H01J29/39—Charge-storage screens
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Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非晶質半導体材料を使用した光電変換素子を
有する撮像デバイスに係り、特にテレビカメラ等に使用
される撮像管に関する。
有する撮像デバイスに係り、特にテレビカメラ等に使用
される撮像管に関する。
水素を含む非晶質シリコン（以下ａ−Si:Hと記す）は、
光電変換効率が高く吸収した光のほとんどすべてを電気
信号に変換する、結晶半導体の場合と同様に不純物ドー
ピングが可能である、種々の基板の上に低温で膜堆積が
できるなどの特徴をもつ非晶質半導体材料である。この
ような利点を生かした各種デバイスが提案されており、
とくに撮像デバイスに関しては、特公昭57−046224号に
記載されているようにａ−Si:Hを光電変換膜に用いた撮
像管は、可視光域で高い感度を持ち、解像度が高く、低
残像で、長時間静止画面を撮影した後にイメージが焼き
つく現象も無く、耐熱性も高いなどのすぐれた特性を持
つことが確かめられている。
光電変換効率が高く吸収した光のほとんどすべてを電気
信号に変換する、結晶半導体の場合と同様に不純物ドー
ピングが可能である、種々の基板の上に低温で膜堆積が
できるなどの特徴をもつ非晶質半導体材料である。この
ような利点を生かした各種デバイスが提案されており、
とくに撮像デバイスに関しては、特公昭57−046224号に
記載されているようにａ−Si:Hを光電変換膜に用いた撮
像管は、可視光域で高い感度を持ち、解像度が高く、低
残像で、長時間静止画面を撮影した後にイメージが焼き
つく現象も無く、耐熱性も高いなどのすぐれた特性を持
つことが確かめられている。
しかし、従来のａ−Si:H撮像管では走査電子ビームを70
0〜1000V程度以上の高電圧で加速して動作させると、感
度が低下し暗電流が増加するなど特性が変化することが
発明者らによって見出された。その状況を第３図に示
す。
0〜1000V程度以上の高電圧で加速して動作させると、感
度が低下し暗電流が増加するなど特性が変化することが
発明者らによって見出された。その状況を第３図に示
す。
以前発明者らは、この現象はａ−Si:Hを使用した太陽電
池でも観測される、強い光を照射した時に生ずる光電変
換効率低下現象と同一の現象ではないかと考え、撮像管
内部で走査電子ビームがメッシュ状の加速電極に衝突す
る際に発生する軟Ｘ線に着目した。そして、特開昭59−
98236号公報に記載されているようにメッシュ状電極の
表面を炭素やベリリウム等で被覆することで、特性変化
の進行を抑える方法を発明した。
池でも観測される、強い光を照射した時に生ずる光電変
換効率低下現象と同一の現象ではないかと考え、撮像管
内部で走査電子ビームがメッシュ状の加速電極に衝突す
る際に発生する軟Ｘ線に着目した。そして、特開昭59−
98236号公報に記載されているようにメッシュ状電極の
表面を炭素やベリリウム等で被覆することで、特性変化
の進行を抑える方法を発明した。
しかし、この場合は特殊なメッシュを使用しなければな
らないという制約に加えて、ａ−Si:H光導電膜自体には
何の工夫も加えられていないため、監視用カメラなどの
ように非常に長時間連続使用する用途の場合には特性変
化が無視できない場合があった。本発明の目的はａ−S
i:H光導電膜におけるすぐれた特長をそこなうことなし
に、上記欠点を解消し、特性が安定した撮像デバイスを
提供することにある。
らないという制約に加えて、ａ−Si:H光導電膜自体には
何の工夫も加えられていないため、監視用カメラなどの
ように非常に長時間連続使用する用途の場合には特性変
化が無視できない場合があった。本発明の目的はａ−S
i:H光導電膜におけるすぐれた特長をそこなうことなし
に、上記欠点を解消し、特性が安定した撮像デバイスを
提供することにある。
上記目的は、光電変換部をａ−Si:Hと、セレン（Se）を
主体とする非晶質カルコゲナイド材料との積層構造にす
ることにより達成される。
主体とする非晶質カルコゲナイド材料との積層構造にす
ることにより達成される。
ａ−Si:Hは、光吸収係数が大きく、しかも膜形成条件や
水素含有量によって光学的バンドギャップ幅を調節でき
るので、薄い膜で効率よく信号光を吸収させることがで
きる。たとえば可視光波長域の信号光を取り扱う場合、
ａ−Si:Hの光学的バンドギャップ幅を1.7eV程度に選べ
ば、ａ−Si:Hの膜厚は0.5μｍ程度で十分となる。ま
た、ａ−Si:Hは光電変換効率が高いので、したがって、
入射した光信号のほとんどすべてを吸収して効率よく光
キャリアに変換することがでる。
水素含有量によって光学的バンドギャップ幅を調節でき
るので、薄い膜で効率よく信号光を吸収させることがで
きる。たとえば可視光波長域の信号光を取り扱う場合、
ａ−Si:Hの光学的バンドギャップ幅を1.7eV程度に選べ
ば、ａ−Si:Hの膜厚は0.5μｍ程度で十分となる。ま
た、ａ−Si:Hは光電変換効率が高いので、したがって、
入射した光信号のほとんどすべてを吸収して効率よく光
キャリアに変換することがでる。
一方非晶質Seはａ−Si:Hよりも正孔の走行性が良好で、
誘電率ならびに暗時の導電率も低い。さらに、軟Ｘ線や
放射線を良く吸収するがそれによる損傷を受けにくく、
また、蒸着により低温で膜堆積できるので、ａ−Si:H上
に堆積する場合下地のａ−Si:Hに損傷を与える心配はな
い。
誘電率ならびに暗時の導電率も低い。さらに、軟Ｘ線や
放射線を良く吸収するがそれによる損傷を受けにくく、
また、蒸着により低温で膜堆積できるので、ａ−Si:H上
に堆積する場合下地のａ−Si:Hに損傷を与える心配はな
い。
以上に述べた理由により、光入射側がａ−Si:Hを主体と
する薄膜からなり、電子ビームで走査して信号を読み取
る側が非晶質Seを主体とする膜からなる多重積層構造の
光電変換部とすることにより、両者の特徴を生かした従
来にないすぐれた特性を有する撮像管ターゲットが実現
できる。
する薄膜からなり、電子ビームで走査して信号を読み取
る側が非晶質Seを主体とする膜からなる多重積層構造の
光電変換部とすることにより、両者の特徴を生かした従
来にないすぐれた特性を有する撮像管ターゲットが実現
できる。
第１図は本発明による撮像管の光電変換部の説明図であ
る。図中１は平坦かつ透明なガラス面板、２は透明導電
膜である。透明導電膜としては、酸化スズもしくは酸化
インジウムスズ等の酸化物や、極めて薄い透光性金属蒸
着薄膜が適当である。３は透明電極側から光導電膜側へ
正孔が流れ込むことを阻止し、暗電流を低く抑えるとと
もに光応答特性を向上させる働きをする正孔ブロック層
であり、４はａ−Si:H光導電膜、５はSeを主体とする非
晶質カルコゲナイド層である。６は電子ビームのランデ
ィングを円滑にする機能の他に、Seを主体とする非晶質
カルコゲナイト層への走査電子の注入を阻止する働きも
する層で、通常三硫化アンチモンなどの多孔質膜が用い
られる。
る。図中１は平坦かつ透明なガラス面板、２は透明導電
膜である。透明導電膜としては、酸化スズもしくは酸化
インジウムスズ等の酸化物や、極めて薄い透光性金属蒸
着薄膜が適当である。３は透明電極側から光導電膜側へ
正孔が流れ込むことを阻止し、暗電流を低く抑えるとと
もに光応答特性を向上させる働きをする正孔ブロック層
であり、４はａ−Si:H光導電膜、５はSeを主体とする非
晶質カルコゲナイド層である。６は電子ビームのランデ
ィングを円滑にする機能の他に、Seを主体とする非晶質
カルコゲナイト層への走査電子の注入を阻止する働きも
する層で、通常三硫化アンチモンなどの多孔質膜が用い
られる。
ａ−Si:H光導電膜に対する正孔ブロック層としては、燐
などのドナ不純物を添加したａ−Si:H、正孔に対して大
きなポテンシャル障壁を示す非晶質窒化シリコンのよう
な材料、酸化シリコンなど絶縁物の100Å程度の極薄膜
などが適当である。
などのドナ不純物を添加したａ−Si:H、正孔に対して大
きなポテンシャル障壁を示す非晶質窒化シリコンのよう
な材料、酸化シリコンなど絶縁物の100Å程度の極薄膜
などが適当である。
ａ−Si:Hの厚さは使用するカメラの用途に対応した波長
の光を吸収できるように、ａ−Si:Hの吸収率に基いて設
定すればよく、通常は0.1〜１μｍの範囲が望ましい。
非晶質カルコゲナイド層の厚さは１〜10μｍ程度で、速
い光応答特性が必要な場合は厚くするほど光電変換部全
体の静電容量が小さくなるので有利である。また、軟Ｘ
線を十分吸収させるためには少くとも１μｍの厚さが必
要である。
の光を吸収できるように、ａ−Si:Hの吸収率に基いて設
定すればよく、通常は0.1〜１μｍの範囲が望ましい。
非晶質カルコゲナイド層の厚さは１〜10μｍ程度で、速
い光応答特性が必要な場合は厚くするほど光電変換部全
体の静電容量が小さくなるので有利である。また、軟Ｘ
線を十分吸収させるためには少くとも１μｍの厚さが必
要である。
本発明を撮像管光電変換部に用い、ガラス面板側から光
を入射すると、光信号のほとんどはａ−Si:H層内で吸収
され光キャリアに変換される。撮像管では、正孔が透明
電極側から電子ビーム走査側へむかって流れる方向に電
圧を印加して動作させる。したがって、ａ−Si:H内で発
生した光キャリアのうち、電子は電子走行性のよいａ−
Si:H層内を透明電極側に向って流れ、正孔は正孔走行性
の良い非晶質Se層中を電子ビーム走査側に向って流れる
ことになる。
を入射すると、光信号のほとんどはａ−Si:H層内で吸収
され光キャリアに変換される。撮像管では、正孔が透明
電極側から電子ビーム走査側へむかって流れる方向に電
圧を印加して動作させる。したがって、ａ−Si:H内で発
生した光キャリアのうち、電子は電子走行性のよいａ−
Si:H層内を透明電極側に向って流れ、正孔は正孔走行性
の良い非晶質Se層中を電子ビーム走査側に向って流れる
ことになる。
上記構造を採用することにより、入射した光信号をａ−
Si:Hの高い光電変換効率を生かしながら極めて効率よく
電気信号として取り出しうるので、本発明では高い感度
が得られ、しかも電子銃内で発生した放射線は非晶質Se
に吸収されるため特性劣化が抑えられる。撮像管では、
電子ビームで走査する周期の間、光信号によって発生し
た正孔を蓄積しつづける必要があるが、本発明では光信
号による電荷パターンが高抵抗の非晶質Se部分を介して
蓄積されるので電荷の拡散が起こりにくく、高い解像度
の画像が得られる。また、非晶質Seはａ−Si:Hより誘電
率が小さいので、ａ−Si:H単独の場合にくらべて光導電
膜の静電容量を小さくすることができ、速い光応答特性
を得たい時に有利である。
Si:Hの高い光電変換効率を生かしながら極めて効率よく
電気信号として取り出しうるので、本発明では高い感度
が得られ、しかも電子銃内で発生した放射線は非晶質Se
に吸収されるため特性劣化が抑えられる。撮像管では、
電子ビームで走査する周期の間、光信号によって発生し
た正孔を蓄積しつづける必要があるが、本発明では光信
号による電荷パターンが高抵抗の非晶質Se部分を介して
蓄積されるので電荷の拡散が起こりにくく、高い解像度
の画像が得られる。また、非晶質Seはａ−Si:Hより誘電
率が小さいので、ａ−Si:H単独の場合にくらべて光導電
膜の静電容量を小さくすることができ、速い光応答特性
を得たい時に有利である。
以上述べたように、本発明は、撮像管の光電変換部をａ
−Si:Hと非晶質カルコゲナイト材料との積層構造にする
ことが本質であり、さらに本発明を効果的ならしむるた
めに、たとえば、ａ−Si:H光導電層４に0.5〜数百ppm程
度のIII族またはＶ族元素を添加してキャリアの走行性
を改善したり、非晶質Se中に結晶化を抑制する作用をも
つ砒素などを数％混合する場合も本発明の一実施形態で
ある。
−Si:Hと非晶質カルコゲナイト材料との積層構造にする
ことが本質であり、さらに本発明を効果的ならしむるた
めに、たとえば、ａ−Si:H光導電層４に0.5〜数百ppm程
度のIII族またはＶ族元素を添加してキャリアの走行性
を改善したり、非晶質Se中に結晶化を抑制する作用をも
つ砒素などを数％混合する場合も本発明の一実施形態で
ある。
また、ａ−Si:H光導電層４と非晶質Se層５の間に、エネ
ルギバンド構造あるいは電界強度を変化させた中間層７
を介在させて、ａ−Si:H層から非晶質Se層への光キャリ
アの受け渡しをより円滑ならしむることで、本発明は一
層効果を発揮する。第２図に中間層を含む場合の構造を
示す。
ルギバンド構造あるいは電界強度を変化させた中間層７
を介在させて、ａ−Si:H層から非晶質Se層への光キャリ
アの受け渡しをより円滑ならしむることで、本発明は一
層効果を発揮する。第２図に中間層を含む場合の構造を
示す。
中間層に関し、エネルギバンドを変化させるためには、
テトラヘドラル系非晶質材料ではゲルマニウム、炭素、
スズ、窒素などをシリコンに混入して組成変化させる方
法がよく、非晶質Se系材料ではビスマス、カドミウムも
しくはそれらのカルコゲン化物、テルル、スズなどを混
合する方法が効果的である。
テトラヘドラル系非晶質材料ではゲルマニウム、炭素、
スズ、窒素などをシリコンに混入して組成変化させる方
法がよく、非晶質Se系材料ではビスマス、カドミウムも
しくはそれらのカルコゲン化物、テルル、スズなどを混
合する方法が効果的である。
また、膜中の電界強度を変化させるには、非晶質テトラ
ヘドラル系材料にIII族、Ｖ族などの伝導型を変調でき
る物質を微量添加したり、Se系材料に砒素、ゲルマニウ
ム、アンチモン、インジウム、ガリウムまたはそれらの
カルコゲン化物、硫黄、塩素、ヨウ素、臭素、酸化銅、
酸化インジウム、酸化セレン、五酸化バナジウム、酸化
モリブデン、酸化タングステン、弗化ガリウム、弗化イ
ンジウムなど負の空間電荷を形成する不純物を添加する
方法が効果的である。
ヘドラル系材料にIII族、Ｖ族などの伝導型を変調でき
る物質を微量添加したり、Se系材料に砒素、ゲルマニウ
ム、アンチモン、インジウム、ガリウムまたはそれらの
カルコゲン化物、硫黄、塩素、ヨウ素、臭素、酸化銅、
酸化インジウム、酸化セレン、五酸化バナジウム、酸化
モリブデン、酸化タングステン、弗化ガリウム、弗化イ
ンジウムなど負の空間電荷を形成する不純物を添加する
方法が効果的である。
以下、本発明を実施例により説明する。実施例の濃度は
重量比で記載してある。
重量比で記載してある。
実施例１ 透明かつ導電性の酸化スズ膜を堆積したガラス面板上
に、反応性スパッタリング法、あるいはモノシラン、ジ
シラン等の原料ガスをプラズマ放電や熱、光などによっ
て分解重合する方法で、酸化シリコン膜100Å、ボロン
を5ppm含む膜厚0.1〜１μｍのａ−Si:H膜を順次堆積す
る。
に、反応性スパッタリング法、あるいはモノシラン、ジ
シラン等の原料ガスをプラズマ放電や熱、光などによっ
て分解重合する方法で、酸化シリコン膜100Å、ボロン
を5ppm含む膜厚0.1〜１μｍのａ−Si:H膜を順次堆積す
る。
引き続き、ａ−Si:H光導電膜上に、砒素を２％含むSe層
を６μｍ蒸着し、さらに、蒸着装置内に不活性ガスを導
入した状態で三硫化アンチモンを500Å蒸着する。
を６μｍ蒸着し、さらに、蒸着装置内に不活性ガスを導
入した状態で三硫化アンチモンを500Å蒸着する。
このようにして形成した光電変換部を電子銃を組み込ん
だガラス管に接着、真空排気および封止を行ない、撮像
管を得る。
だガラス管に接着、真空排気および封止を行ない、撮像
管を得る。
上記撮像管を、透明電極側を電子銃のカソードに対して
＋200V印加して動作させると、４μｍの厚さのａ−Si:H
光導電膜を使用した場合と同等の感度が得られ、連続１
万時間動作後も感度低下や暗電流増加などの特性劣化は
観測されなかった。
＋200V印加して動作させると、４μｍの厚さのａ−Si:H
光導電膜を使用した場合と同等の感度が得られ、連続１
万時間動作後も感度低下や暗電流増加などの特性劣化は
観測されなかった。
実施例２ 実施例１と同様に、ガラス面板上に、透明電極、酸化シ
リコンからなる正孔ブロック層、ａ−Si:H光導電層を堆
積し、そらに、中間層として、砒素を20％含むSeを300
Å蒸着、引き続き砒素を２％含むSeを４μｍ蒸着後、多
孔質三硫化アンチモン層600Å蒸着する。
リコンからなる正孔ブロック層、ａ−Si:H光導電層を堆
積し、そらに、中間層として、砒素を20％含むSeを300
Å蒸着、引き続き砒素を２％含むSeを４μｍ蒸着後、多
孔質三硫化アンチモン層600Å蒸着する。
このような構造を採用することにより、撮像管の感度を
十分引き出すのに必要が印加電圧は100V程度でよくな
り、しかも実施例１と同様の安定した特性が得られた。
十分引き出すのに必要が印加電圧は100V程度でよくな
り、しかも実施例１と同様の安定した特性が得られた。
実施例３ 実施例１と同様の透明電極、正孔ブロック層、ａ−Si:H
光導電膜を堆積し、次に中間層としてボロンを5ppm添加
したａ−Si:Hを200Å、燐を100ppm添加したａ−Si:Hを5
0Å順次積層する。その上に砒素を２％含むSe層を６μ
ｍ堆積し、最後に三硫化アンチモンから成るビームラン
ディグ層を形成する。
光導電膜を堆積し、次に中間層としてボロンを5ppm添加
したａ−Si:Hを200Å、燐を100ppm添加したａ−Si:Hを5
0Å順次積層する。その上に砒素を２％含むSe層を６μ
ｍ堆積し、最後に三硫化アンチモンから成るビームラン
ディグ層を形成する。
このような撮像管では、感度引き出しに必要な印加電圧
は80Vでよく、しかも実施例１と同様の安定した特性が
得られた。
は80Vでよく、しかも実施例１と同様の安定した特性が
得られた。
実施例４ 実施例１と同様の透明電極、正孔ブロック層、ａ−Si:H
光導電膜を堆積し、次に中間層として、テルルを30％含
むSeを200Å、砒素濃度が膜堆積とともに20％から２％
まで順次減少する組成分布をもつSeを500Å積層する。
その上に砒素を２％含むSe層を６μｍ堆積し、最後に三
硫化アンチモンから成るビームランディング層を形成す
る。
光導電膜を堆積し、次に中間層として、テルルを30％含
むSeを200Å、砒素濃度が膜堆積とともに20％から２％
まで順次減少する組成分布をもつSeを500Å積層する。
その上に砒素を２％含むSe層を６μｍ堆積し、最後に三
硫化アンチモンから成るビームランディング層を形成す
る。
このうよな撮像管では、感度引き出しに必要な印加電圧
は50Vでよく、安定した特性が得られた。
は50Vでよく、安定した特性が得られた。
以上本発明によれば、従来のａ−Si:H撮像管がもつ高感
度、高解像度などの特長は生かしたままで、欠点であっ
た特性劣化現象を抑制できる。
度、高解像度などの特長は生かしたままで、欠点であっ
た特性劣化現象を抑制できる。
第１図は本発明の一実施例の撮像管光電変換部の断面
図、第２図は本発明で中間層を有する場合の断面図、第
３図は従来のａ−Si:H撮像管を連続動作させた場合の特
性変化を示す図である。 １…ガラス面板、２…透明導電層、３…正孔ブロック
層、４…ａ−Si:H光導電層、５…非晶質カルコゲナイド
層、６…電子ビームランディング層、７…中間層。
図、第２図は本発明で中間層を有する場合の断面図、第
３図は従来のａ−Si:H撮像管を連続動作させた場合の特
性変化を示す図である。 １…ガラス面板、２…透明導電層、３…正孔ブロック
層、４…ａ−Si:H光導電層、５…非晶質カルコゲナイド
層、６…電子ビームランディング層、７…中間層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高崎 幸男 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 平井 忠明 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 辻 和隆 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 牧島 達男 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 松原 宏和 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 鮫島 賢二 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 山崎 順一 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 谷岡 健吉 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 小杉 美津男 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 設楽 圭一 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 河村 達郎 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 晝間 栄久 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 山下 孝 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−262348（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−201257（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−193489（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】光信号を電気信号に変換する機能をもつ光
電変換部分、および電子ビーム発生、偏向、集束機能を
もつ電子銃部分を具備する撮像管において、該光電変換
部分が、少くとも透明導電膜、シリコンを主体とする非
晶質層、中間層およびセレンを主体とする非晶質層を順
次積層した構造であり、前記中間層は前記シリコンを主
体とする非晶質層へのシリコン以外の元素の添加により
形成された第１の中間層、あるいは前記セレンを主体と
する非晶質層へのセレン以外の物質の添加により形成さ
れた第２の中間層、もしくは、該第１の中間層と該第２
の中間層の両者の積層体で構成されており、かつ前記各
非晶質層間のエネルギバンド構造あるいは電界強度を変
化させて、前記シリコンを主体とする非晶質層から前記
セレンを主体とする非晶質層への光キャリアの受け渡し
を円滑ならしむるものであることを特徴とする撮像管。 - 【請求項２】前記中間層は前記第１の中間層あるいは前
記第１の中間層と前記第２の中間層の両者の積層体で構
成されており、前記第１の中間層の添加元素はゲルマニ
ウム、炭素、窒素、スズ、III族元素、およびＶ族元素
からなる群の中から選ばれた少なくとも１種であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の撮像管。 - 【請求項３】前記第２の中間層の添加物質はビスマス、
カドミウム、およびビスマスまたはカドミウムのカルコ
ゲン化物、テルル、スズ、砒素、ゲルマニウム、アンチ
モン、インジウム、ガリウム、および砒素、ゲルマニウ
ム、アンチモン、インジウムまたはガリウムのカルコゲ
ン化物、硫黄、塩素、ヨウ素、臭素、酸化銅、酸化イン
ジウム、酸化セレン、五酸化バナジウム、酸化モリブデ
ン、酸化タングステン、弗化ガリウムおよび弗化インビ
ジウムからなる群の中から選ばれた少なくとも１種であ
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の撮像管。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149553A JPH07101598B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 撮像管 |
| EP87305562A EP0251647B1 (en) | 1986-06-27 | 1987-06-23 | Target of image pickup tube |
| DE8787305562T DE3784790T2 (de) | 1986-06-27 | 1987-06-23 | Target fuer bildaufnahmeroehre. |
| KR1019870006578A KR910000904B1 (ko) | 1986-06-27 | 1987-06-27 | 촬상관의 타기트 |
| US07/067,229 US4900975A (en) | 1986-06-27 | 1987-06-29 | Target of image pickup tube having an amorphous semiconductor laminate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149553A JPH07101598B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 撮像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636729A JPS636729A (ja) | 1988-01-12 |
| JPH07101598B2 true JPH07101598B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=15477677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149553A Expired - Lifetime JPH07101598B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 撮像管 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4900975A (ja) |
| EP (1) | EP0251647B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07101598B2 (ja) |
| KR (1) | KR910000904B1 (ja) |
| DE (1) | DE3784790T2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065223A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-14 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像装置およびその製造方法 |
| US5892222A (en) * | 1996-04-18 | 1999-04-06 | Loral Fairchild Corporation | Broadband multicolor photon counter for low light detection and imaging |
| SE0103740D0 (sv) * | 2001-11-08 | 2001-11-08 | Forskarpatent I Vaest Ab | Photovoltaic element and production methods |
| US7022910B2 (en) * | 2002-03-29 | 2006-04-04 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes |
| US20070251570A1 (en) * | 2002-03-29 | 2007-11-01 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes |
| EP1606846B1 (en) * | 2003-03-24 | 2010-10-27 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cell with mesh electrode |
| US20070224464A1 (en) * | 2005-03-21 | 2007-09-27 | Srini Balasubramanian | Dye-sensitized photovoltaic cells |
| EP1780802B1 (en) * | 2005-11-01 | 2012-03-28 | Fujifilm Corporation | X-ray radiation image detector based on amorphous selen |
| US20070193621A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-08-23 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells |
| JP5649954B2 (ja) * | 2007-04-02 | 2015-01-07 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 光起電力セルとして構成される物品 |
| JP2009182095A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5246772B2 (ja) * | 1973-05-21 | 1977-11-28 | ||
| JPS56103477A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Hitachi Ltd | Photoelectric conversion element |
| JPS56132750A (en) * | 1980-03-24 | 1981-10-17 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter and manufacture |
| JPS56152280A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Hitachi Ltd | Light receiving surface |
| EP0309000B1 (en) * | 1981-07-17 | 1992-10-14 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Amorphous semiconductor and amorphous silicon photovoltaic device |
| JPS58194231A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-12 | Hitachi Ltd | 撮像管 |
| JPS62262348A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61149553A patent/JPH07101598B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-23 EP EP87305562A patent/EP0251647B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-23 DE DE8787305562T patent/DE3784790T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-27 KR KR1019870006578A patent/KR910000904B1/ko not_active Expired
- 1987-06-29 US US07/067,229 patent/US4900975A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR880001026A (ko) | 1988-03-31 |
| EP0251647A2 (en) | 1988-01-07 |
| US4900975A (en) | 1990-02-13 |
| EP0251647B1 (en) | 1993-03-17 |
| DE3784790T2 (de) | 1993-06-24 |
| EP0251647A3 (en) | 1989-10-18 |
| DE3784790D1 (de) | 1993-04-22 |
| KR910000904B1 (ko) | 1991-02-12 |
| JPS636729A (ja) | 1988-01-12 |
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