JPH07101795A

JPH07101795A - 液相エピタキシャル成長用ボ−トおよび成長方法

Info

Publication number: JPH07101795A
Application number: JP27308393A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Haneki; 良明羽木
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1993-10-04
Filing date: 1993-10-04
Publication date: 1995-04-18

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】成長毎に原料を廃棄せず、原料純化のための
べ−キングを不要にし、原料コストを大幅に低減し製造
時間を著しく短縮できる液相エピタキシャル成長装置の
治具を提供する。【構成】複数の溶液溜が連続して設けられ、連結離脱
可能な基板保持部Ｘを溶液溜の数より一個多く連結し、
溶液溜の下にスライドさせる。最初の溶液原料の充填時
のみベ−キングして原料溶液Ｌを純化する。全体の温度
を下げながら、基板保持部Ｘを少しずつ移動させて基板
Ｗ上に各薄膜を形成することにより、溶液溜の数だけの
基板に同時にエピタキシャル成長が可能である。基板を
引出した１番目の基板保持部Ｘ_１を取外して、最後の基
板保持部Ｘ_３の後尾に連結する。その基板保持部の穴Ｚ
に基板を入れる。減少した分だけ原料を補充し純化はせ
ず、第２回目のエピタキシャル成長を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、化合物半導体の液相
エピタキシャル成長用治具、およびこれを用いた成長方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、スライド法による液相エピタキシ
ャル成長法は、図６、図７に示すような構造のボ−トを
用いて行なわれていた。これは例えば特開平３−４５２
１号などに記載がある。溶液溜Ｓは細長い厚みのある板
であり、等間隔に開口部Ｒが設けられている。開口部Ｒ
はウエハの形状寸法に合わせた形状の穴である。開口部
Ｒに成長原料となる溶液Ｌが収容されている。溶液溜Ｓ
の直ぐ下には、スライダ（基板保持部）Ｙがある。スラ
イダＹの端には浅い基板穴Ｚがありここに基板Ｗが収め
られる。底板Ｂは溶液溜Ｓと一体になっている。溶液溜
と底板の間の空隙をスライダＹが滑動する。溶液溜、基
板保持部（スライダ）、底板の全体をボ−トと呼ぶこと
もある。

【０００３】溶液を入れる個々の穴を溶液溜ということ
もあるが、ここでは個々の溶液空間は開口と呼び、開口
のまとまった組を溶液溜ということにする。つまり一つ
の溶液溜は、１個あるいは複数の開口を持つ。

【０００４】ボ−トの全体を徐冷しながら、スライダＹ
を移動させ、基板Ｗを一番左の溶液Ｌに接触させる。所
定の時間接触状態を保つ。基板Ｗの上にこの成分の薄膜
が所望の厚みだけ成長する。ついでスライダを動かし、
２番目の溶液Ｌに基板を接触させる。一定の時間接触状
態を保持する。この成分の薄膜が成長する。このように
順次基板を異なる溶液に接触させることにより、複数の
異なる薄膜をエピタキシャル成長することができる。図
６は２番目の溶液の上を液体カプセル剤Ｃで覆ってい
る。これは揮発性の原料等を扱う場合に、原料の蒸発を
防ぐためである。図７は溶液を入れる開口に蓋を設けた
ものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のスライド法によ
る液相エピタキシャル成長法は次の前処理を行なってい
た。つまり、エピタキシャル成長の前に、溶液と一部の
溶質を溶液溜に収容した状態で水素雰囲気で高温に保ち
ベ−キングを行う。これは原料の純化のためである。原
料純化の後、それらの溶液にド−パントを含めたその他
の溶質を投入する。この後基板保持部に基板を収容し、
ボ−トを昇温する。所定温度で基板保持部をスライドさ
せ降温させながら、順次薄膜をスライド成長させてゆ
く。

【０００６】従来の液相エピタキシャル成長の方法で
は、製品を取り出した後は、原料溶液を廃棄し、治具を
スライド前の状態に戻し、再び溶液の純化から行なう必
要があった。毎回材料を大量に浪費するのでコスト高に
なる。特に高価なＧａ溶液を使う場合、材料的な要因で
非常なコスト高になっていた。また純化工程を毎回行な
うので、製造時間が長くかかるという問題があった。

【０００７】構造的な問題もある。従来の方式では、一
体ものの基板保持部（スライダ）を使用していた。この
ために一度に処理できる基板の枚数が制限される。同時
に処理できる基板の数を増やすためには基板保持部を長
くする必要がある。しかし長大な基板保持部を用いる
と、基板の投入、製品の取出しの際の取り扱いが極めて
困難である。基板交換のためにスライダ全体を引き出さ
なければならず、エピタキシャル装置の内部空間は、基
板保持部の２倍の長さが必要だからである。このような
問題が液相エピタキシャル成長法の量産性を更に高める
上で問題になっている。本発明はこのような問題を解決
し、コストと製造時間を削減でき、より量産性の高い液
相エピタキシャル成長装置と方法を提供する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の液相エピタキシ
ャル成長法は、基板交換のための開口を有する複数の溶
液溜と、これより一つ多い基板保持部を用い、成長時に
は複数の基板保持部を連結して溶液溜の下に通し、複数
枚の基板を基板保持部に収容して成長を行い、成長が終
了した時、溶液溜の開口を通して製品を取出し、基板保
持部の最前の一部を切り離し、この基板保持部を最後の
基板保持部に連結し、溶液溜の基板交換のための開口を
通して、新たに基板を収容し、再びエピタキシャル成長
を行う。原料溶液は廃棄せず連続して利用する。

【０００９】

【作用】複数の溶液溜（Ｍ個）を用いる。溶液溜は互い
に直線上に連結される。これより一つ多い基板保持部
（Ｍ＋１個）を連結したものを全体的なスライダとして
用いる。Ｍ＋１個の基板保持部は着脱が自在であるよう
に連結される。基板保持部は溶液溜の下の通し穴に差し
込まれている。溶液溜の組に１、２、…、Ｍと番号を付
ける。溶液溜は不動である。その下にある基板保持部に
も１、２、…、Ｍ、Ｍ＋１と番号を付ける。初めは、Ｋ
番目の溶液溜の下にＫ番目の基板保持部が位置するよう
にする。

【００１０】複数の溶液溜のそれぞれの開口（溶液溜）
に所定の溶液と一部の原料を入れる。溶液と原料を入れ
た最初の工程に続いて原料の高温純化処理を行なう。こ
れは水素を流しながら、全体を加熱し高温にすることに
よって行なう。純化処理の後、残りの原料を各溶液溜に
収容する。こうしてＭ個の溶液溜のすべての開口に、溶
液と原料、ド−パント等が収容されたことになる。Ｍ個
の溶液溜と、Ｍ＋１個の基板保持部があるが、このうち
１、２、…、Ｍ番目の基板保持部の基板穴に基板を入れ
る。最後の基板保持部には基板を入れない。Ｋ番目の基
板保持部は、Ｋ番目の溶液溜の下面に接触しているから
この状態から温度を少しずつ下げながらエピタキシャル
成長を始める。

【００１１】基板保持部を前後に連結したスライダを溶
液溜の距離ずつ動かして各溶液溜と接触させ、薄膜を順
次成長させる。スライダが溶液溜の組一つ分だけ動いた
ときに、一つのエピタキシャル工程が終わる。Ｍ枚の基
板の上にエピタキシャル成長がなされたことになる。基
板を溶液溜の溶液の内開口部へもってゆき、基板（製
品）を取り外す。Ｍ枚の製品が得られる。

【００１２】この状態では第１番目の基板保持部は、溶
液溜の外に出ている。第１番目の基板保持部をスライダ
から取り外す。取り外した基板保持部を、最終のＭ＋１
番目の基板保持部の後に持ってきてこれにつなぐ。つま
りスライダは基板保持部１つ分しか移動しない。この状
態では、Ｋ番目の溶液溜に、Ｋ＋１番目の基板保持部が
接触している。２番〜Ｍ＋１番の基板保持部の基板穴に
基板を入れる。最終のＭ＋２番目には基板を入れない。
これで最初の成長の前と同じ状態に戻る。

【００１３】ここで溶液、原料を捨てない。同じ原料、
溶液を繰り返し利用する。ここが重要である。同じ原
料、溶液を使うので原料を極めて有効に利用できる。コ
スト的に極めて有利である。また廃棄された溶液の処理
のコストも低減される。従来の方法と違い、引き続き同
じ原料を使うので、この工程の最初に原料の純化を行な
わなくても良い。

【００１４】本発明は純化工程を省いて直ぐに２回目の
エピタキシャル成長を行なう。スライダを動かして、溶
液溜開口の溶液に基板を接触させる。この成長により、
Ｋ番目の溶液溜が、Ｋ＋１番目の基板保持部の基板に薄
膜を形成することになる。２回目のエピタキシャル成長
が終わると、２番目の基板保持部は、溶液溜の組から引
き出されている。Ｍ枚の製品ができるのでこれらの製品
を取り出す。

【００１５】Ｋ番めの溶液溜の下には、Ｋ＋２番目の基
板保持部がある。引き出された２番めの基板保持部をス
ライダから取り外す。これを最終の１番目の基板保持部
のあとにつなぐ。前からＭ個の各基板保持部（３番〜１
番）の基板穴に基板を入れる。溶液の純化は行なわな
い。こうして同じ手法で、３回目の成長を行なうことが
できる。

【００１６】もちろんエピタキシャル成長により原料が
少しづつ減ってゆくので、微量の原料を少しづつ追加す
る必要がある。原料補給は各回数毎にしてもよいし、複
数回毎にしても良い。原料補給の時は純化処理はしな
い。

【００１７】原料純化についてさらに説明する。例え
ば、基板をＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓとし、成長すべき薄
膜を同じＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓとすると、溶液溜に収
容する溶液はＧａとなり、原料はＡｌ，Ａｓとなる。こ
の場合Ｇａが非常に高価であり、Ｇａの高純度化に長時
間を要する。毎回純化をすると極めて長い時間が掛か
る。しかし本発明は２回目から純化処理をしないので、
純化のための費用と時間を著しく削減できるのである。

【００１８】毎回溶液を捨てる事無く引き続き使用する
から、原料コストが大幅に削減される。また２回目以降
は純化処理をせず、成長を順次連続的に行なうことがで
きるので製造時間も著しく短縮される。

【００１９】さらに、設備の熱環境、駆動系の許すかぎ
り多くの基板保持部、多くの溶液溜を連結、連続させて
設けることにより、一回の成長で多くの製品（Ｍ枚）を
製造できる。この面でも生産性が向上する。連続して成
長する時に、溶液回収の必要がなく、長いスライダも短
い単位の基板保持部を連結しており、最初の一つを分離
して最後のものにつなげれば良いのであるから、作業性
が良い。大量生産に極めて都合の良い構成になってい
る。量産性において優れた発明である。

【００２０】

【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図１〜図４に本発明の治具の構造と成長方法を示す。図
１は最初の配置である。これは複数の基板保持部、溶液
溜を直列に並べたものである。繰り返しの基本形を図５
に示す。実際に図５のような短いボ−トを用いる訳では
ない。これを複数個連結する。図１〜図４において、平
坦な底板Ｂはこの上にスライダを滑動させるための板で
ある。これはその上に複数の溶液溜Ｓ₁ 、Ｓ₂ を保持す
る作用もある。この例では溶液溜の数は２（Ｍ＝２）で
あるがこれは最小の例である。一般に、溶液溜の数は２
以上であって装置や駆動系の許すかぎり多い方が良い。

【００２１】溶液溜Ｓ１は、３つの開口Ｒとより大きい
無蓋開口部Ｖを持つ。開口Ｒは上下に貫通する穴であ
る。形状は基板の形状に等しい。開口Ｒの数は液相エピ
タキシャル成長の目的により増減する。開口Ｒに溶液Ｌ
を入れて蓋Ｈをする。溶液溜Ｓ１の開口を前からＲ₁₁、
Ｒ₁₂、Ｒ₁₃とする。これらに収容される溶液をＬ₁₁、Ｌ
₁₂、Ｌ₁₃とする。これを覆う蓋はＨ₁₁、Ｈ₁₂、Ｈ₁₃であ
る。無蓋開口部Ｖ₁ は基板をだしいれするための縦穴で
ある。

【００２２】溶液溜Ｓ₂ も同じ構造である。開口Ｓ₂₁、
Ｓ₂₂、Ｓ₂₃に、溶液Ｌ₂₁、Ｌ₂₂、Ｌ₂₃が収容される。蓋
Ｈ₂₁、Ｈ₂₂、Ｈ₂₃がこれらを被蓋する。開口の後に基板
出入のための無蓋開口部Ｖがある。溶液溜Ｓ₁ と溶液溜
Ｓ₂ は互いに前後に連続している。これらは底板Ｂの上
に固定される。底板Ｂと溶液溜Ｓ₁ 、Ｓ₂ の間には狭い
前後方向に開いた通し穴Ｐがある。通し穴Ｐには、スラ
イダＹが水平に通るようになっている。

【００２３】スライダは複数の基板保持部Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、
Ｘ₃ を前後に連結したものである。この連結は着脱でき
る。基板保持部の長さは、溶液溜の長さに等しい。最初
の基板保持部Ｘ₁ の先端は引き出し部Ｑに連結してい
る。基板保持部Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、Ｘ₃ は後に基板穴Ｚ₁ 、Ｚ
₂ 、Ｚ₃ を有する。これにはエピタキシャル成長させる
べき基板Ｗ₁ 、Ｗ₂ を収容する。ここで注意すべきこと
は、溶液溜よりも、基板保持部が一つ多く、底板Ｂも溶
液溜の寸法よりも溶液溜一つ分長いということである。
スライダの全長が底板Ｂに等しいようになっている。

【００２４】図１の配置で溶液溜の開口に溶液と一部の
原料を入れて、水素ガスを流し加熱して、純化処理をす
る。そして残りの原料を溶液溜の開口に入れる。純化処
理は最初の１回だけ行なう。図１が成長の前の状態を示
す図である。Ｚ₁ 、Ｚ₂ に基板を入れて成長を開始す
る。引き出し部Ｑを引き基板保持部を動かす。基板Ｗ₁
は開口Ｒ₁₃の下に、基板Ｗ₂ は開口Ｒ₂₃の下に来る。こ
こで所定の時間止めておき、第１層の薄膜を成長させ
る。次に引き出し部Ｑを操作して、スライダＱを開口一
つ分だけ動かす。

【００２５】基板Ｗ₁ は開口Ｒ₁₂の下に、基板Ｗ₂ は開
口Ｒ₂₂の下に来る。ここで第２層を形成する。次にさら
にスライダを動かして、Ｗ₁ 、Ｗ₂ が、開口Ｒ₁₃、Ｒ₂₃
の下へくるようにする。ここで第３層の成長を行なう。
全ての成長を終えると、スライダをさらに前進させて、
Ｗ₁ が前に出るようにする。図２は成長の終わった状態
を示す。Ｗ₂ は第１の基板保持部Ｘ₁ の無蓋開口部Ｖ₁
にある。成長の終わった基板Ｗ₁ 、Ｗ₂ を取り出す。次
に図３に示すように、基板保持部Ｘ₁ を引き出し部Ｑと
Ｘ₂ から外す。

【００２６】これを図３に示すように、後方へ運び、基
板保持部Ｘ₂ の後に連結する。図４に示す状態になる。
基板保持部Ｘ₂ 、Ｘ₃ 、Ｘ₁ がこの順にならんでいる。
Ｘ₂、Ｘ₃ の基板穴Ｚ₂ 、Ｚ₃ が溶液溜Ｓ₁ 、Ｓ₂ の無
蓋開口部Ｖ₁ 、Ｖ₂ の位置にある。基板穴Ｚ₂ 、Ｚ₃ に
新しい基板を入れる。この時必要であれば原料を微少量
補充する。図４は図１と同じ状態になる。再びエピタキ
シャル成長をする。以下同様に繰り返す。これによっ
て、何回でも引き続き液相エピタキシャル成長を行なう
ことができる。

【００２７】［実施例］このボ−トを用いてＡｌＧａＡ
ｓのエピタキシャル成長を行なった。溶液溜に収容した
ものは、Ｇａ溶液、ＧａＡｓ多結晶、ド−パントとして
のＺｎ、Ｔｅなどである。表１に溶液溜毎の材料、成長
開始温度、成長終了温度等を示す。溶液溜の寸法は６０
ｍｍ×３５０ｍｍ×２０ｍｍ（厚さ）である。基板保持
部の寸法は６０ｍｍ×３５０ｍｍ×１０ｍｍ（厚さ）で
ある。

【００２８】

【表１】

【００２９】第１回目の成長の際は、溶液溜Ｓ₁ 、Ｓ₂
にＧａと、ＧａＡｓを入れ、これらを１０００℃で２４
時間、水素雰囲気で純化処理を行なった。純化処理の
後、各溶液溜の各開口に所定の量のＡｌとド−パント
（Ｚｎ、Ｔｅ）を投入した。

【００３０】そして３つ連結した基板保持部の前のふた
つＸ₁ 、Ｘ₂ の基板穴Ｚ₁ 、Ｚ₂ にＧａＡｓ基板Ｗ₁ 、
Ｗ₂ を収容した。治具全体を水素雰囲気で昇温し、９５
０℃にして数時間保持した。

【００３１】この後連結された基板保持部をスライドさ
せて、各基板Ｗ₁ 、Ｗ₂ を最初の開口Ｒ₁₃、Ｒ₂₃の溶液
Ｌ₁₃、Ｌ₂₃に接触させた。１℃／分の降温レ−トで第１
層ＡｌＧａＡｓの成長を行なった。開始温度が９５０℃
で終了温度が９００℃であるから、この成長に５０分掛
かる。

【００３２】スライダを動かして、基板Ｗ₁ 、Ｗ₂ が２
番目の開口Ｒ₁₂、Ｒ₂₂の溶液に接触するようにした。こ
こでも降温レ−トは同じく１℃／分である。成長開始温
度が９００℃で終了温度が８９９℃であるので、１分だ
けの成長である。

【００３３】スライダをさらに動かして基板Ｗ₁ 、Ｗ₂
が、第３開口Ｒ₁₁、Ｒ₂₁に接触するようにする。ここで
も降温レ−トは１℃／分である。９９分の成長で８９９
℃から８００℃まで降温する。３層のエピタキシ−を行
なった。成長終了後、スライダをさらに前進させる。図
２の状態になる。基板保持部の基板穴からエピタキシャ
ルウエハを取り出す。

【００３４】図３のように第１の基板保持部Ｘ₁ を取り
外す。これを最後尾のＸ₃ の後に持ってきてここに連結
する。基板保持部Ｘ₂ 、Ｘ₃ の基板穴Ｚ₂ 、Ｚ₃ に新し
い基板を入れる。１回の成長で材料が少し減少している
ので、溶液溜の各開口に表２のように原料と溶液を補充
した。

【００３５】

【表２】

【００３６】この後第２回目のエピタキシャル成長を行
なった。ただし原料の純化処理は行なわない。成長開始
温度、降温レ−ト、成長終了温度は前回と同じである。
スライダを順次動かして成長を行なう。前回と同じよう
にして、Ｘ₂ 、Ｘ₃ において、基板２枚のエピタキシャ
ル成長を行なうことができた。

【００３７】次に３度目の成長を行なうが、この場合も
同様の操作をする。基板保持部Ｘ₂を取り外して最後尾
のＸ₁ の後に連結する。基板保持部Ｘ₃ 、Ｘ₁ の基板穴
に基板を入れる。表２に示すように原料を少し追加す
る。原料純化をせず、直ぐに液相エピタキシャル成長を
開始する。このようにして３回の成長を連続して行なう
ことができる。

【００３８】Ｇａ溶液は補充しないので全体としても６
００ｇしか消費していない。また３回の製造に費やされ
た時間は４８時間であった。［比較例１］比較のため、ふたつ分の溶液溜と、一体と
なった２つ分の基板保持部を用いた成長を行なった。一
体型の治具により、同じ溶液、原料を使って、ＧａＡｓ
ウエハの上に同じ３層の薄膜を成長させた。基板保持部
が分割されていないので、図５の治具を前後に二つ結合
したような配置になる。同じエピタキシャル成長を３回
行なった。

【００３９】成長の度に溶液を捨てるので、全体として
１８００ｇのＧａが消費された。本発明では全体として
６００ｇしかＧａを使わない。また製造時間は、１２０
時間必要であった。本発明は時間的にも有利であること
がわかる。

【００４０】この例では、基板保持部が３、溶液溜が２
である。しかしこれらの数はより多くすることができ
る。溶液溜の数Ｍ、基板保持部の数Ｍ＋１の装置を用い
れば、Ｍ枚の基板を一度にエピタキシャル成長させるこ
とができる。本発明の治具は、溶液溜の最初の位置に基
板を出し入れするための無蓋開口部Ｖがあるので、スラ
イダの動く範囲は常に溶液溜の一つ分の距離にすぎな
い。ために装置の空間的な制限があっても、本発明の治
具を運動させることは容易である。

【００４１】従来の治具は、溶液溜と、基板保持部を複
数個Ｍ連結すると、基板の取出しのためにスライダの全
体を引き出さなければならない。溶液溜毎に基板を取り
出すための無蓋開口部Ｖがないからである。つまりスラ
イダは基板保持部のＭ個分の距離を動く。すると、エピ
タキシャル装置は少なくとも２Ｍ個分の広さを持ってい
なければならない。本発明の場合はＭ＋１個分の広さが
あれば良い。より狭い空間でもより多くの枚数の基板を
同時に処理できる。

【００４２】

【発明の効果】本発明の液相エピタキシャル成長装置
は、複数の基板保持部を着脱可能に連結して、これより
一つ少ない溶液溜の下をスライドさせてエピタキシャル
成長させる。１回の成長が終わると先頭の基板保持部を
取り外して後へ回し、これを最後尾の基板保持部に連結
し、基板穴に基板を装着して次回の成長を引き続き行な
うことができる。連続して成長を行なうことができるの
で、毎回溶液と原料を廃棄する必要がない。したがって
原料の損耗分だけを補給すれば良い。これにより溶液や
原料の無駄を省くことができる。特に高価なＧａ溶液を
使用するＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系のエピタキシャル
成長に用いると極めて有利である。

【００４３】また毎回溶液や原料を全部交換するのでは
ないので、ベ−キングは最初の１回だけで済む。原料の
純化処理も１回だけで良いので全体としての製造時間を
短縮することができる。原料、製造時間の削減によりコ
ストを著しく低減できる。

【００４４】成長設備の許すかぎり、溶液溜、基板保持
部をできるだけ沢山連結し、１回当たりのエピタキシャ
ル成長ウエハの数を増やことができる。このようにして
も、基板保持部は分割できるので、取り扱いが不便には
ならない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液相エピタキシャル成長装置において
成長の前における治具構造を示す断面図。

【図２】本発明の液相エピタキシャル成長装置において
成長の後における治具構造を示す断面図。

【図３】エピタキシャル成長の後、最前の治具を取り外
し最後の治具の後に接続した状態を示す断面図。

【図４】新たな基板を挿入し、原料を補充した状態を示
す断面図。

【図５】従来例に係る液相エピタキシャル成長装置の治
具の断面図。

【図６】他の従来例に係る液相エピタキシャル成長装置
の治具の断面図。

【図７】他の従来例に係る液相エピタキシャル成長装置
の治具の断面図。

【符号の説明】

Ｓ溶液溜Ｘ基板保持部ＹスライダＺ基板穴Ｒ開口Ｌ溶液Ｂ底板Ｖ無蓋開口部Ｐ通し穴Ｑ引き出し部Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】水平に伸びる底板と、溶液と原料を収容
すべき１以上の開口と基板を交換すべき一つの開口を持
ち連続して底板の上に設けられる複数の溶液溜と、基板
を収容すべき基板穴を有し着脱自在に互いに連結して設
けられる溶液溜より一つ多い基板保持部と、連結されて
いる基板保持部を底板と溶液溜の間の空隙に通して移動
させる引き出し部とを含み、溶液溜の開口には溶液と原
料を収容し、基板保持部を少しずつ移動させて、複数の
基板の上に原料の薄膜を形成するようにし、薄膜形成
後、基板を直接に或いは基板交換用の開口を通して基板
穴から取り出し、最先の基板保持部を取り外して最後の
基板保持部につなぎ、新しい基板を基板交換用の開口か
ら基板穴に入れて、次回のエピタキシャル成長を行なう
ことができるようにした事を特徴とする液相エピタキシ
ャル成長用ボ−ト。
【請求項２】水平に伸びる底板と、溶液と原料を収容
すべき１以上の開口と基板を交換すべき一つの開口を持
ち連続して底板の上に設けられる二つの溶液溜と、基板
を収容すべき基板穴を有し着脱自在に互いに連結して設
けられる三つの基板保持部と、連結されている基板保持
部を底板と溶液溜の間の空隙に通して移動させる引き出
し部とを含み、溶液溜の開口には溶液と原料を収容し、
基板保持部を少しずつ移動させて、複数の基板の上に原
料の薄膜を形成するようにし、薄膜形成後、基板を直接
に或いは基板交換用の開口を通して基板穴から取り出
し、最先の基板保持部を取り外して最後の基板保持部に
つなぎ、新しい基板を基板交換用の開口から基板穴に入
れて、次回のエピタキシャル成長を行なうことができる
ようにした事を特徴とする液相エピタキシャル成長用ボ
−ト。
【請求項３】水平に伸びる底板と、溶液と原料を収容
すべき１以上の開口と基板を交換すべき一つの開口を持
ち連続して底板の上に設けられる複数の溶液溜と、基板
を収容すべき基板穴を有し着脱自在に互いに連結して設
けられる溶液溜より一つ多い基板保持部と、連結されて
いる基板保持部を底板と溶液溜の間の空隙に通して移動
させる引き出し部とを含む液相エピタキシャル成長装置
を用い、最初の成長においては、溶液溜の開口には溶液
と一部の原料を収容し、水素雰囲気で高温に保持して原
料を純化処理し、基板保持部を少しずつ移動させて、複
数の基板の上に原料の薄膜を形成し、薄膜形成後、基板
を直接に或いは基板交換用の開口を通して基板穴から取
り出し、最先の基板保持部を取り外して最後の基板保持
部につなぎ、新しい基板を基板交換用の開口から各基板
保持部の基板穴に入れて、溶液溜の開口の溶液を入れ替
えず、原料の純化処理を行なうことなく、次回のエピタ
キシャル成長を行なうようにした事を特徴とする液相エ
ピタキシャル成長方法。
【請求項４】水平に伸びる底板と、溶液と原料を収容
すべき１以上の開口と基板を交換すべき一つの開口を持
ち連続して底板の上に設けられる複数の溶液溜と、基板
を収容すべき基板穴を有し着脱自在に互いに連結して設
けられる溶液溜より一つ多い基板保持部と、連結されて
いる基板保持部を底板と溶液溜の間の空隙に通して移動
させる引き出し部とを含む液相エピタキシャル成長装置
を用い、最初の成長においては、溶液溜の開口には溶液
と一部の原料を収容し、水素雰囲気で高温に保持して原
料を純化処理し、基板保持部を少しずつ移動させて、複
数の基板の上に原料の薄膜を形成し、薄膜形成後、基板
を直接に或いは基板交換用の開口を通して基板穴から取
り出し、最先の基板保持部を取り外して最後の基板保持
部につなぎ、新しい基板を基板交換用の開口から各基板
保持部の基板穴に入れて、溶液溜の開口の溶液を入れ替
えず、原料の純化処理を行なうことなく、消費した原料
分を溶液溜の開口に補充し、次回のエピタキシャル成長
を行なうようにした事を特徴とする液相エピタキシャル
成長方法。
【請求項５】基板がＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓであ
り、溶液溜の開口に収容する溶液がＧａであり、Ｇａ溶
液は原料としてＡｓとＡｌを含むことを特徴とする請求
項３または４に記載の液相エピタキシャル成長方法。