JPH0428678B2 - - Google Patents
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- JPH0428678B2 JPH0428678B2 JP58157626A JP15762683A JPH0428678B2 JP H0428678 B2 JPH0428678 B2 JP H0428678B2 JP 58157626 A JP58157626 A JP 58157626A JP 15762683 A JP15762683 A JP 15762683A JP H0428678 B2 JPH0428678 B2 JP H0428678B2
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- Japan
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- crystal
- growth
- raw material
- crystal growth
- tank
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/062—Vertical dipping system
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
［発明の背景と目的］
本発明は液相エピタキシヤル結晶成長装置に係
り、特に浸漬法による連続液相エピタキシヤル結
晶成長装置の改良に関するものである。 従来の液相エピタキシヤル結晶成長方法は、第
１図に示すスライドボード法による液相結晶成長
方法のように、結晶成長炉１を加熱ヒータ２で加
熱し、結晶成長炉１内にはガス流入口３から不活
性ガスを導入し、ガス流出口４から排出させて、
結晶成長炉１内の溶液槽５内の半導体成分の飽和
成長用溶液６内に基板７を浸漬した後、成長用溶
液６の温度を徐冷することにより基板７上に過飽
和の半導体成分を晶出させる方法であつた。な
お、８は熱電対である。したがつて、基板７上の
液相成長層の厚さ方向では成長温度が徐々に変化
するため、不純物あるいは原子の偏析係数が変化
して均一な特性を有する結晶成長層ができないと
いう欠点があつた。また、一回の結晶成長により
結晶成長できるエピタキシヤル基板の枚数は１枚
程度であり、さらに結晶成長は昇温→徐冷→降温
→サンプル取り出しなどといつた操作が必要であ
り、極めて煩雑な温度プロセスおよび操作が必要
であり、また、一回あたりの時間が非常に長く、
量産化が困難であるという欠点があつた。 なお、量産性を向上させるため、複数個並べた
結晶成長容器内の成長用溶液に、移動可能な軸に
取り付けた基板を順次浸漬して、多層結晶を成長
させる方法が提案されている（特開昭50−39875
号公報）。この方法では、成長用溶液に原料結晶
が存在していたのでは、微小な原料結晶が基板表
面に付着したり、成長した層の厚さのバラツキが
大きいなど良好なエピタキシヤル成長はできない
ため、原料結晶を完全に溶解させておかなければ
ならない。しかし、成長用溶液に入れた原料結晶
や原料結晶と混晶を形成する混晶用原料を全て溶
解させてしまう方法では、これら原料を極めて正
確に秤量することが困難なために、同一の温度で
同一の飽和度及び混晶比を成長毎に再現すること
は不可能であり、同じ結晶成長容器で得られるエ
ピタキシヤル成長層の膜厚及び混晶比を各成長毎
に同じにすることは不可能である。また、成長に
より析出した結晶の量と同じ量の結晶を原料溶液
へ補充することは不可能であるため、この方法で
は、一回の成長毎に原料溶液を交換しなければな
らなかつた。 本発明は上記に鑑みなされたもので、その目的
とするところは、連続して所望の膜厚及び所望の
混晶比を有する成長層を再現性よく短時間で大量
に得ることができ、更に成長溶液に原料を補充し
たり或いは成長用溶液を一回の成長毎に交換した
りする必要のない量産性に優れた液相エピタキシ
ヤル成長装置を提供することにある。 ［発明の概要］ 本発明の特徴は、不活性ガス置換を行う第１の
ガス置換室と、該第１のガス置換室の後段に順次
直列に配置された複数の結晶成長炉と、該結晶成
長炉内に加熱する加熱ヒータと、前記結晶成長炉
に置かれた成長用溶液を収容するための結晶成長
容器と、前記結晶成長炉の後段に設けられた第２
のガス置換室と、基板を取り付けた基板ケースを
前記第１のガス置換室から前記第２のガス置換室
まで搬送する手段とを備え、前記結晶成長容器
は、前記基板ケースが前記成長用溶液中に浸漬さ
れる結晶成長槽と、前記結晶成長槽と連通して前
記原料溶液が満たされかつ原料結晶及び該原料結
晶との組合わせにより混晶結晶を形成する混晶用
原料をそれぞれ収容するための原料結晶溶解槽及
び混晶用原料溶解槽と、前記原料結晶溶解槽を加
熱して前記原料結晶を溶解し前記成長用溶液の飽
和度を調節する第１ヒータと、前記混晶原料溶解
槽を加熱して前記混晶用原料を溶解し前記成長用
溶液から得られる混晶結晶の混晶比を調節する第
２ヒータとを備えていることにある。 ［実施例］ 以下本発明を第２図、第３図に示した実施例お
よび第４図、第５図を用いて詳細に説明する。 第２図は本発明の装置の一実施例を示す正面図
で、第３図は第２図の各結晶成長容器の一実施例
を示す縦断面図である。第２図において、９ａ，
９ｂはそれぞれガス流入口１０ａ，１０ｂ、ガス
流出口１１ａ，１１ｂを有するガス置換室で、ガ
ス置換室９ａには基板搬入口１２ａ、基板搬出口
１２ｂがある。１３ａ，１３ｂ，１３ｃはそれぞ
れガス流入口１４ａ，１４ｂ，１４ｃガス流出口
１５ａ，１５ｂ，１５ｃを設けてある結晶成長炉
で、結晶成長炉１３ａ，１３ｂ，１３ｃはそれぞ
れ加熱ヒータ１６ａ，１６ｂ，１６ｃで加熱でき
るようになつている。 結晶成長炉１３ａ，１３ｂ，１３ｃ内にはそれ
ぞれ結晶成長容器１７ａ，１７ｂ，１７ｃが収納
してあり、これらの結晶成長容器１７ａ〜１７ｃ
（１７で示す）は、第３図に示すように構成して
ある。第３図において、１８は結晶成長槽、１９
は原料結晶溶解槽、２０は混晶用原料溶解槽で、
原料結晶溶解槽１９と混晶用原料溶解槽２０とは
それぞれ図示のように結晶成長槽１８と連通させ
て、各槽内に成長用溶液を満たすようにしてあ
る。２１は原料結晶溶解加熱ヒータ（第１ヒー
タ）、２２は混晶用原料溶解槽加熱ヒータ（第２
ヒータ）であり、後述するようにそれぞれ独立し
て温度制御可能である。 なお、結晶成長容器１７ａと１７ｂとの間には
仕切り２３があり、結晶成長容器１７ｂと１７ｃ
との間には仕切り２４がある。２５はガス流入口
２６、ガス流出口２７を有するガス置換室で、２
８は基板搬出口である。 結晶成長炉１３ａ〜１３ｂは第２図に示すよう
に直列に多段に配列してあり、基板２９は基板ケ
ース３０に設置してあり、基板搬送架線３１によ
つてガス置換室９ａの基板搬入口１２ａよりガス
置換室９ａ内に搬入され、ガス置換室９ａ，９ｂ
を通過後、結晶成長炉１３ａ，１３ｂ，１３ｃを
通過し、ガス置換室２５を通過後基板搬出口２８
より取り出される。 この場合、結晶成長炉１３ａ〜１３ｃはそれぞ
れ加熱ヒータ１６ａ〜１６ｃで加熱されて、第４
図に示すように、それぞれ目的に合つた温度プロ
フアイルを持つている。 結晶成長容器１７ａ〜１７ｃは、よく洗滌した
長さ20cm、高さ８cmの良質のグラフアイトボート
よりなり、結晶成長槽１８は幅８cm、原料結晶溶
解槽１９は幅５cm、混晶用原料溶解槽２０は幅４
cmの大きさとなつている。 第１表は各結晶成長容器１７ａ〜１７ｃの結晶
成長槽１８、混晶結晶溶解槽１９、混晶用原料溶
解槽２０の温度と上記各槽内の溶質を表に示した
ものである。
り、特に浸漬法による連続液相エピタキシヤル結
晶成長装置の改良に関するものである。 従来の液相エピタキシヤル結晶成長方法は、第
１図に示すスライドボード法による液相結晶成長
方法のように、結晶成長炉１を加熱ヒータ２で加
熱し、結晶成長炉１内にはガス流入口３から不活
性ガスを導入し、ガス流出口４から排出させて、
結晶成長炉１内の溶液槽５内の半導体成分の飽和
成長用溶液６内に基板７を浸漬した後、成長用溶
液６の温度を徐冷することにより基板７上に過飽
和の半導体成分を晶出させる方法であつた。な
お、８は熱電対である。したがつて、基板７上の
液相成長層の厚さ方向では成長温度が徐々に変化
するため、不純物あるいは原子の偏析係数が変化
して均一な特性を有する結晶成長層ができないと
いう欠点があつた。また、一回の結晶成長により
結晶成長できるエピタキシヤル基板の枚数は１枚
程度であり、さらに結晶成長は昇温→徐冷→降温
→サンプル取り出しなどといつた操作が必要であ
り、極めて煩雑な温度プロセスおよび操作が必要
であり、また、一回あたりの時間が非常に長く、
量産化が困難であるという欠点があつた。 なお、量産性を向上させるため、複数個並べた
結晶成長容器内の成長用溶液に、移動可能な軸に
取り付けた基板を順次浸漬して、多層結晶を成長
させる方法が提案されている（特開昭50−39875
号公報）。この方法では、成長用溶液に原料結晶
が存在していたのでは、微小な原料結晶が基板表
面に付着したり、成長した層の厚さのバラツキが
大きいなど良好なエピタキシヤル成長はできない
ため、原料結晶を完全に溶解させておかなければ
ならない。しかし、成長用溶液に入れた原料結晶
や原料結晶と混晶を形成する混晶用原料を全て溶
解させてしまう方法では、これら原料を極めて正
確に秤量することが困難なために、同一の温度で
同一の飽和度及び混晶比を成長毎に再現すること
は不可能であり、同じ結晶成長容器で得られるエ
ピタキシヤル成長層の膜厚及び混晶比を各成長毎
に同じにすることは不可能である。また、成長に
より析出した結晶の量と同じ量の結晶を原料溶液
へ補充することは不可能であるため、この方法で
は、一回の成長毎に原料溶液を交換しなければな
らなかつた。 本発明は上記に鑑みなされたもので、その目的
とするところは、連続して所望の膜厚及び所望の
混晶比を有する成長層を再現性よく短時間で大量
に得ることができ、更に成長溶液に原料を補充し
たり或いは成長用溶液を一回の成長毎に交換した
りする必要のない量産性に優れた液相エピタキシ
ヤル成長装置を提供することにある。 ［発明の概要］ 本発明の特徴は、不活性ガス置換を行う第１の
ガス置換室と、該第１のガス置換室の後段に順次
直列に配置された複数の結晶成長炉と、該結晶成
長炉内に加熱する加熱ヒータと、前記結晶成長炉
に置かれた成長用溶液を収容するための結晶成長
容器と、前記結晶成長炉の後段に設けられた第２
のガス置換室と、基板を取り付けた基板ケースを
前記第１のガス置換室から前記第２のガス置換室
まで搬送する手段とを備え、前記結晶成長容器
は、前記基板ケースが前記成長用溶液中に浸漬さ
れる結晶成長槽と、前記結晶成長槽と連通して前
記原料溶液が満たされかつ原料結晶及び該原料結
晶との組合わせにより混晶結晶を形成する混晶用
原料をそれぞれ収容するための原料結晶溶解槽及
び混晶用原料溶解槽と、前記原料結晶溶解槽を加
熱して前記原料結晶を溶解し前記成長用溶液の飽
和度を調節する第１ヒータと、前記混晶原料溶解
槽を加熱して前記混晶用原料を溶解し前記成長用
溶液から得られる混晶結晶の混晶比を調節する第
２ヒータとを備えていることにある。 ［実施例］ 以下本発明を第２図、第３図に示した実施例お
よび第４図、第５図を用いて詳細に説明する。 第２図は本発明の装置の一実施例を示す正面図
で、第３図は第２図の各結晶成長容器の一実施例
を示す縦断面図である。第２図において、９ａ，
９ｂはそれぞれガス流入口１０ａ，１０ｂ、ガス
流出口１１ａ，１１ｂを有するガス置換室で、ガ
ス置換室９ａには基板搬入口１２ａ、基板搬出口
１２ｂがある。１３ａ，１３ｂ，１３ｃはそれぞ
れガス流入口１４ａ，１４ｂ，１４ｃガス流出口
１５ａ，１５ｂ，１５ｃを設けてある結晶成長炉
で、結晶成長炉１３ａ，１３ｂ，１３ｃはそれぞ
れ加熱ヒータ１６ａ，１６ｂ，１６ｃで加熱でき
るようになつている。 結晶成長炉１３ａ，１３ｂ，１３ｃ内にはそれ
ぞれ結晶成長容器１７ａ，１７ｂ，１７ｃが収納
してあり、これらの結晶成長容器１７ａ〜１７ｃ
（１７で示す）は、第３図に示すように構成して
ある。第３図において、１８は結晶成長槽、１９
は原料結晶溶解槽、２０は混晶用原料溶解槽で、
原料結晶溶解槽１９と混晶用原料溶解槽２０とは
それぞれ図示のように結晶成長槽１８と連通させ
て、各槽内に成長用溶液を満たすようにしてあ
る。２１は原料結晶溶解加熱ヒータ（第１ヒー
タ）、２２は混晶用原料溶解槽加熱ヒータ（第２
ヒータ）であり、後述するようにそれぞれ独立し
て温度制御可能である。 なお、結晶成長容器１７ａと１７ｂとの間には
仕切り２３があり、結晶成長容器１７ｂと１７ｃ
との間には仕切り２４がある。２５はガス流入口
２６、ガス流出口２７を有するガス置換室で、２
８は基板搬出口である。 結晶成長炉１３ａ〜１３ｂは第２図に示すよう
に直列に多段に配列してあり、基板２９は基板ケ
ース３０に設置してあり、基板搬送架線３１によ
つてガス置換室９ａの基板搬入口１２ａよりガス
置換室９ａ内に搬入され、ガス置換室９ａ，９ｂ
を通過後、結晶成長炉１３ａ，１３ｂ，１３ｃを
通過し、ガス置換室２５を通過後基板搬出口２８
より取り出される。 この場合、結晶成長炉１３ａ〜１３ｃはそれぞ
れ加熱ヒータ１６ａ〜１６ｃで加熱されて、第４
図に示すように、それぞれ目的に合つた温度プロ
フアイルを持つている。 結晶成長容器１７ａ〜１７ｃは、よく洗滌した
長さ20cm、高さ８cmの良質のグラフアイトボート
よりなり、結晶成長槽１８は幅８cm、原料結晶溶
解槽１９は幅５cm、混晶用原料溶解槽２０は幅４
cmの大きさとなつている。 第１表は各結晶成長容器１７ａ〜１７ｃの結晶
成長槽１８、混晶結晶溶解槽１９、混晶用原料溶
解槽２０の温度と上記各槽内の溶質を表に示した
ものである。
【表】
すなわち、原料結晶溶解槽１９にはソース結晶
（GaAsまたはｐ−GaAs）を入れておき、常に均
一な飽和溶液を供給するようにしている。また、
混晶用原料溶解槽２０には得ようとする混晶結晶
が例えばGaAlAs等の混晶の場合には、Alをいれ
て混晶結晶の組成を一定に保つよう目的の温度に
保持するようにする。なお、混晶用原料溶解槽２
０に原料を入れない場合にはその温度を特に制御
する必要はない。このようにした結晶成長容器１
７ａ〜１７ｃをそれぞれ結晶成長炉１３ａ〜１３
ｃ中に配置し、それぞれガス流入口１４ａ〜１４
ｃより不活性ガスを導入して炉内を不活性ガスで
置換後、各結晶成長炉１３ａ〜１３ｃの温度をそ
れぞれ第４図に示すような所定の温度に調整す
る。 このようにして、基板運搬架線３１によつて基
板ケース３０に設置された基板２９を、基板搬入
口１２ａから不活性ガスで置換されたガス置換室
９ａ内に搬入し、次に、仕切り板１２ｂを開けて
不活性ガスで置換されたガス置換室１３ｂ内に搬
入し、不活性ガスを充填後、結晶成長炉１３ａ〜
１３ｃ内の結晶成長容器１７ａ〜１７ｃの結晶成
長槽１８内に順次搬入し、結晶成長を行う。 なお、基板運搬架線３１は断続的に移動できる
ようになつており、各結晶成長槽１８内で所定の
時間結晶成長を行うことができるようにしてあ
る。 そして各結晶成長槽１８で結晶成長後、ガス置
換室２５に搬入してガス置換を行い、その後、基
板搬出口２８より結晶成長後の基板２９を外部に
取り出す。 次に、第５図に示すように例えばｎ−GaAs基
板２９にｎ−GaAs４１、ｐ−GaAs４２、ｐ−
GaAlAs４３を順次結晶成長させたものにｎ電極
４４，ｐ電極４５を取り付けることによつて太陽
電池を得ることができる。この太陽電池の効率は
12％であつた。 上記した本発明の実施例によれば、各結晶成長
炉１３ａ〜１３ｃの結晶成長容器１７ａ〜１７ｃ
の結晶成長槽１８、原料結晶溶解槽１９、混晶用
原料溶解槽２０にそれぞれ温度差をつけることが
でき、また、基板２９もしくはそれに結晶成長し
たものをバツチ式の結晶成長槽１８に順次浸漬す
ることにより、結晶成長の難しいものでも簡単に
再現性よく結晶成長を行うことができ、短時間で
大量に成長層の膜厚の均一な半導体液相エピタキ
シヤル結晶板を再現性良く得ることができる。特
に高効率の発光ダイオード、太陽電池等の組成の
異なる多層構造を有する結晶板を得る場合、従来
のスライドボード法に比べて工業上著しい効果が
ある。 また、結晶成長槽１８には原料結晶や混晶用原
料を入れていないため、それらが基板表面に付着
することはない。 更に、成長用溶液から析出した結晶の不足分
は、原料結晶溶解槽１９，混晶用原料溶解槽２０
から原料結晶，混晶用原料を溶かし込むことによ
り常に供給することができる。また、成長用溶液
を交換することなく連続使用が可能である。 なお、装置の各部の大きさ、材質等は適宜目的
に合うように選定することができ、また、不活性
ガスによるガス置換は、真空排気後行うようにし
てもよく、このようにすると酸素等の不純物ガス
が取り除かれるので好ましい。この場合、基板搬
送架線３１の移動が停止しているとき、真空シー
ルしてガス置換室９ａ，９ｂの真空排気を行うよ
うにすれば、容易に真空にすることができ、その
後不活性ガスあるいは還元性ガスを流すようにす
る。 ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、一回毎
の成長で原料の補充や成長用溶液の交換をするこ
となく、常に成長用溶液の飽和度を所定の状態に
設定できるため、連続して所望の膜厚の多層の成
長層を再現性よく短時間で大量に得ることができ
る。また、成長用溶液の混晶比を容易に所定の状
態に設定することが可能であるため、所望の混晶
比の混晶結晶を再現性良く連続エピタキシヤル成
長でき、特に高効率の発光ダイオード、太陽電池
等の組成の異なる多層構造を有する結晶板を得る
場合、工業上著しい効果がある。
（GaAsまたはｐ−GaAs）を入れておき、常に均
一な飽和溶液を供給するようにしている。また、
混晶用原料溶解槽２０には得ようとする混晶結晶
が例えばGaAlAs等の混晶の場合には、Alをいれ
て混晶結晶の組成を一定に保つよう目的の温度に
保持するようにする。なお、混晶用原料溶解槽２
０に原料を入れない場合にはその温度を特に制御
する必要はない。このようにした結晶成長容器１
７ａ〜１７ｃをそれぞれ結晶成長炉１３ａ〜１３
ｃ中に配置し、それぞれガス流入口１４ａ〜１４
ｃより不活性ガスを導入して炉内を不活性ガスで
置換後、各結晶成長炉１３ａ〜１３ｃの温度をそ
れぞれ第４図に示すような所定の温度に調整す
る。 このようにして、基板運搬架線３１によつて基
板ケース３０に設置された基板２９を、基板搬入
口１２ａから不活性ガスで置換されたガス置換室
９ａ内に搬入し、次に、仕切り板１２ｂを開けて
不活性ガスで置換されたガス置換室１３ｂ内に搬
入し、不活性ガスを充填後、結晶成長炉１３ａ〜
１３ｃ内の結晶成長容器１７ａ〜１７ｃの結晶成
長槽１８内に順次搬入し、結晶成長を行う。 なお、基板運搬架線３１は断続的に移動できる
ようになつており、各結晶成長槽１８内で所定の
時間結晶成長を行うことができるようにしてあ
る。 そして各結晶成長槽１８で結晶成長後、ガス置
換室２５に搬入してガス置換を行い、その後、基
板搬出口２８より結晶成長後の基板２９を外部に
取り出す。 次に、第５図に示すように例えばｎ−GaAs基
板２９にｎ−GaAs４１、ｐ−GaAs４２、ｐ−
GaAlAs４３を順次結晶成長させたものにｎ電極
４４，ｐ電極４５を取り付けることによつて太陽
電池を得ることができる。この太陽電池の効率は
12％であつた。 上記した本発明の実施例によれば、各結晶成長
炉１３ａ〜１３ｃの結晶成長容器１７ａ〜１７ｃ
の結晶成長槽１８、原料結晶溶解槽１９、混晶用
原料溶解槽２０にそれぞれ温度差をつけることが
でき、また、基板２９もしくはそれに結晶成長し
たものをバツチ式の結晶成長槽１８に順次浸漬す
ることにより、結晶成長の難しいものでも簡単に
再現性よく結晶成長を行うことができ、短時間で
大量に成長層の膜厚の均一な半導体液相エピタキ
シヤル結晶板を再現性良く得ることができる。特
に高効率の発光ダイオード、太陽電池等の組成の
異なる多層構造を有する結晶板を得る場合、従来
のスライドボード法に比べて工業上著しい効果が
ある。 また、結晶成長槽１８には原料結晶や混晶用原
料を入れていないため、それらが基板表面に付着
することはない。 更に、成長用溶液から析出した結晶の不足分
は、原料結晶溶解槽１９，混晶用原料溶解槽２０
から原料結晶，混晶用原料を溶かし込むことによ
り常に供給することができる。また、成長用溶液
を交換することなく連続使用が可能である。 なお、装置の各部の大きさ、材質等は適宜目的
に合うように選定することができ、また、不活性
ガスによるガス置換は、真空排気後行うようにし
てもよく、このようにすると酸素等の不純物ガス
が取り除かれるので好ましい。この場合、基板搬
送架線３１の移動が停止しているとき、真空シー
ルしてガス置換室９ａ，９ｂの真空排気を行うよ
うにすれば、容易に真空にすることができ、その
後不活性ガスあるいは還元性ガスを流すようにす
る。 ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、一回毎
の成長で原料の補充や成長用溶液の交換をするこ
となく、常に成長用溶液の飽和度を所定の状態に
設定できるため、連続して所望の膜厚の多層の成
長層を再現性よく短時間で大量に得ることができ
る。また、成長用溶液の混晶比を容易に所定の状
態に設定することが可能であるため、所望の混晶
比の混晶結晶を再現性良く連続エピタキシヤル成
長でき、特に高効率の発光ダイオード、太陽電池
等の組成の異なる多層構造を有する結晶板を得る
場合、工業上著しい効果がある。
第１図は従来のスライドボード法による液相結
晶成長方法を説明するための図、第２図は本発明
の液相エピタキシヤル結晶成長装置の一実施例を
示す正面図、第３図は第２図の各結晶成長容器の
一実施例を示す縦断面図、第４図は第２図の各結
晶成長炉の温度プロフアイルを示す線図、第５図
は本発明の装置によつて製造された結晶成長板を
用いた半導体装置の模式図である。 ９ａ，９ｂ，２５：ガス置換室、１３ａ〜１３
ｃ……結晶成長炉、１６ａ〜１６ｃ……加熱ヒー
タ、１７ａ〜１７ｃ……結晶成長容器、１８……
結晶成長槽、１９……原料結晶溶解槽、２０……
混晶用原料溶解槽、２１……原料結晶溶解槽加熱
ヒータ（第１ヒータ）、２２……混晶用原料溶解
槽加熱ヒータ（第２ヒータ）、２９……基板、３
０……基板ケース、３１……基搬搬送架線。
晶成長方法を説明するための図、第２図は本発明
の液相エピタキシヤル結晶成長装置の一実施例を
示す正面図、第３図は第２図の各結晶成長容器の
一実施例を示す縦断面図、第４図は第２図の各結
晶成長炉の温度プロフアイルを示す線図、第５図
は本発明の装置によつて製造された結晶成長板を
用いた半導体装置の模式図である。 ９ａ，９ｂ，２５：ガス置換室、１３ａ〜１３
ｃ……結晶成長炉、１６ａ〜１６ｃ……加熱ヒー
タ、１７ａ〜１７ｃ……結晶成長容器、１８……
結晶成長槽、１９……原料結晶溶解槽、２０……
混晶用原料溶解槽、２１……原料結晶溶解槽加熱
ヒータ（第１ヒータ）、２２……混晶用原料溶解
槽加熱ヒータ（第２ヒータ）、２９……基板、３
０……基板ケース、３１……基搬搬送架線。
Claims (1)
- １ 不活性ガス置換を行う第１のガス置換室と、
該第１のガス置換室の後段に順次直列に配置され
た複数の結晶成長炉と、該結晶成長炉内を加熱す
る加熱ヒータと、前記結晶成長炉に置かれた成長
用溶液を収容するための結晶成長容器と、前記結
晶成長炉の後段に設けられた第２のガス置換室
と、基板を取り付けた基板ケースを前記第１のガ
ス置換室から前記第２のガス置換室まで搬送する
手段とを備え、前記結晶成長容器は、前記基板ケ
ースが前記成長用溶液中に浸漬される結晶成長槽
と、前記結晶成長槽と連通して前記原料溶液が満
たされかつ原料結晶及び該原料結晶との組合わせ
により混晶結晶を形成する混晶用原料をそれぞれ
収容するための原料結晶溶解槽及び混晶用原料溶
解槽と、前記原料結晶溶解槽を加熱して前記原料
結晶を溶解し前記成長用溶液の飽和度を調節する
第１ヒータと、前記混晶原料溶解槽を加熱して前
記混晶用原料を溶解し前記成長用溶液から得られ
る混晶結晶の混晶比を調節する第２ヒータとを備
えていることを特徴とする基板上に連続的に多層
結晶を成長させる液相エピタキシヤル結晶成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15762683A JPS6051695A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 液相エピタキシャル結晶成長方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15762683A JPS6051695A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 液相エピタキシャル結晶成長方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6051695A JPS6051695A (ja) | 1985-03-23 |
| JPH0428678B2 true JPH0428678B2 (ja) | 1992-05-14 |
Family
ID=15653837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15762683A Granted JPS6051695A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 液相エピタキシャル結晶成長方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051695A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183275U (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-25 | ||
| JP4548031B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-09-22 | 株式会社島津製作所 | 結晶製造方法および結晶製造装置 |
| CN102732950B (zh) * | 2012-06-20 | 2015-04-15 | 常州天合光能有限公司 | 一种连续生长准单晶晶体的装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS569009B2 (ja) * | 1973-08-13 | 1981-02-26 | ||
| JPS515636A (en) * | 1974-07-04 | 1976-01-17 | Tokyo Gas Co Ltd | Ekitainenryono chitsusosankabutsuteihatsuseinenshohoho |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15762683A patent/JPS6051695A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6051695A (ja) | 1985-03-23 |
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