JPH07102003A - シクロデキストリン誘導体の製造方法 - Google Patents
シクロデキストリン誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH07102003A JPH07102003A JP25149893A JP25149893A JPH07102003A JP H07102003 A JPH07102003 A JP H07102003A JP 25149893 A JP25149893 A JP 25149893A JP 25149893 A JP25149893 A JP 25149893A JP H07102003 A JPH07102003 A JP H07102003A
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- Japan
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- cyclodextrin
- reaction
- cyanide
- derivative
- cyclodextrin derivative
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Abstract
(57)【要約】
【目的】シクロデキストリンのアシル化誘導体を、短時
間でしかも高収率で得ることができる方法を提供する。 【構成】シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘
導体に、アセチルシアナイド等の酸シアノ化物を反応さ
せてアシル化することを特徴とするシクロデキストリン
誘導体の製造方法。
間でしかも高収率で得ることができる方法を提供する。 【構成】シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘
導体に、アセチルシアナイド等の酸シアノ化物を反応さ
せてアシル化することを特徴とするシクロデキストリン
誘導体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシクロデキストリンのア
シル化誘導体の製造方法に関する。
シル化誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シクロデキストリン（以下場合によりＣ
Ｄと略記する）は分子内に疎水性の空洞を有し、外側は
親水性で水中油型ミセルに似た機能を示す化合物であ
る。このようなＣＤはその空洞径に応じて疎水性のゲス
ト分子を取り込み水溶液中で複合体を形成し、調整法に
よっては固体の包接化合物を単離することもできる。こ
の立体選択的な相互作用によりゲスト分子の物理化学的
性質を微妙に変化させることができるため、製剤への有
効利用が期待でき、各方面で種々に利用され、また利用
が図られている化合物である。
Ｄと略記する）は分子内に疎水性の空洞を有し、外側は
親水性で水中油型ミセルに似た機能を示す化合物であ
る。このようなＣＤはその空洞径に応じて疎水性のゲス
ト分子を取り込み水溶液中で複合体を形成し、調整法に
よっては固体の包接化合物を単離することもできる。こ
の立体選択的な相互作用によりゲスト分子の物理化学的
性質を微妙に変化させることができるため、製剤への有
効利用が期待でき、各方面で種々に利用され、また利用
が図られている化合物である。
【０００３】特にシクロデキストリンの２，３又は６位
の水酸基を部分的に残してなるか又は他の置換基に置換
せしめたシクロデキストリン誘導体の場合は、その水酸
基又は他の置換基との相互作用により包接能が大幅に変
化するため、ゲスト分子の種類、その物性を大きく変化
させうることが期待できる。従ってこのような水酸基を
他の置換基に置換せしめたシクロデキストリン誘導体に
ついて種々の研究がなされてきた。
の水酸基を部分的に残してなるか又は他の置換基に置換
せしめたシクロデキストリン誘導体の場合は、その水酸
基又は他の置換基との相互作用により包接能が大幅に変
化するため、ゲスト分子の種類、その物性を大きく変化
させうることが期待できる。従ってこのような水酸基を
他の置換基に置換せしめたシクロデキストリン誘導体に
ついて種々の研究がなされてきた。
【０００４】例えば、シクロデキストリンのアセチル化
誘導体としては、J.Carbohydr.Chem.,7 293-308(1988)
、Carbohydr.Res., 187 203-221(1989)の竹尾らの論
文や、Carbohydr.Res., 192 366-369(1989)の論文に詳
細に説明されている。また、ベンゾイル化誘導体として
は、Helv.Chim.Acta.,61 2190-2218(1978)の論文に記載
されている。
誘導体としては、J.Carbohydr.Chem.,7 293-308(1988)
、Carbohydr.Res., 187 203-221(1989)の竹尾らの論
文や、Carbohydr.Res., 192 366-369(1989)の論文に詳
細に説明されている。また、ベンゾイル化誘導体として
は、Helv.Chim.Acta.,61 2190-2218(1978)の論文に記載
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記論
文に説明されている方法を用いて合成した場合、反応温
度が高いため分解生成物が生じたり、反応系内が着色す
るなど問題がある。
文に説明されている方法を用いて合成した場合、反応温
度が高いため分解生成物が生じたり、反応系内が着色す
るなど問題がある。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであって、シクロデキストリンのアシル化を
低い温度で短時間でしかも高収率で得ることができる方
法を提供することを目的とする。
されたものであって、シクロデキストリンのアシル化を
低い温度で短時間でしかも高収率で得ることができる方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以下に本発明を更に具体
的に説明する。
的に説明する。
【０００８】本発明においてＣＤはｎが６のものをα−
ＣＤ、ｎが７のものをβ−ＣＤ、ｎが８のものをγ−Ｃ
Ｄという。
ＣＤ、ｎが７のものをβ−ＣＤ、ｎが８のものをγ−Ｃ
Ｄという。
【０００９】以下に本発明のＣＤ誘導体の具体的反応例
を示す。 ＜実施例１＞２，３−ジアセチル−β−ＣＤの合成
を示す。 ＜実施例１＞２，３−ジアセチル−β−ＣＤの合成
【００１０】
【化１】
【００１１】反応［１］ 別途合成した６−ターシャルブチルジメチルシリル−β
−ＣＤ（６−ｔ−ＢｕＤＭＳｉ−β−ＣＤ）を脱水ＴＨ
Ｆに溶解し、窒素雰囲気下トリエチルアミンを添加し系
をやや冷却する。そこに脱水ＴＨＦに溶解したアセチル
シアナイドをゆっくり滴下しその温度で３０分、室温で
２時間反応させる。反応終了後そのまま溶液を減圧下濃
縮し、残渣にＣＨ2 Ｃｌ2 を加え酸で中和、水で洗浄後
ＣＨ2 Ｃｌ2 を減圧下留去する。得られた残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、［Ａ］を得
る（収率：約９０％）。
−ＣＤ（６−ｔ−ＢｕＤＭＳｉ−β−ＣＤ）を脱水ＴＨ
Ｆに溶解し、窒素雰囲気下トリエチルアミンを添加し系
をやや冷却する。そこに脱水ＴＨＦに溶解したアセチル
シアナイドをゆっくり滴下しその温度で３０分、室温で
２時間反応させる。反応終了後そのまま溶液を減圧下濃
縮し、残渣にＣＨ2 Ｃｌ2 を加え酸で中和、水で洗浄後
ＣＨ2 Ｃｌ2 を減圧下留去する。得られた残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、［Ａ］を得
る（収率：約９０％）。
【００１２】反応［２］ 次に得られた［Ａ］を脱水ジクロルメタンに溶解し、窒
素雰囲気下０〜５℃に冷却する。そしてＢＦ3 ・Ｅｔ2
Ｏをゆっくりと滴下する。滴下終了後０〜５℃で１時
間、室温で３時間反応させる。反応終了後氷冷水中に加
え分液する。有機層は塩基で中和し、水で洗浄後乾燥す
る。ジクロルメタン層は濾過し、濾液は減圧下濃縮、残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、
２，３−ジアセチル−β−ＣＤ［Ｂ］を得る（収率：約
８０％）。
素雰囲気下０〜５℃に冷却する。そしてＢＦ3 ・Ｅｔ2
Ｏをゆっくりと滴下する。滴下終了後０〜５℃で１時
間、室温で３時間反応させる。反応終了後氷冷水中に加
え分液する。有機層は塩基で中和し、水で洗浄後乾燥す
る。ジクロルメタン層は濾過し、濾液は減圧下濃縮、残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、
２，３−ジアセチル−β−ＣＤ［Ｂ］を得る（収率：約
８０％）。
【００１３】＜実施例２＞２，３，６−トリアセチル−β−ＣＤの合成
【００１４】
【化２】
【００１５】反応［３］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ＤＭＦに溶解し、窒素雰囲気
下トリエチルアミンを添加し系をやや冷却する。そこに
脱水ＤＭＦに溶解したアセチルシアナイドをゆっくり滴
下し、その温度で３０分、室温で２時間反応させる。反
応終了後そのまま溶液を減圧下４０℃以下で濃縮し、残
渣を大量の水より再沈殿させる。沈殿物を集めよく水洗
後乾燥し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精
製し、２，３，６−トリアセチル−β−ＣＤ［Ｃ］を得
る（収率：約９５％）。
下トリエチルアミンを添加し系をやや冷却する。そこに
脱水ＤＭＦに溶解したアセチルシアナイドをゆっくり滴
下し、その温度で３０分、室温で２時間反応させる。反
応終了後そのまま溶液を減圧下４０℃以下で濃縮し、残
渣を大量の水より再沈殿させる。沈殿物を集めよく水洗
後乾燥し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精
製し、２，３，６−トリアセチル−β−ＣＤ［Ｃ］を得
る（収率：約９５％）。
【００１６】本発明は上記実施例に限定されず、他のア
シル化物も上記実施例１、実施例２のアセチルシアナイ
ドを他の酸シアノ化物に変えるだけでシクロデキストリ
ンのアシル化物を合成することができる。例えば、実施
例１で、反応［１］のアセチルシアナイドをベンゾイル
シアナイドに変えると、２，３−ジベンゾイル−β−Ｃ
Ｄ（６−ｔ−ＢｕＤＭＳｉ−β−ＣＤからの収率：約７
５％）が、ピバロイルシアナイドに変えると、２，３−
ジピバロイル−β−ＣＤ（６−ｔ−ＢｕＤＭＳｉ−β−
ＣＤからの収率：約７０％）が合成できる。また、実施
例２で、反応［３］のアセチルシアナイドをブロモアセ
チルシアナイドに変えると、２，３，６−トリ（ブロモ
アセチル）−β−ＣＤ（収率：約９０％）が、トリフル
オロアセチルシアナイドに変えると、２，３，６−トリ
（トリフルオロアセチル）−β−ＣＤ（収率：約９５
％）が合成できる。
シル化物も上記実施例１、実施例２のアセチルシアナイ
ドを他の酸シアノ化物に変えるだけでシクロデキストリ
ンのアシル化物を合成することができる。例えば、実施
例１で、反応［１］のアセチルシアナイドをベンゾイル
シアナイドに変えると、２，３−ジベンゾイル−β−Ｃ
Ｄ（６−ｔ−ＢｕＤＭＳｉ−β−ＣＤからの収率：約７
５％）が、ピバロイルシアナイドに変えると、２，３−
ジピバロイル−β−ＣＤ（６−ｔ−ＢｕＤＭＳｉ−β−
ＣＤからの収率：約７０％）が合成できる。また、実施
例２で、反応［３］のアセチルシアナイドをブロモアセ
チルシアナイドに変えると、２，３，６−トリ（ブロモ
アセチル）−β−ＣＤ（収率：約９０％）が、トリフル
オロアセチルシアナイドに変えると、２，３，６−トリ
（トリフルオロアセチル）−β−ＣＤ（収率：約９５
％）が合成できる。
【００１７】なお、本発明のシクロデキストリン誘導体
の製造に用いられるＳｉ基をもつ物質の合成法として
は、J.Carbohydr.Chem.,7 293-308(1988) 、Carbohydr.
Res.,187 203-221(1989)の竹尾らの論文やCarbohydr.R
es., 192 366-369(1989)などに詳細に説明されてい
る。
の製造に用いられるＳｉ基をもつ物質の合成法として
は、J.Carbohydr.Chem.,7 293-308(1988) 、Carbohydr.
Res.,187 203-221(1989)の竹尾らの論文やCarbohydr.R
es., 192 366-369(1989)などに詳細に説明されてい
る。
【００１８】
【発明の効果】シクロデキストリンの水酸基をアシル化
するために酸シアノ化物を用いることで、短時間でしか
も高収率で行うことができた。反応条件も、室温以下か
ら室温ということで分解物も殆ど生じず、着色も認めら
れなかった。また、種々の酸シアノ化物を用いることに
より色々なアシル化誘導体の合成が可能となり、水溶性
も大きく変化し、同時にその包接能も大きく変わってく
るものと期待できる。
するために酸シアノ化物を用いることで、短時間でしか
も高収率で行うことができた。反応条件も、室温以下か
ら室温ということで分解物も殆ど生じず、着色も認めら
れなかった。また、種々の酸シアノ化物を用いることに
より色々なアシル化誘導体の合成が可能となり、水溶性
も大きく変化し、同時にその包接能も大きく変わってく
るものと期待できる。
Claims (1)
- 【請求項１】シクロデキストリン又はシクロデキストリ
ン誘導体に酸シアノ化物を反応させてアシル化すること
を特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25149893A JPH07102003A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | シクロデキストリン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25149893A JPH07102003A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | シクロデキストリン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07102003A true JPH07102003A (ja) | 1995-04-18 |
Family
ID=17223704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25149893A Pending JPH07102003A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | シクロデキストリン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07102003A (ja) |
-
1993
- 1993-10-07 JP JP25149893A patent/JPH07102003A/ja active Pending
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