JPH07105663B2 - 増幅装置 - Google Patents
増幅装置Info
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- JPH07105663B2 JPH07105663B2 JP2031841A JP3184190A JPH07105663B2 JP H07105663 B2 JPH07105663 B2 JP H07105663B2 JP 2031841 A JP2031841 A JP 2031841A JP 3184190 A JP3184190 A JP 3184190A JP H07105663 B2 JPH07105663 B2 JP H07105663B2
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- JP
- Japan
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- operational amplifier
- circuit
- amplifier
- output voltage
- voltage
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば一眼レフカメラの分割測光センサ等か
らの出力電圧を増幅する装置に関する。
らの出力電圧を増幅する装置に関する。
近年、一眼レフカメラ等の受光センサとして分割測光セ
ンサを使用したものが多数見受けられるようになった。
この分割測光センサを用いる理由として、ファインダー
画面内を複数に分割して独立に測光することにより、各
ゾーンでの明るさを測光することができ、きめ細かな露
出制御が行なえるというメリットがある。このため最近
の分割測光センサの分割数は増加する傾向にある。しか
しながら分割数が増えると、センサに対応するアンプの
数、ひいては接続する配線ライン数も増加し、ノイズが
発生しやすくなること等の問題が発生する。そこで分割
測光センサ内部にアンプ回路、コントロール回路等を集
積したいわゆる分割測光ICが提案されている。このよう
な分割測光ICによれば、出力は電圧の形で取り出され、
反転増幅器により増幅された後、A/D変換されてマイク
ロコンピュータに入力されて処理されていた。
ンサを使用したものが多数見受けられるようになった。
この分割測光センサを用いる理由として、ファインダー
画面内を複数に分割して独立に測光することにより、各
ゾーンでの明るさを測光することができ、きめ細かな露
出制御が行なえるというメリットがある。このため最近
の分割測光センサの分割数は増加する傾向にある。しか
しながら分割数が増えると、センサに対応するアンプの
数、ひいては接続する配線ライン数も増加し、ノイズが
発生しやすくなること等の問題が発生する。そこで分割
測光センサ内部にアンプ回路、コントロール回路等を集
積したいわゆる分割測光ICが提案されている。このよう
な分割測光ICによれば、出力は電圧の形で取り出され、
反転増幅器により増幅された後、A/D変換されてマイク
ロコンピュータに入力されて処理されていた。
さて分割測光ICの出力電圧は、受光素子に接続される対
数圧縮用のダイオードの温度特性の影響を受ける。そこ
で従来、反転増幅器に接続される抵抗として、入力側に
正温度係数抵抗（ポジスタ）、帰還側に例えば金属皮膜
抵抗が設けられ、これにより反転増幅器の出力の温度係
数が０に定められている。
数圧縮用のダイオードの温度特性の影響を受ける。そこ
で従来、反転増幅器に接続される抵抗として、入力側に
正温度係数抵抗（ポジスタ）、帰還側に例えば金属皮膜
抵抗が設けられ、これにより反転増幅器の出力の温度係
数が０に定められている。
上述のように受光素子をIC内に組み込んだ構成におい
て、反転増幅器のゲインは、金属皮膜抵抗とポジスタの
抵抗値の比によって定まり、このゲインを調整する場
合、ポジスタが高価であるため、金属皮膜抵抗の抵抗値
を変化させざるを得ない。ところが、このように金属皮
膜抵抗の抵抗値を可変にするためには、多数の抵抗を設
ける必要がある。すなわち反転増幅器を構成するICの外
部に多数の要素を接続しなければならず、装置全体の構
成が複雑になるという問題があった。
て、反転増幅器のゲインは、金属皮膜抵抗とポジスタの
抵抗値の比によって定まり、このゲインを調整する場
合、ポジスタが高価であるため、金属皮膜抵抗の抵抗値
を変化させざるを得ない。ところが、このように金属皮
膜抵抗の抵抗値を可変にするためには、多数の抵抗を設
ける必要がある。すなわち反転増幅器を構成するICの外
部に多数の要素を接続しなければならず、装置全体の構
成が複雑になるという問題があった。
本発明は、簡単な構成を有し、温度補償を維持しつつA/
D変換器に合致したゲインを得ることができ、また、温
度測定器としても利用可能な増幅装置を提供することを
目的とする。
D変換器に合致したゲインを得ることができ、また、温
度測定器としても利用可能な増幅装置を提供することを
目的とする。
出力電圧が所定の温度特性を有する電圧発生回路と、所
定の基準電圧を出力する基準電圧発生源と、上記出力電
圧と基準電圧の差分を増幅するオペアンプと、このオペ
アンプの出力側に接続され、上記出力電圧とは逆の温度
特性を有する抵抗と、該オペアンプの入力側に接続さ
れ、抵抗値が可変であるゲイン設定手段と、上記オペア
ンプの正相入力端子と逆相入力端子と電圧発生回路と基
準電圧発生源とを相互に導通させて、上記オペアンプの
入力側に所定の大きさの抵抗を付与する手段とを備えた
ことを特徴としている。
定の基準電圧を出力する基準電圧発生源と、上記出力電
圧と基準電圧の差分を増幅するオペアンプと、このオペ
アンプの出力側に接続され、上記出力電圧とは逆の温度
特性を有する抵抗と、該オペアンプの入力側に接続さ
れ、抵抗値が可変であるゲイン設定手段と、上記オペア
ンプの正相入力端子と逆相入力端子と電圧発生回路と基
準電圧発生源とを相互に導通させて、上記オペアンプの
入力側に所定の大きさの抵抗を付与する手段とを備えた
ことを特徴としている。
以下図示実施例により本発明を説明する。
第２図は光学系の構成例を示し、撮影レンズ11の後方に
はミラー12が配設され、このミラー12の上方には、ピン
ト板13とペンタプリズム14が設けられる。撮影レンズ11
を通過した光は、ミラー12とペンタプリズム14によって
反射され、測光センサ15とアイピース16へ送られる。測
光センサ15の前には、ピント板13上の像を測光センサ15
の受光面上に結像するためのレンズ17が設けられる。
はミラー12が配設され、このミラー12の上方には、ピン
ト板13とペンタプリズム14が設けられる。撮影レンズ11
を通過した光は、ミラー12とペンタプリズム14によって
反射され、測光センサ15とアイピース16へ送られる。測
光センサ15の前には、ピント板13上の像を測光センサ15
の受光面上に結像するためのレンズ17が設けられる。
第３図はファインダにおける撮影画面21を示し、この撮
影画面21内には第１測光範囲22と第２の測光範囲23とが
形成される。本実施例において、第１の測光範囲22は長
方形を有し、第２の測光範囲23はこの長方形の中央に位
置し円形を呈する。測光センサ15内に設けられる受光素
子は、第４図に示すように、第１の測光範囲22に対応し
た第１の受光面24と、第２の測光範囲23に対応した第２
の受光面25とを有し、これらの受光面24、25は相互に分
離されている。すなわち、本実施例において受光素子は
２つに分割されており、測光センサ15は、いわゆる２分
割測光ICである。
影画面21内には第１測光範囲22と第２の測光範囲23とが
形成される。本実施例において、第１の測光範囲22は長
方形を有し、第２の測光範囲23はこの長方形の中央に位
置し円形を呈する。測光センサ15内に設けられる受光素
子は、第４図に示すように、第１の測光範囲22に対応し
た第１の受光面24と、第２の測光範囲23に対応した第２
の受光面25とを有し、これらの受光面24、25は相互に分
離されている。すなわち、本実施例において受光素子は
２つに分割されており、測光センサ15は、いわゆる２分
割測光ICである。
第１図は、測光センサ15内に設けられる測光回路30と、
増幅回路40の構成を示す。増幅回路40は、測光回路30と
同じ温度環境に設けられ、この測光回路30の出力電圧V
LOGを、温度補償しつつ増幅し図示しないA/D変換器へ出
力する。
増幅回路40の構成を示す。増幅回路40は、測光回路30と
同じ温度環境に設けられ、この測光回路30の出力電圧V
LOGを、温度補償しつつ増幅し図示しないA/D変換器へ出
力する。
測光回路30において、オペアンプ31の各入力端子には受
光素子32が接続され、またこのオペアンプ31の入力およ
び出力端子にはダイオード33、34が接続される。すなわ
ち、これらのオペアンプ31とダイオード33、34は対数圧
縮回路を構成し、受光素子32の検出信号は対数圧縮され
た電圧V0として出力される。なお、ダイオード34は出力
電圧V0のクランプ用ダイオードである。一方オペアンプ
35の各入力端子には、オペアンプ31の出力端子と、定電
流源36とがそれぞれ接続され、またオペアンプ35の入力
および出力端子にはダイオード37が接続される。すなわ
ちこのオペアンプ35とダイオード37により、レベルシフ
ト回路が構成される。
光素子32が接続され、またこのオペアンプ31の入力およ
び出力端子にはダイオード33、34が接続される。すなわ
ち、これらのオペアンプ31とダイオード33、34は対数圧
縮回路を構成し、受光素子32の検出信号は対数圧縮され
た電圧V0として出力される。なお、ダイオード34は出力
電圧V0のクランプ用ダイオードである。一方オペアンプ
35の各入力端子には、オペアンプ31の出力端子と、定電
流源36とがそれぞれ接続され、またオペアンプ35の入力
および出力端子にはダイオード37が接続される。すなわ
ちこのオペアンプ35とダイオード37により、レベルシフ
ト回路が構成される。
本実施例において、測光センサ15は上述したように２分
割測光センサであり、オペアンプ31とダイオード33、34
からなる対数圧縮回路は各受光素子32毎に、すなわち２
個設けられる。これらの２個の対数圧縮回路は、図示し
ないCPUからのコントロール信号により制御されて選択
され、ひとつの対数圧縮回路出力が増幅回路40に接続さ
れる。なお、第１図において対数圧縮回路はひとつだけ
示されている。
割測光センサであり、オペアンプ31とダイオード33、34
からなる対数圧縮回路は各受光素子32毎に、すなわち２
個設けられる。これらの２個の対数圧縮回路は、図示し
ないCPUからのコントロール信号により制御されて選択
され、ひとつの対数圧縮回路出力が増幅回路40に接続さ
れる。なお、第１図において対数圧縮回路はひとつだけ
示されている。
さて、オペアンプ31の正相入力端子に供給される基準電
圧をVS1、ダイオード33に作用する電圧をV33とすると、
オペアンプ31の出力電圧V0は、 である。ここで、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、
ｑは定数、IPはダイオード33における電流値、i0はダイ
オード33に流れる一定電流値、Ｖ（i0）はダイオードに
電流i0が流れた時の電圧値である。また、測光回路30か
ら出力される電圧VLOGは、ダイオード37に作用する電圧
をV37とすると、 であり、これに（１）式を代入すると、 となる。
圧をVS1、ダイオード33に作用する電圧をV33とすると、
オペアンプ31の出力電圧V0は、 である。ここで、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、
ｑは定数、IPはダイオード33における電流値、i0はダイ
オード33に流れる一定電流値、Ｖ（i0）はダイオードに
電流i0が流れた時の電圧値である。また、測光回路30か
ら出力される電圧VLOGは、ダイオード37に作用する電圧
をV37とすると、 であり、これに（１）式を代入すると、 となる。
すなわち測光回路30の出力電圧VLOGは、第５図に示すよ
うにVS1を基準として正の値をとり、受光素子32が検出
する光量が多くなる（IP大）ほどVS1に近づく。なお第
５図において、基準電圧VS1は2Vに定められている。
うにVS1を基準として正の値をとり、受光素子32が検出
する光量が多くなる（IP大）ほどVS1に近づく。なお第
５図において、基準電圧VS1は2Vに定められている。
また（２）式から理解されるように、測光回路30からの
出力電圧VLOGは、温度変化の影響を受ける。この温度に
よる影響を除去するとともに、A/D変換器に合致したゲ
インによって出力電圧VLOGを増幅するため、この出力電
圧VLOGは増幅回路40に入力される。
出力電圧VLOGは、温度変化の影響を受ける。この温度に
よる影響を除去するとともに、A/D変換器に合致したゲ
インによって出力電圧VLOGを増幅するため、この出力電
圧VLOGは増幅回路40に入力される。
増幅回路40においてオペアンプ41には、後述するよう
に、正温度特性抵抗と、アナログスイッチの開閉によっ
て抵抗値を変化させることのできるゲイン設定回路とが
接続され、このゲイン設定回路は複数の抵抗を有する。
なお、以下の説明において「抵抗」の語句の後の括弧内
に示される記号は、その抵抗の値を示す。
に、正温度特性抵抗と、アナログスイッチの開閉によっ
て抵抗値を変化させることのできるゲイン設定回路とが
接続され、このゲイン設定回路は複数の抵抗を有する。
なお、以下の説明において「抵抗」の語句の後の括弧内
に示される記号は、その抵抗の値を示す。
さて、オペアンプ41の正相入力端子は、２つの抵抗（R1
/2）を介して測光回路30に接続され、逆相入力端子は抵
抗（R1）を介して、基準電圧VS1を出力する電圧源に接
続される。またオペアンプ41の正相入力端子は、相互に
直列に接続された抵抗（R0、Ｒ、2R、4R、8R）に接続さ
れ、抵抗（8R）は後述するオペアンプ42の正相入力端子
と、基準電圧VREFを出力する電圧源とに接続される。同
様にオペアンプ41の逆相入力端子は、相互に直列に接続
された抵抗（R0、Ｒ、2R、4R、8R）に接続され、抵抗
（8R）はこのオペアンプ41の出力端子に接続される。正
相入力端子側の抵抗（Ｒ、2R、4R、8R）にはアナログス
イッチSW1〜SW4が接続され、逆相入力端子側の抵抗
（Ｒ、2R、4R、8R）にはアナログスイッチSW5〜SW8が接
続される。これらのアナログスイッチSW1〜SW8は、CPU
からのコントロール信号によってON−OFF制御され、こ
れにより抵抗（Ｒ、2R、4R、8R）の接続関係が制御され
てオペアンプ41すなわち増幅器のゲインが調整される。
/2）を介して測光回路30に接続され、逆相入力端子は抵
抗（R1）を介して、基準電圧VS1を出力する電圧源に接
続される。またオペアンプ41の正相入力端子は、相互に
直列に接続された抵抗（R0、Ｒ、2R、4R、8R）に接続さ
れ、抵抗（8R）は後述するオペアンプ42の正相入力端子
と、基準電圧VREFを出力する電圧源とに接続される。同
様にオペアンプ41の逆相入力端子は、相互に直列に接続
された抵抗（R0、Ｒ、2R、4R、8R）に接続され、抵抗
（8R）はこのオペアンプ41の出力端子に接続される。正
相入力端子側の抵抗（Ｒ、2R、4R、8R）にはアナログス
イッチSW1〜SW4が接続され、逆相入力端子側の抵抗
（Ｒ、2R、4R、8R）にはアナログスイッチSW5〜SW8が接
続される。これらのアナログスイッチSW1〜SW8は、CPU
からのコントロール信号によってON−OFF制御され、こ
れにより抵抗（Ｒ、2R、4R、8R）の接続関係が制御され
てオペアンプ41すなわち増幅器のゲインが調整される。
オペアンプ41の出力端子には、正温度特性を有する抵抗
（R3）が接続され、この抵抗（R3）はオペアンプ42の逆
相入力端子に接続される。この抵抗（R3）により、オペ
アンプ41からの出力電圧に対して温度補正が施され、こ
の出力電圧の温度係数が０となる。
（R3）が接続され、この抵抗（R3）はオペアンプ42の逆
相入力端子に接続される。この抵抗（R3）により、オペ
アンプ41からの出力電圧に対して温度補正が施され、こ
の出力電圧の温度係数が０となる。
オペアンプ42の正相入力端子には、基準電圧VREFが供給
される。このオペアンプ42はトランジスタ43を介して図
示しないA/D変換器に接続され、またトランジスタ43とA
/D変換器との間には抵抗（R4）が接続される。このオペ
アンプ42とトランジスタ43と抵抗（R3、R4）からなる回
路により、オペアンプ41の出力電圧はレベルシフトされ
るとともに、所定のゲインで増幅される。
される。このオペアンプ42はトランジスタ43を介して図
示しないA/D変換器に接続され、またトランジスタ43とA
/D変換器との間には抵抗（R4）が接続される。このオペ
アンプ42とトランジスタ43と抵抗（R3、R4）からなる回
路により、オペアンプ41の出力電圧はレベルシフトされ
るとともに、所定のゲインで増幅される。
以上の構成により増幅回路40は、測光回路30の出力電圧
を増幅するとともに温度補正を施すことができる。また
この増幅回路40は、このような増幅および温度補償機能
の他、温度測定器としての機能も有しており、次に、そ
のための構成について説明する。
を増幅するとともに温度補正を施すことができる。また
この増幅回路40は、このような増幅および温度補償機能
の他、温度測定器としての機能も有しており、次に、そ
のための構成について説明する。
すなわち、オペアンプ41の各入力端子に接続された抵抗
（R1/2）と抵抗（R1）との間はアナログスイッチSW9を
介して接続され、またオペアンプ41の正相入力端子と抵
抗（8R）との間はアナログスイッチSW10と抵抗（R5）を
介して接続される。これらのアナログスイッチSW9およ
びSW10は、増幅回路40が通常の増幅器として作用する場
合には非導通の状態にあるが、増幅回路40が温度測定器
として作用する場合には導通状態に定められる。このア
ナログスイッチSW9、SW10のON−OFF制御はCPUにより行
われる。
（R1/2）と抵抗（R1）との間はアナログスイッチSW9を
介して接続され、またオペアンプ41の正相入力端子と抵
抗（8R）との間はアナログスイッチSW10と抵抗（R5）を
介して接続される。これらのアナログスイッチSW9およ
びSW10は、増幅回路40が通常の増幅器として作用する場
合には非導通の状態にあるが、増幅回路40が温度測定器
として作用する場合には導通状態に定められる。このア
ナログスイッチSW9、SW10のON−OFF制御はCPUにより行
われる。
次に、増幅回路40が増幅器として作用する場合の動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
この場合、アナログスイッチSW9、SW10はそれぞれ開放
されており、またアナログスイッチSW1〜SW8のうちの所
定のものが閉成される。なお、アナログスイッチSW1とS
W5は常に同時に開放または閉成され、同様に、アナログ
スイッチSW2とSW6、SW3とSW7、SW4とSW8が、それぞれ対
になってON−OFF制御される。
されており、またアナログスイッチSW1〜SW8のうちの所
定のものが閉成される。なお、アナログスイッチSW1とS
W5は常に同時に開放または閉成され、同様に、アナログ
スイッチSW2とSW6、SW3とSW7、SW4とSW8が、それぞれ対
になってON−OFF制御される。
第６図は、増幅回路40が増幅器として作用する場合にお
ける等価回路を示したものである。この図において、抵
抗（R2）は、アナログスイッチSW1〜８のON−OFF制御に
よって定まる抵抗（Ｒ、2R、4R、8R）の合成抵抗値と、
抵抗（R0）との合計値である。まず、オペアンプ41の出
力電圧RT1を求める。
ける等価回路を示したものである。この図において、抵
抗（R2）は、アナログスイッチSW1〜８のON−OFF制御に
よって定まる抵抗（Ｒ、2R、4R、8R）の合成抵抗値と、
抵抗（R0）との合計値である。まず、オペアンプ41の出
力電圧RT1を求める。
VS1＋（RT1−VS1）R1/（R1＋R2） ＝VLOG＋（VREF−VLOG）R1/（R1＋R2） したがって、 RT1＝VREF＋（R2/R1）（VLOG−VS1） となる。これに、上記（２）式を代入すると、 したがって、増幅回路40の出力電圧ROUTは、 となる。
ここでR1、R2はIC内の拡散抵抗であり、同一の温度係数
を有し、IP、ICCは同一の温度係数を有する。また抵抗
（R3）は正温度係数を有し、抵抗（R4）の温度係数は０
である。したがって、出力電圧ROUTの温度係数は、 となる。R1、R2が相互に同一の温度係数を有し、また
IP、ICCが相互に同一の温度係数を有することから、
（ΔR2/ΔR1）および（ΔICC/ΔIP）はそれぞれ定数で
ある。したがって、出力電圧ROUTの温度係数は、定数Ｃ
を用いて書くと となる。
を有し、IP、ICCは同一の温度係数を有する。また抵抗
（R3）は正温度係数を有し、抵抗（R4）の温度係数は０
である。したがって、出力電圧ROUTの温度係数は、 となる。R1、R2が相互に同一の温度係数を有し、また
IP、ICCが相互に同一の温度係数を有することから、
（ΔR2/ΔR1）および（ΔICC/ΔIP）はそれぞれ定数で
ある。したがって、出力電圧ROUTの温度係数は、定数Ｃ
を用いて書くと となる。
したがって、R3とＴの温度係数が等しいと、すなわち、
抵抗（R3）の温度係数が＋3333ppm/℃（301/300に相当
する）であると、（ΔT/ΔR3）は一定となり、出力電圧
ROUTの温度係数は０となる。すなわち、抵抗（R3）とし
てこのような温度特性を有するものを選定することによ
り、増幅回路40の出力値は、温度の影響を受けなくな
る。
抵抗（R3）の温度係数が＋3333ppm/℃（301/300に相当
する）であると、（ΔT/ΔR3）は一定となり、出力電圧
ROUTの温度係数は０となる。すなわち、抵抗（R3）とし
てこのような温度特性を有するものを選定することによ
り、増幅回路40の出力値は、温度の影響を受けなくな
る。
次に、増幅回路40のゲインについて説明する。
ここで、８ビットのA/D変換器を想定し、その分解能
が、 4000mV/255＝15.686mV/step とすると、ゲインＧとして、 Ｇ＝15.686mV/（17.79/8）mV＝7.053 が必要である。ただし、17.79mVは明るさが1Ev変化した
時のVLOGの出力電圧変化量であり、すなわち（17.79/
8）mVは1/8Ev値に対応する。本実施例では、前段のオペ
アンプ41において約2.35倍のゲインを、また後段のオペ
アンプ42において約３倍のゲインを持たせている。ただ
し、抵抗値の誤差、A/D変換における基準電圧のバラツ
キに基づく分解能のバラツキを考慮し、前段のオペアン
プ41のゲインは、アナログスイッチSW1〜SW8のON−OFF
制御によってプログラマブルに変更できるように構成さ
れている。すなわち、このオペアンプ41におけるゲイン
PGは、 PG＝（225＋２×Gain Code）/100（倍） であり、Gain CodeはCPUから入力され、０〜15の値をと
る。したがって、ゲイン幅としては PG＝2.25〜2.55（倍） の間で、0.02倍（2/100）ずつの間隔で変化させること
ができる。
が、 4000mV/255＝15.686mV/step とすると、ゲインＧとして、 Ｇ＝15.686mV/（17.79/8）mV＝7.053 が必要である。ただし、17.79mVは明るさが1Ev変化した
時のVLOGの出力電圧変化量であり、すなわち（17.79/
8）mVは1/8Ev値に対応する。本実施例では、前段のオペ
アンプ41において約2.35倍のゲインを、また後段のオペ
アンプ42において約３倍のゲインを持たせている。ただ
し、抵抗値の誤差、A/D変換における基準電圧のバラツ
キに基づく分解能のバラツキを考慮し、前段のオペアン
プ41のゲインは、アナログスイッチSW1〜SW8のON−OFF
制御によってプログラマブルに変更できるように構成さ
れている。すなわち、このオペアンプ41におけるゲイン
PGは、 PG＝（225＋２×Gain Code）/100（倍） であり、Gain CodeはCPUから入力され、０〜15の値をと
る。したがって、ゲイン幅としては PG＝2.25〜2.55（倍） の間で、0.02倍（2/100）ずつの間隔で変化させること
ができる。
上述したように、増幅回路40は温度測定器としても利用
できる。第７図は、アナログスイッチSW9、SW10を閉成
した場合における増幅回路40、すなわち温度測定回路の
等価回路を示す。この場合抵抗（R2）の大きさは、アナ
ログスイッチSW1〜SW8のON−OFF制御によって定まる抵
抗（Ｒ、2R、4R、8R）の合成抵抗値と抵抗（R0）との合
計値であり、 R2＝R0＋｛（R,2R,4R,8R）の合成抵抗値｝ となる。
できる。第７図は、アナログスイッチSW9、SW10を閉成
した場合における増幅回路40、すなわち温度測定回路の
等価回路を示す。この場合抵抗（R2）の大きさは、アナ
ログスイッチSW1〜SW8のON−OFF制御によって定まる抵
抗（Ｒ、2R、4R、8R）の合成抵抗値と抵抗（R0）との合
計値であり、 R2＝R0＋｛（R,2R,4R,8R）の合成抵抗値｝ となる。
まず、RT1の値を求める。
VS1＋（RT1−VS1）R1/（R1＋R2） ＝VS1＋（VREF−VS1）（R1/2）／（R1/2＋Ｒ2//5） したがって、 ただし、 Ｒ2//5＝R2・R5/（R2＋R5） である。
R1、R2、R5はIC内の抵抗であり、またVREF、VS1は基準
電圧であることから、それぞれ温度係数は０であり、し
たがってRT1は温度係数を持たない。
電圧であることから、それぞれ温度係数は０であり、し
たがってRT1は温度係数を持たない。
増幅回路40の出力電圧Routは、 となる。
ここでR3は正温度特性を有するので、ROUTは負の温度係
数を有することとなる。したがって、増幅回路40は、温
度に応じた電圧ROUTを出力することとなり、この回路40
は温度測定器として用いられる。
数を有することとなる。したがって、増幅回路40は、温
度に応じた電圧ROUTを出力することとなり、この回路40
は温度測定器として用いられる。
ここで例えばR1＝100kΩ、R2＝235kΩ、R3＝5.1kΩ、R4
＝15kΩ、R5＝100kΩとすると、（５）式および（６）
式より、 RT1＝4.788（Ｖ） ROUT＝2.318（Ｖ） となり、ROUTの温度係数は、 となる。したがって、８ビットのA/D変換器の場合、分
解能が1LSB＝15.686mVであることから、本実施例におけ
る温度測定器によると、２℃の温度変化により、1LSBだ
けA/D変換値が変化することとなる。
＝15kΩ、R5＝100kΩとすると、（５）式および（６）
式より、 RT1＝4.788（Ｖ） ROUT＝2.318（Ｖ） となり、ROUTの温度係数は、 となる。したがって、８ビットのA/D変換器の場合、分
解能が1LSB＝15.686mVであることから、本実施例におけ
る温度測定器によると、２℃の温度変化により、1LSBだ
けA/D変換値が変化することとなる。
以上説明したように、本実施例の増幅回路40は、通常の
増幅器として用いられるばかりでなく、温度測定器とし
ても利用できるが、オペアンプ41のゲインの設定は、増
幅器として使用する時、および温度測定器として使用す
る時において、相互に異なり、したがって予め調整して
おく必要がある。このため、この調整のためのデータを
CPUのRAMに格納しておかなければならない。このため一
つの手段としてはマイコンの外付けとしてE2PROMを付加
し、調整段階において予め調整データをE2PROMに書き込
んでおき、実動作時にE2PROMより所定のデータを読み込
んできてRAMに格納するという方法等が考えられる。
増幅器として用いられるばかりでなく、温度測定器とし
ても利用できるが、オペアンプ41のゲインの設定は、増
幅器として使用する時、および温度測定器として使用す
る時において、相互に異なり、したがって予め調整して
おく必要がある。このため、この調整のためのデータを
CPUのRAMに格納しておかなければならない。このため一
つの手段としてはマイコンの外付けとしてE2PROMを付加
し、調整段階において予め調整データをE2PROMに書き込
んでおき、実動作時にE2PROMより所定のデータを読み込
んできてRAMに格納するという方法等が考えられる。
以上述べたように、本実施例の増幅装置は、外付け部品
としては、基本的には抵抗（R3）と抵抗（R4）のみであ
り、その他の部品はICに内蔵される。したがって、従来
のように多数の外付け部品を用いることなく、温度補償
と所定のゲイン設定を同時に確保することができ、装置
全体を簡単化し、かつ安価にすることが可能となる。
としては、基本的には抵抗（R3）と抵抗（R4）のみであ
り、その他の部品はICに内蔵される。したがって、従来
のように多数の外付け部品を用いることなく、温度補償
と所定のゲイン設定を同時に確保することができ、装置
全体を簡単化し、かつ安価にすることが可能となる。
以上のように本発明の増幅装置は、温度補償を維持しつ
つ、A/D変換器に合致したゲインを得ることができ、し
かも外付け部品が少ないので構成が非常に簡単である、
という効果が奏する。また本発明の増幅装置は、温度測
定器としても利用することができる。
つ、A/D変換器に合致したゲインを得ることができ、し
かも外付け部品が少ないので構成が非常に簡単である、
という効果が奏する。また本発明の増幅装置は、温度測
定器としても利用することができる。
第１図は本発明の一実施例に係る増幅装置を示す回路
図、 第２図はカメラの光学系の構成例を示す図、 第３図はファインダにおける測光範囲を示す図、 第４図は受光素子を示す図、 第５図はEv値に対する測光センサの出力電圧の変化を示
すグラフ、 第６図は増幅器を示す回路図、 第７図は温度測定器を示す回路図である。 30……測光回路 40……増幅回路 R3……正温度特性抵抗
図、 第２図はカメラの光学系の構成例を示す図、 第３図はファインダにおける測光範囲を示す図、 第４図は受光素子を示す図、 第５図はEv値に対する測光センサの出力電圧の変化を示
すグラフ、 第６図は増幅器を示す回路図、 第７図は温度測定器を示す回路図である。 30……測光回路 40……増幅回路 R3……正温度特性抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】出力電圧が所定の温度特性を有する電圧発
生回路と、所定の基準電圧を出力する基準電圧発生源
と、上記出力電圧と基準電圧の差分を増幅するオペアン
プと、このオペアンプの出力側に接続され、上記出力電
圧とは逆の温度特性を有する抵抗と、該オペアンプの入
力側に接続され、抵抗値が可変であるゲイン設定手段
と、上記オペアンプの正相入力端子と逆相入力端子と電
圧発生回路と基準電圧発生源とを相互に導通させて、上
記オペアンプの入力側に所定の大きさの抵抗を付与する
手段とを備えたことを特徴とする増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031841A JPH07105663B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031841A JPH07105663B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03235507A JPH03235507A (ja) | 1991-10-21 |
| JPH07105663B2 true JPH07105663B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=12342280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2031841A Expired - Fee Related JPH07105663B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105663B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7253391B2 (en) * | 2003-09-19 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor device and electronic apparatus |
| JP2011217237A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子回路 |
| JP6375685B2 (ja) * | 2014-05-08 | 2018-08-22 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、温度検出装置、電子機器及び温度検出方法 |
| JP6426439B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2018-11-21 | 太陽誘電株式会社 | 再構成可能オペアンプ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088625U (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-18 | 日本電気株式会社 | 温度補償形自動レベル制御回路 |
| JPS63102409A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Fujitsu Ltd | 温度変動補償回路 |
-
1990
- 1990-02-13 JP JP2031841A patent/JPH07105663B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03235507A (ja) | 1991-10-21 |
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Legal Events
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