JPH07106067A - 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH07106067A JPH07106067A JP5245841A JP24584193A JPH07106067A JP H07106067 A JPH07106067 A JP H07106067A JP 5245841 A JP5245841 A JP 5245841A JP 24584193 A JP24584193 A JP 24584193A JP H07106067 A JPH07106067 A JP H07106067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- light
- electroluminescent device
- film electroluminescent
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】薄膜ＥＬ素子の発光層から放射される光が背面
電極で反射して透明電極間を通って出射することによる
画素と画素間とのコントラストの低下を防ぐ。 【構成】透光性絶縁基板上に形成された透明電極の中間
に、例えばｘが0.１〜0.５のSiＮx よりなる光吸収層を
設けることにより、画素間に漏れでてくる光を遮断して
画素と画素間とのコントラストを向上させる。
電極で反射して透明電極間を通って出射することによる
画素と画素間とのコントラストの低下を防ぐ。 【構成】透光性絶縁基板上に形成された透明電極の中間
に、例えばｘが0.１〜0.５のSiＮx よりなる光吸収層を
設けることにより、画素間に漏れでてくる光を遮断して
画素と画素間とのコントラストを向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界の印加に応じて発
光を示す薄膜エレクトロルミネセンス (以下ＥＬと略
す）素子およびその製造方法に関するものである。
光を示す薄膜エレクトロルミネセンス (以下ＥＬと略
す）素子およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ＥＬ素子は、高解像度および大容量
表示が可能な平面型表示素子である全固体素子として注
目されている。図２は薄膜ＥＬ素子の基本構造を示す。
すなわち、ガラス等の透明基板１上に帯状の透明電極２
が複数本平行に配列され、この上に、例えば特公昭62−
40837号公報で公知のSiＯ2 膜とSi3 Ｎ4 膜とが積層さ
れた第一絶縁層が形成された後、ZnＳにMn等の活性物質
をドープした発光層４が形成される。さらにこの上に、
例えばSiＯ2 膜を積層した第二絶縁層５が再び形成され
る。第二絶縁層５の上には上記透明電極２と直交する方
向に金属膜、例えばAl膜からなる帯状の背面電極６が複
数本配列される。この薄膜ＥＬ素子の透明電極２と背面
電極６に交流電源７により電圧が印加されると、透明電
極２と背面電極６の交差する画素部分で発光層４が発光
する。
表示が可能な平面型表示素子である全固体素子として注
目されている。図２は薄膜ＥＬ素子の基本構造を示す。
すなわち、ガラス等の透明基板１上に帯状の透明電極２
が複数本平行に配列され、この上に、例えば特公昭62−
40837号公報で公知のSiＯ2 膜とSi3 Ｎ4 膜とが積層さ
れた第一絶縁層が形成された後、ZnＳにMn等の活性物質
をドープした発光層４が形成される。さらにこの上に、
例えばSiＯ2 膜を積層した第二絶縁層５が再び形成され
る。第二絶縁層５の上には上記透明電極２と直交する方
向に金属膜、例えばAl膜からなる帯状の背面電極６が複
数本配列される。この薄膜ＥＬ素子の透明電極２と背面
電極６に交流電源７により電圧が印加されると、透明電
極２と背面電極６の交差する画素部分で発光層４が発光
する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図２に示した
従来の薄膜ＥＬ素子は、任意の画素を構成する発光層４
に電界が印加された時に放射される光が画素間の背面電
極６に反射され、透明電極２の間を通って前面に出射す
るため、それぞれの画素と画素間のコントラストが悪く
なるという問題点があった。
従来の薄膜ＥＬ素子は、任意の画素を構成する発光層４
に電界が印加された時に放射される光が画素間の背面電
極６に反射され、透明電極２の間を通って前面に出射す
るため、それぞれの画素と画素間のコントラストが悪く
なるという問題点があった。
【０００４】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
もので、発光時に画素と画素間とのコントラストを向上
させ、画像品質の良好な薄膜ＥＬ素子およびその製造方
法を提供することを目的とする。
もので、発光時に画素と画素間とのコントラストを向上
させ、画像品質の良好な薄膜ＥＬ素子およびその製造方
法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、発光層の両面にそれぞれ絶縁層を介し
て互いに直交して対向する複数の平行帯状の透明電極と
背面電極とを備え、その透明電極が透光性絶縁基板上に
形成された薄膜ＥＬ素子において、透光性絶縁基板上の
透明電極の間に帯状の絶縁性光吸収層が設けられたもの
とする。光吸収層の光透過率が20％以下であることが目
的にかなっており、そのような光吸収層がｘが0.１〜0.
５であるSiＮx よりなることが良い。そのようなSiＮx
よりなる光吸収層と透明電極との間に間隙が設けられた
ことが有効である。このような薄膜ＥＬ素子の製造方法
は、Siターゲツト、Ｎ2 を含む反応性ガスを使用したＲ
Ｆスパッタリング法によりｘが0.１〜0.５のSiＮx 膜を
透光性絶縁基板上に成膜したのち、ＣＦ4 とＯ2 の混合
ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりパターニ
ングして帯状の光吸収層を形成するものとする。
めに、本発明は、発光層の両面にそれぞれ絶縁層を介し
て互いに直交して対向する複数の平行帯状の透明電極と
背面電極とを備え、その透明電極が透光性絶縁基板上に
形成された薄膜ＥＬ素子において、透光性絶縁基板上の
透明電極の間に帯状の絶縁性光吸収層が設けられたもの
とする。光吸収層の光透過率が20％以下であることが目
的にかなっており、そのような光吸収層がｘが0.１〜0.
５であるSiＮx よりなることが良い。そのようなSiＮx
よりなる光吸収層と透明電極との間に間隙が設けられた
ことが有効である。このような薄膜ＥＬ素子の製造方法
は、Siターゲツト、Ｎ2 を含む反応性ガスを使用したＲ
Ｆスパッタリング法によりｘが0.１〜0.５のSiＮx 膜を
透光性絶縁基板上に成膜したのち、ＣＦ4 とＯ2 の混合
ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりパターニ
ングして帯状の光吸収層を形成するものとする。
【０００６】
【作用】透光性絶縁基板上の帯状の透明電極の間に、絶
縁性で、しかも光を吸収する層を設けた結果、薄膜ＥＬ
素子の任意の画素を構成する発光層に電界が印加された
時に放射される光のうち、背面電極によって反射され、
画素間に漏れでてくる光がその光吸収層により遮断され
るので、駆動時の画素と画素間のコントラストが大幅に
改善される。SiＮx はｘが0.１〜0.５であるとき光の透
過率が20％以下であるので、このような光吸収層の材料
として使用できるが、抵抗率が108 Ωcm程度であるた
め、光吸収層と透明電極の間に間隙を設けて透明電極間
の絶縁を確実にする。
縁性で、しかも光を吸収する層を設けた結果、薄膜ＥＬ
素子の任意の画素を構成する発光層に電界が印加された
時に放射される光のうち、背面電極によって反射され、
画素間に漏れでてくる光がその光吸収層により遮断され
るので、駆動時の画素と画素間のコントラストが大幅に
改善される。SiＮx はｘが0.１〜0.５であるとき光の透
過率が20％以下であるので、このような光吸収層の材料
として使用できるが、抵抗率が108 Ωcm程度であるた
め、光吸収層と透明電極の間に間隙を設けて透明電極間
の絶縁を確実にする。
【０００７】
【実施例】以下、図２と共通の部分に同一の符号を付し
た図１を引用して本発明の実施例について述べる。図１
に示す本発明の一実施例の薄膜ＥＬ素子は次のようにし
て製造した。透光性絶縁基板には、コーニング社商品名
コーニング7059からなり、厚さ１mm、50mm角のガラス板
を用い、このガラス基板１の上にＤＣスパッタリング法
で約170nmの厚さのＩＴＯ膜を成膜した。透明電極２
は、そのＩＴＯ膜をフォトプロセスにより湿式エッチン
グで帯状にパターニングして形成した。本実施例では、
0.３mmピッチで電極幅を0.22mmとした。つぎに、Siター
ゲツトで反応性ガスにAr＋Ｎ2を用いたＲＦスパッタリ
ング法でSiＮx 膜を約170nm の厚さに成膜した。このと
き、ｘを0.１〜0.５となるようにＮ2 分圧を調整した。
そのSiＮx 膜を、フォトプロセスにより反応性エッチン
グで透明電極２間のみに残してパターン形成して光吸収
層８とした。反応性エッチングには、混合比４：１のＣ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ガスを用い、パワー100 Ｗ、50ｍTorrの圧力
下で２〜３分の条件で行った。
た図１を引用して本発明の実施例について述べる。図１
に示す本発明の一実施例の薄膜ＥＬ素子は次のようにし
て製造した。透光性絶縁基板には、コーニング社商品名
コーニング7059からなり、厚さ１mm、50mm角のガラス板
を用い、このガラス基板１の上にＤＣスパッタリング法
で約170nmの厚さのＩＴＯ膜を成膜した。透明電極２
は、そのＩＴＯ膜をフォトプロセスにより湿式エッチン
グで帯状にパターニングして形成した。本実施例では、
0.３mmピッチで電極幅を0.22mmとした。つぎに、Siター
ゲツトで反応性ガスにAr＋Ｎ2を用いたＲＦスパッタリ
ング法でSiＮx 膜を約170nm の厚さに成膜した。このと
き、ｘを0.１〜0.５となるようにＮ2 分圧を調整した。
そのSiＮx 膜を、フォトプロセスにより反応性エッチン
グで透明電極２間のみに残してパターン形成して光吸収
層８とした。反応性エッチングには、混合比４：１のＣ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ガスを用い、パワー100 Ｗ、50ｍTorrの圧力
下で２〜３分の条件で行った。
【０００８】なおSiＮx のｘが0.１〜0.５の範囲では、
光の透過率は20％以下であるが抵抗率が108 Ωcm程度と
低いため、透明電極２と光吸収層８との間を数μｍから
10μｍ程度離してパターン形成した。透明電極２および
光吸収層８を覆う第一絶縁層３の成膜には、Siターゲツ
トで反応性ガスとしてＯ2 ＋Ｎ2 ガスを用い、ガスの分
圧をコントロールしながら、SiＯ2 膜を30nm、Si3 Ｎ4
膜を180nm の順に積層した。発光層４の成膜には、Mn濃
度0.２重量％のZnＳ焼結ターゲツトを用い、Arガスを用
いたＲＦスパッタリング法で、基板温度250 ℃で、約70
0nm の厚さに成膜した。第二絶縁層５の成膜方法は、第
一絶縁層と同様であるが、SiＯ2 膜とSi3 Ｎ4 膜の順序
を逆にして成膜した。背面電極６にはAl、Niの２層積層
膜を用い、厚さはそれぞれ300nm 、400nm で、電子ビー
ム蒸着法で成膜した。そのパターニングには、フォトプ
ロセスを用い、湿式エッチングで行った。
光の透過率は20％以下であるが抵抗率が108 Ωcm程度と
低いため、透明電極２と光吸収層８との間を数μｍから
10μｍ程度離してパターン形成した。透明電極２および
光吸収層８を覆う第一絶縁層３の成膜には、Siターゲツ
トで反応性ガスとしてＯ2 ＋Ｎ2 ガスを用い、ガスの分
圧をコントロールしながら、SiＯ2 膜を30nm、Si3 Ｎ4
膜を180nm の順に積層した。発光層４の成膜には、Mn濃
度0.２重量％のZnＳ焼結ターゲツトを用い、Arガスを用
いたＲＦスパッタリング法で、基板温度250 ℃で、約70
0nm の厚さに成膜した。第二絶縁層５の成膜方法は、第
一絶縁層と同様であるが、SiＯ2 膜とSi3 Ｎ4 膜の順序
を逆にして成膜した。背面電極６にはAl、Niの２層積層
膜を用い、厚さはそれぞれ300nm 、400nm で、電子ビー
ム蒸着法で成膜した。そのパターニングには、フォトプ
ロセスを用い、湿式エッチングで行った。
【０００９】以上の方法で製造した薄膜ＥＬ素子を交流
電源７に接続し駆動を行ったところ、画素間での光漏れ
が減少し、従来の薄膜ＥＬ素子に比べコントラスト比が
数倍改善された。
電源７に接続し駆動を行ったところ、画素間での光漏れ
が減少し、従来の薄膜ＥＬ素子に比べコントラスト比が
数倍改善された。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、透光性絶縁基板上に形
成される透明電極の間に、例えばＲＦスパッタリングに
より容易に形成できるSiＮx よりなる絶縁性の光吸収層
を設けることにより、発光層から背面側に放射され、背
面電極によって反射されて画素間に漏れでてくる光を遮
断するので、画素と画素間とのコントラストが向上した
薄膜ＥＬ素子を得ることができた。
成される透明電極の間に、例えばＲＦスパッタリングに
より容易に形成できるSiＮx よりなる絶縁性の光吸収層
を設けることにより、発光層から背面側に放射され、背
面電極によって反射されて画素間に漏れでてくる光を遮
断するので、画素と画素間とのコントラストが向上した
薄膜ＥＬ素子を得ることができた。
【図１】本発明の一実施例の薄膜ＥＬ素子の断面図
【図２】従来の薄膜ＥＬ素子の断面図
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 第一絶縁層 ４ 発光層 ５ 第二絶縁層 ６ 背面電極 ８ 光吸収層
Claims (5)
- 【請求項１】発光層の両面にそれぞれ絶縁層を介して互
いに直交して対向する複数の平行帯状の透明電極と背面
電極とを備え、その透明電極が透光性絶縁基板上に形成
されたものにおいて、透光性絶縁基板上の透明電極の間
に帯状の絶縁性光吸収層が設けられたことを特徴とする
薄膜エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項２】光吸収層の光透過率が20％以下である請求
項１記載の薄膜エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項３】光吸収層がｘが0.１〜0.５であるSiＮx よ
りなる請求項２記載の薄膜エレクトロルミネセンス素
子。 - 【請求項４】光吸収層と透明電極との間に間隙が設けら
れた請求項３記載の薄膜エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項５】Siターゲツト、Ｎ2 を含む反応性ガスを使
用したＲＦスパッタリング法によりｘが0.１〜0.５のSi
Ｎx 膜を透光性絶縁基板上に成膜したのち、ＣＦ4 とＯ
2 の混合ガスを用いた反応性イオンエッチング法により
パターニングして帯状の光吸収層を形成することを特徴
とする請求項３あるいは４記載の薄膜エレクトロルミネ
センス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5245841A JPH07106067A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5245841A JPH07106067A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106067A true JPH07106067A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17139652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5245841A Pending JPH07106067A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106067A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012121372A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | シャープ株式会社 | 表示素子及び電子機器 |
-
1993
- 1993-10-01 JP JP5245841A patent/JPH07106067A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012121372A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | シャープ株式会社 | 表示素子及び電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3918558B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP2000068073A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JPH11135257A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP2000208255A (ja) | 有機エレクトロルミネセント表示装置及びその製造方法 | |
| JPH0482197A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| WO2022160541A1 (zh) | 透明显示面板 | |
| JP2621057B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH056318B2 (ja) | ||
| JP2003092190A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| JPH0460317B2 (ja) | ||
| JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
| JPS60160594A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH027388A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPH0433120B2 (ja) | ||
| JPH0666155B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| JPS59154793A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61142692A (ja) | マトリクス表示形エレクトロルミネセンス素子 | |
| JPS5991697A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0230094A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS598040B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH04102195U (ja) | 薄膜電子ルミネセンス表示素子 | |
| JPS59154794A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6089098A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の電極構造 | |
| JPH0272594A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPS5821795B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子の構造 |