JPH07106351A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、複数
の半導体チップを近接させて実装する方法に関する。 【構成】 セラミックパッケージ１１上に形成したＡｇ
ペースト層５０を適宜加熱して半硬化させる工程４１
と、半硬化されたＡｇペースト層５１上に加熱した半導
体チップ１１６，１１７を順次付ける工程４２，４３
と、全部の半導体チップを付けた後、Ａｇペースト層５
１を完全に硬化させる工程４４とより構成する。Ａｇペ
ースト層５１が半硬化状態にあるため、半導体チップを
付けることによる影響が周囲に及ばないよう構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り、特に複数の半導体チップを近接させて実装してな
る半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】情報処理を行う電子装置の中には、１ＧＨ
ｚ程度と非常に高い高周波の信号を処理する装置があ
る。特に、この種の装置に組込まれる半導体装置は、高
周波特性が優れたものであることが要求される。

【０００３】図９は、優れた高周波特性を有する１例の
半導体装置１０を示す。

【０００４】半導体装置１０はセラミックＤＩＰ型であ
り、セラミック製パッケージ１１と、リード１２とを有
する。パッケージ１１の半導体チップ実装部１３は、封
止材１４を介してキャップ１５によって封止されてい
る。

【０００５】半導体チップ実装部１３には、図１０に拡
大して示すように、二つの半導体チップ１６，１７が並
んで近接して実装してある。

【０００６】半導体チップ１６，１７とパッケージ１１
上の電極１８との間に、ワイヤ１９が接続してある。

【０００７】半導体チップ１６と１７との間にも、ワイ
ヤ２０が接続してある。

【０００８】半導体装置１０の高周波特性を上げるに
は、ワイヤ２０の長さを十分に短くすることが必要であ
る。

【０００９】ワイヤ２０の長さを十分に短くするには、
半導体チップ１６と半導体チップ１７との間の隙間２１
の寸法ａを約0.2 mm程度にまで小さくすることが必要と
される。

【００１０】

【従来の技術】従来、半導体チップは図１１に示すよう
に実装されていた。

【００１１】Ａｇペーストはエポキシ系であり、熱硬化
性を有する。 Ａｇペースト塗布（図１１（Ａ）参照） 図９及び図１０のセラミックパッケージ１１の半導体チ
ップ実装部１３上に、Ａｇペースト層３０を平面的に形
成する。 第１の半導体チップ付け（図１１（Ｂ）参照） 第１の半導体チップ１６を接着する。 第２の半導体チップ付け（図１１（Ｃ）参照） 第１の半導体チップ１６に隣接して、第２の半導体チッ
プ１７を接着する。 硬化（図１１（Ｄ）参照） 加熱してＡｇペースト層３０を熱硬化させる。

【００１２】３０Ａは完全硬化されたＡｇペースト層で
ある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】第１の半導体チップ付
け及び第２の半導体チップ付けは、共に塗布されたまま
のネバネバしたＡｇペースト層３０に対して行ってい
た。

【００１４】このため、第１の半導体チップ付けによっ
て、図１１（Ｂ）に示すように、Ａｇペースト層３０の
うち、第２の半導体チップ１７が接着される予定の場所
が、符号３１で示すように盛り上がる。

【００１５】第２の半導体チップ１７を付けると、図１
１（Ｃ）に示すように、今度は、Ａｇペースト層３０の
うち、第１の半導体チップ１６が付いている部分が、符
号３２で示すように盛り上がる。

【００１６】このため、図１１（Ｄ）に示すように、第
１の半導体チップ１６は浮き上がって且つ傾斜した状態
となってしまう。

【００１７】このことは、図１中のワイヤ２０を配線す
る作業に障害となってしまい、好ましくない。

【００１８】また、第１の半導体チップ１６が浮き上が
るため、このことを考慮して第１の半導体チップ１６と
第２の半導体チップ１７との間の隙間をある程度広くと
る必要があり、ワイヤ２０はその分長くなってしまう。

【００１９】なお、半導体チップの浮き及び傾きの防止
策として、半導体チップを搭載する部分を、各半導体チ
ップ毎に分割することが考えられる。

【００２０】しかし、この方法によれば、隣り合う半導
体チップの間の隙間が広がってしまい、この結果、ワイ
ヤ２０の長さが長くなってしまい、ワイヤ２０のインダ
クタンスが増え、半導体装置の高周波特性が低下してし
まい、好ましくない。

【００２１】また、接着剤として、金属ロー材を使用し
た場合には、第２の半導体チップを付けるに際して、金
属ロー材を溶融させたときに、金属ロー材が表面張力に
よって丸みを帯びることによって、先に付けられている
第１の半導体チップが傾いたり中央に寄ったりして、第
２の半導体チップが第１の半導体チップとぶつかってし
まい、第２の半導体チップを付けることが出来なくなる
ことが起こり、好ましくない。

【００２２】そこで、本発明は、上記課題を解決した半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、複数
の半導体チップを、互いに近接した状態で、接着剤によ
って、パッケージの半導体チップ実装部へ実装する半導
体装置の製造方法において、上記半導体チップ実装部へ
接着剤を塗布して接着剤層を形成する工程と、該接着剤
層を半硬化させる工程と、半硬化された接着剤層上に、
複数の半導体チップを、加熱しつつ一つずつ、先に接着
したものに近接させて接着する工程と、複数の半導体チ
ップを接着した後に、半硬化されている接着剤層を完全
硬化させる工程とよりなる構成としたものである。

【００２４】請求項２の発明は、複数の半導体チップ
を、互いに近接した状態で、接着剤によって、パッケー
ジの半導体チップ実装部へ実装する半導体装置の製造方
法において、半導体チップの下面に接着剤を付着させる
工程と、下面に接着剤が付着された半導体チップを一つ
ずつ半導体チップ実装部へ接着する工程と、複数の半導
体チップを接着した後に、接着剤を完全硬化させる工程
とよりなる構成としたものである。

【００２５】請求項３の発明は、複数の半導体チップ
を、互いに近接した状態で、接着剤によって、パッケー
ジの半導体チップ実装部へ実装する半導体装置の製造方
法において、ウェハの下面に接着剤を塗布する工程と、
該ウェハの下面の接着剤層を半硬化させる工程と、下面
に半硬化された接着剤層を有するウェハをスクライブし
て切り出した半導体チップを一つづつパッケージ本体へ
接着する工程と、複数の半導体チップを接着した後に、
接着剤を完全硬化させる工程とよりなる構成としたもの
である。

【００２６】

【作用】請求項１の半導体チップを一つずつ接着するに
際して、接着剤層が予め半硬化されている構成は、半導
体チップを接着することが先に接着されている半導体チ
ップに影響を与えないように作用する。

【００２７】請求項２の接着剤を半導体チップの下面に
付着させるようにした構成は、半導体チップと半導体チ
ップ実装部との間の接着剤層を、各半導体チップについ
て分離独立とするように作用する。

【００２８】請求項３の接着剤をウェハに塗布してウェ
ハの下面全体に接着剤層を形成し、これを半硬化させ、
これをスクライブする構成は、スクライブした後にピッ
クアップした半導体チップ一つ一つに接着剤を付着する
のに比べて作業工数を少なくするように作用する。

【００２９】

【実施例】〔第１実施例〕図１は本発明の第１実施例に
なる半導体装置の製造方法を示す。

【００３０】二つの半導体チップは以下に説明する工程
を経て実装される。

【００３１】なお、Ａｇペーストは図示の便宜上元の状
態を梨地のパターンで表わす。半硬化状態は、梨地パタ
ーンにハッチングを付けたパターンで表わす。完全な硬
化状態は、梨地パターンにクロスハッチングを付したパ
ターンで表わす。 Ａｇペースト層形成工程４０（図１（Ａ）参照） Ａｇペーストをセラミックパッケージ１１の半導体チッ
プ実装部１３上に塗布し、平面的なＡｇペースト層５０
を形成する。

【００３２】Ａｇペースト２１はエポキシ系であり、熱
硬化性を有する。

【００３３】Ａｇペースト層５０はベトついた状態にあ
る。 半硬化工程４１（図１（Ｂ）参照） パッケージ１１を恒温槽内に入れて、１００℃で約５分
間加熱する。これは完全硬化の半分程度の条件である。

【００３４】これにより、Ａｇペーストが半硬化され、
Ｂステージ状となり、ベトつかない状態となり、Ａｇペ
ースト層５０は半硬化Ａｇペースト層５１となる。 第１の半導体チップ付け工程４２（図１（Ｃ），
（Ｄ），図２参照） セラミックパッケージ１１は室温状態に保たれる。

【００３５】図２（Ａ）に示すように、ヒータ５２によ
って加熱されているコレット５３により第１の半導体チ
ップ１６を吸引してピックアップする。第１の半導体チ
ップ１６は約１００℃程度に加熱される。

【００３６】図２（Ｂ）に示すように、コレット５３を
下動させ、第１の半導体チップ１６を半硬化Ａｇペース
ト層５１上へ接触させ、適当に加圧し、その後、吸引を
解除し、コレット５３を上動させる。

【００３７】コレット５３が下動して適当に加圧された
状態において、半硬化Ａｇペースト層５１は、図１
（Ｃ）及び図２（Ｂ）に示すように、第１の半導体チッ
プ１６の真下の部分だけが加熱されて、符号５４で示す
ように、再溶融し、ベトついた状態となり、第１の半導
体チップ１６が接着される。

【００３８】コレット５３が引き上げられると、Ａｇペ
ースト層は自然冷却され、再溶融した部分は、図１
（Ｄ）に符号５５で示すように元の半硬化状態となり、
第１の半導体チップ１６は接着固定される。

【００３９】上記の過程において、第１の半導体チップ
１６が押し付けられない部分５６は、加熱されないた
め、半硬化状態に保たれ、盛り上がったりはしない。 第２の半導体チップ付け工程４３（図１（Ｅ），
（Ｆ），図２参照） セラミックパッケージ１１を室温状態に保ち、前記と同
じく、加熱したコレット５３を使用して、第２の半導体
チップ１７をピックアップし、既に接着固定されている
第１の半導体チップ１６に近接させて、第２の半導体チ
ップ１７を半硬化Ａｇペースト層５１に押し付け、その
後、吸引を解除し、コレット５３を引き上げる。

【００４０】第２の半導体チップ１７が押し付けられた
状態で、半硬化Ａｇペースト層５１のうち、第２の半導
体チップ１７の真下の部分だけが加熱されて、図１
（Ｅ）に符号５７で示すように再溶融し、ベトついた状
態となり、第２の半導体チップ１７が接着される。

【００４１】コレット５３が引き上げられると、Ａｇペ
ースト層は自然冷却され、再溶融した部分は、図１
（Ｆ）に符号５８で示すように元の半硬化状態となり、
第２の半導体チップ１７は接着固定される。

【００４２】上記の第２の半導体チップ１７を接着固定
する過程において、第１の半導体チップ１６を接着固定
している部分５９は、加熱されないため半硬化状態に保
たれる。

【００４３】このため、第２の半導体チップ１７を接着
固定することの影響が上記の部分５９に及ぶことが無
く、第１の半導体チップ１６が動いたり、傾斜したりす
ることは起きない。

【００４４】これにより、図１（Ｆ）に示すように、第
１の半導体チップ１６と第２の半導体チップ１７とは、
約0.2 mmに近接し、同じ高さに共に水平に保たれて、仮
固定された状態となる。

【００４５】必要に応じて、第３，第４の半導体チップ
を上記と同様にして次々に一つずつ接着固定する。 完全硬化工程４４（図１（Ｇ）参照） 全部の半導体チップの接着固定が完了した後に、パッケ
ージ１１を恒温槽内に入れて、１５０℃で１時間程度加
熱する。

【００４６】これにより、半硬化Ａｇペースト層５１は
完全に熱硬化され、完全硬化Ａｇペースト層６０とな
り、第１，第２の半導体チップ１６，１７が共に完全に
固定された状態となる。

【００４７】この工程４４において、半導体チップ１
６，１７は、動いたり傾斜したりしない。

【００４８】よって、第１，第２の半導体チップ１６，
１７は、近接し、隙間４９を約０．２ｍｍと狭くされ、
同じ高さに共に水平とされて固定される。

【００４９】従って、続いて行なわれるワイヤボンディ
ングは支障なく行われ、第１，第２の半導体チップの間
のワイヤ２０（図１０参照）の長さを短く出来る。

【００５０】〔第２実施例〕図３は本発明の第２実施例
になる半導体装置の製造方法を示す。

【００５１】二つの半導体チップは以下に説明する工程
を経て実装される。 Ａｇペースト付着工程７０（図３（Ａ），図４参
照） 図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、スクライブされたウ
ェハより第１の半導体チップ１６をコレット５３により
吸着してピックアップし、Ａｇペーストが塗布されてＡ
ｇペースト層８０が形成されているステージ８１に押し
付け、引き上げることによって、第１の半導体チップ１
６の下面１６ａに、Ａｇペースト８２を付着させる。 第１の半導体チップ付け工程７１（図３（Ｂ）参
照） 上記のコレットを使用して、第１の半導体チップ１６
を、Ａｇペースト層８２Ａを介してセラミックパッケー
ジ１１上の半導体チップ実装部１３に接着する。

【００５２】Ａｇペースト８２は第１の半導体チップ１
６とセラミックパッケージ１１との間に挟まれているた
め、表面張力によって拡がることが制限されている。 Ａｇペースト付着工程７２（図３（Ｃ），図４参
照） 前記の工程７０と同様にして、第２の半導体チップ１７
の下面１７ａに、Ａｇペースト８３を付着させる。 第２の半導体チップ付け工程７３（図３（Ｄ）参
照） 上記工程７１と同様にして、第２の半導体チップ１７を
Ａｇペースト層８３Ａを介してセラミックパッケージ１
１上に、第１の半導体チップ１６に0.2 mm程度にまで近
接させて接着する。

【００５３】Ａｇペーストは各半導体チップとセラミッ
クパッケージとの間に留まり拡がらない。

【００５４】このため、第１，第２の半導体チップ１
６，１７は、動いたりせず、接着した位置に留まる。

【００５５】必要に応じて、第３，第４の半導体チップ
を上記と同様にして次々に一つずつ接着する。 硬化工程７４（図３（Ｅ）参照） 全部の半導体チップの接着が完了した後に、パッケージ
１１を恒温槽内に入れて、１５０℃で１時間程度加熱す
る。

【００５６】これにより、図３（Ｄ）中のＡｇペースト
層８２Ａ，８３Ａが熱硬化され、硬化Ａｇペースト層８
２Ｂ，８３Ｂとなり、第１，第２の半導体チップ１６，
１７は、近接し、同じ高さに、共に水平とされて、セラ
ミックパッケージ１１に固定される。

【００５７】従って、続いて行われるワイヤボンディン
グは、支障なく行われ、第１，第２の半導体チップの間
のワイヤの長さを短く出来る。

【００５８】Ａｇペーストに代えてガラスペーストを使
用することもできる。

【００５９】〔第３実施例〕図５は本発明の第３実施例
になる半導体装置の製造方法を示す。

【００６０】本実施例は、上記の第２実施例におけるＡ
ｇペーストに代えて、接着剤として、Ａｕ−Ｓｎの金属
ロー材を用いた場合の実施例である。

【００６１】二つの半導体チップは、以下に説明する工
程を経て実装される。 金属ロー材付着工程９０（図５（Ａ），図６
（Ａ），（Ｂ）参照） 図６（Ａ）に示すように、上面開口のチャンバ１００の
内部にヒータ１０１ａが組込まれているブロック１０１
が設けてある。ブロック１０１は３００℃に加熱されて
おり、ブロック１０１の上面に、溶融した金属ロー材１
０２が載っている。チャンバ１００内はＮ₂ ガスが充満
しており、不活性雰囲気となっており、金属ロー材１０
２が酸化することが防止されている。

【００６２】図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、コレッ
ト５３がスクライブされたウェハより第１の半導体チッ
プ１６を吸引してピックアップし、第１の半導体チップ
１６をチャンバ１００内に降ろし、そして引き上げる。

【００６３】これにより、図５（Ａ）及び図６（Ｂ）に
示すように、第１の半導体チップ１６の下面１６ａに、
金属ロー材１０３が付着される。

【００６４】金属ロー材１０３は表面張力によって丸く
なる。 第１の半導体チップ付け工程９１（図５（Ｂ），図
６（Ｃ）参照） 図５（Ｂ）に示すように、セラミックパッケージ１１の
上面の半導体チップ実装部１３には、メッキによってＡ
ｕ層１０４が予め形成してある。

【００６５】図６（Ｃ）に示すように、チャンバ１０５
の内部にヒータ１０６ａが組込まれているブロック１０
６が設けてある。ブロック１０６上にセラミックパッケ
ージ１１が載っており、ヒータ１０６ａによって３００
℃に加熱されている。また、チャンバ１０５内はＮ₂ ガ
スが充満しており、不活性雰囲気となっている。

【００６６】同図に示すように、コレット５３をチャン
バ１０５内に降ろし、第１の半導体チップ１６をセラミ
ックパッケージ１１上に載置し、吸引を解除し、コレッ
トを上げる。

【００６７】これにより、金属ロー材１０３が溶融し、
第１の半導体チップ１６が、図５（Ｂ）及び図６（Ｃ）
に示すように、セラミックパッケージ１１上に溶融した
金属ロー材層１０７を介して付けられる。 金属ロー材付着工程９２（図５（Ｃ），図６
（Ａ），（Ｂ）参照） 前記の工程９０と同様にして、第２の半導体チップ１７
の下面１７ａに、金属ロー材１０８を付着させる。 第２の半導体チップ付け工程９３（図５（Ｄ），図
６（Ｃ）参照） 前記の工程９１と同様にして、第２の半導体チップ１７
が、第１の半導体チップ１６に0.2 mm程度にまで近接し
た位置に、溶融した金属ロー材層１０９を介して付けら
れる。

【００６８】上記の金属ロー材層１０８，１０９は、半
導体チップ１６，１７とパッケージ１１との間に挟まれ
ているため、拡がらない。

【００６９】このため、第１，第２の半導体チップ１
６，１７は動かず、付けられた位置に静止したままとさ
れる。 硬化工程９４（図５（Ｅ）参照） セラミックパッケージ１１をヒータ１０６ａより取りは
ずす。

【００７０】これにより、セラミックパッケージ１１の
温度が下がり、金属ロー材層１０８，１０９が固まり、
硬化する。

【００７１】第１，第２の半導体チップ１６，１７は、
0.2 mm程度にまで近接した位置に、水平とされて、且つ
同一高さとされて、凝固した金属ロー材層１０７Ａ，１
０９Ａを介してセラミックパッケージ１１上に固定され
る。

【００７２】〔第４実施例〕図６は本発明の第４実施例
になる半導体装置の製造方法を示す。

【００７３】二つの半導体チップは、以下に説明する工
程を経て実装される。 Ａｇペースト塗布工程１１０（図７（Ａ）参照） ウェハ１２０の下面１２０ａ全面にＡｇペーストを塗布
し、厚さｔが２０〜３０μm のＡｇペースト層１２１を
形成する。 半硬化工程１１１（図７（Ｂ）参照） ウェハ１２０を恒温槽に入れて、１００℃で約５分間加
熱する。

【００７４】これにより、Ａｇペーストが半硬化され、
Ｂステージ状となり、ベトつかない状態となり、Ａｇペ
ースト層１２１は、半硬化Ａｇペースト層１２２とな
る。 スクライブ工程１１２（図７（Ｃ）参照） ウェハ１２０をマトリクス状にスクライブし、多数の半
導体チップ１１６，１１７を切り出す。

【００７５】ここで、Ａｇペースト層１２２はベトつか
ないＢステージ状態にあるため、ウェハ１２０は支障な
くスクライブされる。 第１の半導体チップ付け工程１１３（図７（Ｄ），
図８参照） 図８に示すように、セラミックパッケージ１１が、ヒー
タ１２３が組込まれているステージ１２４上に載置して
あり、１００℃程度に加熱されている。

【００７６】コレット５３を使用して、スクライブされ
たウェハより第１の半導体チップ１６を吸引してピック
アップし、搬送し、加熱されているセラミックパッケー
ジ１１上に載置し、適当な圧力Ｐで加圧する。

【００７７】半硬化Ａｇペースト層１２２は、セラミッ
クパッケージ１１の熱により再度溶融する。

【００７８】また圧力Ｐが加えられることによって、溶
融したＡｇペースト内の気泡が除去され、且つＡｇペー
ストの厚さが制御される。

【００７９】第１の半導体チップ１６は、図７（Ｄ）に
示すように、溶融したＡｇペースト層１２５を介してセ
ラミックパッケージ１１上に付けられる。 第２の半導体チップ付け工程１１４（図７（Ｅ），
図８参照） 上記の工程１１３と同様にして、第２の半導体チップ１
７を、第１の半導体チップ１６に近接した位置に、溶融
したＡｇペースト層１２６を介して付ける。 硬化工程１１５（図７（Ｆ）） セラミックパッケージ１１を恒温槽内で１５０℃に約１
時間加熱する。

【００８０】これにより、Ａｇペースト層１２５，１２
６は硬化され、硬化したＡｇペースト層１２７，１２８
となる。

【００８１】第１，第２の半導体チップ１６，１７は、
近接した位置に、水平とされて、且つ同一高さとされ
て、硬化したＡｇペースト層１２７，１２８によってセ
ラミックパッケージ１１上に接着固定される。

【００８２】本実施例によれば、半導体チップ１個１個
毎にＡｇペーストを塗布する必要がないため、製造コス
トが安価である。

【００８３】

【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、半導体チップを接着するに際して、接着剤層が予
め半硬化されているため、半導体チップの接着を、先に
接着されている半導体チップに影響が及ばない状態で行
うことが出来、然して、複数の半導体チップを約0.2 mm
程度まで近接させた状態で確実かつ安定に実装すること
が出来る。

【００８４】請求項２の発明によれば、接着剤を半導体
チップの下面に付着させ、そして実装部へ接着する構成
であるため、半導体チップと半導体チップ実装部との間
の接着剤層は各半導体チップについて分離された状態と
なり、半導体チップの接着を、先に接着されている半導
体チップに影響が及ばない状態で行うことが出来、然し
て複数の半導体チップを約0.2 mm程度まで近接させた状
態で確実かつ安定に実装することが出来る。

【００８５】請求項３の発明によれば、請求項２の発明
による効果に加えて作業工数を削減出来、製造コストを
更に安価とし得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例になる半導体装置の製造方
法を示す図である。

【図２】図１中、工程４２，４３を説明する図である。

【図３】本発明の第２実施例になる半導体装置の製造方
法を示す図である。

【図４】図３中、工程７０を説明する図である。

【図５】本発明の第３実施例になる半導体装置の製造方
法を示す図である。

【図６】図５中、工程９０，９１を説明する図である。

【図７】本発明の第４実施例になる半導体装置の製造方
法を示す図である。

【図８】図７中、工程１１３，１１４を説明する図であ
る。

【図９】半導体装置の１例を示す図である。

【図１０】図９中、円Ａで囲んだ部分の拡大図である。

【図１１】従来の半導体装置の製造方法の１例を示す図
である。

【符号の説明】

１０ 半導体装置 １１ セラミックパッケージ １３ 半導体チップ実装部 １６ 第１の半導体チップ １７ 第２の半導体チップ １６ａ，１７ａ 下面 ２０ ワイヤ ２１，４９ 隙間 ４０ Ａｇペースト層形成工程 ４１ 半硬化工程 ４２，７１，９１，１１３ 第１の半導体チップ付け工
程 ４３，７３，９３，１１４ 第２の半導体チップ付け工
程 ５０，８０，８２，８３，８２Ａ，８３Ａ，１２１ Ａ
ｇペースト層 ５１，１２２ 半硬化Ａｇペースト層 ５２，１０１ａ，１０６ａ，１２３ ヒータ ５３ コレット ５４，５７ 再溶融した部分 ５５，５８ 元の半硬化状態に戻った部分 ５６ 第１の半導体チップが押し付けられない部分 ５９ 第１の半導体チップを接着固定している部分 ６０ 完全硬化Ａｇペースト層 ７０，７２ Ａｇペースト付着工程 ７４，９４，１１５ 硬化工程 ８１，１２４ ステージ ８２Ｂ，８３Ｂ，１２７，１２８ 硬化Ａｇペースト層 ９０，９２ 金属ロー材付着工程 １００，１０５ チャンバ １０１，１０６ ブロック １０１ａ，１０６ａ ヒータ １０２，１０３，１０８ 金属ロー材 １０４ Ａｕ層 １０７，１０９ 金属ロー材層 １０７Ａ，１０９Ａ 硬化した金属ロー材層 １１０ Ａｇペースト塗布工程 １１１ 半硬化工程 １１２ スクライブ工程 １２０ ウェハ １２５，１２６ 溶融したＡｇペースト層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の半導体チップを、互いに近接した
   状態で、接着剤によって、パッケージの半導体チップ実
   装部へ実装する半導体装置の製造方法において、 上記半導体チップ実装部へ接着剤を塗布して接着剤層
   （５０）を形成する工程（４０）と、 該接着剤層を半硬化させる工程（４１）と、 半硬化された接着剤層上に、複数の半導体チップを、加
   熱しつつ一つずつ、先に接着したものに近接させて接着
   する工程（４２，４３）と、 複数の半導体チップを接着した後に、半硬化されている
   接着剤層を完全硬化させる工程（４４）とよりなる構成
   としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 複数の半導体チップを、互いに近接した
   状態で、接着剤によって、パッケージの半導体チップ実
   装部へ実装する半導体装置の製造方法において、 半導体チップの下面に接着剤を付着させる工程（７０，
   ９０）と、 下面に接着剤が付着された半導体チップを一つずつ半導
   体チップ実装部へ接着する工程（７１，７３，９１，９
   ３）と、 複数の半導体チップを接着した後に、接着剤を完全硬化
   させる工程（７４，９４）とよりなる構成としたことを
   特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 複数の半導体チップを、互いに近接した
   状態で、接着剤によって、パッケージの半導体チップ実
   装部へ実装する半導体装置の製造方法において、 ウェハ（１２０）の下面に接着剤を塗布する工程（１１
   ０）と、 該ウェハの下面の接着剤を半硬化させる工程（１１１）
   と、 下面に半硬化された接着剤層を有するウェハをスクライ
   ブして切り出した半導体チップを一つづつパッケージ本
   体へ接着する工程（１１３，１１４）と、 複数の半導体チップを接着した後に、接着剤を完全硬化
   させる工程（１１５）とよりなる構成としたことを特徴
   とする半導体装置の製造方法。