JPH07106426A - レーザトリミングの方法 - Google Patents
レーザトリミングの方法Info
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- JPH07106426A JPH07106426A JP5276242A JP27624293A JPH07106426A JP H07106426 A JPH07106426 A JP H07106426A JP 5276242 A JP5276242 A JP 5276242A JP 27624293 A JP27624293 A JP 27624293A JP H07106426 A JPH07106426 A JP H07106426A
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- trimming
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 24
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/351—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for trimming or tuning of electrical components
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ベアチップ半導体素子が混在する薄（厚）膜
ハイブリッド回路に支障なくファンクショナルトリミン
グが行えるレーザトリミングの方法を提供する。 【構成】 調整用素子１をレーザビームでトリミングす
ると、トリミングされた溝で乱反射したレーザ光が四方
に散乱し調整用素子１の近傍に在る半導体素子２に当た
る。半導体シリコンの吸収帯はＮｄ：ＹＡＧレーザ光の
波長１．０６μｍと同じ赤外波長域にあるので、半導体
素子２がベアチップである場合はレーザ光の散乱波が素
子内部でキャリアを励起しベアチップの半導体素子の動
作点が外れる現象が生じる。そこで、トリミングに使用
するレーザ光はＮｄ：ＹＡＧレーザ光の波長１．０６μ
ｍを２逓倍した波長０．５３μｍのものとし、ハイブリ
ッド回路中に存在するベアチップの半導体素子の動作点
が外れるのを防止する。
ハイブリッド回路に支障なくファンクショナルトリミン
グが行えるレーザトリミングの方法を提供する。 【構成】 調整用素子１をレーザビームでトリミングす
ると、トリミングされた溝で乱反射したレーザ光が四方
に散乱し調整用素子１の近傍に在る半導体素子２に当た
る。半導体シリコンの吸収帯はＮｄ：ＹＡＧレーザ光の
波長１．０６μｍと同じ赤外波長域にあるので、半導体
素子２がベアチップである場合はレーザ光の散乱波が素
子内部でキャリアを励起しベアチップの半導体素子の動
作点が外れる現象が生じる。そこで、トリミングに使用
するレーザ光はＮｄ：ＹＡＧレーザ光の波長１．０６μ
ｍを２逓倍した波長０．５３μｍのものとし、ハイブリ
ッド回路中に存在するベアチップの半導体素子の動作点
が外れるのを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファンクショナルトリ
ミングで使用されるレーザトリミングの方法に関する。
ミングで使用されるレーザトリミングの方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜または厚膜のハイブリッドＩＣ中の
抵抗値の精度は、抵抗体の印刷精度に大きく依存し、±
２０％程度が現状技術の上限であるが、要求される抵抗
値の精度はこの値よりもずっと大きいので、抵抗体の一
部を除去（トリミング）し抵抗値を所定の精度に仕上げ
るトリミングプロセスは薄（厚）膜ハイブリッドの製造
技術として不可欠となっている。
抵抗値の精度は、抵抗体の印刷精度に大きく依存し、±
２０％程度が現状技術の上限であるが、要求される抵抗
値の精度はこの値よりもずっと大きいので、抵抗体の一
部を除去（トリミング）し抵抗値を所定の精度に仕上げ
るトリミングプロセスは薄（厚）膜ハイブリッドの製造
技術として不可欠となっている。
【０００３】ここに、トリミングは、多くの場合薄
（厚）膜抵抗体を削ることであるが、その他コンデンサ
など可変可能な回路素子も対象となる場合がある。最近
では、抵抗素子などの回路素子の値を所定の値にトリミ
ングする素子トリミングだけでなく、機能（ファンクシ
ョナル）トリミングも行われるようになって来た。
（厚）膜抵抗体を削ることであるが、その他コンデンサ
など可変可能な回路素子も対象となる場合がある。最近
では、抵抗素子などの回路素子の値を所定の値にトリミ
ングする素子トリミングだけでなく、機能（ファンクシ
ョナル）トリミングも行われるようになって来た。
【０００４】素子トリミングでは、回路が要求する任意
の値と精度を得ることが可能であるが、回路中の能動素
子（トランジスタ、ダイオードなどの半導体素子）や受
動素子（抵抗、コンデンサなど）のばらつきにより組み
上がったハイブリッドＩＣの特性が要求値を満足できな
い場合が生じる。かかる場合にファンクショナルトリミ
ングが行われる。
の値と精度を得ることが可能であるが、回路中の能動素
子（トランジスタ、ダイオードなどの半導体素子）や受
動素子（抵抗、コンデンサなど）のばらつきにより組み
上がったハイブリッドＩＣの特性が要求値を満足できな
い場合が生じる。かかる場合にファンクショナルトリミ
ングが行われる。
【０００５】即ち、ファンクショナルトリミングでは、
回路素子の値を所定値に合わせるのではなく、所定の電
気回路特性つまり機能を得るために回路を動作状態にし
ておき、回路特性を測定しながら調整用素子の値を変化
させ、回路特性の最終調整を行うのである。従って、フ
ァンクショナルトリミングされた回路素子の値は、出来
上がった個々のハイブリッドＩＣ毎に異なることになる
が、ハイブリッドＩＣの回路特性は揃うことになる。
回路素子の値を所定値に合わせるのではなく、所定の電
気回路特性つまり機能を得るために回路を動作状態にし
ておき、回路特性を測定しながら調整用素子の値を変化
させ、回路特性の最終調整を行うのである。従って、フ
ァンクショナルトリミングされた回路素子の値は、出来
上がった個々のハイブリッドＩＣ毎に異なることになる
が、ハイブリッドＩＣの回路特性は揃うことになる。
【０００６】トリミングの方法には、回路素子上をレー
ザ光で走査し削り取るレーザトリミング法の他に、回路
素子にアルミナ粉体を吹付けて削り取るサンドブラスト
法など各種あるが、トリミング速度や精度の点で優れて
いるレーザトリミング法が現在では主流となっている。
また、レーザトリミングは、回路素子のカッティング自
体は無接触で行えるので回路に影響を与える恐れがない
こと、レーザ光のオンオフ制御がコンピュータ制御によ
り電気的に高速に行えることなどからファンクショナル
トリミングに適している。
ザ光で走査し削り取るレーザトリミング法の他に、回路
素子にアルミナ粉体を吹付けて削り取るサンドブラスト
法など各種あるが、トリミング速度や精度の点で優れて
いるレーザトリミング法が現在では主流となっている。
また、レーザトリミングは、回路素子のカッティング自
体は無接触で行えるので回路に影響を与える恐れがない
こと、レーザ光のオンオフ制御がコンピュータ制御によ
り電気的に高速に行えることなどからファンクショナル
トリミングに適している。
【０００７】なお、レーザトリミング装置は、超音波Ｑ
スイッチ付きＮｄ：ＹＡＧレーザ、ビームポジショナ、
パーツハンドラ、プローブ、測定器及び制御用コンピュ
ータで構成される。
スイッチ付きＮｄ：ＹＡＧレーザ、ビームポジショナ、
パーツハンドラ、プローブ、測定器及び制御用コンピュ
ータで構成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、薄（厚）膜
のハイブリッドＩＣの製造では、実装密度を高めるため
一部の半導体チップをモールドしないで露出したままに
しておくことがある。かかるベアチップの半導体素子が
回路中に存在するハイブリッドＩＣにレーザ光を照射し
ファンクショナルトリミングを行うと、例えば図１に示
すようにレーザ光の散乱光でベアチップの半導体素子の
動作点が外れてしまうことがある。
のハイブリッドＩＣの製造では、実装密度を高めるため
一部の半導体チップをモールドしないで露出したままに
しておくことがある。かかるベアチップの半導体素子が
回路中に存在するハイブリッドＩＣにレーザ光を照射し
ファンクショナルトリミングを行うと、例えば図１に示
すようにレーザ光の散乱光でベアチップの半導体素子の
動作点が外れてしまうことがある。
【０００９】即ち、図１において、調整用素子１をレー
ザビームでトリミングすると、トリミングされた溝で乱
反射したレーザ光が四方に散乱し調整用素子１の近傍に
在る半導体素子２に当たる。このとき、半導体シリコン
の吸収帯がＮｄ：ＹＡＧレーザ光の波長１．０６μｍと
同じ赤外波長域にあるので、半導体素子２がベアチップ
である場合はレーザ光の散乱波が素子内部でキャリアを
励起することとなり、その結果半導体素子２の動作点が
外れると考えられる。
ザビームでトリミングすると、トリミングされた溝で乱
反射したレーザ光が四方に散乱し調整用素子１の近傍に
在る半導体素子２に当たる。このとき、半導体シリコン
の吸収帯がＮｄ：ＹＡＧレーザ光の波長１．０６μｍと
同じ赤外波長域にあるので、半導体素子２がベアチップ
である場合はレーザ光の散乱波が素子内部でキャリアを
励起することとなり、その結果半導体素子２の動作点が
外れると考えられる。
【００１０】そのため従来では、ベアチップの半導体素
子をレーザ光の散乱光から遮蔽しなければならず、余分
の作業が必要であるという問題がある。
子をレーザ光の散乱光から遮蔽しなければならず、余分
の作業が必要であるという問題がある。
【００１１】本発明は、このような従来の問題に鑑みな
されたもので、その目的は、ベアチップの半導体素子が
混在する薄（厚）膜ハイブリッド回路に支障なくファン
クショナルトリミングが行えるレーザトリミングの方法
を提供することにある。
されたもので、その目的は、ベアチップの半導体素子が
混在する薄（厚）膜ハイブリッド回路に支障なくファン
クショナルトリミングが行えるレーザトリミングの方法
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のレーザトリミングの方法は次の如き構成を
有する。即ち、本発明のレーザトリミングの方法は、薄
膜または厚膜のハイブリッド回路の動作状態において測
定しながら回路中の調整用素子の一部をＮｄ：ＹＡＧレ
ーザ光を用いて除去（トリミング）し、回路全体の特性
を調整するレーザトリミングの方法において； 回路中
の調整用素子に照射するレーザ光はＮｄ：ＹＡＧレーザ
光の波長を２逓倍したものである； ことを特徴とする
ものである。
に、本発明のレーザトリミングの方法は次の如き構成を
有する。即ち、本発明のレーザトリミングの方法は、薄
膜または厚膜のハイブリッド回路の動作状態において測
定しながら回路中の調整用素子の一部をＮｄ：ＹＡＧレ
ーザ光を用いて除去（トリミング）し、回路全体の特性
を調整するレーザトリミングの方法において； 回路中
の調整用素子に照射するレーザ光はＮｄ：ＹＡＧレーザ
光の波長を２逓倍したものである； ことを特徴とする
ものである。
【００１３】
【作用】次に、前記の如く構成される本発明のレーザト
リミングの方法の作用を説明する。本発明では、Ｎｄ：
ＹＡＧレーザの出力光を２逓倍した波長０．５３μｍの
レーザ光を用いる。この波長域は半導体シリコンの吸収
帯（１．０６μｍの赤外波長域）を大きく外れているの
で、ハイブリッド回路中にベアチップの半導体素子が混
在していても、レーザ光の散乱波が素子内部でキャリア
を励起することがなくなり、遮蔽をするなどの余分な作
業をしないで済む。
リミングの方法の作用を説明する。本発明では、Ｎｄ：
ＹＡＧレーザの出力光を２逓倍した波長０．５３μｍの
レーザ光を用いる。この波長域は半導体シリコンの吸収
帯（１．０６μｍの赤外波長域）を大きく外れているの
で、ハイブリッド回路中にベアチップの半導体素子が混
在していても、レーザ光の散乱波が素子内部でキャリア
を励起することがなくなり、遮蔽をするなどの余分な作
業をしないで済む。
【００１４】
【実施例】以下、本発明のレーザトリミングの方法を説
明する。前述したように、レーザトリミング装置は、超
音波Ｑスイッチ付きＮｄ：ＹＡＧレーザと、ビームポジ
ショナと、パーツハンドラと、プローブと、測定器と、
制御用コンピュータとで構成されるが、本発明では、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザの射出口にレーザ光の波長を２逓倍す
る変換素子を取り付け、この変換素子を介してレーザ光
を回路中の調整用素子に照射するようにしてある。
明する。前述したように、レーザトリミング装置は、超
音波Ｑスイッチ付きＮｄ：ＹＡＧレーザと、ビームポジ
ショナと、パーツハンドラと、プローブと、測定器と、
制御用コンピュータとで構成されるが、本発明では、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザの射出口にレーザ光の波長を２逓倍す
る変換素子を取り付け、この変換素子を介してレーザ光
を回路中の調整用素子に照射するようにしてある。
【００１５】変換素子は、例えば「第２高調波発生ユニ
ット」として市販されているものを使用した。
ット」として市販されているものを使用した。
【００１６】Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光の波長は１．０６μ
ｍであり、それを２逓倍した波長は０．５３μｍであ
る。この波長域は半導体シリコンの吸収帯（１．０６μ
ｍの赤外波長域）を大きく外れているので、ハイブリッ
ド回路中にベアチップの半導体素子が混在していても、
レーザ光の散乱波が素子内部でキャリアを励起すること
がなくなり、従って、ベアチップの半導体素子の動作点
が外れる現象を防止できる。
ｍであり、それを２逓倍した波長は０．５３μｍであ
る。この波長域は半導体シリコンの吸収帯（１．０６μ
ｍの赤外波長域）を大きく外れているので、ハイブリッ
ド回路中にベアチップの半導体素子が混在していても、
レーザ光の散乱波が素子内部でキャリアを励起すること
がなくなり、従って、ベアチップの半導体素子の動作点
が外れる現象を防止できる。
【００１７】なお、ベアチップの半導体素子の動作点が
外れる現象を防止する観点からすれば、Ｎｄ：ＹＡＧレ
ーザ光を４逓倍等しても良いが、照射エネルギーの点か
ら２逓倍が優れている。
外れる現象を防止する観点からすれば、Ｎｄ：ＹＡＧレ
ーザ光を４逓倍等しても良いが、照射エネルギーの点か
ら２逓倍が優れている。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザト
リミングの方法では、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの出力光を２
逓倍した波長０．５３μｍのレーザ光を用いるので、ハ
イブリッド回路中にベアチップの半導体素子が混在して
いても、レーザ光の散乱波が素子内部でキャリアを励起
することがなくなり、遮蔽をするなどの余分な作業をし
ないで済む利点がある。
リミングの方法では、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの出力光を２
逓倍した波長０．５３μｍのレーザ光を用いるので、ハ
イブリッド回路中にベアチップの半導体素子が混在して
いても、レーザ光の散乱波が素子内部でキャリアを励起
することがなくなり、遮蔽をするなどの余分な作業をし
ないで済む利点がある。
【図１】レーザトリミングの概念図である。
１ 調整用素子 ２ 半導体素子
Claims (1)
- 【請求項１】 薄膜または厚膜のハイブリッド回路の動
作状態において測定しながら回路中の調整用素子の一部
をＮｄ：ＹＡＧレーザ光を用いて除去（トリミング）
し、回路全体の特性を調整するレーザトリミングの方法
において； 回路中の調整用素子に照射するレーザ光は
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光の波長を２逓倍したものである；
ことを特徴とするレーザトリミングの方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5276242A JPH07106426A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | レーザトリミングの方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5276242A JPH07106426A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | レーザトリミングの方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106426A true JPH07106426A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17566684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5276242A Pending JPH07106426A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | レーザトリミングの方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106426A (ja) |
-
1993
- 1993-10-07 JP JP5276242A patent/JPH07106426A/ja active Pending
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