JPH07106476A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
半導体装置用パッケージInfo
- Publication number
- JPH07106476A JPH07106476A JP24665193A JP24665193A JPH07106476A JP H07106476 A JPH07106476 A JP H07106476A JP 24665193 A JP24665193 A JP 24665193A JP 24665193 A JP24665193 A JP 24665193A JP H07106476 A JPH07106476 A JP H07106476A
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- Japan
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- stage
- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ステージを２層構造にすると共に、各層とヒー
トシンクとの熱膨張率の関係を適正化してステージの反
りを抑えること。 【構成】半導体チップを搭載するステージと、該ステー
ジの半導体チップ搭載面の反対側の面にろう付け固定さ
れるヒートシンクとを有する半導体装置用パッケージに
おいて、前記ステージを、前記ヒートシンクに接する側
の第１層と半導体チップを搭載する側の第２層とをろう
付けした２層構造とすると共に、前記第１層に熱膨張率
がヒートシンクの熱膨張率よりも小さい材料を使用し、
且つ、前記第２層に熱膨張率がヒートシンクの熱膨張率
程度の材料を使用したことを特徴とする。
トシンクとの熱膨張率の関係を適正化してステージの反
りを抑えること。 【構成】半導体チップを搭載するステージと、該ステー
ジの半導体チップ搭載面の反対側の面にろう付け固定さ
れるヒートシンクとを有する半導体装置用パッケージに
おいて、前記ステージを、前記ヒートシンクに接する側
の第１層と半導体チップを搭載する側の第２層とをろう
付けした２層構造とすると共に、前記第１層に熱膨張率
がヒートシンクの熱膨張率よりも小さい材料を使用し、
且つ、前記第２層に熱膨張率がヒートシンクの熱膨張率
程度の材料を使用したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用パッケー
ジに関し、特に、発熱量の大きい半導体装置に適用する
パッケージに関する。
ジに関し、特に、発熱量の大きい半導体装置に適用する
パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は一例として示す従来のセラミック
ＰＧＡ（ピン・グリッド・アレイ）パッケージの概略組
立図、図５はその要部概略断面図であり、１はセラミッ
ク製のパッケージ本体（以下「本体」）、２は本体１の
内部に設けられたチップ搭載用のステージ（チップ搭載
面は下面）、３はステージ２の上面（チップ搭載面と反
対側の面）に銀ろうで接合されたヒートシンクである。
ＰＧＡ（ピン・グリッド・アレイ）パッケージの概略組
立図、図５はその要部概略断面図であり、１はセラミッ
ク製のパッケージ本体（以下「本体」）、２は本体１の
内部に設けられたチップ搭載用のステージ（チップ搭載
面は下面）、３はステージ２の上面（チップ搭載面と反
対側の面）に銀ろうで接合されたヒートシンクである。
【０００３】ステージ２の下面に、Ｓｉ又はＧａＡｓの
半導体チップ（以下「チップ」と略す）４を接着固定
し、ワイヤボンデングを行った後、キャップ５で封止し
て組み立てられる。また、ヒートシンク３に放熱フィン
６が取り付けられることもある。なお、７は本体１の下
面に突出する多数のピン（但し一部を図示）である。こ
こで、ステージ２の材料はＳｉやＧａＡｓに近い熱膨張
率α1 を有するモリブデン（Ｍｏ）であり、ヒートシン
ク３の材料はセラミックに近い熱膨張率α2を有する銅
・タングステン合金（Ｃｕ−Ｗ）である。
半導体チップ（以下「チップ」と略す）４を接着固定
し、ワイヤボンデングを行った後、キャップ５で封止し
て組み立てられる。また、ヒートシンク３に放熱フィン
６が取り付けられることもある。なお、７は本体１の下
面に突出する多数のピン（但し一部を図示）である。こ
こで、ステージ２の材料はＳｉやＧａＡｓに近い熱膨張
率α1 を有するモリブデン（Ｍｏ）であり、ヒートシン
ク３の材料はセラミックに近い熱膨張率α2を有する銅
・タングステン合金（Ｃｕ−Ｗ）である。
【０００４】但し、α1 （Ｍｏの熱膨張率） ＝５．
９×１０-6／℃ α2 （Ｃｕ−Ｗの熱膨張率）＝６．９×１０-6／℃
９×１０-6／℃ α2 （Ｃｕ−Ｗの熱膨張率）＝６．９×１０-6／℃
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の半導体装置用パッケージにあっては、ステージ２
の熱膨張率α1 とヒートシンク３の熱膨張率α2 の関係
が［α1 ＜α2 ］となっていたため、ステージ２とヒー
トシンク３の接合時に、ステージ２に図６に示すような
反りを生じることがあり、その後に行われるチップ４の
搭載作業に不都合をきたすという問題点があった。
従来の半導体装置用パッケージにあっては、ステージ２
の熱膨張率α1 とヒートシンク３の熱膨張率α2 の関係
が［α1 ＜α2 ］となっていたため、ステージ２とヒー
トシンク３の接合時に、ステージ２に図６に示すような
反りを生じることがあり、その後に行われるチップ４の
搭載作業に不都合をきたすという問題点があった。
【０００６】すなわち、ステージ２とヒートシンク３
は、銀ろうを約８００℃の高温で溶かして接合し、この
高温状態又は高温状態に至る過程においては、上記の関
係［α 1 ＜α2 ］から、ステージ２とヒートシンク３と
の間に膨張差が生じるが、銀ろうが溶けている間は、ス
テージ２とヒートシンク３の間がまだ接合状態にないた
め、ヒートシンク３の大きな膨張がステージ２に影響す
ることはなく、上述の反りは生じない。
は、銀ろうを約８００℃の高温で溶かして接合し、この
高温状態又は高温状態に至る過程においては、上記の関
係［α 1 ＜α2 ］から、ステージ２とヒートシンク３と
の間に膨張差が生じるが、銀ろうが溶けている間は、ス
テージ２とヒートシンク３の間がまだ接合状態にないた
め、ヒートシンク３の大きな膨張がステージ２に影響す
ることはなく、上述の反りは生じない。
【０００７】しかし、温度が低下して銀ろうが固まり始
めると、ステージ２とヒートシンク３の間が接合され、
同時に、ステージ２とヒートシンク３がそれぞれの膨張
率に応じて収縮を開始するが、かかる収縮過程において
は、ステージ２とヒートシンク３との間が接合状態にあ
り、しかもステージ２の収縮量よりもヒートシンク３の
収縮量の方が大きいから、ヒートシンク３がステージ２
の方向に曲がって上述の反りを生じるのである。 ［目的］そこで、本発明は、ステージを２層構造にする
と共に、各層とヒートシンクとの熱膨張率の関係を適正
化してステージの反りを抑えることを目的とする。
めると、ステージ２とヒートシンク３の間が接合され、
同時に、ステージ２とヒートシンク３がそれぞれの膨張
率に応じて収縮を開始するが、かかる収縮過程において
は、ステージ２とヒートシンク３との間が接合状態にあ
り、しかもステージ２の収縮量よりもヒートシンク３の
収縮量の方が大きいから、ヒートシンク３がステージ２
の方向に曲がって上述の反りを生じるのである。 ［目的］そこで、本発明は、ステージを２層構造にする
と共に、各層とヒートシンクとの熱膨張率の関係を適正
化してステージの反りを抑えることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体チップを搭載するステージと、該
ステージの半導体チップ搭載面の反対側の面にろう付け
固定されるヒートシンクとを有する半導体装置用パッケ
ージにおいて、前記ステージを、前記ヒートシンクに接
する側の第１層と半導体チップを搭載する側の第２層と
をろう付けした２層構造とすると共に、前記第１層に熱
膨張率がヒートシンクの熱膨張率よりも小さい材料を使
用し、且つ、前記第２層に熱膨張率がヒートシンクの熱
膨張率程度の材料を使用したことを特徴とする。
成するために、半導体チップを搭載するステージと、該
ステージの半導体チップ搭載面の反対側の面にろう付け
固定されるヒートシンクとを有する半導体装置用パッケ
ージにおいて、前記ステージを、前記ヒートシンクに接
する側の第１層と半導体チップを搭載する側の第２層と
をろう付けした２層構造とすると共に、前記第１層に熱
膨張率がヒートシンクの熱膨張率よりも小さい材料を使
用し、且つ、前記第２層に熱膨張率がヒートシンクの熱
膨張率程度の材料を使用したことを特徴とする。
【０００９】又は、前記ヒートシンクの材料が銅・タン
グステン合金の場合、前記第１層の材料にモリブデンを
使用し、且つ、前記第２層の材料に鉄・ニッケル・コバ
ルト合金又は鉄・ニッケル合金を使用することは好まし
い。
グステン合金の場合、前記第１層の材料にモリブデンを
使用し、且つ、前記第２層の材料に鉄・ニッケル・コバ
ルト合金又は鉄・ニッケル合金を使用することは好まし
い。
【００１０】
【作用】本発明では、熱膨張の小さい第１層を間にし
て、この第１層よりも熱膨張の大きい第２層及びヒート
シンクが対向配置される。従って、第１層と第２層から
なる一の接合体（すなわちステージ）の曲がる方向と、
第１層とヒートシンクとからなる他の接合体の曲がる方
向とが逆向きになり、ろう付け後の収縮変形がバランス
してステージの反りが抑えられる。
て、この第１層よりも熱膨張の大きい第２層及びヒート
シンクが対向配置される。従って、第１層と第２層から
なる一の接合体（すなわちステージ）の曲がる方向と、
第１層とヒートシンクとからなる他の接合体の曲がる方
向とが逆向きになり、ろう付け後の収縮変形がバランス
してステージの反りが抑えられる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１〜図３は本発明に係る半導体装置用パッケー
ジの一実施例を示す図である。図１において、１０はセ
ラミック製のパッケージ本体（以下「本体」）、１１は
第１板部材、１２は第２板部材、１３はヒートシンク、
１４はＳｉ又はＧａＡｓの半導体チップ（以下「チッ
プ」と略す）である。
する。図１〜図３は本発明に係る半導体装置用パッケー
ジの一実施例を示す図である。図１において、１０はセ
ラミック製のパッケージ本体（以下「本体」）、１１は
第１板部材、１２は第２板部材、１３はヒートシンク、
１４はＳｉ又はＧａＡｓの半導体チップ（以下「チッ
プ」と略す）である。
【００１２】第１板部材１１及び第２板部材１２は、互
いにろう付け接合され、最終的に第１板部材１１を第１
層、第２板部材１２を第２層とする２層構造のステージ
１５を構成する。ここで、第１板部材１１の材料はモリ
ブデン（Ｍｏ）、第２板部材１２の材料は鉄・ニッケル
・コバルト合金（商標名；コバール、以下同様）又は鉄
・ニッケル合金（いわゆる４２アロイ）、ヒートシンク
１３の材料は銅・タングステン合金（Ｃｕ−Ｗ）であ
り、これらの材料の熱膨張率は、次表１の通りである。
いにろう付け接合され、最終的に第１板部材１１を第１
層、第２板部材１２を第２層とする２層構造のステージ
１５を構成する。ここで、第１板部材１１の材料はモリ
ブデン（Ｍｏ）、第２板部材１２の材料は鉄・ニッケル
・コバルト合金（商標名；コバール、以下同様）又は鉄
・ニッケル合金（いわゆる４２アロイ）、ヒートシンク
１３の材料は銅・タングステン合金（Ｃｕ−Ｗ）であ
り、これらの材料の熱膨張率は、次表１の通りである。
【００１３】 但し、２０℃〜１００℃は、室温程度からチップ上限動
作温度までを含む温度領域（以下「温度領域Ａ）」、１
００℃〜８５０℃は、チップ上限動作温度からろう付け
温度程度までを含む温度領域「以下（温度領域Ｂ」）で
ある。
作温度までを含む温度領域（以下「温度領域Ａ）」、１
００℃〜８５０℃は、チップ上限動作温度からろう付け
温度程度までを含む温度領域「以下（温度領域Ｂ」）で
ある。
【００１４】前表１によれば、温度領域Ｂにおいて、ヒ
ートシンク１３に接する側の第１板部材（ステージ１５
の第１層）１１の熱膨張率がヒートシンク１３の熱膨張
率よりも小さく、且つ、チップ１４に接する側の第２板
部材（ステージ１５の第２層）１２の熱膨張率がヒート
シンク１３の熱膨張率に近い関係にある。このような構
成において、本体１０の内部に第１板部材１１及び第２
板部材１２を積み重ねて挿入し、さらに、第１板部材１
１の上面に接するようにヒートシンク１３を配置する。
ートシンク１３に接する側の第１板部材（ステージ１５
の第１層）１１の熱膨張率がヒートシンク１３の熱膨張
率よりも小さく、且つ、チップ１４に接する側の第２板
部材（ステージ１５の第２層）１２の熱膨張率がヒート
シンク１３の熱膨張率に近い関係にある。このような構
成において、本体１０の内部に第１板部材１１及び第２
板部材１２を積み重ねて挿入し、さらに、第１板部材１
１の上面に接するようにヒートシンク１３を配置する。
【００１５】そして、これらの第１板部材１１、第２板
部材１２及びヒートシンク１３の間に溶融状態の銀ろう
を流し込み、自然冷却又は強制冷却によって銀ろうを固
化させると、最終的に、第１板部材１１と第２板部材１
２が一体化して２層構造のステージ１５が形成されると
共に、このステージ１５の上面（チップ１４の搭載面と
反対側の面）にヒートシンク１３が接合される。
部材１２及びヒートシンク１３の間に溶融状態の銀ろう
を流し込み、自然冷却又は強制冷却によって銀ろうを固
化させると、最終的に、第１板部材１１と第２板部材１
２が一体化して２層構造のステージ１５が形成されると
共に、このステージ１５の上面（チップ１４の搭載面と
反対側の面）にヒートシンク１３が接合される。
【００１６】ここで、銀ろうが高温状態（約８００℃）
にある間は、第１板部材１１、第２板部材１２及びヒー
トシンク１３が加熱されて“膨張”し、膨張の程度は第
１板部材１１が小、第２板部材１２とヒートシンク１３
が大であるが、かかる膨張差は、第１板部材１１、第２
板部材１２及びヒートシンク１３の間で影響し合わな
い。銀ろうが溶融状態であり、第１板部材１１、第２板
部材１２及びヒートシンク１３の間が非接合状態である
からである。
にある間は、第１板部材１１、第２板部材１２及びヒー
トシンク１３が加熱されて“膨張”し、膨張の程度は第
１板部材１１が小、第２板部材１２とヒートシンク１３
が大であるが、かかる膨張差は、第１板部材１１、第２
板部材１２及びヒートシンク１３の間で影響し合わな
い。銀ろうが溶融状態であり、第１板部材１１、第２板
部材１２及びヒートシンク１３の間が非接合状態である
からである。
【００１７】一方、銀ろうの温度が低下すると、第１板
部材１１、第２板部材１２及びヒートシンク１３が“収
縮”する。収縮の程度は膨張時と同様に、第１板部材１
１が小、第２板部材１２とヒートシンク１３が大である
が、かかる収縮差は、第１板部材１１、第２板部材１２
及びヒートシンク１３の間で互いに影響し合う。銀ろう
が固化又は固化に近い状態であり、第１板部材１１、第
２板部材１２及びヒートシンク１３の間が接合状態であ
るからである。
部材１１、第２板部材１２及びヒートシンク１３が“収
縮”する。収縮の程度は膨張時と同様に、第１板部材１
１が小、第２板部材１２とヒートシンク１３が大である
が、かかる収縮差は、第１板部材１１、第２板部材１２
及びヒートシンク１３の間で互いに影響し合う。銀ろう
が固化又は固化に近い状態であり、第１板部材１１、第
２板部材１２及びヒートシンク１３の間が接合状態であ
るからである。
【００１８】従って、図２に示すように、第１板部材１
１と第２板部材１２からなる一の接合体（すなわちステ
ージ１５）では、収縮量の大きい第２板部材１２が収縮
量の少ない第１板部材１１の方向に曲がろうとし、ま
た、第１板部材１１とヒートシンク１３からなる他の接
合体では、同じく、収縮量の大きいヒートシンク１３が
収縮量の少ない第１板部材１１の方向に曲がろうとす
るが、これら２つの方向、は逆向きであるから、ろ
う付け後の収縮に伴う変形がバランスして、ステージ１
５の反りが抑えられる。その結果、チップ１４の搭載作
業を支障なく実行でき、歩留り向上を図ることができ
る。
１と第２板部材１２からなる一の接合体（すなわちステ
ージ１５）では、収縮量の大きい第２板部材１２が収縮
量の少ない第１板部材１１の方向に曲がろうとし、ま
た、第１板部材１１とヒートシンク１３からなる他の接
合体では、同じく、収縮量の大きいヒートシンク１３が
収縮量の少ない第１板部材１１の方向に曲がろうとす
るが、これら２つの方向、は逆向きであるから、ろ
う付け後の収縮に伴う変形がバランスして、ステージ１
５の反りが抑えられる。その結果、チップ１４の搭載作
業を支障なく実行でき、歩留り向上を図ることができ
る。
【００１９】因みに、図３は従来例と本実施例との反り
比較図である。なお、実験の条件は以下のとおりであ
る。 ステージの大きさ：２０×２０〔ｍｍ〕 ステージの厚さ：１．０〔μｍ〕 反りの測定方法：ステージの対角方向に２ヶ所測定し、
大きい方の値 ステージ材料：モリブデンのみ（従来例） コバールとモリブデンを１対１の厚さで積層（本実施
例） サンプル数：５ 従来例の約５０μｍ〜約７０μｍもの正方向の反り（凸
状の反り）に対し、本実施例では、およそ±２０μｍ程
度の微小な反りに抑えることができた。
比較図である。なお、実験の条件は以下のとおりであ
る。 ステージの大きさ：２０×２０〔ｍｍ〕 ステージの厚さ：１．０〔μｍ〕 反りの測定方法：ステージの対角方向に２ヶ所測定し、
大きい方の値 ステージ材料：モリブデンのみ（従来例） コバールとモリブデンを１対１の厚さで積層（本実施
例） サンプル数：５ 従来例の約５０μｍ〜約７０μｍもの正方向の反り（凸
状の反り）に対し、本実施例では、およそ±２０μｍ程
度の微小な反りに抑えることができた。
【００２０】なお、本実施例では、第１板部材１１の材
料をモリブデン（Ｍｏ）、第２板部材１２の材料をコバ
ール、ヒートシンク１３の材料を銅・タングステン合金
（Ｃｕ−Ｗ）としているが、これに限定されるものでは
ない。要は、少なくとも銀ろうの溶融温度において、ヒ
ートシンク１３に接する側の第１板部材１１の熱膨張率
がヒートシンク１３の熱膨張率よりも小さく、且つ、チ
ップ１４に接する側の第２板部材１２の熱膨張率がヒー
トシンク１３の熱膨張率に近い関係にある材料を選択す
ればよい。
料をモリブデン（Ｍｏ）、第２板部材１２の材料をコバ
ール、ヒートシンク１３の材料を銅・タングステン合金
（Ｃｕ−Ｗ）としているが、これに限定されるものでは
ない。要は、少なくとも銀ろうの溶融温度において、ヒ
ートシンク１３に接する側の第１板部材１１の熱膨張率
がヒートシンク１３の熱膨張率よりも小さく、且つ、チ
ップ１４に接する側の第２板部材１２の熱膨張率がヒー
トシンク１３の熱膨張率に近い関係にある材料を選択す
ればよい。
【００２１】但し、本実施例のように、チップ１４に接
する側の第２板部材１２の材料にコバールを使用するこ
とは好ましい。コバールの熱膨張率は、２０℃〜１００
℃の温度領域Ａで「３．７×１０-6／℃」と低いため
に、Ｓｉの熱膨張率「３．４×１０-6／℃」との差が小
さくなり、チップ可動時におけるチップへのストレス緩
和を図ることができるからである。
する側の第２板部材１２の材料にコバールを使用するこ
とは好ましい。コバールの熱膨張率は、２０℃〜１００
℃の温度領域Ａで「３．７×１０-6／℃」と低いため
に、Ｓｉの熱膨張率「３．４×１０-6／℃」との差が小
さくなり、チップ可動時におけるチップへのストレス緩
和を図ることができるからである。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、チップを搭載するステ
ージを第１層及び第２層の２層構造とし、ヒートシンク
に接する側の第１層に熱膨張率がヒートシンクの熱膨張
率よりも小さい材料を使用すると共に、第２層に熱膨張
率がヒートシンクの熱膨張率程度の材料を使用したの
で、第１層と第２層からなる一の接合体（すなわちステ
ージ）の曲がる方向と、第１層とヒートシンクとからな
る他の接合体の曲がる方向とを逆向きにすることがで
き、ろう付け後の収縮変形をバランスさせてステージの
反りを抑えることができる。
ージを第１層及び第２層の２層構造とし、ヒートシンク
に接する側の第１層に熱膨張率がヒートシンクの熱膨張
率よりも小さい材料を使用すると共に、第２層に熱膨張
率がヒートシンクの熱膨張率程度の材料を使用したの
で、第１層と第２層からなる一の接合体（すなわちステ
ージ）の曲がる方向と、第１層とヒートシンクとからな
る他の接合体の曲がる方向とを逆向きにすることがで
き、ろう付け後の収縮変形をバランスさせてステージの
反りを抑えることができる。
【図１】一実施例の要部概略断面図である。
【図２】一実施例のステージ及びヒートシンクの収縮状
態図である。
態図である。
【図３】従来例と本実施例との反り比較図である。
【図４】従来のＰＧＡパッケージの概略組立図である。
【図５】図４の要部概略断面図である。
【図６】従来のステージ及びヒートシンクの収縮状態図
である。
である。
１１：第１板部材（第１層） １２：第２板部材（第２層） １３：ヒートシンク １４：チップ（半導体チップ） １５：ステージ
Claims (2)
- 【請求項１】半導体チップ（１４）を搭載するステージ
（１５）と、該ステージ（１５）の半導体チップ搭載面
の反対側の面にろう付け固定されるヒートシンク（１
３）とを有する半導体装置用パッケージにおいて、 前記ステージ（１５）を、前記ヒートシンク（１３）に
接する側の第１層（１１）と半導体チップ（１４）を搭
載する側の第２層（１２）とをろう付けした２層構造と
すると共に、 前記第１層（１１）に熱膨張率がヒートシンク（１３）
の熱膨張率よりも小さい材料を使用し、 且つ、前記第２層（１２）に熱膨張率がヒートシンク
（１３）の熱膨張率程度の材料を使用したことを特徴と
する半導体装置用パッケージ。 - 【請求項２】前記ヒートシンク（１３）の材料が銅・タ
ングステン合金の場合、前記第１層（１１）の材料にモ
リブデンを使用し、且つ、前記第２層（１２）の材料に
鉄・ニッケル・コバルト合金又は鉄・ニッケル合金を使
用することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パ
ッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24665193A JPH07106476A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24665193A JPH07106476A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106476A true JPH07106476A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17151593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24665193A Pending JPH07106476A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106476A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003297985A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-17 | Plansee Ag | パッケージとその製造方法 |
-
1993
- 1993-10-01 JP JP24665193A patent/JPH07106476A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003297985A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-17 | Plansee Ag | パッケージとその製造方法 |
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