JPH07107746B2 - 光情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH07107746B2 JPH07107746B2 JP60276021A JP27602185A JPH07107746B2 JP H07107746 B2 JPH07107746 B2 JP H07107746B2 JP 60276021 A JP60276021 A JP 60276021A JP 27602185 A JP27602185 A JP 27602185A JP H07107746 B2 JPH07107746 B2 JP H07107746B2
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- Japan
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- substrate
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/72—Heating or cooling
- B29C45/7207—Heating or cooling of the moulded articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2017/00—Carriers for sound or information
- B29L2017/001—Carriers of records containing fine grooves or impressions, e.g. disc records for needle playback, cylinder records
- B29L2017/003—Records or discs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばコンパクトデイスク、ビデオデイス
ク、コンピユータ用光デイスクメモリなど、光ビームを
照射することによつて情報の書込み及び読出しを行う光
情報記録用デイスクに適用されるデイスク基板の製造方
法に関する。
ク、コンピユータ用光デイスクメモリなど、光ビームを
照射することによつて情報の書込み及び読出しを行う光
情報記録用デイスクに適用されるデイスク基板の製造方
法に関する。
近年、かかる光情報記録用デイスク基板としては、製造
コストが廉価であること及び軽量にして取扱いが容易で
あることから、高分子物質を射出成形したものが注目さ
れている。
コストが廉価であること及び軽量にして取扱いが容易で
あることから、高分子物質を射出成形したものが注目さ
れている。
しかしながら、高分子物質の射出成形品は、ゲート部や
押し切り部、それに偏肉部などにおいてウエルドライン
やヒケなどの外観上の欠陥が形成され易いばかりでな
く、成形時の射出圧力及び温度分布の不均一、それに、
溶融高分子物質が金型のキヤビテイ面を流動する際の配
向などによつてデイスク基板内にひずみを生じ易いとい
う問題がある。デイスク基板の製造に適用される高分子
物質としては、ポリカーボネートやポリメチルメタクリ
レートなど光透過性に優れたものが用いられるが、これ
らの高分子物質の中でポリカーボネートなどは光弾性係
数が大きく、機械的なひずみが入ることによつて光学的
異方体となり易く、複屈折が生じ易くなるという問題が
る。
押し切り部、それに偏肉部などにおいてウエルドライン
やヒケなどの外観上の欠陥が形成され易いばかりでな
く、成形時の射出圧力及び温度分布の不均一、それに、
溶融高分子物質が金型のキヤビテイ面を流動する際の配
向などによつてデイスク基板内にひずみを生じ易いとい
う問題がある。デイスク基板の製造に適用される高分子
物質としては、ポリカーボネートやポリメチルメタクリ
レートなど光透過性に優れたものが用いられるが、これ
らの高分子物質の中でポリカーボネートなどは光弾性係
数が大きく、機械的なひずみが入ることによつて光学的
異方体となり易く、複屈折が生じ易くなるという問題が
る。
光情報記録用デイスクは、デイスク基板の外部からデイ
スク基板の内面に形成された記録層に光ビームを照射す
ることによつて記録層に情報を書き込み、また記録層か
らの反射光強度を検知することによつて記録層に記録さ
れた情報を読み出すものであるから、デイスク基板に入
射された光ビームが複屈折を起すと、円偏向された光ビ
ームが楕円偏向を起し、正常な情報の記録及び再生が不
可能となる。特に、消去・再書込みが可能な光情報記録
用デイスクとして注目されている光磁気デイスクを実現
するためには、読出し専用デイスクあるいはドロー型デ
イスクに比べて格段に複屈折の小さなデイスク基板が必
要であり、射出成形したままの状態では到底実用に供す
ることができない。
スク基板の内面に形成された記録層に光ビームを照射す
ることによつて記録層に情報を書き込み、また記録層か
らの反射光強度を検知することによつて記録層に記録さ
れた情報を読み出すものであるから、デイスク基板に入
射された光ビームが複屈折を起すと、円偏向された光ビ
ームが楕円偏向を起し、正常な情報の記録及び再生が不
可能となる。特に、消去・再書込みが可能な光情報記録
用デイスクとして注目されている光磁気デイスクを実現
するためには、読出し専用デイスクあるいはドロー型デ
イスクに比べて格段に複屈折の小さなデイスク基板が必
要であり、射出成形したままの状態では到底実用に供す
ることができない。
上記の要請から、複屈折の小さなデイスク基板の製造方
法が嘱望されている。
法が嘱望されている。
従来より、ウエルドラインやヒケなどの外観上の欠陥や
成形時の残留応力の発生を防止するための射出成形方法
としては、金型のゲート部や押し切り部、それに偏肉部
などに超音波振動を印加する方法が知られている（特開
昭52−109556）。また、射出成形時の溶融高分子物質の
配向に起因する光学ひずみを防止するための射出成形方
法としては、金型内に流入させた高分子物質に超音波振
動を印加しながら成形する方法が知られている（特開昭
58−140222）。さらに、溶融高分子物質の流動性を高め
る方法としては、高分子物質が金型内に充填された後、
その高分子物質を高周波によつて瞬間的に溶融する方法
が知られて（特開昭50−45039）。
成形時の残留応力の発生を防止するための射出成形方法
としては、金型のゲート部や押し切り部、それに偏肉部
などに超音波振動を印加する方法が知られている（特開
昭52−109556）。また、射出成形時の溶融高分子物質の
配向に起因する光学ひずみを防止するための射出成形方
法としては、金型内に流入させた高分子物質に超音波振
動を印加しながら成形する方法が知られている（特開昭
58−140222）。さらに、溶融高分子物質の流動性を高め
る方法としては、高分子物質が金型内に充填された後、
その高分子物質を高周波によつて瞬間的に溶融する方法
が知られて（特開昭50−45039）。
しかしながら、上記した従来の残留ひずみの除去は、い
ずれも固化した成形品を再度溶融することによつて成形
品の分子配列を乱し、光学的性質の均一化を図るもので
あるから、高分子物質が不当に高温に加熱され易く、高
分子物質が劣化するという新たな問題を惹起する虞れが
ある。また、上記の残留ひずみの除去方法を実施するた
めには、いずれも超音波発生器あるいは高周波コイルと
いつた特別な装置を金型内に内蔵しなくてはならず、金
型製造費、即ち、デイスク基板の製造コストが高価にな
るという問題がある。
ずれも固化した成形品を再度溶融することによつて成形
品の分子配列を乱し、光学的性質の均一化を図るもので
あるから、高分子物質が不当に高温に加熱され易く、高
分子物質が劣化するという新たな問題を惹起する虞れが
ある。また、上記の残留ひずみの除去方法を実施するた
めには、いずれも超音波発生器あるいは高周波コイルと
いつた特別な装置を金型内に内蔵しなくてはならず、金
型製造費、即ち、デイスク基板の製造コストが高価にな
るという問題がある。
本発明は、上記した従来技術の問題点を解消するために
なされたものであって、光情報記録媒体に関しては、光
情報記録媒体の透明樹脂基板として、当該基板を構成す
る樹脂材料の熱変形温度以下の温度にてアニール処理さ
れ、シングルパス時の複屈折率が40nm以下に調整された
ものを用いるという構成にした。
なされたものであって、光情報記録媒体に関しては、光
情報記録媒体の透明樹脂基板として、当該基板を構成す
る樹脂材料の熱変形温度以下の温度にてアニール処理さ
れ、シングルパス時の複屈折率が40nm以下に調整された
ものを用いるという構成にした。
また、光情報記録媒体の製造方法に関しては、樹脂材料
をもって所定形状のディスク基板を射出成形した後、こ
のディスク基板を当該樹脂材料の熱変形温度以下の温度
にてアニール処理し、シングルパス時の複屈折率が40nm
以下に調整されたディスク基板を作製する工程を含むと
いう構成にした。
をもって所定形状のディスク基板を射出成形した後、こ
のディスク基板を当該樹脂材料の熱変形温度以下の温度
にてアニール処理し、シングルパス時の複屈折率が40nm
以下に調整されたディスク基板を作製する工程を含むと
いう構成にした。
以下、本発明にかかる光情報記録用デイスク基板の製造
方法の概略を、第１図に基づいて説明する。
方法の概略を、第１図に基づいて説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、金型1,2を一体に組
合せ、金型１に形成されたスプール３よりキヤビテイ４
内に溶融した高分子物質を高圧で射出する。キヤビテイ
４内に溶融した高分子物質が充分に充填されたのち金型
1,2を冷却して高分子物質を固化し、第１図（ｂ）に示
すように、所定の形状の成形されたデイスク基板５を取
り出。す次いで、上記のようにして射出成形されたデイ
スク基板を、第１図（ｃ）に示すように、加熱炉６に収
納し、当該デイスク基板５を形成する高分子物質の熱変
形温度よりもやや低い温度に保持したのち徐冷する。
合せ、金型１に形成されたスプール３よりキヤビテイ４
内に溶融した高分子物質を高圧で射出する。キヤビテイ
４内に溶融した高分子物質が充分に充填されたのち金型
1,2を冷却して高分子物質を固化し、第１図（ｂ）に示
すように、所定の形状の成形されたデイスク基板５を取
り出。す次いで、上記のようにして射出成形されたデイ
スク基板を、第１図（ｃ）に示すように、加熱炉６に収
納し、当該デイスク基板５を形成する高分子物質の熱変
形温度よりもやや低い温度に保持したのち徐冷する。
かように、射出成形によつてひずみが残留した高分子物
質をアニールすると、配向されていた分子の配列が再度
方向性のない状態に組換えられ、光学的等方体とするこ
とができる。
質をアニールすると、配向されていた分子の配列が再度
方向性のない状態に組換えられ、光学的等方体とするこ
とができる。
次に、いくつかの具体的実施例を掲げ、アニールがされ
ていないデイスク基板との複屈折の相違について示す。
ていないデイスク基板との複屈折の相違について示す。
第１実施例 平均分子量15000のポリカーボネート樹脂を第１図
（ａ）に示すようにして射出成形し、内径15mm、外形13
0mm、厚さ1.2mmのデイスク基板を作製した。次いで、こ
のデイスク基板を60℃のペーク炉に収納し、１時間保持
したのち室温まで徐冷してアニール処理を行つた。尚、
ポリカーボネート樹脂の熱変形温度は、約125℃であ
る。
（ａ）に示すようにして射出成形し、内径15mm、外形13
0mm、厚さ1.2mmのデイスク基板を作製した。次いで、こ
のデイスク基板を60℃のペーク炉に収納し、１時間保持
したのち室温まで徐冷してアニール処理を行つた。尚、
ポリカーボネート樹脂の熱変形温度は、約125℃であ
る。
第２実施例 第１実施例と同様に作製されたデイスク基板を、80℃の
ベーク炉に収納し、１時間保持したのち室温まで徐冷し
てアニール処理を行つた。
ベーク炉に収納し、１時間保持したのち室温まで徐冷し
てアニール処理を行つた。
第３実施例 第１実施例及び第２実施例と同様に作製されたデイスク
基板を、100℃のベーク炉に収納し、１時間保持したの
ち室温まで徐冷してアニール処理を行つた。
基板を、100℃のベーク炉に収納し、１時間保持したの
ち室温まで徐冷してアニール処理を行つた。
第４実施例 第１実施例乃至第３実施例と同様に作製されたデイスク
基板を、120℃のベーク炉に収納し、１時間保持したの
ち室温まで徐冷してアニール処理を行つた。
基板を、120℃のベーク炉に収納し、１時間保持したの
ち室温まで徐冷してアニール処理を行つた。
第２図に、本発明の方法によつて作製されたデイスク基
板に生ずる複屈折と射出成形されたままのデイスク基板
に生ずる複屈折の比較を示す。このグラフの横軸はデイ
スク基板の中心からの距離を示し、縦軸は複屈折の大き
さを示す。尚、複屈折の測定は、レーザ波長が633nmの
エリプソメータを用い、透過法によつて測定を行つた。
板に生ずる複屈折と射出成形されたままのデイスク基板
に生ずる複屈折の比較を示す。このグラフの横軸はデイ
スク基板の中心からの距離を示し、縦軸は複屈折の大き
さを示す。尚、複屈折の測定は、レーザ波長が633nmの
エリプソメータを用い、透過法によつて測定を行つた。
このグラフから明らかなように、射出成形後アニールを
施したデイスク基板は、射出成形したままのデイスク基
板に比べていずれも複屈折が減少する。射出成形したま
まのデイスク基板の最大複屈折の値に対する射出成形後
アニールを施したデイスク基板の最大複屈折の比率は、
60℃でアニールした場合（第１実施例）には36％、80℃
でアニールした場合（第２実施例）には31％、100℃で
アニールした場合（第３実施例）には16％、120℃でア
ニールした場合（第４実施例）には15％であり、アニー
ル温度が高いほど複屈折の減少に効果があることが判つ
た。特に、デイスク基板の内周部及び外周部における複
屈折が顕著に改善され、デイスク基板の半径方向の均一
性が改善される。
施したデイスク基板は、射出成形したままのデイスク基
板に比べていずれも複屈折が減少する。射出成形したま
まのデイスク基板の最大複屈折の値に対する射出成形後
アニールを施したデイスク基板の最大複屈折の比率は、
60℃でアニールした場合（第１実施例）には36％、80℃
でアニールした場合（第２実施例）には31％、100℃で
アニールした場合（第３実施例）には16％、120℃でア
ニールした場合（第４実施例）には15％であり、アニー
ル温度が高いほど複屈折の減少に効果があることが判つ
た。特に、デイスク基板の内周部及び外周部における複
屈折が顕著に改善され、デイスク基板の半径方向の均一
性が改善される。
尚、本発明に適用される高分子物質としては、ポリカー
ボネートに限定されるものではなく、所要の屈折率を有
する熱可塑性の透明高分子物質であれば、PMMA、塩化ビ
ニルなど、任意のものを用いることができる。
ボネートに限定されるものではなく、所要の屈折率を有
する熱可塑性の透明高分子物質であれば、PMMA、塩化ビ
ニルなど、任意のものを用いることができる。
また、上記各実施例においては、デイスク基板をベーク
炉にて加熱する場合についてのみ説明したが、加熱手段
としてはこれに限定されるものではなく、レーザや赤外
線あるいはマイクロウエーブなどの熱戦を照射する、若
しくは熱風循環炉に入れるなど任意の手段を採ることが
できる。
炉にて加熱する場合についてのみ説明したが、加熱手段
としてはこれに限定されるものではなく、レーザや赤外
線あるいはマイクロウエーブなどの熱戦を照射する、若
しくは熱風循環炉に入れるなど任意の手段を採ることが
できる。
さらに、アニール時の温度及び加熱速度や冷却速度等の
条件は、上記実施例に限定されるものではなく、使用す
る高分子物質の種類によつて、任意に調整することがで
きることは勿論である。。
条件は、上記実施例に限定されるものではなく、使用す
る高分子物質の種類によつて、任意に調整することがで
きることは勿論である。。
以上説明したように、本発明によれば、光情報記録媒体
の透明樹脂基板として、当該基板を構成する樹脂材料の
熱変形温度以下の温度にてアニール処理され、シングル
パス時の複屈折率が40nm以下に調整されたものを用いる
ので、基板を透過する記録再生用光の複屈折を低減で
き、記録再生特性に優れた光情報記録媒体を作製でき
る。
の透明樹脂基板として、当該基板を構成する樹脂材料の
熱変形温度以下の温度にてアニール処理され、シングル
パス時の複屈折率が40nm以下に調整されたものを用いる
ので、基板を透過する記録再生用光の複屈折を低減で
き、記録再生特性に優れた光情報記録媒体を作製でき
る。
第１図は本発明に係るデイスク基板の製造方法を示す工
程説明図、第２図は本発明の方法によつて作製されたデ
イスク基板に生じる複屈折と射出成形されたままのデイ
スク基板に生ずる複屈折とを比較するグラフである。 1,2:金型、3:スプール、4:キヤビテイ、5:デイスク基
板、6:加熱炉
程説明図、第２図は本発明の方法によつて作製されたデ
イスク基板に生じる複屈折と射出成形されたままのデイ
スク基板に生ずる複屈折とを比較するグラフである。 1,2:金型、3:スプール、4:キヤビテイ、5:デイスク基
板、6:加熱炉
Claims (4)
- 【請求項１】光情報記録媒体の透明樹脂基板として、当
該基板を構成する樹脂材料の熱変形温度以下の温度にて
アニール処理され、シングルパス時の複屈折率が40nm以
下に調整されたものを用いたことを特徴とする光情報記
録媒体。 - 【請求項２】前記樹脂材料が、ポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート、塩化ビニルで代表される熱可塑
性の樹脂材料であること特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光情報記録媒体。 - 【請求項３】射出成形されたポリカーボネート基板（熱
変形温度125℃）を、80℃〜120℃の温度でアニール処理
した透明樹脂基板を用いたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光情報記録媒体。 - 【請求項４】樹脂材料をもって所定形状のディスク基板
を射出成形した後、このディスク基板を当該樹脂材料の
熱変形温度以下の温度にてアニール処理し、シングルパ
ス時の複屈折率が40nm以下に調整されたディスク基板を
作製する工程を含むことを特徴とする光情報記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60276021A JPH07107746B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60276021A JPH07107746B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62137747A JPS62137747A (ja) | 1987-06-20 |
| JPH07107746B2 true JPH07107746B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=17563683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60276021A Expired - Lifetime JPH07107746B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107746B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2985468B2 (ja) * | 1992-01-28 | 1999-11-29 | 松下電器産業株式会社 | 光記録媒体用基板の成形方法及び光記録媒体用基板の作製方法 |
| JP3988516B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2007-10-10 | 松下電工株式会社 | 樹脂成形体の製造方法及びその製造装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6120719A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光デイスク用プラスチツク基板の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60276021A patent/JPH07107746B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62137747A (ja) | 1987-06-20 |
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