JPH1177778A - ディスク基板の変形低減方法 - Google Patents
ディスク基板の変形低減方法Info
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- JPH1177778A JPH1177778A JP24496197A JP24496197A JPH1177778A JP H1177778 A JPH1177778 A JP H1177778A JP 24496197 A JP24496197 A JP 24496197A JP 24496197 A JP24496197 A JP 24496197A JP H1177778 A JPH1177778 A JP H1177778A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disk substrate
- peripheral portion
- temperature
- outer peripheral
- deformation
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- Pending
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- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 射出成形により製造したディスク基板の変形
を低減させる方法を提供する。 【解決手段】 ディスク基板を、その内周部の温度（Ｔ
in）と外周部の温度（Ｔ out ）とが、下記（１）式及び
（２）式を同時に満足する条件下に保持する。 【化１】 Ｔin−Ｔout ≧５０℃ …（１） Ｔp ＋３０℃≧Ｔp −５０℃ …（２） 但し、Ｔp はディスク基板の熱変形温度である。
を低減させる方法を提供する。 【解決手段】 ディスク基板を、その内周部の温度（Ｔ
in）と外周部の温度（Ｔ out ）とが、下記（１）式及び
（２）式を同時に満足する条件下に保持する。 【化１】 Ｔin−Ｔout ≧５０℃ …（１） Ｔp ＋３０℃≧Ｔp −５０℃ …（２） 但し、Ｔp はディスク基板の熱変形温度である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ディスク等に用い
られるプラスチック製ディスク基板の変形を低減させる
方法に関するものである。
られるプラスチック製ディスク基板の変形を低減させる
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、大容量、高速のメモリ媒体として
光記録媒体が注目されている。光記録媒体としては再生
専用型光ディスク（ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯ
Ｍ、ＬＤ等）、記録再生型光ディスク（ＷＯ、ＣＤ−
Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等）、記録、再生、消去、再書込可能型
光ディスク（ＣＤ−ＲＷ、ＰＤ、ＭＯ、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ）等が知られている。これらの光記録媒体の基板とし
ては、一般にポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の
プラスチック製のものが用いられている。
光記録媒体が注目されている。光記録媒体としては再生
専用型光ディスク（ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯ
Ｍ、ＬＤ等）、記録再生型光ディスク（ＷＯ、ＣＤ−
Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等）、記録、再生、消去、再書込可能型
光ディスク（ＣＤ−ＲＷ、ＰＤ、ＭＯ、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ）等が知られている。これらの光記録媒体の基板とし
ては、一般にポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の
プラスチック製のものが用いられている。
【０００３】これらのディスク基板は、通常は射出圧縮
成形法を含むいわゆる射出成形法により製造されてい
る。この方法は、固定金型と可動金型との間に形成され
るキャビティー内にプリフォーマット情報を有する環状
の平坦なスタンパーを取付け、キャビティー内に溶融樹
脂材を導入することによって、スタンパーの信号（ピッ
ト）やレーザー案内溝等のプリフォーマット情報が転写
されたディスク基板を成形する方法である。
成形法を含むいわゆる射出成形法により製造されてい
る。この方法は、固定金型と可動金型との間に形成され
るキャビティー内にプリフォーマット情報を有する環状
の平坦なスタンパーを取付け、キャビティー内に溶融樹
脂材を導入することによって、スタンパーの信号（ピッ
ト）やレーザー案内溝等のプリフォーマット情報が転写
されたディスク基板を成形する方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この成
形法により製造されたディスク基板には、変形が生じる
という問題がある。これは主として、成形時における剪
断応力による分子配向歪と熱応力による歪とによるもの
と考えられる。変形の程度は成形条件に依存し、一般に
生産性向上のために成形サイクルを短縮させたり、金型
温度を上昇させたりすると、変形が増大する。またディ
スク基板の厚さを薄くしても変形が増大する。変形を低
減させる方法として、従来からディスク基板を加熱処理
することが提案されている。しかし従来の加熱処理では
効果が小さいので、更なる改善が望まれている。本発明
はこの要望に応えようとするものである。
形法により製造されたディスク基板には、変形が生じる
という問題がある。これは主として、成形時における剪
断応力による分子配向歪と熱応力による歪とによるもの
と考えられる。変形の程度は成形条件に依存し、一般に
生産性向上のために成形サイクルを短縮させたり、金型
温度を上昇させたりすると、変形が増大する。またディ
スク基板の厚さを薄くしても変形が増大する。変形を低
減させる方法として、従来からディスク基板を加熱処理
することが提案されている。しかし従来の加熱処理では
効果が小さいので、更なる改善が望まれている。本発明
はこの要望に応えようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、射出成
形によって製造されたプラスチック製ディスク基板を、
その内周部と外周部とが下記の（１）式及び（２）式を
同時に満足する温度条件下に保持することにより、ディ
スク基板の変形を低減することができる。
形によって製造されたプラスチック製ディスク基板を、
その内周部と外周部とが下記の（１）式及び（２）式を
同時に満足する温度条件下に保持することにより、ディ
スク基板の変形を低減することができる。
【０００６】
【化３】 Ｔin−Ｔout ≧５０℃ …（１） Ｔp ＋３０℃≧Ｔin≧Ｔp −５０℃ …（２） ここで Ｔin ： ディスク基板の内周部温度（℃） Ｔout ： ディスク基板の外周部温度（℃） Ｔp ： ディスク基板の熱変形温度（℃）
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明について詳細に説明する
と、本発明では、射出成形により製造されたプラスチッ
ク製ディスク基板を、内周部を高温に外周部を低温に
と、両者間に温度差を設けて熱処理する。これにより、
残留応力が解消されるので、ディスク基板の変形も低減
するものと考えられる。本発明では、ポリカーボネート
樹脂やアクリル樹脂等を用いて、射出成形により製造さ
れた、プラスチック製のディスク基板を熱処理の対象と
する。ディスク基板の大きさは規格により異なるが、通
常は直径５０〜３００ｍｍ、特に８０〜１３５ｍｍ、厚
さ０．５〜１．５ｍｍ程度である。本発明では、このデ
ィスク基板の内周部と外周部とが、下記の（１）式及び
（２）式を同時に満足する温度条件下に、ディスク基板
を保持する。
と、本発明では、射出成形により製造されたプラスチッ
ク製ディスク基板を、内周部を高温に外周部を低温に
と、両者間に温度差を設けて熱処理する。これにより、
残留応力が解消されるので、ディスク基板の変形も低減
するものと考えられる。本発明では、ポリカーボネート
樹脂やアクリル樹脂等を用いて、射出成形により製造さ
れた、プラスチック製のディスク基板を熱処理の対象と
する。ディスク基板の大きさは規格により異なるが、通
常は直径５０〜３００ｍｍ、特に８０〜１３５ｍｍ、厚
さ０．５〜１．５ｍｍ程度である。本発明では、このデ
ィスク基板の内周部と外周部とが、下記の（１）式及び
（２）式を同時に満足する温度条件下に、ディスク基板
を保持する。
【０００８】
【化４】 Ｔin−Ｔout ≧５０℃ …（１） Ｔp ＋３０℃≧Ｔin≧Ｔp −５０℃ …（２） ここに Ｔin ： ディスク基板の内周部温度（℃） Ｔout ： ディスク基板の外周部温度（℃） Ｔp ： ディスク基板の熱変形温度（℃）
【０００９】内周部と外周部との温度差が５０℃未満で
は、ディスク基板全体を均一に熱処理する従来法と同様
に、十分な変形低減効果が得られない。また内周部の温
度がディスクの熱変形温度よりも５０℃より低い場合に
は、熱処理による応力緩和が十分に進まないせいか、変
形低減効果が乏しい。逆に内周部の温度がディスクの熱
変形温度よりも３０℃を越えて高い場合には、熱処理中
にディスク基板が重力などの作用で変形する危険性があ
る。好ましくは、下記の（３）式及び（４）式を同時に
満足する温度条件下でディスク基板を熱処理する。
は、ディスク基板全体を均一に熱処理する従来法と同様
に、十分な変形低減効果が得られない。また内周部の温
度がディスクの熱変形温度よりも５０℃より低い場合に
は、熱処理による応力緩和が十分に進まないせいか、変
形低減効果が乏しい。逆に内周部の温度がディスクの熱
変形温度よりも３０℃を越えて高い場合には、熱処理中
にディスク基板が重力などの作用で変形する危険性があ
る。好ましくは、下記の（３）式及び（４）式を同時に
満足する温度条件下でディスク基板を熱処理する。
【００１０】
【化５】 ８０℃≧Ｔin−Ｔout ≧６０℃ …（３） Ｔp ＋２０℃≧Ｔin≧Ｔp −３０℃ …（４）
【００１１】ディスク基板を上記（１）式及び（２）
式、好ましくは（３）式及び（４）式を同時に満足する
温度条件下に保持する時間は、基板の成形条件や基板の
厚さなどにより異なるが、通常は３秒間以上であり、５
秒間以上であるのが好ましい。保持時間が短かすぎる
と、当然のことながら、十分な変形低減効果は得られな
い。保持時間が長いことは、変形を低減させる点からは
差支えないが、生産性を低下させる。通常は長くても３
０秒、特に２０秒以下に止めるのが好ましい。
式、好ましくは（３）式及び（４）式を同時に満足する
温度条件下に保持する時間は、基板の成形条件や基板の
厚さなどにより異なるが、通常は３秒間以上であり、５
秒間以上であるのが好ましい。保持時間が短かすぎる
と、当然のことながら、十分な変形低減効果は得られな
い。保持時間が長いことは、変形を低減させる点からは
差支えないが、生産性を低下させる。通常は長くても３
０秒、特に２０秒以下に止めるのが好ましい。
【００１２】本発明では、ディスク基板の中心を起点と
して、半径の１／３よりも内側の領域に内周部、それよ
りも外側の領域に外周部が存在するように熱処理するの
が好ましい。通常は１／３よりも内側のほぼ全領域が内
周部となるようにするのが好ましい。しかし場合によっ
ては内周部が半径の１／３を越えて外側に延びていても
差支えない。しかし、いかなる場合でも半径の１／２を
越えてはならず、半径の２／５以内にあるのが好まし
い。
して、半径の１／３よりも内側の領域に内周部、それよ
りも外側の領域に外周部が存在するように熱処理するの
が好ましい。通常は１／３よりも内側のほぼ全領域が内
周部となるようにするのが好ましい。しかし場合によっ
ては内周部が半径の１／３を越えて外側に延びていても
差支えない。しかし、いかなる場合でも半径の１／２を
越えてはならず、半径の２／５以内にあるのが好まし
い。
【００１３】また外周部も半径の１／３よりも外側の全
領域である必要はないが、少なくとも半径の２／３より
も外側の全領域は外周部であるのが好ましい。通常は外
周部と内周部との温度差を発生させる手段の許す限り、
内周部と外周部とは近接させるのが好ましい。内周部と
外周部とに所定の温度差を発生させる手段は任意であ
る。例えばディスク基板全体を所定の内周部温度又はそ
れよりも若干高温に加熱し、次いで外周部だけに低温の
金属のような伝熱性の良い低温の物体を接触させて急冷
して所定の温度差を発生させるか、又は急冷したのち全
体を徐冷することにより所定の温度差を発生させること
ができる。この変形として、全体が高温に加熱されたデ
ィスク基板の内周部だけを高温の物体に接触させて温度
低下するのを防止しつつ、外周部を空冷して所定の温度
差を発生させるか、又は空冷により外周部が成る程度降
温したら高温の物体を取外して全体を降温させることに
より、所定の温度差を発生させることもできる。この方
法は例えば成形直後の高温のディスク基板に適用する
と、生産性よく行うことができる。
領域である必要はないが、少なくとも半径の２／３より
も外側の全領域は外周部であるのが好ましい。通常は外
周部と内周部との温度差を発生させる手段の許す限り、
内周部と外周部とは近接させるのが好ましい。内周部と
外周部とに所定の温度差を発生させる手段は任意であ
る。例えばディスク基板全体を所定の内周部温度又はそ
れよりも若干高温に加熱し、次いで外周部だけに低温の
金属のような伝熱性の良い低温の物体を接触させて急冷
して所定の温度差を発生させるか、又は急冷したのち全
体を徐冷することにより所定の温度差を発生させること
ができる。この変形として、全体が高温に加熱されたデ
ィスク基板の内周部だけを高温の物体に接触させて温度
低下するのを防止しつつ、外周部を空冷して所定の温度
差を発生させるか、又は空冷により外周部が成る程度降
温したら高温の物体を取外して全体を降温させることに
より、所定の温度差を発生させることもできる。この方
法は例えば成形直後の高温のディスク基板に適用する
と、生産性よく行うことができる。
【００１４】また別法として、低温のディスク基板の内
周部だけに高温の金属などを接触させて加熱し、所定の
温度差を発生させる方法によることもできる。本発明方
法によりディスク基板の変形が低減される理由は明らか
ではないが、射出成形に際してはディスク基板の内周部
に相対的に大きな応力が残留しているのが、内周部が高
温に加熱されることによりこの応力が解放されて、ディ
スク基板の残留応力が全体として低下し且つ均一化する
ことによるものと考えられる。
周部だけに高温の金属などを接触させて加熱し、所定の
温度差を発生させる方法によることもできる。本発明方
法によりディスク基板の変形が低減される理由は明らか
ではないが、射出成形に際してはディスク基板の内周部
に相対的に大きな応力が残留しているのが、内周部が高
温に加熱されることによりこの応力が解放されて、ディ
スク基板の残留応力が全体として低下し且つ均一化する
ことによるものと考えられる。
【００１５】実施例１ ポリカーボネート樹脂（熱変形温度１２０℃）を用い
て、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの
光ディスク基板を、射出成形により製造した。射出成形
は金型温度１３０℃、溶融樹脂温度３８０℃で行った。
得られたディスク基板を常温まで冷却したのち、１２０
℃に加熱された直径３０ｍｍの金属厚板の上に、ディス
ク基板を同心に１０秒間載置した。このときディスク基
板の中心から７．５〜１５ｍｍの部分は１２０℃に、４
０〜５０ｍｍの部分は４０℃に昇温した。金属厚板から
ディスク基板を外し、常温に放置したところ、中心から
７．５〜１５ｍｍの部分が１００℃に降温するまでに約
５秒間かかった。この熱処理を経たディスク基板の、中
心から２３〜５８ｍｍの領域の円周方向及び半径方向の
変形量の平均値を図１に示す。なお、測定は、回転ステ
ージと、このステージの回転中心を原点として回転面と
平行に移動する非接触型のレーザー変位計を装備した変
位測定装置を用いて行った。レーザー変位計を半径方向
に移動させて測定位置を定め、回転ステージにディスク
基板を載置して回転させると、その半径方向位置におけ
る円周方向の変形量の平均値が得られる。
て、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの
光ディスク基板を、射出成形により製造した。射出成形
は金型温度１３０℃、溶融樹脂温度３８０℃で行った。
得られたディスク基板を常温まで冷却したのち、１２０
℃に加熱された直径３０ｍｍの金属厚板の上に、ディス
ク基板を同心に１０秒間載置した。このときディスク基
板の中心から７．５〜１５ｍｍの部分は１２０℃に、４
０〜５０ｍｍの部分は４０℃に昇温した。金属厚板から
ディスク基板を外し、常温に放置したところ、中心から
７．５〜１５ｍｍの部分が１００℃に降温するまでに約
５秒間かかった。この熱処理を経たディスク基板の、中
心から２３〜５８ｍｍの領域の円周方向及び半径方向の
変形量の平均値を図１に示す。なお、測定は、回転ステ
ージと、このステージの回転中心を原点として回転面と
平行に移動する非接触型のレーザー変位計を装備した変
位測定装置を用いて行った。レーザー変位計を半径方向
に移動させて測定位置を定め、回転ステージにディスク
基板を載置して回転させると、その半径方向位置におけ
る円周方向の変形量の平均値が得られる。
【００１６】比較例１ 実施例１で射出成形により製造したままで熱処理してい
ないディスク基板について、実施例１と同様にして変形
量の平均値を測定した。結果を図１に示す。
ないディスク基板について、実施例１と同様にして変形
量の平均値を測定した。結果を図１に示す。
【００１７】比較例２ 実施例１で射出成形により製造したディスク基板を、１
２０℃に３０秒間加熱したのち放冷した。このものにつ
いて実施例１と同様にして変形量の平均値を測定した。
結果を図１に示す。
２０℃に３０秒間加熱したのち放冷した。このものにつ
いて実施例１と同様にして変形量の平均値を測定した。
結果を図１に示す。
【００１８】実施例２ 実施例１で射出成形により製造したディスク基板を、１
２０℃に３０秒間加熱したのち、１２０℃に加熱された
直径３０ｍｍの金属厚板に同心に載置した。約２０秒後
にディスク基板の中心から７．５〜１５ｍｍまでの領域
は約１２０℃のままであったが、中心から４０〜５０ｍ
ｍの領域は約５０℃に降温していた。この時点で金属厚
板からディスク基板を外し、常温に放置したところ、約
５秒で中心から７．５〜１５ｍｍまでの領域が１００℃
に降温した。この熱処理を経たディスク基板の、中心か
ら５８ｍｍの位置の円周方向の変形量の測定結果を図２
に示す。
２０℃に３０秒間加熱したのち、１２０℃に加熱された
直径３０ｍｍの金属厚板に同心に載置した。約２０秒後
にディスク基板の中心から７．５〜１５ｍｍまでの領域
は約１２０℃のままであったが、中心から４０〜５０ｍ
ｍの領域は約５０℃に降温していた。この時点で金属厚
板からディスク基板を外し、常温に放置したところ、約
５秒で中心から７．５〜１５ｍｍまでの領域が１００℃
に降温した。この熱処理を経たディスク基板の、中心か
ら５８ｍｍの位置の円周方向の変形量の測定結果を図２
に示す。
【００１９】比較例３ 実施例１で射出成形により製造したままで熱処理してい
ないディスク基板について、実施例２と同様にして、中
心から５８ｍｍの位置の円周方向の変形量を測定した。
結果を図２に示す。
ないディスク基板について、実施例２と同様にして、中
心から５８ｍｍの位置の円周方向の変形量を測定した。
結果を図２に示す。
【図１】射出成形により製造したポリカーボネート樹脂
製ディスク基板（内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍ）の、円周方向の変形量の平均値を示すグラ
フである。
製ディスク基板（内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍ）の、円周方向の変形量の平均値を示すグラ
フである。
【図２】射出成形により製造したポリカーボネート樹脂
製ディスク基板（内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍ）の、中心から５８ｍｍの位置における円周
方向の変形量を示すグラフである。
製ディスク基板（内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍ）の、中心から５８ｍｍの位置における円周
方向の変形量を示すグラフである。
Claims (8)
- 【請求項１】 射出成形によって製造されたプラスチッ
ク製ディスク基板を、その内周部と外周部とが下記の
（１）式及び（２）式を同時に満足する温度条件下に保
持することを特徴とするディスク基板の変形低減方法。 【化１】 Ｔin−Ｔout ≧５０℃ …（１） Ｔp ＋３０℃≧Ｔin≧Ｔp −５０℃ …（２） ここで Ｔin ： ディスク基板の内周部温度（℃） Ｔout ： ディスク基板の外周部温度（℃） Ｔp ： ディスク基板の熱変形温度（℃） - 【請求項２】 プラスチック製ディスク基板を（１）式
及び（２）式を同時に満足する温度条件下に３秒間以上
保持することを特徴とする、請求項１記載のディスク基
板の変形低減方法。 - 【請求項３】 射出成形によって製造されたプラスチッ
ク製ディスク基板を、その内周部と外周部とが下記の
（３）式及び（４）式を同時に満足する温度条件下に保
持することを特徴とするディスク基板の変形低減方法。 【化２】 ８０℃≧Ｔin−Ｔout ≧６０℃ …（３） Ｔp ＋２０℃≧Ｔin≧Ｔp −３０℃ …（４） ここで Ｔin ： ディスク基板の内周部温度（℃） Ｔout ： ディスク基板の外周部温度（℃） Ｔp ： ディスク基板の熱変形温度（℃） - 【請求項４】 プラスチック製ディスク基板を（３）式
及び（４）式を同時に満足する温度条件下に３秒間以上
保持することを特徴とする、請求項３記載のディスク基
板の変形低減方法。 - 【請求項５】 基板の中心を起点にして、内周部が基板
の半径の１／３より内側にある領域であり、外周部が基
板の半径の１／３より外側にある領域であることを特徴
とする、請求項１ないし４のいずれかに記載のディスク
基板の変形低減方法。 - 【請求項６】 プラスチック製ディスク基板が、ポリカ
ーボネート製であることを特徴とする、請求項１ないし
５のいずれかに記載のディスク基板の変形低減方法。 - 【請求項７】 高温に加熱されている熱板にプラスチッ
ク製ディスク基板の内周部だけを接触させて内周部を選
択的に加熱することを特徴とする、請求項１ないし６の
いずれかに記載のディスク基板の変形低減方法。 - 【請求項８】 高温に加熱されているプラスチック製デ
ィスク基板の外周部だけを、低温の物体に接触させて外
周部を選択的に冷却することを特徴とする、請求項１な
いし６のいずれかに記載のディスク基板の変形低減方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24496197A JPH1177778A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | ディスク基板の変形低減方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24496197A JPH1177778A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | ディスク基板の変形低減方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1177778A true JPH1177778A (ja) | 1999-03-23 |
Family
ID=17126537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24496197A Pending JPH1177778A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | ディスク基板の変形低減方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1177778A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008515672A (ja) * | 2004-10-07 | 2008-05-15 | バイオメット、マニュファクチュアリング、コーポレイション | 強度が向上された架橋重合体状材料および製造方法 |
| US9017590B2 (en) | 2004-10-07 | 2015-04-28 | Biomet Manufacturing, Llc | Solid state deformation processing of crosslinked high molecular weight polymeric materials |
| US9421104B2 (en) | 2007-07-27 | 2016-08-23 | Biomet Manufacturing, Llc | Antioxidant doping of crosslinked polymers to form non-eluting bearing components |
| US9586370B2 (en) | 2013-08-15 | 2017-03-07 | Biomet Manufacturing, Llc | Method for making ultra high molecular weight polyethylene |
-
1997
- 1997-09-10 JP JP24496197A patent/JPH1177778A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008515672A (ja) * | 2004-10-07 | 2008-05-15 | バイオメット、マニュファクチュアリング、コーポレイション | 強度が向上された架橋重合体状材料および製造方法 |
| US9017590B2 (en) | 2004-10-07 | 2015-04-28 | Biomet Manufacturing, Llc | Solid state deformation processing of crosslinked high molecular weight polymeric materials |
| US9421104B2 (en) | 2007-07-27 | 2016-08-23 | Biomet Manufacturing, Llc | Antioxidant doping of crosslinked polymers to form non-eluting bearing components |
| US9586370B2 (en) | 2013-08-15 | 2017-03-07 | Biomet Manufacturing, Llc | Method for making ultra high molecular weight polyethylene |
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