JPH07109840B2

JPH07109840B2 - 半導体ｉｃの試験装置及び試験方法

Info

Publication number: JPH07109840B2
Application number: JP1058426A
Authority: JP
Inventors: 賢造畑田; 健石原; 信昭鈴木; 里若黒田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-03-10
Filing date: 1989-03-10
Publication date: 1995-11-22
Anticipated expiration: 2010-11-22
Also published as: US5089772A; JPH02237131A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、パッケージ化前の半導体ウエハーや半導体チ
ップの段階で、半導体ICをプローブテスト（電気試験）
する半導体ICの試験装置及び試験方法の発明に関する。

（従来の技術）従来より、半導体ICのプローブテストには、半導体ICの
電極の数に等しい複数の探針（プローブ針）を有するプ
ローブカードを使用し、該カードの各探針の先端を半導
体ICの対応する電極（アルミ）に各々接触させることに
より、半導体ICに対する検査信号の入出力可能な状態と
して、その半導体ICの試験が行われる。また、電極に金
属突起を有する半導体ICに対しても同様な手段で試験を
行っていた。

しかしながら、近年、金属突起等の突起電極を有する半
導体ICを使用する機器が多くなり、突起電極の形成され
た状態で動作試験を行うに際し、上記従来のプローブカ
ードでこの種の半導体ICを試験すると、各探針の先端が
半導体ICの各突起電極に正確に接触するように設計し、
且つ手作業により組み立てると共に、各探針の先端位置
を調整する必要があり、このため多くの熟練者を要し、
また製作時間も長く必要として、多額の経費を伴う欠点
がある。特に、近年の急速なデバイス技術の進歩により
半導体ICの電極の数も多くなり且つその間隔も極めて狭
くなると、各探針の組立てや調整は著しく困難である。
また、各探針は半導体IC基板の水平面に対して７〜９゜
の角度を持つて配置される関係上、経時変化による高さ
ズレや位置ズレ等の原因となり易く、また摩耗もし易
い。さらに、半導体ICの突起電極には探針先端の接触に
よりスクラッジ（ひっかききず）が生じ易く、半導体IC
の突起電極に損傷を与えると共に、次工程でのリードの
ボンディング工程での接触不良等の原因になる。加え
て、探針である故にノイズの侵入が多く高周波特性が悪
い欠点がある。

そこで、従来、例えば特開昭63−245931号公報に開示さ
れるものでは、半導体ICの複数個の電極位置に対応する
位置に設けた開口に各々コネクタ要素を配置したチップ
絶縁ボードと、回路ボードトレースを形成した試験回路
ボードとを設け、半導体ICチップの上方に上記チップ絶
縁ボードを配置すると共に、該絶縁ボードの上方に上記
試験回路ボードを配置し、この状態で上記三者を上方か
ら重りで圧縮することにより、半導体ICチップの各接点
領域をチップ絶縁ボードのコネクタ要素に電気接触させ
ると共に、該コネクタ要素に試験回路ボードの回路ボー
ドトレースの内側接点領域を電気接触させて、半導体IC
チップのプローブ試験を探針を用いずに行う構成として
いる。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、この従来のものでは、次の欠点を有す
る。即ち、近年の傾向から、半導体ICの電極間隔が短
く、例えば50μ以下に要求される状況では、この電極間
隔に対応するチップ絶縁ボード上の開口間隔も50μ以下
に要求される関係上、そのチップ絶縁ボードの製作が極
めて困難になり、このため、この種の半導体ICの試験が
困難になる欠点を有する。しかも、電極間隔が50μを越
える半導体ICに対する試験に際しても、上記三者の位置
の調整が困難であり、またこの位置調整を適切に行って
も、重りによる圧縮時に三者間に位置ズレが生じ易いた
め、１個の半導体ICに対する試験時間が長くなり、多数
の半導体ICを短時間で試験することが困難である。更に
は、コネクタ要素の上面が試験回路ボードの回路ボード
トレースの内側接点領域に接触し、下面が半導体ICチッ
プの各接点領域に接触して、電気接触点が２点であるた
め、試験回路の電気抵抗が増大し、半導体ICの特性を他
の特性として検出し間違えたり、正常な半導体ICを異常
と誤検出し易い欠点をも有する。

本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目
的は、探針を用いず且つ50μ以下の電極間隔の半導体IC
に対しても容易にプローブテストを行い得る構成とする
と共に、試験時間が短く、しかも正確に特性を検出し得
る試験装置及び試験方法を提供することにある。

（課題を解決するための手段）以上の目的を達成するため、本出願の請求項（１）に係
る発明の具体的な解決手段は、突起電極を有する半導体
ICを試験する半導体ICの試験装置を対象とする。そし
て、全体が変形しないように堅く形成されると共に、上
記半導体ICの各突起電極に接触する複数の導電パターン
回路が下面に形成され、該導電パターン回路は半導体IC
の各突起電極に接触した際に該半導体ICの上面と実質的
に平行になる絶縁体シートと、該絶縁体シートの側方に
位置し、該絶縁体シートの各導電パターン回路に接続さ
れる平行ないし放射状に配置された複数の信号伝送パタ
ーン回路を有する可撓性のある伝送回路基板とを設け
る。更に、該伝送回路基板は試験装置本体に接続する構
成としている。

また、本出願の請求項（２）に係る発明の具体的な解決
手段は、全体が変形しないように堅く形成された絶縁体
シートの下面に形成した各導電パターン回路に、上記絶
縁体シートの側方に位置付けた可撓性のある伝送回路基
板に形成した複数の信号伝送パターン回路を接続し、該
伝送回路基板を試験装置本体に接続し、この状態で、半
導体ICの基板に形成した複数個の突起電極に、各々、上
記絶縁体シートの複数の導電パターン回路を接触させ
て、該導電パターン回路が半導体ICの各突起電極に接触
した際に該導電パターン回路を該半導体ICの上面と実質
的に平行にして、半導体ICを試験する試験方法としてい
る。

（作用）以上の構成により、本発明では、半導体ICの各突起電極
が各々絶縁体シートの対応する導電パターン回路から伝
送回路基板の対応する信号伝送パターン回路を通じて試
験装置本体と接続されて、検査信号の入出力可能になる
ので、半導体ICの試験が可能になる。

その場合、導電パターン回路は、全体が変形しないよう
剛性のある絶縁体シートに形成され、信号伝送パターン
回路は伝送回路基板に形成されているので、位置ズレは
生じず、従来の如き探針先端の位置調整等の手動調整が
不要になり、プローブテストを簡易に行うことができ
る。

しかも、導電パターン回路及び信号伝送パターン回路の
線幅は、写真製版やエッチング技術を用いれば、10μｍ
程度の線幅にも十分に形成できるので、電極の径が10μ
ｍ前後で相互線間が５μｍ程度の多数の電極を有する半
導体ICに対しても簡易に試験することができる。更に、
上記の通り絶縁体シートに形成する導電パターン回路が
線幅の狭いものであっても、該絶縁体シートが変形しな
いように堅く形成されていて、該導電パターン回路を所
期の適切な位置に正確に形成できるので、電極間隔が50
μ以下の半導体ICに対しても試験が可能である。加え
て、絶縁体シートの導電パターン回路に半導体ICの電極
を接触させる一面接触であって、その両者の位置調整が
従来よりも容易であるので、半導体ICの各電極間隔が50
μ以下であっても試験を簡易に且つ短時間で行うことが
できる。また、上記の一面接触に伴い、二面接触させる
従来のものに比して、半導体ICと絶縁体シートとの圧接
時にも、その半導体ICの電極と絶縁体シート導電パター
ン回路とのズレが生じ難いので、電極間隔が50μ以下の
半導体ICの試験をより一層簡易に行い得ると共に、電気
抵抗が減少して、半導体ICの特性を正確に検出すること
ができる。

また、絶縁体シートは半導体ICの上面に対して実質的に
平行に配置され、また伝送回路基板は可撓性を有するの
で、たとえ電気試験時に絶縁体シートと半導体ICとが平
行に配置されない状況となっても、絶縁体シートの導電
パターン回路を半導体ICの突起電極に確実に密着接続さ
せながら、その平行でない部分の狂いを伝送回路基板の
微小な変位により吸収調整できて、試験を可能にでき
る。

更に、パターン回路であるので、探針に比べて摩耗し難
く、また電極にスクラッジは生じず、次工程でのボンデ
ィングを良好に行うことができる。しかも、導電パター
ン回路は直線形状に限らず、曲折した形状にも容易に設
計、製作できるので、特に半導体ICのうちでも、その基
板周囲に配置した電極の更に内方に他の電極を配置した
多重電極構造のうちに対してもプローブテストを行うこ
とができる。

さらに、半導体ICでも電極バンプ（突起電極）を有しな
いものに対しては、テスト用の絶縁体シートの導電パタ
ーン回路にバンプを設ければプローブテストは可能にな
るが、この場合にはバンプが繰返しテストされる多くの
半導体ICと接触する関係上、バンプの摩耗量が激しくな
り、テスト用絶縁体シートの寿命も短くなる。これに対
し、本発明では、半導体IC側に電極バンプが形成されて
おり、半導体ICと繰返し接触する部分が平面形状の導電
パターン回路であるので、その摩耗の程度は少ない。し
かも、この導電パターン回路を半導体ICに平面接触させ
るので、仮に所定寸法以下の低い電極バンプが形成され
ていた場合、この低い電極バンプは導電パターン回路と
接触しないので、半導体ICの各電極バンプの形状検査を
も同時に行い得て、電極バンプの形状及び動作の正常な
半導体ICや、不良の半導体ICを判別できる効果を有す
る。

加えて、絶縁体シートの上面全域に接地導体等を設けて
例えばマイクロストリップ線路構造とすれば、高周波信
号の減衰を低減できると共に、ノイズの影響を小さくで
きて高周波特性を向上でき、精度の高い測定が可能にな
る。

また、絶縁体シートを透明物質で形成すると共に、導電
パターン回路のうち、該導電パターン回路内が半導体IC
の各電極と接触する部分を透明に形成すれば、その両者
の接触を平面的に視認でき、絶縁体シートと半導体ICと
の間の位置決めを簡易に行うことができる。

（発明の効果）以上説明したように、本発明に係る半導体ICの試験装置
及び試験方法によれば、探針を使用せず、全体が堅固な
絶縁体シートの導電パターン回路を半導体ICの電極に接
触させることにより、半導体ICの特性検出用の信号を、
該導電パターン回路、及び可撓性のある伝送回路基板の
信号伝送パターン回路でもって入出力可能な状態とし
て、半導体ICの電気試験を行うので、従来の探針の位置
調整等の手動調整を不要としてプローブテストを簡易に
行うことができると共に、パターン回路の線幅を小さく
且つ所期の位置に正確に形成できて、電極間隔が50μ以
下で電極数の多い半導体ICに対して簡易に適用できる。
しかも、半導体ICの電極と絶縁体シートの導電パターン
回路との一面接触によりその両者の位置調整を簡易にで
きると共に、半導体ICの絶縁体シートの平行度に狂いが
ある場合であっても、その狂いを可撓性のある伝送回路
基板で吸収調整して、一面接触を確保できるので、電極
間隔が50μ以下の半導体ICに対する試験をより簡易にで
きると共に、一面接触により電気抵抗を小値にして、半
導体ICの特性を正確に試験できる。また、導電パターン
回路は平面形状であり、これに対し、導電パターン回路
に接触する半導体ICには突起電極があるので、導電パタ
ーン側の耐摩耗性を良好にできる。しかも、半導体ICに
損傷を与えず試験後のボンディングを良好に行うことが
できる。

さらに、絶縁体シートをマイクロストリップ線路構造に
形成すれば、高周波特性を向上でき、精度の高い測定を
行い得る。

加えて、絶縁体シートを透明物質で形成ると共に、導電
パターン回路のうち、半導体ICの電極バンプと接触する
部分を透明に形成すれば、導電パターン回路と半導体IC
の電極バンプとの接触を平面的に視認でき、位置決めを
簡易に行うことができる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面に基いて説明する。

第１図は本発明に係る半導体ICの試験装置の全体概略構
成を示す。同図において、１は被試験体としての半導体
ICであって、その半導体基板上面の周囲には例えば金等
の金属よりなる多数の電極バンプ1a,1a…が元々から、
又は本試験装置でプローブテストできるように特に形成
されている。

また、２は全体が変形しないように堅く形成されて上記
半導体IC1の上方に位置する絶縁体シート、３は該絶縁
体シート２の側方に配置されて該絶縁体シート２に接続
される伝送回路基板であり、通常の基板13と、高周波用
の基板23とがあり、第１図では基板23を図示している。
上記絶縁体シート２は、通常仕様の絶縁体シート12と、
高周波測定仕様の絶縁体シート22とがある（第１図では
高周波測定仕様の絶縁体シート22を図示している）。先
ず、通常仕様の絶縁体シート12に関して第３図に基いて
説明するに、同図の絶縁体シート12は、四角形状であ
り、その大きさは10〜80mm、厚さは0.05〜3mmのガラス
等の透明絶縁体より成る。また、その下面には半導体IC
1の電極バンプ1a…の数に等しい同電パターン回路12a…
が形成されている。該各導電パターン回路12a…は、絶
縁体シート12外周から内方に向って延び、その各先端の
絶縁体シート12での中心座標位置は、半導体IC1の電気
試験時にその各電極バンプ1a…に接触するよう、半導体
IC1の各電極バンブ1a…の中心座標位置に一致している
と共に、半導体IC1の各電極バンプ1a…との接触時に該
各電極バンプ1a…の形成された半導体IC1の上面に対し
て実質的に平行になる。また、上記絶縁体シート12の各
導電パターン回路12a…の先端には、導電バンプ1a…と
の接触を容易に行うよう、第４図に示すように例えば円
形状のパッド12a₁が形成されていると共に、後端部は上
記伝送回路基板３との接続端子としてバンプ12a₂が形成
されている。上記各導電パターン回路12a…や先端のパ
ッド12a₁の形成材料はニッケル、クロム、銅、アルミニ
ウム、金等の金属導電体を一種又は複数種組合せたも
の、好ましくは、I.T.O（Indium.Tin.Oxide）（インジ
ューム−スズ酸化物）等の透明導電体であり、後端部の
バンプ12a₂は上記の金属導電体である。また、各導電パ
ターン回路12a…の先端幅は具体的には、0.01〜0.3mm、
後端幅は0.05〜0.3mmであり、各導電パターン回路12a…
先端の相互間隔は0.005mm以上である。尚、各導電パタ
ーン回路12a…先端のパッド12a₁…で囲む平面内には、
十字形状の位置決め用の２個のアライメントターゲット
7,7が絶縁体シート12下方に形成されていて、該両アラ
イメントターゲット7,7と半導体IC1の２つの基準位置と
の対応により、両者の位置合せを自動で行い得るように
している。

また、第２図に示すように、上記通常仕様の絶縁体シー
ト12用の伝送回路基板13は、略十字形状であって、透明
なポリイミド製フィルムより形成されて可撓性を有する
と共に、その中心空間部に上記絶縁体シート12が配置さ
れ、該絶縁体シート12の各辺に対応する４個のフレキシ
ブルなプリント回路基板14…を一体形成して成る。該各
プリント回路基板14の表面には、放射状に延びる複数個
の信号伝送パターン路14a,14a…が形成され、その先端
部には、第５図に拡大詳示するように、上記絶縁体シー
ト12の導電パターン回路12aの後端部のバンプ12a₂との
接続端子としてバンプ14a₁が形成され、その形成材料は
銅、ニッケル、金等の金属導電体である。

そして、上記絶縁体シート12と４個のプリント回路基板
14…とは、第６図に示す如く、その接続端子として各バ
ンプ12a₂,14a₁とを互いに接合して、導電パターン回路1
2aを信号伝送パターン回路14aに接続している。尚、絶
縁体シート12の各角部には、第３図に示す如く円形にハ
ンダメッキされた接続補強パターン16が形成されている
と共に、この補強パターン16に対応する伝送回路基板13
の部分にも第５図に示す如く同様の接続補強パターン17
が形成されていて、該両パターン16,17の接合により接
続強度を高めている。

また、第１図において、8,8…は接続用プリント基板
（通常仕様の基板18と高周波用の基板28とがあり、第１
図では基板28が図示されている）であって、上記各プリ
ント回路基板14…はこの接続用プリント基板８…を介し
て試験装置本体（図示せず）に接続される。つまり、第
７図にも示すように、通常仕様の接続用プリント基板18
は、下面に複数個の回路パターン18aが形成され、該各
回路パターン18aの端部にはバンプ18a₁が形成されてい
て、該バンプ18a₁を上記プリント回路基板14上面の対応
する信号伝送パターン回路14aの端部に接続させた状態
で、一対の固定用ネジ30及びナット31で接続用プリント
基板18がプリント回路基板14に固定接続されている。ま
た、各回路パターン18a…は対応するスルーホール19に
接続され、該各スルーホール19…には多ピンの接続コネ
クタ20の対応するピン20a…が挿通されていて、該接続
コネクタ20が試験装置本体に接続される。尚、第７図
中、32は固定用ネジ29に挿通したシリコンゴム等の弾性
ゴム、33は固定プレートである。

次に、第８図に高周波測定仕様の絶縁体シート22を示
す。同図（ａ）に示す絶縁体シート22の裏面には、高周
波測定用の導電パターン回路22amの両側に、該導電パタ
ーン回路22amを囲む接地導体22bが設けられていると共
に、同図（ｂ）に示す絶縁体シート22の上面は中央部分
を除いて全体が接地導体22cで覆われていて、適宜誘電
率の絶縁体シート22や導電パターン回路22amの線幅等を
選定して特性インピーダンスが例えば50Ωのマイクロス
トリップ線路25が形成されている。また、絶縁体シート
22上面の接地導体22cの中央部は、下面の導電パターン
回路22a先端のパッドが視認できるよう開口されてい
る。その他の構成は通常仕様の絶縁体シート12と同様で
あるので、同一部分に一符号を付して説明を省略する。

また、第９図は上記高周波測定用の絶縁体シート22とそ
の伝送回路基板23との接続状態を示す。同図において伝
送回路基板23は、上面にストリップ回路23aが形成され
ていると共に、下面には接地導体23bが設けられてい
て、上記ストリップ回路23aが絶縁体シート22の導電パ
ターン回路22amに接続される。また、伝送回路基板23上
方に平行に接地導体シート26が配置され、該接地導体シ
ート26は絶縁体シート22上面の接地導体22cに接続され
る。

さらに、第10図は高周波測定用の接続用プリント基板28
の構成を示す。同図の接続用プリント基板28では、下面
に形成した複数個の回路パターン28a…が、その端部に
形成したバンプ28a₁に上記第７図と同様に伝送回路基板
23上面の信号伝送パターン回路23aと接触される。ま
た、各回路パターン28a…に接続した信号用スルーホー
ル29a…には同軸コネクタ35の信号端子が挿通されると
共に、接地用スルーホール29bには伝送回路基板23の接
地導体23b及び接地導体シート26が接続されて、この接
地用スルーホール29bが上記同軸コネクタ35の接地端子
に接続される。

加えて、第１図において、絶縁体シート２の上方には透
明な加圧ツール40が配置される。該加圧ツール40には吸
着管40aが設けられ、該吸着管40aにより弾性ゴム41…を
介して絶縁体シート２を真空吸着し、この状態で加圧ツ
ール40により、絶縁体シート２を水平に配置すると共
に、絶縁体シート２と半導体IC1の各電極バンプ1a…と
の接触圧力を適宜値に調整するようにしている。尚、第
11図に示す如く、加圧ツール40に凹所40bを設け、該凹
所40bに絶縁体シート２（同図では通常仕様の絶縁体シ
ート12を図示している）を嵌め込んだ状態で真空吸着す
れば、絶縁体シート２の位置決めを一層正確に行うこと
ができる。

そして、第１図において、加圧ツール40の上方には、顕
微鏡45又はテレビカメラ46が配置されていて、これ等の
機器により透明な加圧ツール40及び絶縁体シート２を通
して、該絶縁体シート12の各導電パターン回路12a…
（又は22a…）と半導体IC1の対応する電極バンプ1aとの
接触状態を視認して、絶縁体シート12を正確に位置決め
できるようにしている。

したがって、上記実施例においては、半導体IC1の各電
極バンプ1a…を試験装置本体に接続するに際し、例えば
高周波測定仕様の絶縁体シート22を使用する場合には、
半導体IC1を絶縁体シート22の下方に位置付けた後、そ
の各電極バンプ1a…を顕微鏡45やテレビカメラ46で視認
しつつ絶縁体シート22の対応する導電パターン回路22a
…に接触させることにより、半導体IC1をその電極バン
プ1a…から絶縁体シート22の各導電パターン回路22a
…、及び各プリント回路基板14の対応する信号伝送パタ
ーン回路14aを経て接続用プリント基板28のパターン回
路28aに伝送した後、更に多ピンの同軸コネクタ35を経
て試験装置本体に接続する。このことにより、半導体IC
1に対する検査信号の入出力が可能になって、そのプロ
ーブテストが行われる。そして、ブローブテストの結
果、正常動作の確認された半導体IC1…は、その各電極
バンプ1a…がパッケージ基板の指定の端子にボンディン
グされた後、パッケージ化される。

ここに、半導体IC1の各電極バンプ1a…に接触する部分
は、絶縁体シート22に形成した導電パターン回路22a…
であるので、熟練者を要することなく試験装置を簡易に
製作できると共に、従来の探針のように可動部分がなく
位置調整が不要になるので、プローブテストを簡易に行
うことができる。

また、絶縁体シート22の導電パターン回路22a…先端の
線幅は10〜300μｍ程度であるので、10μｍ程度の場合
には、半導体IC1の各電極バンプ1a…の径が10μｍ程度
で相互線間が５μｍ程度の半導体ICに対しても容易にプ
ローブテストが行い得る。しかも、絶縁体シート22が変
形しないように堅く形成されているので、該絶縁体シー
ト22には、上記導電パターン回路22a…をその線幅が狭
くても所定位置に形成することができて、上記電極バン
プ間隔が狭い半導体ICに対するプローブテストを一層容
易に行い得る。更に、被試験用の半導体IC1の各電極バ
ンプ1a…を絶縁体シート22の導電パターン回路22a…に
接触させる一面接触でもって試験の準備が整うので、こ
の半導体IC1と絶縁体シート22との間の位置調整を、二
面接触の場合に比して容易に行うことができると共に、
加圧ツール40による半導体IC1と絶縁体シート22との加
圧時にも、この両者の相互位置にズレは生じ難く、半導
体IC1の試験を一層簡易に且つ短時間で行い得る。しか
も、上記の一面接触によって半導体IC1と試験装置との
間の信号伝送路の電気抵抗は二面接触の場合に比して低
いので、半導体IC1の特性をその通りに検出することが
可能である。

加えて、半導体IC1の電極バンプ1a…の形成された側の
上面に対して絶縁体シート22の下面が平行に配置されな
い状況であっても、その狂いは加圧ツール40による加圧
時に、可撓性の有る伝送回路基板23の変位によって吸収
されるので、半導体IC1の電極バンプ1a…と絶縁体シー
ト22の導電パターン回路22a…との密着接触が確保され
る。

しかも、半導体ICの各電極バンプ1a…に接触する部分は
平面形状のパターン回路22a…であるので、従来の探針
と比較して摩耗し難いと共に、各電極バンプ1a…にスク
ラッジは生じ難く、検査の後、次工程で良品半導体ICの
各電極バンプへのリード配線等のボンディングを良好に
行い得る。

また、ウエハー切断後に１チップづつ試験する場合に
は、半導体IC1の封止、すなわちパッケージ作業と同一
ラインで試験することができるので、ウエハー段階で試
験する場合の不良品のマーキング作業や、ウエハー切断
後の不良品の選別作業を不要にすることができ、試験コ
ストの低減化を図ることができる。

一方、電極バンプを有しない半導体ICに対してプローブ
テストを行う場合に、絶縁体シート22の各導電パターン
回路22a…にバンプを設けるときには、この各バンプが
試験毎に順次半導体ICと接触するためその摩耗が激しく
なり、絶縁体シートの交換を頻繁に行う必要が考えられ
るが、本試験装置では、平面形状の導電パターン回路23
a…が半導体IC1の各電極バンプ1a…と接触するので、導
電パターン回路22a…の摩耗が少なくてテスト用絶縁体
シートの寿命が長く、試験装置の運用、試験の能率の向
上等にとって好都合である。

加えて、本発明で、絶縁体シート22を半導体IC1に平面
接触させて試験する構成であるので、半導体IC1の何れ
かの電極バンプ1aが所定高さにない（所定寸法よりも低
い）場合には、この電極バンプ1aは対応する導電パター
ン回路22aと接触しないので、半導体ICの形状検査をも
行い得て、形状及び動作の双方の正常な半導体ICを判
断、区別できる。

また、高周波測定仕様の絶縁体シート22は、裏面に導電
パターン回路22a…が形成され、上面に接地導体22cが設
けられてマイクロストリップ線路25に形成されているの
で、高周波信号の減衰やノイズの影響を低減できて高周
波特性を向上でき、精度の高い測定が可能である。

更に、絶縁体シート22をガラスで形成すると透明であ
り、また導電パターン回路22a…及びその先端のパッド2
2a₁はI.T.O（Indium.Tin.Oxide）（インジューム−スズ
酸化物）等の透明体で形成することもでき、このことに
より各導電パターン回路22a…の先端パッド22a₁と半導
体IC1の各電極バンプ1a…との接触を平面的に視認でき
るので、半導体ICの位置決めを正確且つ簡易に行うこと
ができる。

第12図は通常仕様の絶縁体シート12の変形例を示す。同
図の絶縁体シート12′は、試験対象となる半導体ICがそ
の基板周囲に配置した電極バンプの更に内周に電極バン
プを配置した多重形状のものに適用する。つまり、試験
対象の半導体1Cと対応して、各導電パターン回路12′ａ
…先端のパッド12a′_１…を図では外周に10個、内周に
４個配置している。この場合、従来では探針を立体的に
配置することになり、このような配置を採るのは現実的
に困難であるが、本発明では、一部の導電パターン回路
12a′…を図示の如く平面で曲り折げた形状に設計、形
成でき、電極パンプの多重配置構造の半導体ICにも簡易
に試験できる。尚、絶縁体シート12′は、第13図のよう
に各電極パターン回路12a′が一面から若干突出する形
状となるが、第14図に示すように各パターン回路12a′
間に充填材50を介装して平面化してもよい。

さらに、第15図は高周波測定仕様の絶縁体シートの変形
例を示し、この絶縁体シート22′の裏面を示す同図
（ａ）では全ての導電パターン回路22′ａ…の間に接地
導体22′ｂ…を設け、上面を示す同図（ｂ）図では中心
部を除く上記全体に接地導体22′ｃ…を配置している。

第16図及び第17図は通常仕様の絶縁体シート12″用の伝
送回路13′,13″を示し、第16図では形状を円形状と
し、第17図で略十字形状とし、また各信号伝送パターン
回路13′ａ…、13″ａ…の先端パッド13′a₁…、13″a₁
…は本体から若干内方に突出していて、その通常仕様の
絶縁体シート12″の各導電パター回路12a″…との接合
は第18図のようになる。また、高周波測定用の絶縁体シ
ート22″の伝送回路基板23″では第19図に示すように、
その本体下面から側方に突出したストリップ回路23″ａ
の先端パッド23″a₁を絶縁体シート22″の導電パターン
回路22″ａに接続すると共に、本体上面から側方に突出
した接地導体23″ｂの部分を絶縁体シート22″の接地導
体22″ｃの端部に接続する。

加えて、第20図は上記第２図の伝送回路基板13を分割型
とし４個のプリントと回路基板14′…で構成した場合の
プリント回路基板14′を示す。このプリント回路基板1
4′では、接続補強パターン17′は半円形状となる。

また、第21図は通常仕様の絶縁体シート12とプリント
回路基板14とを接続する構成の変形例を示す。上記第６
図では、絶縁体シート12端部の下方にプリント回路基板
14端部を配置したのに代え、その逆配置としたものであ
る。つまり、絶縁体シート12の導電パターン回路12a
の端部にスルーホール12cを形成すると共に、その
上面に形成した接続端子12dにてプリント回路基板14
の信号伝送パターン回路14aを接続して、導電パターン
回路12aを信号伝送パターン回路14aに接続する構成と
している。

加えて、絶縁体シート12又は22は、第22図に示すよう
に、その多数を連続的に配置したロール状として、導電
パターン回路が所定量以上に摩耗する毎に送って次の隣
りの絶縁体シート12又は22を使用するようにしてもよ
い。

尚、上記実施例では、半導体IC1を１個づつ試験した
が、この半導体IC1はウエハー段階のもの、又はウエハ
ー切断後の１チップのものであってもよい。また、１個
づつ試験するのに代え、絶縁体シート２を多数設けて、
多数チップを同時に試験したり、ウエハー段階の全半導
体ICに対して一時に試験してもよい。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示し、第１図は高周波測定仕様
の要部構成を示す断面図、第２図は通常仕様の絶縁体シ
ート及び伝送回路基板の平面図、第３図は通常仕様の絶
縁体シートの底面図、第４図は導電パターン回路先端の
パッドを示す図、第５図は通常仕様の絶縁体シートと伝
送回路基板との接続部分の一部拡大図、第６図は同側面
図、第７図は通常仕様の伝送回路基板と接続用プリント
基板との接続の様子を示す要部断面図、第８図（ａ）及
び（ｂ）は各々高周波測定仕様の絶縁体シートの底面及
び上面を示す図、第９図は高周波仕様の絶縁体シートと
伝送回路基板との接続の様子を示す断面図、第10図は高
周波測定仕様の接続用プリント基板の断面図、第11図は
加圧ツールにより絶縁体シートを吸着する構成の変形例
を示す図である。第12図ないし第14図は通常仕様の絶縁
体シートの変形例を示し、第12図は底面図、第13図は側
面図、第14図は充填剤を充填した場合の側面図である。
第15図（ａ）及び（ｂ）は各々高周波測定仕様の絶縁体
シートの変形例を示す平面図及び底面図、第16図及び第
17図は各々伝送回路基板の変形例を示す平面図、第18図
は通常仕様の絶縁体シートと同伝送回路基板との接続の
様子を示す断面図、第19図は高周波測定仕様の絶縁体シ
ートとその伝送回路基板との接続の様子を示す断面図、
第20図は通常仕様の伝送回路目基板を分割型で構成した
場合のプリント回路基板の平面図、第21図は通常仕様の
絶縁体シートと伝送回路基板との接続の構成の変形例を
示す図、第22図は絶縁体シートをロール状にして使用す
る説明図である。１……半導体IC、1a……電極バンプ、12……通常仕様の
絶縁体シート、22……高周波測定仕様の絶縁体シート、
12a,22a,22am……導電パターン回路、22b,22c……接地
導体、13,23……伝送回路基板、14……プリント回路基
板、14a……信号伝送パターン回路、18,28……接続用プ
リント基板、18a……回路パターン、20……接続コネク
タ、25……マイクロストリップ線路、26……接地導体シ
ート、35……同軸コネクタ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木信昭大阪府箕面市粟生間谷東２丁目24番５号株式会社マーテック内 (72)発明者黒田里若大阪府箕面市粟生間谷東２丁目24番５号株式会社マーテック内 (56)参考文献特開昭64−4042（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−260861（ＪＰ，Ａ) 特開平２−126159（ＪＰ，Ａ) 特開平２−126160（ＪＰ，Ａ) 実開平２−163664（ＪＰ，Ｕ) 特公昭58−11739（ＪＰ，Ｂ２)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】突起電極を有する半導体ICを試験する半導
体ICの試験装置であって、全体が変形しないように堅く
形成されると共に、上記半導体ICの各突起電極に接触す
る複数の導電パターン回路が下面に形成され、該導電パ
ターン回路は半導体ICの各突起電極に接触した際に該半
導体ICの上面と実質的に平行になる絶縁体シートと、該絶縁体シートの側方に位置し、該絶縁体シートの各導
電パターン回路に接続される平行ないし放射状に配置さ
れた複数の信号伝送パターン回路を有する可撓性のある
伝送回路基板とを備え、該伝送回路基板は試験装置本体に接続されることを特徴
とする半導体ICの試験装置。
【請求項２】全体が変形しないように堅く形成された絶
縁体シートの下面に形成した各導電パターン回路に、上
記絶縁体シートの側方に位置付けた可撓性のある伝送回
路基板に形成した複数の信号伝送パターン回路を接続
し、該伝送回路基板を試験装置本体に接続し、この状態で、半導体ICの基板に形成した複数個の突起電
極に、各々、上記絶縁体シートの複数の導電パターン回
路を接触させて、該導電パターン回路が半導体ICの各突
起電極に接触した際に該導電パターン回路を該半導体IC
の上面と実質的に平行にして、半導体ICを試験すること
を特徴とする半導体ICの試験方法。
【請求項３】絶縁体シートは、上面が導体で覆われてい
る請求項（１）記載の半導体ICの試験装置。
【請求項４】絶縁体シートは透明物質より成り、導電パターン回路は、少くとも該導電パターン回路が半
導体ICの各電極に接触する部分が透明導電体又は金属導
電体から成る請求項（１）又は請求項（３）記載の半導
体ICの試験装置。
【請求項５】導電パターン回路は、少くとも半導体ICの
各電極と接触する部分が平面に形成されている請求項
（１）記載の半導体ICの試験装置。