JPH02237131A

JPH02237131A - 半導体ｉｃの試験装置及び試験方法

Info

Publication number: JPH02237131A
Application number: JP1058426A
Authority: JP
Inventors: Kenzo Hatada; 畑田　賢造; Takeshi Ishihara; 健石原; Nobuaki Suzuki; 鈴木　信昭; Satowaka Kuroda; 黒田　里若
Original assignee: MAATEC KK; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: MAATEC KK; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-03-10
Filing date: 1989-03-10
Publication date: 1990-09-19
Anticipated expiration: 2010-11-22
Also published as: US5089772A; JPH07109840B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、パッケージ化前の半導体ウエハーや半導体チ
ップの段階で、半導体ＩＣをブローブテスト（電気試験
）する半導体ＩＣの試験装置及び試験方法の発明に関す
る。

（従来の技術）従来より、半導体ＩＣのブローブテストには、半導体Ｉ
Ｃの電極の数に等しい複数の探針（ブローブ針）を有す
るブローブカードを使用し、該カドの各探針の先端を半
導体ＩＣの対応する電極（アルミ）に各々接触させるこ
とにより、半導体ＩＣに対する検査信号の入出力可能な
状態として、その半導体ＩＣの試験が行われる。また、
電極に金属突起を有する半導体ＩＣに対しても同様な手
段で試験を行っていた。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、近年、金属突起等の突起電極を有する半
導体ＩＣを使用する機器が多くなり、突起電極の形成さ
れた状態で動作試験を行うに際し、上記従来のブローブ
カードでこの種の半導体ＩＣを試験すると、各探針の先
端が半導体ＩＣの各突起電極に正確に接触するように設
計し、ｎつ手作業により組立てると伴に、各探針の先端
位置を調整する必要があり、このため多くの熟練者を要
し、また製作時間も長く必要として、多額の経費を伴う
欠点がある。特に、近年の急速なデバイス技術の進歩に
より半導体ＩＣの電極の数も多《なり且つその間隔も極
めて狭くなると、各探針の組立，調整は著しく困難であ
る。また、各探針は半導体ＩＣ基板の水平面に対して７
〜９゜の角度を持つて配置される関係上、経時変化によ
る高さズレや位置ズレ等の原因となり易く、また磨耗も
し易い。

さらに、半導体ＩＣの突起電極には探針先端の接触によ
りスクラッジ（ひっかききず）が生じ易く、半導体ＩＣ
の突起電極に損傷を与えると共に次工程でのリードのボ
ンディング工程での接触不良等の原因になる。加えて、
探針である故にノイズの侵入が多く高周波特性が悪い欠
点がある。

本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目
的は、探針を用いず且つ電極の数の多い突起電極を有す
る半導体ＩＣに対しても容易にブローブテストを行い得
るようにすることにある。

（課題を解決するための手段）以上の目的を達成するため、本発明では、探針に代え、
絶縁体シートに導電パターン回路を形成し、この導電パ
ターン回路により検査信号の入出力可能な状態として、
ブローブテストを行うこととする。

つまり、本出願の請求項（１）に係る発明の具体的な解
決手段は、基板に複数個の突起電極（電極バンプ）形成
した半導体ＩＣを試験する半導体１ｃの試験装置を対象
とする。そして、上記半導体ＩＣの各電極バンプに接触
する複数の導電パターン回路を有する絶縁体シートと、
該絶縁体シートの各導電パターン回路に接続され平行な
いし放射状に配置された複数の信号伝送パターン回路を
有する伝送ロ路基板とを設ける。そしてさらに、上記伝
送回路基板を試験装置本体に接続する構成としている。

また、本出願の請求項（２）に係る発明の具体的な解決
手段は、半導体ＩＣの基板に形成した腹数個の電極バン
プに、各々、絶縁体シートに形成した複数の導電パター
ン回路を接触させると共に、該絶縁体シートの各導電パ
ターン回路に、伝送回路基板に形成した複数の信号伝送
パターン回路を接続し、該伝送回路双阪を試験装置本体
に接続して、半導体ＩＣを試験する試験方法としている
。

（作用）以上の構成により、本発明では、半導体ＩＣの電極バン
プが各々絶縁体シートの対応する導電パターン回路から
伝送回路基阪の対応する信号伝送パターン回路を通じて
試験装置本体と接続されて、検査信号の入出力可能にな
るので、半導体ＩＣの試験が可能になる。

その場合、導電パターン回路は絶縁体シートに、信号伝
送パターン回路は伝送回路基板に形成されているので、
位置ズレは生じず、従来の如き探針先端の位置調整等の
手動調整が不要になり、ブローブテストを簡易に行うこ
とができる。しかも、導電パターン回路及び信号伝送パ
ターン回路の線幅は、写真製版やエッチング技術を用い
れば、ｌＯμｍ程度の線幅にも十分に形成できるので、
電極バンプの径がｌＯμｍ前後で相互線間が５μｍ程度
の多数の電極バンプを有する半導体ＩＣに対しても簡易
に試験することができる。

また、パターン回路であるので、探針に比べて磨耗し難
く、また電極バンプにスクラッジは生じず、次工程での
ボンディングを良好に行うことができる。しかも、導電
パターン回路は直線形状に限らず、曲折した形状にも容
易に設計，製作できるので、特に半導体ＩＣのうちでも
、その基仮周囲に配置した電極バンプの更に内方に他の
電極バンプを配置した多重電極バンプ構造のものに対し
てもブローブテストを行うことができる。

さらに、半導体ＩＣでも電極バンプを有しないものに対
しては、テスト用の絶縁体シートの導電パターン回路に
バンプを設ければブローブテストは可能になるが、この
場合にはバンプが繰返しテストされる多くの半導体ＩＣ
と接触する関係上、バンプの磨耗量が濫しくなり、テス
ト用絶縁体シートの寿命も短くなる。これに対し、本発
明では、半導体ＩＣ側に電極バンプが形成されており、
半導体ＩＣｈＢ返し接触する部分が平面形状の導電パタ
ーン回路あるので、その磨耗の程度は少ない。

しかも、この導電パターン回路を半導体ＩＣに平面接触
させるので、仮に所定寸法以下の低い電極バンプが形成
されていた場合、この低い電極バンプは導電パターン回
路と接触しないので、半導体ＩＣの各電極バンプの形状
検査をも同時に行い得て、電極バンプの形状及び動作の
正常な半導体ＩＣや、不良の半導体ＩＣを判別できる効
果を有する。

加えて、絶縁体シートの一面に導電パターン回路を形成
すると共に、他面全域に接地導体等を設けて例えばマイ
クロストリップ線路構造とすれば、高周波信号の減衰を
低減できると共にノイズの影響を小さくできて高周波特
性を向上でき、精度の高い測定が可能になる。

また、絶縁体シート及び導電パターン回路のうち、絶縁
体シートと導電パターン回路内の半導体ＩＣの各電極バ
ンプとの接触する部分を透明に形成すれば、その両者の
接触を平面的に視認でき、絶縁体シートと半導体ＩＣと
の間の位置決めを簡易に行うことができる。

（発明の効果）以上説明したように、本発明に係る半導体ＩＣの試験装
置及び試験方法によれば、探針を使用せず、絶縁体シー
トの導電パターン回路を半導体ＩＣの電極バンプに接触
させることにより、該導電パターン回路及び伝送回路基
板の信号伝送バターン回路でもって検査信号の入出力可
能な状態として、半導体ＩＣの電気試験を行うので、従
来の探針の位置調整等の手動調整を不要としてブローブ
テストを簡易に行うことができると共に、パターン回路
の線幅を小さく形成して多数の電極バンプを有する半導
体ＩＣに対して簡易に適用できる。

しかも、導電パターン回路の平面形状により耐磨耗性を
良好にできると共に、半導体ＩＣに損傷を与えず試験後
のボンディングを良好に行うことができる。

さらに、絶縁体シートをマイクロストリップ線路構造に
形成すれば、高周波特性を向上でき、精度の高いＡＩｌ
ｊ定を行い得る。

加えて、絶緑体シート及び導電パターン回路のうち、半
導体ＩＣの電極バンプと接触する部分を透明に形成すれ
ば、導電パターン回路と半導体ＩＣの電極バンプとの接
触を平面的に視認でき、位置決めを簡易に行うことがで
きる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面に基いて説明する。

第１図は本発明に係る半導体ＩＣの試験装置の全体概略
構成を示す。同図において、１は披試験体としての半導
体ＩＣであって、その半導体基板上面の周囲には例えば
金等の金属よりなる多数の電極バンプ１　ａ．　１　ａ
・・・が元々から、又は本試験装置でブローブテストで
きるように特に形成されている。

また、２は上記半導体ＩＣＩの上方に位置する絶縁体シ
ート、３は該絶縁体シ一ト２に接続される伝送回路基板
であり、通常の基板１３と、高周波用の話板２３とがあ
り、第１図では基板２３を図示している。上記絶緑体シ
一ト２は、通常仕様の絶縁体シ一ト１２と、高周波７１
１＋１定仕様の絶縁体シ一ト１２とがある（第１図では
高周波測定仕様の絶縁体シ一ト２２を図示している）。

先ず、通常仕様の絶縁体シ一ト１２に関して第３図に基
いて説明するに、同図の絶縁体シ一ト１２は、四角形状
であり、その大きさは１０〜８０ｍｆｆｌ，厚さは０．
０５〜３ｍｍのガラス等の透明絶縁体より成る。また、
その下面には半導体ＩＣＩの電極バンプ１ａ・・・の数
に等しい導電パターン回路１２ａ・・・が形成されてい
る。該各導電パターン回路１２ａ・・・は、絶縁体シ一
ト１２外周から内方に向って延び、その各先端の絶縁体
シ一ト１２での中心座標位置は、半導体ＩＣ１の電気試
験時にその各電極バンプ１ａ・・・に接触するよう、半
導体ＩＣ１の各電極バンプ１ａ・・・の中心座標位置に
一致している。また、上記絶縁体シ一ト１２の各導電パ
ターン回路１２ａ・・・の先端には、電極バンプ１ａ・
・・との接触を容易に行うよう、第４図に示すように例
えば円形状のバッド１２ａ１が形成されていると共に、
後端部は上記伝送回路基板３との接続端子としてバンプ
１２ａ２が形成されている。而して、上記各導電パター
ン回路１２ａ・・・や先端のバツド１２ａ１の形成材料
はニッケル，クロム、銅，アルミニウム，金等の金属導
電体を一種又は複数種組合せたもの、好しくはＩ．Ｔ．
Ｏ等の透明導電体であり、後端部のバンプ１２ａ２は上
記の金属導電体である。

また、各導電パターン回路１２ａ・・・の先端幅は具体
的には０．０１〜０．３ｍｎ　ｓ後端幅は０．０５　〜
０．３１ｌｌｍであり、各導電パターン回路１２２ｌ・
・・先端の相互間隔は０．００５＋ｎｍ以上である。尚
、各導電パターン回路１２ａ・・・先端のバッド１２ａ
１・・・で囲む平面内には、十字形状の位置決め用の２
個のアライメントターゲット７．７が絶縁体シ一ト１２
下方に形成されていて、該両アライメントターゲット７
，７と半導体ＩＣ１の２つの基準位置との対応により、
両者の位置合せを自動で行い得るようにしている。

また、第２図に示すように、上記通常仕様の絶縁体シ一
ト１２用の伝送回路基板１３は、略十字形状であって、
透明なポリイミド製フィルムより形成されると共に、そ
の中心空間部に上記絶緑体シ一ト１２が配置され、該絶
縁体シ一ト１２の各辺に対応する４個のフレキシブルな
プリント回路基板１４・・・を一体形成して成る。該各
プリント回路基板１４の表面には、放射状に延びる複数
個の信号伝送パターン回路１４ａ，１４ａ・・・が形成
され、その先端部には、第５図に拡大詳示するように、
上記絶縁体シ一ト１２の導電パターン回路１２ａ後端部
のバンプ１２ａ２との接続端子としてバンプ１４ａ１が
形成され、その形成材料は銅，ニッケル，金等の金属導
電体である。

而して、上記絶縁体シ一ト１２と４個のプリント回路基
板１４・・・とは、第６図に示す如く、その接続端子と
しての各バンプ１２ａ２．１４ａ＋とを互いに接合して
、導電パターン回路１２ａを信号伝送パターン回路１４
ａに接続している。尚、絶縁体シ一ト１２の各角部には
、第３図に示す如く円形にハンダメッキされた接続補強
パターン１６が形成されていると共に、この捕強パター
ン１６に対応する伝送回路基板１３の部分にも第５図に
示す如く同様の接続補強パターン１７が形成されていて
、該両パターン１６．１７の接合により接続強度を高め
ている。

また、第１図において、８．８・・・は接続用プリント
基板（通常仕様の基阪１８と高周波用の基板２８とがあ
り、第１図では基板２８が図示されている）であって、
上記各プリント回路基板１４・・・はこの接続用プリン
ト基阪８・・・を介して試験装置本体（図示せず）に接
続される。つまり、第７図にも示すように、通常仕様の
接続用プリント基板１８は、下面に複数個の回路パター
ン１８ａが形成され、該各回路パターン１８ａの端部に
はバンプ１８ａ１が形成されていて、該バンプ１８ａｌ
を上記プリント回路基板１４上面の対応する信号伝送パ
ターン回路１４ａの端部に接触させた状態で、一対の固
定用ネジ３０及びナット３１で接続用プリント基板１８
がプリント回路基板１４に固定接続されている。また、
各回路パターン１８ａ・・・は対応するスルーホール１
９に接続され、該各スルーホール１９・・・には多ビン
の接続コネクタ２０の対応するピン２０ａ・・・が挿通
されていて、該接続コネクタ２０が試験装置本体に接続
される。

尚、第７図中、３２は固定用ネジ２９に挿通したシリコ
ンゴム等の弾性ゴム、３３は固定プレートである。

次に、第８図に高周波測定仕様の絶縁体シー１・２２を
示す。同図（ａ）に示す絶縁体シ一ト２２の裏面には、
高周波測定用の導電パターン回路２２ａｆｆｉの両側に
、該導電パターン回路２２ａｍを囲む接地導体２２ｂが
設けられていると共に、同図（ｂ）に示す絶縁体シ一ト
２２の上面は中央部分を除いて全体が接地導体２２ｃで
覆われていて、適宜誘電率の絶縁体シ一ト２２や導電パ
ターン回路２２ａｉの線幅等を選定して特性インピーダ
ンスが例えば５０Ωのマイクロストリップ線路２５が形
成されている。また、絶縁体シ一ト２２上面の接地導体
２２ｅの中央部は、下面の導電パターン回路２２ａ先端
のパッドが視認できるよう開口されている。

その他の構成は通常仕様の絶縁体シ一ト１２と同様であ
るので、同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

また、第９図は上記高周波測定用の絶縁体シ一ト２２と
その伝送回路基板２３との接続状態を示す。同図におい
て、伝送回路基板２３は、上面にストリップ回路２３ａ
が形成されていると共に、下面には接地導体２３ｂが設
けられていて、上記ストリップ回路２３ａが絶縁体シ一
ト２２の導電パターン回路２２ａｍに接続される。また
、伝送回路μ板２３上方に平行に接地導体シ一ト２６が
配置され、該接地導体シ一ト２６は絶縁体シ一ト２２上
面の接地導体２２ｃに接続される。

さらに、第１０図は高周波測定用の接続用プリント基板
２８の構成を示す。同図の接続用プリント基板２８では
、下面に形成した複数個の回路パターン２８ａ・・・が
、その端部に形成したバンプ２８ａＩにて上記第７図と
同様に伝送回路基板２３上面の信号伝送パターン回路２
３ａと接触される。

また、各回路パターン２８ａ・・・に接続した信号用ス
ルーホール２９ａ・・・には同軸コネクタ３５の信号端
子が挿通されると共に、接地用スルーホール２９ｂには
伝送回路基板２３の接地導体２３ｂ及び接地導体シ一ト
２６が接続されて、この接地用スルーホール２９ｂが上
記同軸コネクタ３５の接地端子に接続される。

加えて、第１図において、絶縁体シ一ト２の上方には透
明な加圧ツール４０が配置される。該加圧ツール４０に
は吸着管４０ａが設けられ、該吸若管４０ａにより弾性
ゴム４１・・・を介して絶縁体シ一ト２を真空吸告し、
この状態で加圧ツール４０により、絶縁体シ一ト２を水
平に配置すると共に、絶縁体シ一ト２と半導体ＩＣＩの
各電極バンプ１ａ・・・との接触圧力を適宜値に調整す
るようにしている。尚、第１１図に示す如く、加圧ツー
ル４０に凹所４０ｂを設け、該凹所４０ｂに絶縁体シ一
ト２（同図では通常仕様の絶縁体シ一ト１２を図示して
いる）を嵌め込んだ状態で真空吸若すれば、絶縁体シ一
ト２の位置決めを一層正確に行うことができる。

而して、第１図において、加圧ツール４０の上方には、
顕微ｔｆｔ４５又はテレビカメラ４６が配置されていて
、これ等機器により透明な加圧ツール４０及び絶縁体シ
一ト２を通して、該絶縁体シ一ト１２の各導電パターン
回路１２ａ・・・（又は２２ａ・・・）と半導体ＩＣＩ
の対応する電極バンプ１ａとの接触状態を視認して、絶
縁体シ一ト１２を正確に位置決めできるようにしている
。

したがって、上記実施例においては、半導体ＩＣ１の各
電極バンプ１ａ・・・を試験装置本体に接続するに際し
、例えば高周波測定仕様の絶縁体シ一ト２２を使用する
場合には、半導体ＩＣＩを絶縁体シ一ト２２の下方に位
置付けた後、その各ｆＲｈバンプ１ａ・・・を顕微鏡４
５やテレビカメラ４６で視認しつつ絶縁体シ一ト２２の
対応する導電パターン回路２２ａ・・・に接触させると
共に、この絶縁体シ一ト２２の各導電パターン回路２２
ａ・・・を各プリント回路基板１４の対応する信号伝送
パターン回路１４ａから接続用プリント基板２８のパタ
ーン回路２８ａ５並びに多ビンの同軸コネクタ３５を経
て試験装置本体に接続する。このことにより、半導体Ｉ
ＣＩに対する検査信号の入出力が可能になって、そのブ
ローブテストが行われる。そして、ブローブテストの結
果、正常動作の確認された半導体ＩＣＩ・・・は、その
各電極バンプ１ａ・・・がパッケージ基板の指定の端子
にボンディングされた後、パッケージ化される。

ここに、半導体ＩＣＩの各電画バンプ１ａ・・・に接触
する部分は、絶縁体シ一ト２２に形成した導電パターン
回路２２ａ・・・であるので、熟練者を要することなく
試験装置を簡易に製作できると共に、従来の探針のよう
に可動部分がなく位置調整が不要になるので、ブローブ
テストを簡易に行うことができる。

また、絶縁体シ一ト２２の導電パターン回路２２ａ・・
・先端の線幅は１０〜３００μｍ程度であるので、１０
μｍ程度の場合には、半導体ＩＣＩの各電極バンプＩａ
・・・の径が１０μｍ程度で相互線間が５μｍ程度の半
導体ＩＣに対しても容易にブローブテストが行い得る。

しかも、半導体ＩＣの各電極バンプ１ａ・・・に接触す
る部分は平面形状のパターン回路２２ａ・・・であるの
で、従来の探針と比較して磨耗し難いと共に、各電極バ
ンプ１ａ・・・にスクラッジは生じ難く、検査の後、次
工程で良品半導体ＩＣの各電極バンプへのリード配線等
のボンディングを良好に行い得る。

また、ウエハ切断後に１チップづつ試験する場合には、
半導体ＩＣＩの封止、すなわちパッケージ作業と同一ラ
インで試験することができるので、ウエハ段階で試験す
る場合の不良品のマーキング作業や、ウエハ切断後の不
良品の選別作業を不要にすることができ、試験コス１・
の低減化を図ることができる。

一方、電極バンプを有しない半導体ＩＣに対してブロー
ブテストを行う場合に、絶縁体シ一ト２２の各導電パタ
ーン回路２２ａ・・・にバンプを設けるときには、この
各バンプが試験毎に順次半導体ＩＣと接触するためその
磨耗が激しくなり、絶総体シートの交換を頻繁に行う必
要が考えられるが、本試験装置では、平面形状の導電パ
ターン回路２２ａ・・・が半導体ＩＣＩの各電極バンプ
１ａ・・・と接触するので、導電パターン回路２　２　
ａ・・・の磨耗が少なくてテスト用絶縁体シートの寿命
が長く、試験装置の運用，試験の能率の向上等にとって
好都合である。

加えて、本発明では、絶縁体シ一ト２２を半導体ＩＣＩ
に平面接触させて試験する構成であるので、半導体ＩＣ
Ｉの何れかの電極バンプ１ａが所定高さにない（所定寸
法よりも低い）場合には、この電極バンプ１ａは対応す
る導電パターン回路２２ａと接触しないので、半導体Ｉ
Ｃの形状検査をも行い得て、形状及び動作の双方の正常
な半導体ＩＣを判断，区別できる。

また、高周波測定仕様の絶縁体シ一ト２２は、一面（裏
面）に導電パターン回路２２ａ・・・が形成され、他面
（上面）に接地導体２２ｃが設けられてマイクロストリ
ップ線路２５に形成されているので、高周波信号の減衰
やノイズの影響を低減でききて高周波特性を向上でき、
精度の高い測定が可能である。

更に、絶縁体シ一ト２２をガラスで形成すると透明であ
り、また導電パターンロ路２２ａ・・・及びその先端の
パッド２２ａ１はＩ．Ｔ．Ｏ等の透明体で形成すること
もでき、このことにより各導電パターン回路２２ａ・・
・の先端バッド２２ａ１と半導体ＩＣＩの各電極バンプ
１ａ・・・との接触を平面的に視認できるので、半導体
ＩＣの位置決めを正確且つ簡易に行うことができる。

第１２図は通常仕様の絶縁体シー１・１２の変形例を示
す。同図の絶縁体シート１２′は、試験対象となる半導
体ＩＣがその基板周囲に配置した電極バンプの更に内周
に電極バンプを配置した多重形状のものに適用する。つ
まり、試験対象の半導体ＩＣと対応して、各導電パター
ン回路１２゜ａ・・・先端のパッド１２ａ’１・・・を
図では外周にｌθ個、内周に４個配置している。この場
合、従来では探針を立体的に配置することになり、この
ような配置を採るのは現実的に困難であるが、本発明で
は、一部の導電パターン回路１２ａ゛・・・を図示の如
く平面で曲り折げた形状に設計，形成でき、電極バンプ
の多重配置構造の半導体ＩＣにも簡易に試験できる。尚
、絶縁体シ一ト１２゛は、第１３図のように各導電パタ
ーン回路１２ａ゛が一面から若干突出する形状となるが
、第１４図に示すように各パターン回路１２ａ′間に充
填材５０を介装して平面化してもよい。

さらに、第１５図は高周波測定仕様の絶縁体シートの変
形例を示し、この絶縁体シ一ト２２゛の裏面を示す同図
（ａ）では全ての導電パターン回路２２゛ａ・・・の間
に接地導体２２゛ｂ・・・を設け、上而を示す同図（ｂ
）図では中心部を除く上面全体に接地導体２２゜Ｃ・・
・を配置している。

第１６図及び第１７図は通常仕様の絶縁体シ一ト１２゛
゜用の伝送回路基板１３゜、１３゜′を示し、第１６図
では形状を円形状とし、第１７図は略十字形状とし、ま
た各信号伝送パターン回路１３゛ａ・・・、１３゜゛ａ
・・・の先端パッド１３゜ａ１・・・、１３ａ１・・・
は本体から若干内方に突出していて、その通常仕様の絶
縁体シート１２゛゜の各導電パターン回路１２ａ”・・
・との接合は第１８図のようになる。

また、高周波測定用の絶縁体シート２２”の伝送回路基
板２３“゜では第１９図に示すように、その本体下面か
ら側方に突出したストリップ回路２３ａの先端パッド２
３゜゜ａ　＋を絶縁体シ一ト２２゛の導電パターン回路
２　２　”ａに接続すると共に、本体上面から側方に突
出した接地導体２３”ｂの部分を絶縁体シ一ト２２゜゛
の接地導体２２”ｃの端部に接続する。

加えて、第２０図は上記第２図の伝送回路基板１３を分
割型とし４個のプリント回路基板１４゜・・・で構成し
た場合のプリント回路基［１４’を示す。このプリント
回路基板１４゜では、接続補強パターン１７゛は半円形
状となる。

また、第２１図は通常仕様の絶縁体シート１２′゜゜　
とプリント回路基阪１４とを接続する構成の変形例を示
す。上記第６図では、絶縁体シ一ト１２端部の下方にプ
リント回路基板１４端部を配置したのに代え、その逆配
置としたものである。つまり、絶縁体シート１２゜゜゛
の導電パターン回路１２ａ”’の端部にスルーホール１
２ｃ”’を形成すると共に、その上面に形成した接続端
子１２ｄ”’にてプリント回路基板１４の信号伝送パタ
ーン回路１４ａを接続して、導電パターン回路１２ａ”
’を信号伝送パターン回路１４ａに接続する横成として
いる。

加えて、絶縁体シ一ト１２又は２２は、第２２図に示す
ように、その多数を連続的に配置したロール状として、
導電パターン回路が所定量以上に磨耗する毎に送って次
の隣りの絶縁体シート１２又は２２を使用するようにし
てもよい。

尚、上記実施例では、半導体ＩＣＩを１個づつ試験した
が、この半導体ＩＣＩはウエハ段階のもの、又はウエハ
切断後の１チップのものであってもよい。また、１個づ
つ試験するのに代え、絶縁体シ一ト２を多数設けて、多
数チップを同時に試験したり、ウエハ段階の全半導体Ｉ
Ｃに対して一時に試験してもよい。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示し、第１図は高周波測定仕様
の要部構成を示す断面図、第２図は通常仕様の絶縁体シ
ート及び伝送回路基板の平面図、第３図は通常仕様の絶
縁体シートの底面図、第４図は導電パターン回路先端の
パッドを示す図、第５図は通常仕様の絶縁体シートと伝
送回路基板との接続部分の一部拡大図、第６図は同側面
図、第７図は通常仕様の伝送回路基板と接続用プリント
基阪との接続の様子を示す要部断面図、第８図（ａ）及
び（ｂ）は各々高周波測定仕様の絶縁体シートの底面及
び上面を示す図、第９図は高周波仕様の絶縁体シートと
伝送回路基板との接続の様子を示す断面図、第１０図は
高周波測定仕様の接続用プリント基板の断面図、第１１
図は加圧ツールにより絶縁体シートを吸着する構成の変
形例を示す図である。第１２図ないし第１４図は通常仕
様の絶縁体シートの変形例を示し、第１２図は底面図、
第１３図は側面図、第１４図は充填剤を充填した場合の
側面図である。第１５図（ａ＞及び（ｂ）は各々高周波
測定仕様の絶縁体シートの変形例を示す平面図及び底面
図、第１６図及び第１７図は各々伝送回路基板の変形例
を示す平面図、第１８図は通常仕様の絶縁体シートと同
伝送回路２！仮との接続の様子を示す断面図、ＴＳ１９
図は高周波測定仕様の絶縁体シートとその伝送回路基板
との接続の様子を示す断面図、第２０図は通常仕様の伝
送回路目基板を分割型で構成した場合のプリント回路基
板の平面図、第２１図は通常仕様の絶縁体シートと伝送
回路基板との接続の構成の変形例を示す図、第２２図は
絶縁体シートをロール状にして使用する説明図である。１・・・半導体ＩＣ．ｌａ・・・電極バンプ、１２・・
・通常仕様の絶縁体シート、２２・・・高周波測定仕様
の絶縁体シート、１　２ａ　，　　２　２ａ　，　　２
　２ａｒｎ−・・導電パターン回路、２２ｂ，２２Ｃ・
・・接地導体、１３，２３・・・伝送回路基板、１４・
・・プリント回路話仮、１４ａ・・・信号伝送パターン
回路、１８．２８・・・接続用プリント基板、１８ａ・
・・回路パターン、２０・・・接続コネクタ、２５・・
・マイクロストリップ線路、２６・・・接地導体シート
、３５・・・同軸コネクタ。特許出願人　松下電器産業　　株　式　会　社ほか２名１・・・半導体ＩＣ１ａ・・・電極バンプ１２・・・通常仕様の絶縁体シート２２・・・高周波測定仕様の絶縁体シ一ト１２ａ，２２
ａ，２２ａｍ・・・導電パターン回路２２ｂ，２２ｃ・
・・接地導体１３．２３・・・伝送回路基板１４・・・プリント回路基板１４ａ・・・信号伝送パターン回路１８．２８・・・接続用プリント基板１．８ａ・・・回路パターン２０・・・接続コネクタ２５・・・マイクロストリップ線路２６・・・接地導体シート３５・・・同軸コネクタ第図ｆ第図第１０図第１２図１２′ 第１３図（Ｑ）（ｂ）第図第１７図（Ｑ）第１９図第１５図（ｂ）第１８図第図第η図第２１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板に複数個の突起電極を形成した半導体ＩＣを
試験する半導体ＩＣの試験装置であって、上記半導体Ｉ
Ｃの各突起電極に接触する複数の導電パターン回路を有
する絶縁体シートと、該絶縁体シートの各導電パターン
回路に接続され平行ないし放射状に配置された複数の信
号伝送パターン回路を有する伝送回路基板とを備え、該
伝送回路基板は試験装置本体に接続されることを特徴と
する半導体ＩＣの試験装置。
（２）半導体ＩＣの基板に形成した複数個の突起電極に
、各々、絶縁体シートに形成した複数の導電パターン回
路を接触させると共に、該絶縁体シートの各導電パター
ン回路に、伝送回路基板に形成した複数の信号伝送パタ
ーン回路を接続し、該伝送回路基板を試験装置本体に接
続して、半導体ＩＣを試験することを特徴とする半導体
ＩＣの試験方法。
（３）絶縁体シートは、一面に導電パターン回路が配置
され、他面は導体で覆われている請求項（１）記載の半
導体ＩＣの試験装置。
（４）絶縁体シート及び導電パターン回路は、少くとも
導電パターン回路が半導体ＩＣの各電極バンプに接触す
る部分が透明導電体又は金属導電体に形成されている請
求項（１）又は請求項（３）記載の半導体ＩＣの試験装
置。