JPH07110852A

JPH07110852A - 非接触磁気カード

Info

Publication number: JPH07110852A
Application number: JP6165189A
Authority: JP
Inventors: Wataru Suenaga; 渉末永
Original assignee: Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 1993-07-27
Filing date: 1994-07-18
Publication date: 1995-04-25

Abstract

(57)【要約】【構成】非磁性支持体の一方の面に、磁気情報が記録
された磁気層を有し、他方の面に、該磁気層からバイア
ス磁界を与えられ且つ検出領域内において変動する周波
数をもつ入射交流磁界に対して、該磁気情報に対応し予
め選定された周波数で機械的に共振する強磁性磁歪材料
の延性ストライプを有し、該磁気層が、結合剤中に飽和
磁束密度１００emu／ｇ以上の磁性粉を分散させてなる
磁気層であることを特徴とする非接触磁気カード。【効果】高次高調波の出力が高く、多種類の識別が容
易である。デジタル磁気記録方式を用いて共振周波数を
制御できる。さらに、複数の強磁性磁歪材料の延性スト
ライプを用いれば、記録情報量を増やすことができる。
書き込みは、従来のエンコーダーを利用できるので、互
換性を保つことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気カードに関し、さ
らに詳しくは、照合データ等の識別情報を読み取る非接
触磁気カードに関するものであり、偽造防止にも利用で
きるものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気カードは銀行のキャッシュカード、
通帳、鉄道の定期券、切符に広く利用されているが、接
触式で読み取るが故に、機械的な摩耗、損傷等が発生す
る。非接触式で簡易な情報媒体としては、一般的に、バ
ーコードシステムが使用されているが、使用環境の問
題、書き込みができないなどの難点が挙げられる。その
ため、特開昭５８−１９２１９７号公報および特開昭６
０−２１８２２３号公報等に、検出領域内において変動
する周波数をもつ入射交流磁界に対して、硬質磁性材料
によりバイアス磁界が加わるように調整された複数個の
強磁性磁歪材料の延性ストライプが予め選定された異な
る周波数で機械的に共振する磁気マーカーが提案されて
いる。さらに、ＷＯ（国際特許出願公開公報）９２／１
２４０１およびＷＯ９２／１２４０２等には、硬質磁性
材料の磁化状態を工夫することにより複数のバイアス磁
界が加わるように調整された単一の強磁性磁歪材料の延
性ストライプが予め選定された異なる周波数で機械的に
共振する磁気マーカーが提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前述した磁気マーカー
の基本的な構成は、図１に示されるように、強磁性磁歪
材料の延性ストライプ、該延性ストライプが機械的共振
するよう格納空間をもつ方形盆状ケース、および方形盆
状ケースの蓋となる硬質磁性材料の薄帯からなる。硬質
磁性材料としては、ＳＡＥ１０９５鋼、ヴィカロイ、レ
マロイ、アーノクロム、クロバック等の強磁性合金が用
いられている。該方形盆状ケースはポリエチレンなどの
高分子材料であるプラスチックである場合、該硬質磁性
材料の薄帯が金属であるため固定方法が難しく、複数個
の強磁性磁歪材料の延性ストライプに最適にバイアス磁
界を加えるように調整し、正確に寸法決めを行わなけれ
ばならない。そのため、特開昭６２−６４７２５号公報
等には、延性ストライプに対してソレノイド類似のバイ
アス磁界を発生するバリウムフェライト等の高抗磁力の
磁性粉を充填したプラスチックからなるハウジングを改
良型のバイアスが提案されている。しかしながら、デー
ムス等のＷＯ９２／１２４０１等に記載されているバイ
アス磁界はソレノイド類似でなく複数のバイアス磁界を
発生させるためこのようなハウジングは利用できない。
さらに、ＷＯ９２／１２４０１等で紹介されている方法
は、一例として方形盆状ケースに「デルリン」（商標）
などのプラスチックを用い、硬質磁性材料である強磁性
合金の金属薄帯の固定は粘着テープを利用している。そ
して、硬質磁性材料より複数のバイアス磁界を発生させ
るために磁化を加える方法としては、磁気ヘッドを用い
て一般的な磁気記録方法に従っている。この記録方法は
正弦波記録方式を用いている。また、硬質磁性材料の金
属薄帯の配向性が低く再生波形が崩れるため、デジタル
磁気記録方式による記録はできない。磁気ヘッドと硬質
磁性材料との間に粘着テープを介在させるため、粘着テ
ープの厚みが一般的に６０μｍであることと硬質磁性材
料の厚みが少なくとも３０μｍであることを考慮する
と、磁化させるためには磁気ヘッドより１００μｍ以上
の位置まで磁束線を発生させねばならず、磁化させるこ
とが相当困難となる。また、硬質磁性材料の厚みは、一
般的に金属の成形加工であるため、膜厚のばらつきは少
なくとも±５μｍ生じ、発生するバイアス磁界の大きさ
が安定しない問題点を有する。次に、工業化を考えた場
合、硬質磁性材料の加工はその脆弱性より扱いにくく、
粘着テープの利用では商品価値が低く製造することがで
きない。さらに、いわゆるクレジットカード等のＪＩＳ
規格に準拠した厚みが０．６〜０．８ｍｍの仕様にする
ことはできなかった。

【０００４】本発明が解決しようとする課題は、デジタ
ル記録方式に適し加工性に優れた磁気層を用いた、クレ
ジットカード等のＪＩＳ規格に準拠した厚みを有する非
接触磁気カードを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決するために、鋭意検討の結果、上記課題を解決するに
至った。

【０００６】すなわち、本発明は上記課題を解決するた
めに、非磁性支持体の一方の面に、磁気情報が記録され
た磁気層を有し、他方の面に、該磁気層からバイアス磁
界を与えられ且つ検出領域内において変動する周波数を
もつ入射交流磁界に対して、該磁気情報に対応し予め選
定された周波数で機械的に共振する強磁性磁歪材料の延
性ストライプを有し、該磁気層が、結合剤中に飽和磁束
密度７０emu／ｇ以上の磁性粉を分散させてなる磁気層
であることを特徴とする非接触磁気カードを提供する。

【０００７】本発明の非接触磁気カードは、例えば、磁
気層を設けた非磁性支持体に、強磁性磁歪材料の延性ス
トライプを格納した基材を必要に応じて接着剤を用いて
貼り合わせることにより作製することができる。

【０００８】本発明で使用する非磁性支持体として使用
できる材料は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレ
ンナフタレート、ポリビニルアルコール、ポリエチレン
テレフタレート、ポリカーボネート、ナイロン、ポリス
チレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレンビニル
共重合体等からなるプラスチックフィルムまたはシー
ト；若しくはアルミニウムなどの非磁性金属；紙、含浸
紙；これらの各材料からなる複合体が挙げられ、これら
以外の材料であっても、必要な強度、構成等を備えてい
れば、特に制限なく使用できる。

【０００９】本発明で使用する磁気層は、非磁性支持体
の厚さの距離における磁界強度の大きさを制御すること
を目的としているので、磁気層中の磁性粉の飽和磁束密
度は１００emu／ｇ以上が好ましく、１２０emu／ｇ以上
が特に好ましい。

【００１０】前記磁性粉としては、例えば、化合物系強
磁性粉末としては、例えば、炭化鉄、窒化鉄等が挙げら
れる。また、強磁性金属粉末としては、強磁性粉末中の
金属分が７５重量％以上であり、かつ、金属分の８０重
量％以上が少なくとも１種類の強磁性金属または合金
（例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎ
ｉ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ）であり、この金属
分の２０重量％以下の範囲内で他の成分（例えば、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、
Ｂ、Ｙ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｒｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ｂ
ａ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｓ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｚｎ、Ｔｅ）を含有する合金が挙げら
れる。前記強磁性金属分が小量の水、水酸化物または酸
化物を含んでもよい。これらの強磁性粉末の製造法は公
知であり、本発明では、公知の方法に従って製造したも
のを用いることができる。

【００１１】磁気層に使用する結合剤としては、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニルおよび酢酸ビニ
ルとビニルアルコール、無水マレイン酸またはアクリル
酸との共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニリデン共重合
体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、スルホン
酸基またはアミノ基等の極性基を有する塩化ビニル系共
重合体の如き塩化ビニル系共重合体；ニトロセルロース
の如きセルロース誘導体；ポリビニルアセタール樹脂；
アクリル樹脂；ポリビニルブチラール樹脂；エポキシ樹
脂；フェノキシ樹脂；ポリウレタン樹脂；ポリエステル
ポリウレタン樹脂；スルホン酸基等の極性基を有するポ
リウレタン樹脂、ポリカーボネートポリウレタン系樹脂
等が挙げられる。

【００１２】結合剤として用いる樹脂は単独で使用する
こともできるが、塩化ビニル系樹脂とポリウレタン系樹
脂、セルロース誘導体とポリウレタン系樹脂のように２
種類以上の樹脂を組み合わせて使用することもできる。
結合剤の使用量は、磁性粉１００重量部当たり１５〜３
０重量部の範囲が好ましい。

【００１３】また、磁気層に用いる分散剤としては、レ
シチン、高級アルコール、シランカップリング剤、チタ
ンカップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。これら
の分散剤の使用量は、磁性粉１００重量部当たり０．５
〜３．０重量部の範囲が好ましい。

【００１４】上記磁性粉、結合剤、および分散剤を、各
種の混練・分散機を用いて、磁性塗料を作製する。混練
・分散にあたっては、二本ロール、三本ロール等のロー
ル型混練機、ボール型回転ミル等の分散機に、上述の各
成分を、すべて同時に、または個々順次投入する。作製
した磁性塗料を、非磁性支持体に塗布し、１０００〜１
００００ガウスの磁界強度をもつ永久磁石またはソレノ
イド磁石によって磁場配向処理後、乾燥させることによ
って磁気層を形成する。このとき、磁気層をカレンダー
処理してもよい。

【００１５】磁性塗料の塗布方法としては、例えば、エ
アードクターコート、ブレードコート、ロッドコート、
押し出しコート、エアーナイフコート、スクイズコー
ト、含侵コート、リバースロールコート、トランスファ
ーロールコート、グラビアコート、キスコート、キャス
トコート、スプレイコート等が挙げられる。

【００１６】次に、図４に、本発明で使用する磁気層の
厚みを大きくする場合を示した。

【００１７】該磁性塗料を該非磁性支持体の上に塗布す
る方法により磁気層の厚さを増大するには限界があり、
厚さ４０μｍ以上の磁気層を得る場合は、接着層７を設
け、磁気層を設けた非磁性支持体を重ね合わせて二つの
磁気層を複合させてもよい。このような場合は、片方の
非磁性支持体Ｂ’を、保護層として用いることができ
る。

【００１８】接着層７に使用する接着剤としては、例え
ば、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸
ビニル共重合体、塩化ビニル−プロピオン酸共重合体、
ゴム系樹脂、シアノアクリレート樹脂、セルロース系樹
脂、アイオノマー樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリウ
レタン樹脂等が挙げられ、通常、０．１〜０．５μｍの
厚さに形成する。

【００１９】貼り合わせる方法としては、例えば、二つ
の非磁性支持体Ｂ、Ｂ’を加熱および加圧して、接着さ
せる。具体的には、金属ロールまたはゴムロールの一対
を対向させて設置し、一方のロールを加熱しておいて、
一方の非磁性支持体Ｂ側に接触させ、ロール間の圧力と
ロールの熱により、加熱および加圧を行うか、若しくは
熱プレスを用いて行うことができる。前記加熱および加
圧の条件は使用する材料によっても異なるが、一例を挙
げると、温度は１００〜３００℃、圧力は熱ロール方式
では約１０kg／cm²、熱プレス方式では１０kg／cm²前
後、速度としては５０ｍ／分くらいが適当である。

【００２０】また、磁気層の上に保護層を設けてもよ
く、保護層に使用する樹脂としては、例えば、エチルセ
ルロース、酢酸セルロース等のセルロース誘導体、ポリ
スチレン等のスチレン樹脂またはスチレン共重合樹脂、
ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポ
リアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル等のアクリ
ル樹脂あるいはメタクリル樹脂の単独または共重合樹
脂、ポリ酢酸ビニル、ビニルトルエン樹脂、塩化ビニル
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ブチラー
ル樹脂等が挙げられる。また、前記樹脂中に、耐摩耗性
向上のためにα−Ａｌ₂Ｏ₃等の高硬度の添加剤やポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の微粒の樹脂ビー
ズを分散させた媒体を使用してもよい。

【００２１】保護層の形成方法としては公知の塗工方法
を用いてよく、例えば、エアードクターコート、ブレー
ドコート、ロッドコート、押し出しコート、エアーナイ
フコート、スクイズコート、含侵コート、リバースロー
ルコート、トランスファーロールコート、グラビアコー
ト、キスコート、キャストコート、スプレイコート等が
挙げられる。

【００２２】磁気層の厚さは、１０〜１００μｍの範囲
が好ましく、単位面積当たりの残留磁束密度は１〜２５
Mx／cmの範囲にあることが望ましい。

【００２３】磁気層は着磁された場合、その磁化ポイン
ト、すなわち、その極性ポイントより発生する磁界強度
は極性ポイントと測定ポイントとの距離により決定さ
れ、距離が増加するに従い減少する。さらに、該強磁性
磁歪材料の延性ストライプは、厚みを有し、磁気層から
均一にバイアス磁界が加わることが望ましい。

【００２４】磁気層と強磁性磁歪材料の延性ストライプ
とは、磁気層の表面付近の磁界の減少が特に大きいこと
と、強磁性磁歪材料の延性ストライプが厚みを有するこ
とから、直接接触させるのでなく最適な間隔をもたせて
接触させる必要があり、この間隔が非磁性支持体の厚さ
となる。さらに、非磁性支持体は磁気層の支持体である
と同時に、強磁性磁歪材料の延性ストライプを保護する
ものでもあり、適当な厚みを必要とする。非磁性支持体
の厚みとしては、１０〜２５０μｍが望ましく、特に２
５〜１００μｍが好ましい。したがって、非磁性支持体
の厚みと、好ましいバイアス磁界強度とを決めることに
より、磁気層の厚みが得られる。

【００２５】強磁性磁歪材料の延性ストライプとして
は、例えば、アライド・ケミカル社の「メトグラス２６
０５ＳＣ」、「メトグラス２６０５ＣＯ」、「メトグラ
ス２８２６ＭＢ」等の品番が望ましく、その厚さとして
は１５〜２５μｍが好ましく、形態は線状であっても構
わない。

【００２６】強磁性磁歪材料の延性ストライプは、磁気
層からバイアス磁界を与えられる。強磁性磁歪材料の延
性ストライプの磁気機械結合係数はバイアス磁界の大き
さにより変化し、磁歪の変化率の最も大きいところで高
くなる。すなわち、バイアス磁界を加えていくと、その
磁界が大きくなるに従い磁気機械結合係数は大きくな
り、あるバイアス磁界で極大を示した後、減少を示す。

【００２７】磁気機械結合係数Ｋは下記の式（１）で定
義され、実効透磁率の関数であり、実効透磁率の測定法
である相互インダクタンス法により測定される。磁気機
械結合係数が大きいほど、変動する周波数を持つ交流磁
界を加えたとき、強磁性磁歪材料の延性ストライプの固
有振動数において機械的に共振を引き起こす変換エネル
ギー効率が大きくなる。

【００２８】

【数１】

【００２９】（上記式中、Ｅ₁は機械的に蓄えられたエ
ネルギーを表わし、Ｅ₂は磁気的に与えられたエネルギ
ーを表す。）

【００３０】したがって、強磁性磁歪材料の延性ストラ
イプの固有振動数において、できるだけ大きい磁気機械
結合係数を得るためには最適なバイアス磁界が必要とな
り、さらに、強磁性磁歪材料の延性ストライプは均一な
バイアス磁界を与えられなければ、磁気エネルギーを効
率よく機械的なエネルギーに変換しない。

【００３１】また、共振周波数ｆ_nは以下の式（２）

【００３２】

【数２】ｆ_n＝（ｎ／２Ｌ）（Ｅ／Ｄ）^1/2 （２）

【００３３】（上記式中、Ｌ、ＥおよびＤは、各々、強
磁性磁歪材料のストライプの長さ、ヤング率、および質
量密度を表し、ｎは高調波の次数を表す。）

【００３４】で示されるが、ｎの高調波の次数が高くな
ると、必然的に共振周波数は１MHzを超える場合も生ず
る。強磁性磁歪材料の延性ストライプの抗磁力は０．５
エルステッド以下であるが、残留磁束密度が高いため、
高周波損失であるヒステリシス損失が無視できなくな
る。さらに、アモルファスの強磁性磁歪材料の延性スト
ライプは電気抵抗率が１２０〜１４０μΩ−ｍと小さく
渦電流損失も無視できなくなる。そのため、共振周波数
におけるヒステリシス損失はできるだけ低いものが望ま
しく、周波数１KHz、最大磁界強度５エルステッドの交
流磁界においては１〜５０Ｊ／ｍ³の範囲が特に好まし
い。

【００３５】本発明で使用する基材Ｃは、図３に示した
ように、強磁性磁歪材料の延性ストライプ２が機械的に
共振できる空間を保持するように切り込みを入れたシー
ト６’と、切り込みのないシート６とからなり、磁気層
４を設けた非磁性支持体Ｂに貼り付けられることによ
り、強磁性磁歪材料の延性ストライプ２を格納する。

【００３６】シート６および６’の材料としては、例え
ば、ポリ塩化ビニル、ナイロン、セルロースジアセテー
ト、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リエステル、ポリイミド若しくはポリカーボネート等の
プラスチック；若しくはアルミニウムなどの金属；紙、
含侵紙；これらの各材料からなる複合体を使用でき、こ
れら以外であっても、必要な強度、構成、隠蔽性、光不
透過性とを有するものであれば、特に制限なく使用でき
る。シート６および６’は、延性ストライプ２の存在を
隠蔽するために、光不透過性のものが好ましい。

【００３７】非磁性支持体とシートを貼り合わせるため
に接着剤を使用してもよく、用いる接着剤としては、例
えば、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、塩化ビニル−プロピオン酸共重合
体、ゴム系樹脂、シアノアクリレート樹脂、セルロース
系樹脂、アイオノマー樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポ
リウレタン樹脂等が挙げられ、接着剤層は、通常、０．
１〜０．５μｍの厚さに形成する。

【００３８】貼り合わせる方法としては、例えば、磁気
層を設けた非磁性支持体と、強磁性磁歪材料の延性スト
ライプを有したシート６、６’を加熱および加圧して接
着させる。例えば、金属ロールまたはゴムロールの一対
を対向させて設置し、一方のロールを加熱しておいて一
方のシート６側に接触させ、ロール間の圧力とロールの
熱により、他方のシート６’を接着させるか、または熱
プレスを用いて行うことができる。前記加熱および加圧
の条件は使用する材料によっても異なるが、例えば、温
度は１００〜３００℃、圧力は熱ロール方式では約１０
kg／cm² 、熱プレス方式では１０kg／cm²前後、速度と
しては５０ｍ／分くらいが適当である。

【００３９】基材Ｃの厚みは特に限定されるものでな
く、強磁性磁歪材料の延性ストライプ２が機械的に共振
できる空間を保持することができればよい。例えば、Ｊ
ＩＳの磁気ストライプ付きクレジットカードなどの規格
に従えば、厚みは０．６８〜０．８０、長辺８５．７ｍ
ｍ、短辺５４．０３ｍｍに組み込む事を考えれば基材を
２５０μｍのポリエステルフィルムを用いる事により可
能となる。

【００４０】次に、本発明の非接触磁気カードは、その
使用に際し、磁気層に磁気情報を記録する必要がある。
以下に、磁気層を着磁させる方法と、それに伴う強磁性
磁歪材料の延性ストライプに及ぼす作用を説明する。

【００４１】強磁性磁歪材料の延性ストライプが機械的
に共振する固有周波数は式（２）で示され、入射交流磁
界に対し共振する強磁性磁歪材料の延性ストライプに加
えられるバイアス磁界を発生する磁気層の着磁状態は図
５に示される。

【００４２】図５には、本発明で使用する磁気層に磁気
情報を記録した状態、すなわち、長さＬの磁気層をｎ等
分に着磁させた状態が示されている。

【００４３】磁気記録には、図６に示した着磁器、また
は図７に示したエンコーダーを用いることができる。ま
た、長手記録、リング型ヘッドを用いてもよい。

【００４４】磁気記録方式としては、図８に示した正弦
波記録方式と、図９に示したデジタル記録方式の二つが
あるが、磁気機械結合係数が最大となるバイアス磁界の
範囲が狭いことと、Ｌ／ｎの長さの所に安定で且つ鋭く
バイアス磁界を発生できることから、デジタル記録方式
が好ましい。

【００４５】以上、共振周波数ｆnについて述べたが、
複数の共振を発生させるように着磁内容を重畳させるこ
ともできる。複数の共振を発生させることはその組み合
わせにより判別する種類が大幅に向上する。

【００４６】共振周波数ｆn及びｆmの２つのモードの共
振を発生させるには、強磁性磁歪材料の延性ストライプ
端の振幅が０であるＬ／ｎの１／２波長を持つ正弦波と
Ｌ／ｍの１／２波長を持つ正弦波を合成させた曲線の振
幅が０となる長さの所にバイアス磁界が発生するように
デジタルに磁化する事により、ｆn及びｆmの共振が得ら
れる。この際、ｆn及びｆm以外の共振が得られる場合が
生じるが、Ｌ／ｎの１／２波長を持つ正弦波とＬ／ｍの
１／２波長を持つ正弦波のそれぞれの振幅を調整する事
によりｆn及びｆmのみの共振が得られる。また、共振周
波数ｆn、ｆm及びｆlの共振を発生させるには、Ｌ／ｎ
の１／２波長を持つ正弦波とＬ／ｍの１／２波長を持つ
正弦波とＬ／ｌの１／２波長を持つ正弦波とを合成させ
た曲線の振幅が０となる長さの所にバイアス磁界が発生
するように上記２つのモードの場合と同様にデジタルに
磁化する事により、ｆn、ｆm、ｆlの共振が得られる。

【００４７】図１０に、本発明の非接触磁気カードの磁
気記録に対応した識別情報を検出するシステムを示し
た。

【００４８】装置１００は、周波数の掃引ができる正弦
波信号を発生する発信器１０１、該正弦波信号を増幅す
る出力増幅器１０２、および増幅された正弦波信号をそ
の形状により強磁性磁歪材料の延性ストライプに交流磁
界を加えることができる励磁コイル１０３とからなる。

【００４９】装置２００は、励磁コイル１０３の内側に
同軸配置されたピックアップコイル２０１と強磁性磁歪
材料の延性ストライプが機械的に共振する周波数を検出
して応答信号の振幅が測定できるスペクトラムアナライ
ザー２０２とからなる。本発明の非接触磁気カードの磁
気層を予めエンコーダーなどを用いて着磁させることに
より強磁性磁歪材料は式（２）の周波数により共振す
る。

【００５０】したがって、交流磁界の周波数をｆ_n周辺
で掃引すると特徴的な信号が生じる。これは、交流磁界
およびバイアス磁界が磁気歪を示す強磁性磁歪材料の延
性ストライプに導入されるとエネルギーは交流磁界の周
波数に応じて磁気エネルギーおよび機械エネルギーに交
互に蓄積され、放出される。蓄積および放出される磁気
歪エネルギーはその物質の機械的共振周波数において最
大となる。このエネルギーの蓄積および放出により、強
磁性磁歪材料の延性ストライプの透磁率、すなわち磁束
密度変化を介してピックアップコイル２０１に電圧が誘
導される。したがって、ピックアップコイル２０１に誘
起される出力信号の特有の周波数成分を検出することに
より本発明の非接触磁気カードの識別情報の判定を行
う。

【００５１】発信器１０１の周波数は、１０KHz〜５MHz
の範囲が望ましい。励磁コイル１０３内に発生する交流
磁界の強さは５エルステッド以下であり、この程度の磁
界では本発明の磁気層の記録情報を消去したり、減衰さ
せたりすることはない。

【００５２】

【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに具体的
に説明する。

【００５３】（実施例１）厚さ２５μｍのＦｅ−Ｎｉ−
Ｍｏ−Ｂ系の「メトグラス２８２６ＭＢ」（アライド・
ケミカル社製）を幅２mm、長さ１００mmにエッチングレ
ジストによりマスクし、エッチング処理を行い、強磁性
磁歪材料の延性ストライプを作製した。

【００５４】この強磁性磁歪材料の延性ストライプを、
周波数１KHz、最大磁界強度５エルステッドの励磁条件
で交流磁化測定装置（理研電子（株）製）にて交流磁気
特性を測定し、表２と図２０に示した。さらに、相互イ
ンダクタンス法によりバイアス磁界を加えたときの磁気
機械結合係数を測定し、図１１に示した。

【００５５】厚さ２５０μｍの乳白色ポリエチレンテレ
フタレート板を、基材を構成するシートとして用いて、
それに幅３mm、長さ１０２mmの窓を開け、別の厚さ２５
０μｍの乳白色ポリエチレンテレフタレート板を接着
し、強磁性磁歪材料の延性ストライプが機械的共振でき
るよう挿入して、強磁性磁歪材料の延性ストライプを格
納した基材を作製した。

【００５６】次に、保磁力１５５０エルステッド、飽和
磁束密度１２０emu／ｇのメタル磁性粉である「ＨＪ−
８」（同和鉱業（株）製）１００重量部、レシチン３重
量部、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重
合「ＶＡＧＨ」（米国ユニオンカーバイド社製）１０重
量部、ポリウレタンエラストマー「Ｔ−５２０６」（大
日本インキ化学工業（株）製）１０重量部を加圧ニーダ
ーにて混練し、得られた混練物にメチルエチルケトンと
トルエンとシクロヘキサノンとの等重量混合液３００重
量部を加え、ボールミルにて分散して磁性塗料を得た。

【００５７】得られた磁性塗料を、厚さ５０μｍのポリ
エステルフィルム上に乾燥塗布膜厚が、１２．５μ
ｍ、３０μｍとなるように塗布し、５０００ガウスの
磁場配向を加えて乾燥した後、幅１０mmにスリットし、
磁気層を設けた非磁性支持体を作製した。さらに、前記
磁性塗料を、厚さ５０μｍのポリエステルフィルム上に
乾燥塗布膜厚が３０μｍとなるように塗布し、また厚さ
２４μｍのポリエステルフィルム上に乾燥塗布膜厚が１
０μｍとなるように塗布し、５０００ガウスの磁場配向
を加えて乾燥し、それぞれ幅１０mmにスリットしたもの
を貼り合わせ、厚さ４０μｍの磁気層を設けた非磁性
支持体を作製した。そして、それらの静磁気特性を測定
し、その結果を表１に示した。

【００５８】次に、基材と、磁気層を設けた非磁性支持
体とを、強磁性磁歪材料の延性ストライプと磁気層が重
なるようにして熱プレス機を用いて貼り合わせた後、５
×１０５mmの大きさに打ち抜いて本発明の非接触磁気カ
ードを得た。

【００５９】そして、磁気層の厚さが４０μｍである
非接触磁気カードにおいて、強磁性磁歪材料の延性スト
ライプの端面部から６次高調波、１２次高調波、２０次
高調波が発生するように、１００／６mm、１００／１２
mm、１００／２０mm間隔に磁化が飽和するようにエンコ
ーダーにて着磁した。さらに、通常の磁気ヘッドによる
読み取り機にて再生出力を測定し、その結果を図１２と
図１６に示した。また、強磁性磁歪材料の延性ストライ
プと接触する面から発生したバイアス磁界をガウスメー
ターを用いて測定し、表１に示した。

【００６０】次に、図１０に示したように、非接触磁気
カードの磁気記録に対応した識別情報を検出するシステ
ムを作製した。

【００６１】内径６０mmのコアに直径１mmの銅線を２０
０回巻いて励磁コイルを作製した。そして、内径１０mm
のコアに直径０．１mmの銅線を５０回巻いて差動タイプ
のピックアップコイルを作製し、該励磁コイル内に挿入
した。これらの励磁コイルとピックアップコイルをゲイ
ンフェーズアナライザ（ワイ・エイチ・ピー社製「４１
９４Ａ」）に接続し、該ピックアップコイル内に、作製
した非接触磁気カードを挿入し、周波数５０〜５００KH
zまで交流磁界を掃引して、６次高調波の共振周波数と
その信号出力を測定し、その結果を表３に示した。ま
た、６次高調波、１２次高調波、および２０次高調波を
測定し、その結果をそれぞれ図２２〜２４に示した。

【００６２】（実施例２）厚さ１００μｍのポリエステ
ルフィルム上に、該磁性塗料を乾燥塗布膜厚が３０μ
ｍとなるように塗布し、５０００ガウスの磁場配向を加
えて乾燥し幅１０mmにスリットし、磁気層を設けた非磁
性体を作製した。さらに、該磁性塗料を、厚さ１００μ
ｍのポリエステルフィルム上に乾燥塗布膜厚が３０μｍ
となるように塗布し、また厚さ２４μｍのポリエステル
フィルム上に乾燥塗布膜厚が１５μｍおよび３０μｍと
なるように塗布し、５０００ガウスの磁場配向を加えて
乾燥し、それぞれ幅１０mmにスリットしたものを貼り合
わせ、厚さ４５μｍ、６０μｍの磁気層を設けた非
磁性支持体を作製した。そして、それらの静磁気特性を
測定し、表１に示した。

【００６３】そして、作製した磁気層を設けた非磁性支
持体を用い、実施例１と同様にして本発明の非接触磁気
カードを作製した後、バイアス磁界を測定し、その結果
を表１に示した。また、共振周波数とその信号出力を測
定し、その結果を表３に示した。

【００６４】（実施例３）厚さ２５μｍの強磁性磁歪材
料の延性ストライプにＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｓｉ系の「メト
グラス２６０５ＣＯ」（アライド・ケミカル社製）を実
施例１と同様にエッチング処理により強磁性磁歪材料の
延性ストライプを作製した後、実施例１と同様にして交
流磁気特性を測定し、その結果を表２と図２１に示し
た。さらに、相互インダクタンス法によりバイアス磁界
を加えたときの磁気機械結合係数を測定し、図１１に示
した。

【００６５】磁気層の厚さを４０μｍとした以外は実施
例１と同様にして、磁気層を設けた非磁性支持体を作製
した後、その静磁気特性を測定し、その結果を表１に示
した。

【００６６】そして、作製した強磁性磁歪材料の延性ス
トライプを用いて、非接触磁気カードを作製した後、６
次高調波、１２次高調波、および２０次高調波を測定
し、その結果をそれぞれ図２５、図２６、および図２７
に示した。

【００６７】（実施例４）厚さ５０μｍのポリエステル
フィルム上に、該磁性塗料を乾燥塗布膜厚が３０μｍと
なるように塗布し、また厚さ２４μｍのポリエステルフ
ィルム上に乾燥塗布膜厚が１０μｍとなるように塗布
し、５０００ガウスの磁場配向を加えて乾燥し、それぞ
れ幅１０mmにスリットしたものを貼り合わせ、厚さ４
０μｍの磁気層を設けた非磁性支持体を作製した。

【００６８】そして、作製した磁気層を設けた非磁性支
持体を用い、実施例１と同様にして本発明の非接触磁気
カードを作製した後、強磁性磁歪材料の延性ストライプ
の端面部から３次高調波、５次高調波が発生するよう
に、１００／３mm、１００／５mm間隔に磁化が飽和する
ようにエンコーダーにて着磁した。また、１００／３m
m、１００／５mm間隔を波長とした正弦波を重ね合わせ
て、振幅が０となる間隔に磁化が飽和するようにエンコ
ーダーにて着磁した。さらに、通常の磁気ヘッドによる
読み取り機にて再生出力を測定し、その結果を図２８と
図２９に示した。また、共振周波数とその信号出力を測
定し、その結果を図３０に示した。

【００６９】（実施例５）強磁性磁歪材料の延性ストラ
イプの端面部から６次高調波、２０次高調波が発生する
ように、１００／６mm、１００／２０mm間隔を波長とし
た正弦波を重ね合わせて、振幅が０となる間隔に磁化が
飽和するようにエンコーダーにて着磁する以外は実施例
３と同様にして、共振周波数とその信号出力を測定し、
その結果を図３１に示した。

【００７０】（実施例６）強磁性磁歪材料の延性ストラ
イプの端面部から５次高調波、１２次高調波、２０次高
調波が発生するように、１００／５mm、１００／１２m
m、１００／２０mm間隔を１／２波長とした正弦波を重
ね合わせて、振幅が０となる間隔に磁化が飽和するよう
にエンコーダーにて着磁する以外は実施例３と同様にし
て、共振周波数とその信号出力を測定し、その結果を図
３２に示した。

【００７１】（実施例７）厚さ２５μｍのＦｅ−Ｎｉ−
Ｍｏ−Ｂ系の「メトグラス２８２６ＭＢ」（アライド・
ケミカル社製）を幅２mm、長さ７５mmにエッチングレジ
ストによりマスクし、エッチング処理を行い、強磁性磁
歪材料の延性ストライプを作製した。

【００７２】厚さ２５０μｍの乳白色ポリエチレンテレ
フタレート板を、基材を構成するシートとして用いて、
それに幅３mm、長さ７６mmの窓を開け、別の厚さ２５０
μｍの乳白色ポリエチレンテレフタレート板を接着し、
強磁性磁歪材料の延性ストライプが機械的共振できるよ
う挿入して、強磁性磁歪材料の延性ストライプを格納し
た基材を作製した。

【００７３】厚さ５０μｍのポリエステルフィルム上
に、該磁性塗料を乾燥塗布膜厚が３０μｍとなるように
塗布し、また厚さ２４μｍのポリエステルフィルム上に
乾燥塗布膜厚が１０μｍとなるように塗布し、５０００
ガウスの磁場配向を加えて乾燥し、それぞれ幅１０mmに
スリットしたものを貼り合わせ、厚さ４０μｍの磁気
層を設けた非磁性支持体を作製した。

【００７４】次に、基材と、磁気層を設けた非磁性支持
体とを、強磁性磁歪材料の延性ストライプと磁気層が重
なるようにして熱プレス機を用いて貼り合わせた後、５
４×８５．５mmの大きさに打ち抜いて本発明の非接触磁
気カードを得た。

【００７５】そして、磁気層の厚さが４０μｍである
非接触磁気カードにおいて、強磁性磁歪材料の延性スト
ライプの端面部から３次高調波、７次高調波が発生する
ように、７５／３mm、７５／７mmの間隔が１／２波長の
正弦波を重ね合わせて振幅が０となる間隔に磁化が飽和
するようにエンコーダーにて着磁した。さらに、７５／
３mm、７５／７mmの間隔が１／２波長の正弦波の振幅を
１／１、１／０．９、１／０．８の組み合わせにて重ね
合わせて振幅が０となる間隔にエンコーダーにて着磁し
た。

【００７６】次に、図１０に示したように、非接触磁気
カードの磁気記録に対応した識別情報を検出するシステ
ムを作製した。

【００７７】内径２５０mm×５００mmのコアに直径１mm
の銅線を２０回巻いて励磁コイルを作製した。そして、
内径２５０mm×２５０mmのコアに直径１mmの銅線を２０
回巻いたものを２つ用意し８の字形として差動タイプの
サーチコイルを作製し、該励磁コイルに２００mm離して
対向させ検出領域とした。これらの励磁コイルとサーチ
コイルをゲインフェーズアナライザ（ワイ・エイチ・ピ
ー社製「４１９４Ａ」）に高速・高帯域の直流増幅器及
び作動増幅器を通して接続し、該検出領域内に、作製し
た非接触磁気カードを挿入し、周波数５０〜５００KHz
まで交流磁界を掃引して、共振周波数とその信号出力を
測定した。その結果をそれぞれ図３３〜３５に示した。

【００７８】（比較例１）メタル磁性粉の代わりに、保
磁力６５０エルステッド、飽和磁束密度７３emu／ｇの
酸化鉄磁性粉である「ＣＴＸ−９７０」（戸田工業
（株）製）を用いる以外は実施例１と同様に、磁性層を
設けた非磁性支持体を作製した後、その静磁気特性を測
定し、その結果を表１に示した。

【００７９】そして、作製した磁性層を設けた非磁性支
持体を用い、実施例１と同様にして非接触磁気カードを
作製した後、バイアス磁界を測定し、その結果を表１に
示した。また、６次高調波の共振周波数及び信号出力を
測定し表３に示した。表１のバイアス磁界から分かるよ
うに、磁気層の厚さが１２．５μｍの場合の信号出力の
検出はできず、信号出力のレベルが全体に低かった。

【００８０】（比較例２）磁気層の代わりに、厚さ３３
μｍの強磁性金属リボン「Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系半硬質材
料」（ドイツ国バキュームシュメルツェ（Vacuumshmelz
e）社製）を用いて実施例１と同様に、強磁性金属リボ
ンを設けた非磁性支持体を作製した後、その静磁気特性
を測定し、その結果を表１に示した。

【００８１】そして、作製した強磁性金属リボンを設け
た非磁性支持体を用い、実施例１と同様にして非接触磁
気カードを作製した後、バイアス磁界を測定し、その結
果を表１に示した。また、６次高調波、２０次高調波を
測定し、それぞれ図１４と図１８に示した。ただし、図
１４から分かるように、ノイズのため、１００KHz未満
における６次高調波の検出はできなかった。

【００８２】（比較例２）強磁性金属リボンの厚さを６
６μｍとした以外は比較例１と同様にして、強磁性金属
リボンを設けた非磁性支持体を作製した後、その静磁気
特性を測定し、その結果を表１に示した。

【００８３】そして、作製した強磁性金属リボンを設け
た非磁性支持体を用い、実施例１と同様にして非接触磁
気カードを作製した後、バイアス磁界を測定し、その結
果を表１に示した。また、６次高調波、２０次高調波を
測定し、それぞれ図１５と図１９に示した。ただし、図
１５から分かるように、ノイズのため、１００KHz未満
における６次高調波の検出はできなかった。

【００８４】

【表１】

【００８５】

【表２】

【００８６】

【表３】

【００８７】

【表４】

【００８８】

【表５】

【００８９】図１１から明らかように、正弦波記録方式
とは異なり、デジタル記録方式の場合、強磁性磁歪材料
の磁気機械結合係数が最大となるバイアス磁界は、実施
例１で使用した「メトグラス２８２６ＭＢ」においては
４．５〜６．０エルステッドの範囲であり、実施例３で
使用した「メトグラス２６０５ＣＯ」においては５．５
〜７．０エルステッドの範囲であり狭い範囲に存在する
ので、磁気層を着磁させる方法としては、デジタル記録
方式の方が優れている。

【００９０】さらに、表１、表３より、非磁性支持体厚
と好ましいバイアス磁界強度とを決めることによって最
適な磁気層の膜厚が得られることが分かる。

【００９１】図１２、図１６から、本発明の非接触磁気
カードに磁気記録後におけるバイアス磁界の発生挙動の
差異が間接的に分かる。

【００９２】さらに、図１２および図１６に各々対応す
る図１３〜１５および図１７〜１９における共振周波数
の大きさと尖鋭度から、比較例１および２で使用した強
磁性金属リボンに比べて、バイアス磁界の発生媒体とし
て本発明で使用する磁気層が優れていることは明らかで
ある。これは、表１に示されるように、異方性および角
形比の高いことによる。

【００９３】図２０および２１と表２において、実施例
１および３で使用したヒステリシス損の異なる強磁性磁
歪材料の延性ストライプの交流磁気特性が示されてい
る。このヒステリシス損の異なる強磁性磁歪材料の６次
高調波、１２次高調波、２０次高調波の共振点の周波数
特性は、図２２〜２４と図２５〜２７に示されている。
これらの図の比較により、ヒステリシス損の大きな強磁
性磁歪材料の場合、高調波の次数が上がるにつれて共振
周波数における大きさと尖鋭度が低下していくことが分
かる。

【００９４】

【発明の効果】本発明の非接触磁気カードは、高次高調
波の出力とその尖鋭度が高く、多種類の識別が容易であ
る。

【００９５】また、デジタル磁気記録方式を用いて強磁
性磁歪材料の延性ストライプの共振周波数を制御でき
る。さらに、複数の強磁性磁歪材料の延性ストライプを
用いれば記録情報量を増やすことができる。磁気記録に
は従来のエンコーダーを利用できるので、互換性を保つ
ことができる。

【００９６】また、本発明の実施例で使用した磁気層の
抗磁力は、約１５８０エルステッドであるため、磁気層
の磁気情報の消去の問題、例えば、ハンドバッグ等のバ
ックルにより磁気情報が消えるという問題も、硬質磁性
材料の金属リボンに比較して少ない。

【００９７】さらに、本発明で使用する磁気層は、硬質
磁性材料の金属リボンと異なり、加工性に優れている。
また、強磁性磁歪材料の延性ストライプの長さは、長さ
を短くしてもバイアス磁界が均一にかかるため、複数の
該延性ストライプを使用して共振周波数の数を増やせ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】検出領域内において変動する周波数をもつ入射
交流磁界に対して、予め選定された周波数で機械的共振
する磁気マーカーの基本的構成を示した模式図である。

【図２】本発明の非接触磁気カードの一例を示した模式
平面図である。

【図３】図２に示される直線Ｘ−Ｘ’における、本発明
の非接触磁気カードの一例を示した模式断面図である。

【図４】本発明の非接触磁気カードで使用する磁気層の
厚みを大きくする場合を説明した模式断面図である。

【図５】長さＬの磁気層がｎ等分に着磁された状態と、
該磁気層からのバイアス磁界が長さＬの強磁性磁歪材料
の延性ストライプに加えられている一例を示した模式図
である。

【図６】着磁器を示した模式図である。

【図７】エンコーダーを示した模式図である。

【図８】正弦波記録方式おける記録電流および再生電圧
の波形を示した図表である。

【図９】デジタル記録方式における記録電流（実線）お
よび再生電圧（破線）の波形を示した図表である。

【図１０】本発明の非接触磁気カードの磁気記録に対応
した識別情報を検出するシステムを示した概略図であ
る。

【図１１】強磁性磁歪材料の延性ストライプの磁気機械
結合係数とバイアス磁界の大きさとの関係を示した図表
である。

【符号の説明】

実線実施例１で使用した「メトグラス２８２６ＭＢ」破線実施例３で使用した「メトグラス２６０５ＣＯ」

【図１２】実施例１と比較例１および２で得た非接触磁
気カードの磁気層を１００／６mm間隔に磁気記録した後
の再生波形を示した図表である。

【図１３】実施例１で得た非接触磁気カードにおける６
次高調波の信号の検出結果を示した図表である。

【図１４】比較例２で得た非接触磁気カードにおける６
次高調波の信号の検出結果を示した図表である。

【図１５】比較例３で得た非接触磁気カードにおける６
次高調波の信号の検出結果を示した図表である。

【図１６】実施例１と比較例２および３で得た非接触磁
気カードの磁気層における１００／２０mm間隔に磁気記
録後の再生波形を示した図表である。

【図１７】実施例１で得た非接触磁気カードにおける２
０次高調波の信号の検出結果を示した図表である。

【図１８】比較例２で得た非接触磁気カードにおける２
０次高調波の信号の検出結果を示した図表である。

【図１９】比較例３で得た非接触磁気カードにおける２
０次高調波の信号の検出結果を示した図表である。

【図２０】実施例１で用いた強磁性磁歪材料の延性スト
ライプに、周波数１KHz、最大磁界強度５エルステッド
の交流磁界を加えた場合のヒステリシス曲線を示した図
表である。

【図２１】実施例３で用いた強磁性磁歪材料の延性スト
ライプに、周波数１KHz、最大磁界強度５エルステッド
の交流磁界を加えた場合のヒステリシス曲線を示した図
表である。

【図２２】実施例１で得た非接触磁気カードに、変動す
る交流磁界を加えたときの６次高調波の信号の検出結果
を示した図表である。

【図２３】実施例１で得た非接触磁気カードに、変動す
る交流磁界を加えたときの１２次高調波の信号の検出結
果を示した図表である。

【図２４】実施例１で得た非接触磁気カードに、変動す
る交流磁界を加えたときの２０次高調波の信号の検出結
果を示した図表である。

【図２５】実施例３で得た非接触磁気カードに、変動す
る交流磁界を加えたときの６次高調波の信号の検出結果
を示した図表である。

【図２６】実施例３で得た非接触磁気カードに、変動す
る交流磁界を加えたときの１２次高調波の信号の検出結
果を示した図表である。

【図２７】実施例３で得た非接触磁気カードに、変動す
る交流磁界を加えたときの２０次高調波の信号の検出結
果を示した図表である。

【図２８】実施例４で得た非接触磁気カードの磁気層に
おける１００／３mm間隔、１００／５mm間隔及びその合
成のデジタル磁気記録時の記録波形を示した図表であ
る。

【図２９】実施例４で得た非接触磁気カードの磁気層に
おける１００／３mm間隔、１００／５mm間隔及びその合
成のデジタル磁気記録後の再生波形を示した図表であ
る。

【図３０】実施例４で得た非接触磁気カードに、変動す
る交流磁界を加えたときの３次高調波、５次高調波、及
び３次高調波と５次高調波の信号の検出結果を示した図
表である。

【図３１】実施例５で得た非接触磁気カードに、変動す
る交流磁界を加えたときの６次高調波と２０次高調波の
信号の検出結果を示した図表（上段）と、実施例６で得
た非接触磁気カードに、変動する交流磁界を加えたとき
の５次高調波、１２次高調波と２０次高調波の信号の検
出結果を示した図表（下段）である。

【図３２】実施例７で得た非接触磁気カードに、変動す
る交流磁界を加えたときの３次高調波と７次高調波の信
号を記録時の正弦波の振幅を１／１の比率にした場合の
検出結果を示した図表（上段）と、実施例７で得た非接
触磁気カードに、変動する交流磁界を加えたときの３次
高調波と７次高調波の信号を記録時の正弦波の振幅を１
／０．９の比率にした場合の検出結果を示した図表（中
段）と、実施例７で得た非接触磁気カードに、変動する
交流磁界を加えたときの３次高調波と７次高調波の信号
を記録時の正弦波の振幅を１／０．９の比率にした場合
の検出結果を示した図表（下段）である。

【符号の説明】

１硬質磁性材料の金属リボン２強磁性磁歪材料の延性ストライプ３方形盆状ケース４磁気層４’磁気層５保護層６シート６’シート７接着層Ｂ非磁性支持体Ｂ’非磁性支持体Ｃ基材１００装置１０１発信器１０２出力増幅器１０３励磁コイル２００装置２０１ピックアップコイル２０２スペクトラムアナライザー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ１１Ｂ 5/80 9196−5Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体の一方の面に、磁気情報が
記録された磁気層を有し、他方の面に、該磁気層からバ
イアス磁界を与えられ且つ検出領域内において変動する
周波数をもつ入射交流磁界に対して、該磁気情報に対応
し予め選定された周波数で機械的に共振する強磁性磁歪
材料の延性ストライプを有し、該磁気層が、結合剤中に
飽和磁束密度１００emu／ｇ以上の磁性粉を分散させて
なる磁気層であることを特徴とする非接触磁気カード。
【請求項２】非磁性支持体の厚さが、１０〜２５０μ
ｍの範囲であることを特徴とする請求項１記載の非接触
磁気カード。
【請求項３】磁気層の残留磁束密度が、１〜２５Mx／
cmの範囲であることを特徴とする請求項１または２記載
の非接触磁気カード。
【請求項４】磁気情報が、デジタル記録方式により記
録された磁気情報であることを特徴とする請求項１、２
または３記載の非接触磁気カード。
【請求項５】強磁性磁歪材料の延性ストライプのヒス
テリシス損が、周波数１KHz且つ最大磁界強度５エルス
テッドの交流磁界において、１〜５０Ｊ／ｍ³の範囲に
あることを特徴とする請求項１、２、３または４記載の
非接触磁気カード。