JPH07112307B2 - 静電マイクロホン装置 - Google Patents
静電マイクロホン装置Info
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- JPH07112307B2 JPH07112307B2 JP13482190A JP13482190A JPH07112307B2 JP H07112307 B2 JPH07112307 B2 JP H07112307B2 JP 13482190 A JP13482190 A JP 13482190A JP 13482190 A JP13482190 A JP 13482190A JP H07112307 B2 JPH07112307 B2 JP H07112307B2
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Circuit For Audible Band Transducer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、音圧信号を静電容量の変化として検出する静
電マイクロホン装置に関するものである。
電マイクロホン装置に関するものである。
〔従来の技術〕 従来の一般的な静電マイクロホン装置は、固定電極に対
向させて振動板を配置し、音圧信号を受けて振動する振
動板の振幅変位を固定電極と振動板との間の静電容量の
変化として検出し、この静電容量の変化を電圧信号に変
換して取り出すものである。
向させて振動板を配置し、音圧信号を受けて振動する振
動板の振幅変位を固定電極と振動板との間の静電容量の
変化として検出し、この静電容量の変化を電圧信号に変
換して取り出すものである。
この種の静電マイクロホン装置は、音圧の検出感度が振
動板の張力に比例することから、装置の感度を高めるた
めに、振動板の張り上げが行われている。
動板の張力に比例することから、装置の感度を高めるた
めに、振動板の張り上げが行われている。
この振動板の張り上げの手法として、固定電極と振動板
との間に交換電圧を印加する交流バイアス法と、振動板
と固定電極に直流電圧を印加する直流バイアス法とがあ
る。
との間に交換電圧を印加する交流バイアス法と、振動板
と固定電極に直流電圧を印加する直流バイアス法とがあ
る。
振動板を交流バイアス法により張り上げるタイプの装置
は、発振回路の同調器に直接振動板を接続し、振動板の
振動に伴って検出される静電容量の変化に基づき、発振
周波数を変化させ、音圧信号を検出しているが、この種
の装置の静電容量の分解能は１×10-1〜１×10-2PFと低
く、微小音圧信号を高感度のもとで検出できないという
問題があり、ズームステレオマイクロホンへの展開が図
れないという欠点がある。
は、発振回路の同調器に直接振動板を接続し、振動板の
振動に伴って検出される静電容量の変化に基づき、発振
周波数を変化させ、音圧信号を検出しているが、この種
の装置の静電容量の分解能は１×10-1〜１×10-2PFと低
く、微小音圧信号を高感度のもとで検出できないという
問題があり、ズームステレオマイクロホンへの展開が図
れないという欠点がある。
また、振動板を直流バイアス法により張り上げる方式の
装置では、検出感度を高めるために、振動板と固定電極
との間の電界を高める必要がある。この電界を高めるた
めには、印加電圧を大きくするか、あるいは振動板と固
定電極との間隔を小さくすることが必要となるが、その
間隔を小さくすると、電位傾度が大きくなり、振動板と
固定電極間に電気放電を起こすという不都合が生じる。
一方、印加電圧を大きくすると、回路に使用するトラン
ジスタ等の素子の耐圧を大きくしなければならず、装置
の価格も高価になるという問題がある。このように、直
流バイアス法の装置も、振動板と固定電極との間のギャ
ップに一定の限界があり、しかも、固定電極と振動板と
に印加する電圧もほぼ200Vが限界となり、これに伴い、
検出感度も一定の限度が生じ、超高感度のもとで微小音
圧を検出することができないという事情がある。
装置では、検出感度を高めるために、振動板と固定電極
との間の電界を高める必要がある。この電界を高めるた
めには、印加電圧を大きくするか、あるいは振動板と固
定電極との間隔を小さくすることが必要となるが、その
間隔を小さくすると、電位傾度が大きくなり、振動板と
固定電極間に電気放電を起こすという不都合が生じる。
一方、印加電圧を大きくすると、回路に使用するトラン
ジスタ等の素子の耐圧を大きくしなければならず、装置
の価格も高価になるという問題がある。このように、直
流バイアス法の装置も、振動板と固定電極との間のギャ
ップに一定の限界があり、しかも、固定電極と振動板と
に印加する電圧もほぼ200Vが限界となり、これに伴い、
検出感度も一定の限度が生じ、超高感度のもとで微小音
圧を検出することができないという事情がある。
本発明者は発振回路の共振器と同調回路の共振器を別個
独立のセラミック共振器により構成し、10-5PFという超
高感度のもとで微小静電容量の変化を検出できるセラミ
ック共振器形静電センサを開発した。このセラミック共
振器形静電センサを静電マイクロホン装置に適用すれ
ば、従来の静電マイクロホン装置の問題点を一気に解決
することが可能となる。本発明はかかる点に着目してな
されたものであり、その目的は、微小音圧信号を超高感
度のもとで検出することができる静電マイクロホン装置
を提供することにある。
独立のセラミック共振器により構成し、10-5PFという超
高感度のもとで微小静電容量の変化を検出できるセラミ
ック共振器形静電センサを開発した。このセラミック共
振器形静電センサを静電マイクロホン装置に適用すれ
ば、従来の静電マイクロホン装置の問題点を一気に解決
することが可能となる。本発明はかかる点に着目してな
されたものであり、その目的は、微小音圧信号を超高感
度のもとで検出することができる静電マイクロホン装置
を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために、次のように構成さ
れている。すなわち、本発明の静電マイクロホン装置
は、搬送信号を発振するセラミック共振器を用いた発振
回路と、音圧信号を受けて振動する振動板の振動変位を
静電容量の変化として検出する音圧検出部と、この音圧
検出部で検出される静電容量の変化を受けて共振周波数
を偏倚させ、前記発振回路との同調点の変化に対応する
電圧変化を前記搬送信号を利用したAM変調信号として出
力する前記発振回路のセラミック共振器とは別個独立の
セラミック共振器からなる変調部とを有することを特徴
として構成されており、また、変調部から出力されるAM
変調信号を無線で送信するアンテナ回路を設けたり、変
調部から出力されるAM変調信号を検波して音圧信号に対
応した信号を取り出す検波回路と、検波出力を増幅する
増幅回路を設けたり、さらには、変調部には可変容量ダ
イオードを逆バイアス状に接続したAFC回路が付加され
ることも本発明の特徴的な構成としている。
れている。すなわち、本発明の静電マイクロホン装置
は、搬送信号を発振するセラミック共振器を用いた発振
回路と、音圧信号を受けて振動する振動板の振動変位を
静電容量の変化として検出する音圧検出部と、この音圧
検出部で検出される静電容量の変化を受けて共振周波数
を偏倚させ、前記発振回路との同調点の変化に対応する
電圧変化を前記搬送信号を利用したAM変調信号として出
力する前記発振回路のセラミック共振器とは別個独立の
セラミック共振器からなる変調部とを有することを特徴
として構成されており、また、変調部から出力されるAM
変調信号を無線で送信するアンテナ回路を設けたり、変
調部から出力されるAM変調信号を検波して音圧信号に対
応した信号を取り出す検波回路と、検波出力を増幅する
増幅回路を設けたり、さらには、変調部には可変容量ダ
イオードを逆バイアス状に接続したAFC回路が付加され
ることも本発明の特徴的な構成としている。
本発明では、音圧信号が入ってくると、振動板はこの音
圧信号を受けて振動を行う。そして、振動板の振幅変位
が静電容量の変化として検出され、この検出された静電
容量の変化は変調部のセラミック共振器に加えられる。
セラミック共振器は、静電容量の変化を受けて、共振周
波数を偏倚させ、発振回路との同調点を変化させる。そ
して同調点の変化に対応する電圧変化を前記発振回路か
ら加えられる搬送信号に乗せてAM変調信号を作り出し、
これを音圧の検出信号として出力するのである。
圧信号を受けて振動を行う。そして、振動板の振幅変位
が静電容量の変化として検出され、この検出された静電
容量の変化は変調部のセラミック共振器に加えられる。
セラミック共振器は、静電容量の変化を受けて、共振周
波数を偏倚させ、発振回路との同調点を変化させる。そ
して同調点の変化に対応する電圧変化を前記発振回路か
ら加えられる搬送信号に乗せてAM変調信号を作り出し、
これを音圧の検出信号として出力するのである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図には本発明に係る静電マイクロホン装置の第１の実施
例の回路図が示されている。本実施例の装置は、発振回
路１と、変調部として機能するセラミック共振器２と、
音圧検出部３と、増幅回路５と、アンテナ回路６と、AF
C（Automatic Frequency Contorol）回路８とを有して
構成されている。
図には本発明に係る静電マイクロホン装置の第１の実施
例の回路図が示されている。本実施例の装置は、発振回
路１と、変調部として機能するセラミック共振器２と、
音圧検出部３と、増幅回路５と、アンテナ回路６と、AF
C（Automatic Frequency Contorol）回路８とを有して
構成されている。
前記発振回路１は超高周波数、本実施例では1GHz〜10GH
zの範囲内の固定された一定の発振周波数を発振するセ
ラミック共振器10を備えている。この発振回路１は前記
高周波数の信号を搬送信号として発振し、これを発振回
路１内の高インピーダンス変換回路を介して変調部とし
てのセラミック共振器２に加える。
zの範囲内の固定された一定の発振周波数を発振するセ
ラミック共振器10を備えている。この発振回路１は前記
高周波数の信号を搬送信号として発振し、これを発振回
路１内の高インピーダンス変換回路を介して変調部とし
てのセラミック共振器２に加える。
前記音圧検出部３は音圧信号を受けて振動を行う振動板
７と、この振動板７に対して一定の間隔を介して対向さ
れている背極側の固定電極９とを主要要素として構成さ
れており、振動板７はアースに接続されており、固定電
極９は前記セラミック共振器２の出力電極に接続されて
いる。
７と、この振動板７に対して一定の間隔を介して対向さ
れている背極側の固定電極９とを主要要素として構成さ
れており、振動板７はアースに接続されており、固定電
極９は前記セラミック共振器２の出力電極に接続されて
いる。
セラミック共振器２は第２図に示すような周波数特性を
有しており、このセラミック共振器２の共振周波数f0に
対して発振回路１の発振周波数f1はわずかにずらした位
置に設定される。この発振周波数f1の設定方式として
は、発振周波数をセラミック共振器２の共振周波数f0の
右側の周波数位置に設定するいわゆるアップポーチ方式
と共振周波数f0よりも左側の周波数位置に設定するバッ
クポーチ方式とがあり、そのいずれの方式でもよいが本
実施例では、発振周波数f1をバックポーチ方式により設
定している。セラミック共振器２の共振周波数f0は音圧
検出部３によって検出される静電容量の変化に応じて変
位し、例えば、静電容量がΔＣだけ変化すると共振周波
数f0はΔｆだけ偏倚する。このとき、発振回路１の発振
周波数はf1に固定されているから、静電容量変化がない
ときにはセラミック共振器２からV0の出力電圧が送出さ
れるが、静電容量がΔＣ変化すると、セラミック共振器
２からΔＶの電圧変化として取り出される。このよう
に、音圧検出部３で検出される静電容量の変化に応じて
セラミック共振器２の共振周波数が偏倚し、これに伴
い、同調点がA1からA2に変化し、セラミック共振器２か
ら静電容量変化に対応する出力電圧Ｖが送出されるが、
具体的には、静電容量の変化に対応する共振周波数の変
化Δｆと発振回路１から出力される搬送信号とのかけ算
が行われ、前記静電容量の変化に対応する電圧変化が搬
送波（搬送信号）に乗せられてAM変調信号として取り出
されるのである。このセラミック共振器２の出力電極は
コンデンサ11とインダクタンス素子12との高インピーダ
ンス化回路を介してオペアンプにより構成されている増
幅回路５に接続されている。
有しており、このセラミック共振器２の共振周波数f0に
対して発振回路１の発振周波数f1はわずかにずらした位
置に設定される。この発振周波数f1の設定方式として
は、発振周波数をセラミック共振器２の共振周波数f0の
右側の周波数位置に設定するいわゆるアップポーチ方式
と共振周波数f0よりも左側の周波数位置に設定するバッ
クポーチ方式とがあり、そのいずれの方式でもよいが本
実施例では、発振周波数f1をバックポーチ方式により設
定している。セラミック共振器２の共振周波数f0は音圧
検出部３によって検出される静電容量の変化に応じて変
位し、例えば、静電容量がΔＣだけ変化すると共振周波
数f0はΔｆだけ偏倚する。このとき、発振回路１の発振
周波数はf1に固定されているから、静電容量変化がない
ときにはセラミック共振器２からV0の出力電圧が送出さ
れるが、静電容量がΔＣ変化すると、セラミック共振器
２からΔＶの電圧変化として取り出される。このよう
に、音圧検出部３で検出される静電容量の変化に応じて
セラミック共振器２の共振周波数が偏倚し、これに伴
い、同調点がA1からA2に変化し、セラミック共振器２か
ら静電容量変化に対応する出力電圧Ｖが送出されるが、
具体的には、静電容量の変化に対応する共振周波数の変
化Δｆと発振回路１から出力される搬送信号とのかけ算
が行われ、前記静電容量の変化に対応する電圧変化が搬
送波（搬送信号）に乗せられてAM変調信号として取り出
されるのである。このセラミック共振器２の出力電極は
コンデンサ11とインダクタンス素子12との高インピーダ
ンス化回路を介してオペアンプにより構成されている増
幅回路５に接続されている。
この増幅回路５は前記セラミック共振器から供給される
AM変調信号を増幅してアンテナ回路６に加える。アンテ
ナ回路６は増幅回路５で増幅されたAM変調信号を無線に
より図示されていない受信回路に送るのである。
AM変調信号を増幅してアンテナ回路６に加える。アンテ
ナ回路６は増幅回路５で増幅されたAM変調信号を無線に
より図示されていない受信回路に送るのである。
AFC回路８は、オペアンプ13と、コンデンサ14と、ダイ
オード15と、抵抗器16と、可変容量ダイオード17と、結
合コンデンサ18とを主要回路素子にもって構成されてい
る。前記オペアンプ13のマイナス側端子（反転入力端
子）は増幅回路５の反転入力端子に抵抗器を介して接続
されている。また、オペアンプ13のマイナス側端子と出
力端子間にはコンデンサ14と抵抗器16との並列回路が接
続されており、オペアンプ13の出力端には逆バイアス状
に接続されている可変容量コンデンサ17のカソード側が
接続され、同可変容量コンデンサ17のアノード側はアー
スに接続されている。また、可変容量ダイオード17のカ
ソード側は結合コンデンサ18を介してセラミック共振器
２の出力電極に接続されている。
オード15と、抵抗器16と、可変容量ダイオード17と、結
合コンデンサ18とを主要回路素子にもって構成されてい
る。前記オペアンプ13のマイナス側端子（反転入力端
子）は増幅回路５の反転入力端子に抵抗器を介して接続
されている。また、オペアンプ13のマイナス側端子と出
力端子間にはコンデンサ14と抵抗器16との並列回路が接
続されており、オペアンプ13の出力端には逆バイアス状
に接続されている可変容量コンデンサ17のカソード側が
接続され、同可変容量コンデンサ17のアノード側はアー
スに接続されている。また、可変容量ダイオード17のカ
ソード側は結合コンデンサ18を介してセラミック共振器
２の出力電極に接続されている。
このAFC回路８はセラミック共振器２から加えらえるAM
変調信号をダイオード15の整流作用とコンデンサ14の平
滑作用により、周波数の低いほぼ直流に近い信号とし、
かつ、必要なレベルまで増幅してその非常に低い信号成
分が可変容量ダイオード17に印加されている。
変調信号をダイオード15の整流作用とコンデンサ14の平
滑作用により、周波数の低いほぼ直流に近い信号とし、
かつ、必要なレベルまで増幅してその非常に低い信号成
分が可変容量ダイオード17に印加されている。
可変容量ダイオード17は前記オペアンプ13から印加され
る電圧に応じて容量を変化させ、この容量変化を結合コ
ンデンサ18を介してセラミック共振器２に伝え、同共振
器２の共振周波数を変化させる。すなわち、何らかの原
因でセラミック共振器２の共振周波数が大きく偏倚し、
同調点が設定領域から外れてしまうという不都合が生じ
るときには、AFC信号をセラミック共振器２に付加する
ことによって共振周波数を自動的に前記偏倚方向と逆方
向にずらして同調点が設定領域から外れるのを防止し、
セラミック共振器２の同調点を適正化するものである。
る電圧に応じて容量を変化させ、この容量変化を結合コ
ンデンサ18を介してセラミック共振器２に伝え、同共振
器２の共振周波数を変化させる。すなわち、何らかの原
因でセラミック共振器２の共振周波数が大きく偏倚し、
同調点が設定領域から外れてしまうという不都合が生じ
るときには、AFC信号をセラミック共振器２に付加する
ことによって共振周波数を自動的に前記偏倚方向と逆方
向にずらして同調点が設定領域から外れるのを防止し、
セラミック共振器２の同調点を適正化するものである。
なお、本実施例では、発振回路１のセラミック共振器10
と変調部のセラミック共振器２の特性、つまり、周波数
特性、Ｑ特性、温度特性、形状寸法等の総合特性をほぼ
同一にしており、これにより、回路の高インピーダンス
化を図るとともに、発振回路１と変調部としてのセラミ
ック共振器２とのインピーダンスマッチングを容易化
し、回路動作の安定化が図られている。
と変調部のセラミック共振器２の特性、つまり、周波数
特性、Ｑ特性、温度特性、形状寸法等の総合特性をほぼ
同一にしており、これにより、回路の高インピーダンス
化を図るとともに、発振回路１と変調部としてのセラミ
ック共振器２とのインピーダンスマッチングを容易化
し、回路動作の安定化が図られている。
また、本実施例では、振動板７はアースに接続されてい
るから、セラミック共振器10,2等から出る不要電波を除
去することができ、これにより、各電波の相互干渉が防
止され、回路動作によりいっそうの安定化と信頼性が確
保されている。
るから、セラミック共振器10,2等から出る不要電波を除
去することができ、これにより、各電波の相互干渉が防
止され、回路動作によりいっそうの安定化と信頼性が確
保されている。
第１の実施例は以上説明したように構成されており、以
下、その動作について説明する。
下、その動作について説明する。
第２図に示すように、セラミック共振器２の共振周波数
（同調周波数）f0に対して発振回路１の発振周波数f1を
わずかに外れた位置に設定されている状態において、音
圧検出部３に音圧信号が入り込むと、この音圧信号の音
圧を受けて振動板７が振動する。この振動板７の振幅変
位によって振動板７と固定電極９との間の静電容量が変
化し、この静電容量の変化がセラミック共振器２に加え
られる。セラミック共振器２は、前記音圧検出部３に音
圧信号が入り込まないうちは、共振周波数がf0となって
いるが、音圧信号が入り込んで前記のように静電容量が
変化すると、共振周波数をΔｆ偏倚させる。この共振周
波数の偏倚により、同調点がA1からA2に変化し、したが
って、セラミック共振器２からの出力電圧はV0からΔだ
け増加したV0＋ΔＶの電圧として取り出される。具体的
には、このセラミック共振器２は発振回路１から加えら
れる搬送信号と共振周波数の変化成分Δｆとのかけ算を
行い、搬送信号に静電容量の変化に対応する電圧変化成
分を乗せてAM変調信号を作り出し、これを音圧の検出信
号として増幅回路５とAFC回路８に加える。
（同調周波数）f0に対して発振回路１の発振周波数f1を
わずかに外れた位置に設定されている状態において、音
圧検出部３に音圧信号が入り込むと、この音圧信号の音
圧を受けて振動板７が振動する。この振動板７の振幅変
位によって振動板７と固定電極９との間の静電容量が変
化し、この静電容量の変化がセラミック共振器２に加え
られる。セラミック共振器２は、前記音圧検出部３に音
圧信号が入り込まないうちは、共振周波数がf0となって
いるが、音圧信号が入り込んで前記のように静電容量が
変化すると、共振周波数をΔｆ偏倚させる。この共振周
波数の偏倚により、同調点がA1からA2に変化し、したが
って、セラミック共振器２からの出力電圧はV0からΔだ
け増加したV0＋ΔＶの電圧として取り出される。具体的
には、このセラミック共振器２は発振回路１から加えら
れる搬送信号と共振周波数の変化成分Δｆとのかけ算を
行い、搬送信号に静電容量の変化に対応する電圧変化成
分を乗せてAM変調信号を作り出し、これを音圧の検出信
号として増幅回路５とAFC回路８に加える。
増幅回路５は前記AM変調信号を増幅し、これをアンテナ
回路６に加える。アンテナ回路６は無線により所望の受
信回路に送信するのである。
回路６に加える。アンテナ回路６は無線により所望の受
信回路に送信するのである。
一方、AFC回路８は、前記AM変調信号をダイオード15の
整流作用とコンデンサ14の平滑作用とによりほぼ直流に
近い信号に変換し、さらに、必要レベルまで信号増幅し
てこれを可変容量ダイオード17に加える。可変容量ダイ
オード17はこの加えられる信号に従い容量を変化させ、
この容量変化でセラミック共振器２の共振周波数f0を最
適に調整する。すなわち、温度等の環境変化に伴い、セ
ラミック共振器２の容量が変化し、共振周波数が偏倚し
たときには、可変容量ダイオード17による容量変化成分
が前記環境変化等に起因するセラミック共振器２の容量
の変化分をキャンセルし、環境変化等によるセラミック
共振器２の同調点の変動を防止し、同調点の安定化、つ
まり、共振周波数の適正化を行い、装置動作の安定化が
図られるのである。
整流作用とコンデンサ14の平滑作用とによりほぼ直流に
近い信号に変換し、さらに、必要レベルまで信号増幅し
てこれを可変容量ダイオード17に加える。可変容量ダイ
オード17はこの加えられる信号に従い容量を変化させ、
この容量変化でセラミック共振器２の共振周波数f0を最
適に調整する。すなわち、温度等の環境変化に伴い、セ
ラミック共振器２の容量が変化し、共振周波数が偏倚し
たときには、可変容量ダイオード17による容量変化成分
が前記環境変化等に起因するセラミック共振器２の容量
の変化分をキャンセルし、環境変化等によるセラミック
共振器２の同調点の変動を防止し、同調点の安定化、つ
まり、共振周波数の適正化を行い、装置動作の安定化が
図られるのである。
第３図には本発明に係る静電マイクロホン装置の第２の
実施例が示されている。この第２の実施例が前記第１の
実施例と異なることは、セラミック共振器２の出力側と
増幅回路５との間に検波回路４を介設し、セラミック共
振器２から加えられるAM変調信号を検波回路４により検
波して音圧信号に対応する信号として取り出し、この検
波出力を増幅回路５で増幅して図示されていない録音機
や拡声器等の信号処理部に加えるようにしたものであ
り、それ以外の構成は前記第１の実施例と同様である。
この第２の実施例では、検波出力をAFC回路８に加える
ようにしており、このため、この第２の実施例のAFC回
路８の構成は前記第１の実施例のAFC回路８よりも簡易
化されている。
実施例が示されている。この第２の実施例が前記第１の
実施例と異なることは、セラミック共振器２の出力側と
増幅回路５との間に検波回路４を介設し、セラミック共
振器２から加えられるAM変調信号を検波回路４により検
波して音圧信号に対応する信号として取り出し、この検
波出力を増幅回路５で増幅して図示されていない録音機
や拡声器等の信号処理部に加えるようにしたものであ
り、それ以外の構成は前記第１の実施例と同様である。
この第２の実施例では、検波出力をAFC回路８に加える
ようにしており、このため、この第２の実施例のAFC回
路８の構成は前記第１の実施例のAFC回路８よりも簡易
化されている。
なお、本発明は上記各実施例に限定されることはなく、
様々な実施の態様を採り得るものである。
様々な実施の態様を採り得るものである。
本発明は、発振回路の共振器と変調部の共振器とをとも
にセラミック共振器により構成し、音圧検出部で検出さ
れる音圧に対応する静電容量の変化を変調部のセラミッ
ク共振器の同調点の変化を利用して検出するものである
から、10-5PF程度の微小静電容量の検出が可能となり、
これにより、微弱音圧信号を超高感度のもとで確実に検
出することが可能となり、従来の装置では困難であった
ズームステレオマイクロホンへの展開が可能となり、技
術的価値は絶大である。
にセラミック共振器により構成し、音圧検出部で検出さ
れる音圧に対応する静電容量の変化を変調部のセラミッ
ク共振器の同調点の変化を利用して検出するものである
から、10-5PF程度の微小静電容量の検出が可能となり、
これにより、微弱音圧信号を超高感度のもとで確実に検
出することが可能となり、従来の装置では困難であった
ズームステレオマイクロホンへの展開が可能となり、技
術的価値は絶大である。
また、装置の小型化と軽量化が達成され、装置の取り扱
いも非常に容易である。
いも非常に容易である。
さらに、AFC回路を付加した構成にあっては、環境変化
等に対する変調部の共振周波数の適正化が図られること
となり、装置動作の信頼性を大幅に高めることが可能と
なる。
等に対する変調部の共振周波数の適正化が図られること
となり、装置動作の信頼性を大幅に高めることが可能と
なる。
さらに、発振回路のセラミック共振器と、変調部のセラ
ミック共振器との特性をほぼ同一に構成することによ
り、Ｑの安定化と回路の高インピーダンスマッチングが
容易となり、装置の高性能化と回路動作の安定化をより
いっそう図ることができる。
ミック共振器との特性をほぼ同一に構成することによ
り、Ｑの安定化と回路の高インピーダンスマッチングが
容易となり、装置の高性能化と回路動作の安定化をより
いっそう図ることができる。
第１図は本発明に係る静電マイクロホン装置の第１の実
施例を示す回路図、第２図は同実施例における変調部の
動作説明図、第３図は本発明に係る静電マイクロホン装
置の第２の実施例を示す回路図である。 １……発振回路、２……セラミック共振器（変調部）、
３……音圧検出部、４……検波回路、５……増幅回路、
６……アンテナ回路、７……振動板、８……AFC回路、
９……固定電極、10……セラミック共振器、11……コン
デンサ、12……インダクタンス素子、13……オペアン
プ、14……コンデンサ、15……ダイオード、16……抵抗
器、17……可変容量ダイオード、18……結合コンデン
サ。
施例を示す回路図、第２図は同実施例における変調部の
動作説明図、第３図は本発明に係る静電マイクロホン装
置の第２の実施例を示す回路図である。 １……発振回路、２……セラミック共振器（変調部）、
３……音圧検出部、４……検波回路、５……増幅回路、
６……アンテナ回路、７……振動板、８……AFC回路、
９……固定電極、10……セラミック共振器、11……コン
デンサ、12……インダクタンス素子、13……オペアン
プ、14……コンデンサ、15……ダイオード、16……抵抗
器、17……可変容量ダイオード、18……結合コンデン
サ。
Claims (5)
- 【請求項１】搬送信号の発振するセラミック共振器を用
いた発振回路と、音圧信号を受けて振動する振動板の振
動変位を静電容量の変化として検出する音圧検出部と、
この音圧検出部で検出される静電容量の変化を受けて共
振周波数を偏倚させ、前記発振回路との同調点の変化に
対応する電圧変化を前記搬送信号を利用したAM変調信号
として出力する前記発振回路のセラミック共振器とは別
個独立のセラミック共振器からなる変調部とを有する静
電マイクロホン装置。 - 【請求項２】変調部から出力されるAM変調信号を無線で
送信するアンテナ回路が設けられている特許請求の範囲
第１項の静電マイクロホン装置。 - 【請求項３】変調部から出力されるAM変調信号を検波し
て音圧信号に対応した信号を取り出す検波回路と、検波
出力を増幅する増幅回路とが設けられている特許請求の
範囲第１項の静電マイクロホン装置。 - 【請求項４】変調部には可変容量ダイオードを逆バイア
ス状に接続したAFC回路が付加されている特許請求の範
囲第１項乃至第３項のいずれか１つに記載の静電マイク
ロホン装置。 - 【請求項５】発振回路のセラミック共振器と変調部のセ
ラミック共振器とはほぼ同一の特性をもったセラミック
共振器により構成されている特許請求の範囲第１項乃至
第４項のいずれか１つに記載のマイクロホン装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13482190A JPH07112307B2 (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 静電マイクロホン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13482190A JPH07112307B2 (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 静電マイクロホン装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430699A JPH0430699A (ja) | 1992-02-03 |
| JPH07112307B2 true JPH07112307B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=15137265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13482190A Expired - Fee Related JPH07112307B2 (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 静電マイクロホン装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07112307B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4885053B2 (ja) * | 2007-05-09 | 2012-02-29 | 株式会社オーディオテクニカ | コンデンサーマイクロホン |
-
1990
- 1990-05-24 JP JP13482190A patent/JPH07112307B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430699A (ja) | 1992-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |