JPH07112927B2 - 酸化物超伝導薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜の製造方法Info
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- JPH07112927B2 JPH07112927B2 JP63025606A JP2560688A JPH07112927B2 JP H07112927 B2 JPH07112927 B2 JP H07112927B2 JP 63025606 A JP63025606 A JP 63025606A JP 2560688 A JP2560688 A JP 2560688A JP H07112927 B2 JPH07112927 B2 JP H07112927B2
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、酸化物超伝導薄膜の製造方法に関するもので
ある。
ある。
［従来の技術］ 超伝導現象とはある温度以下で電気抵抗が零になる現象
である。第３図に典型的な抵抗・温度特性を示す。抵抗
が減少し始める温度をオンセット超伝導転移温度Tcon,
完全に零になる温度を零抵抗超伝導転移温度Tcendと呼
んでいる。ところで、Ln1Ba2Cu3O7-d（LnはＹ（イット
リウム）あるいはランタノイド元素）の組成式を持つ酸
化物が、それまでに知られていた物質よりも高い超伝導
転移温度を持つ超伝導体であることが発見され、その超
伝導転移温度Tcendが液体窒素の沸点77Kを越えるに至っ
てはその応用の可能性が益々クローズアップされてい
る。この酸化物超伝導体を電子デバイス，超伝導配線等
に応用するためには、薄膜形成技術が必須技術となる。
である。第３図に典型的な抵抗・温度特性を示す。抵抗
が減少し始める温度をオンセット超伝導転移温度Tcon,
完全に零になる温度を零抵抗超伝導転移温度Tcendと呼
んでいる。ところで、Ln1Ba2Cu3O7-d（LnはＹ（イット
リウム）あるいはランタノイド元素）の組成式を持つ酸
化物が、それまでに知られていた物質よりも高い超伝導
転移温度を持つ超伝導体であることが発見され、その超
伝導転移温度Tcendが液体窒素の沸点77Kを越えるに至っ
てはその応用の可能性が益々クローズアップされてい
る。この酸化物超伝導体を電子デバイス，超伝導配線等
に応用するためには、薄膜形成技術が必須技術となる。
これら酸化物超伝導体薄膜の形成技術として幾つかの方
法が報告されている。これらを大きく分けるとスパッタ
法および蒸着法が挙げられる。
法が報告されている。これらを大きく分けるとスパッタ
法および蒸着法が挙げられる。
スパッタ法の代表例として、文献（１）「Y.Enomoto et
al.;Japanese Journal of Applied Physics,vol.26,N
o.7,p.L1248」に記載された方法がある。この文献によ
る製造法を以下に説明する。
al.;Japanese Journal of Applied Physics,vol.26,N
o.7,p.L1248」に記載された方法がある。この文献によ
る製造法を以下に説明する。
ターゲット材料としてはＹ−Ba−Cu−Ｏからなる焼結体
が用いられている。まず酸素とアルゴンの混合ガス中で
ターゲットをスパッタリングすることにより、SrTiO3基
板上にＹ−Ba−Cu−Ｏからなる薄膜を形成する。酸化物
超伝導体の超伝導体は組成に極めて敏感で僅かのずれで
も超伝導転移温度の低下，超伝導性の消失等を引き起こ
してしまうので、形成された薄膜の元素の原子数比がY:
Ba:Cu＝1:2:3になるようにターゲットの組成は適当な原
子数比に調整されている。このままでは超伝導体にはな
らないので、薄膜形成後スパッタ装置から取り出し、酸
素ガス中で適当な熱処理を加えることにより、電気抵抗
が零となる温度で定義される超伝導転移温度Tcendが77K
以上である薄膜が作製される。しかし、ターゲットから
スパッタリングされる割合が各元素により異なるため、
スパッタリングを進めるにつれてターゲット表面の組成
比が変化し、このため基板に形成される腹膜の原子数比
がY:Ba:Cu＝1:2:3からずれてしまう。従って、Tcendが7
7Kから大きく低下すると共に再現性も全くないという重
大な欠点を持つ。
が用いられている。まず酸素とアルゴンの混合ガス中で
ターゲットをスパッタリングすることにより、SrTiO3基
板上にＹ−Ba−Cu−Ｏからなる薄膜を形成する。酸化物
超伝導体の超伝導体は組成に極めて敏感で僅かのずれで
も超伝導転移温度の低下，超伝導性の消失等を引き起こ
してしまうので、形成された薄膜の元素の原子数比がY:
Ba:Cu＝1:2:3になるようにターゲットの組成は適当な原
子数比に調整されている。このままでは超伝導体にはな
らないので、薄膜形成後スパッタ装置から取り出し、酸
素ガス中で適当な熱処理を加えることにより、電気抵抗
が零となる温度で定義される超伝導転移温度Tcendが77K
以上である薄膜が作製される。しかし、ターゲットから
スパッタリングされる割合が各元素により異なるため、
スパッタリングを進めるにつれてターゲット表面の組成
比が変化し、このため基板に形成される腹膜の原子数比
がY:Ba:Cu＝1:2:3からずれてしまう。従って、Tcendが7
7Kから大きく低下すると共に再現性も全くないという重
大な欠点を持つ。
蒸着法の代表例としては、文献（２）「R.B.Laibowit
z.;Physical Review B,vol.35,No.16,p.8821」に記載さ
れた方法がある。この文献による製造法を以下に説明す
る。
z.;Physical Review B,vol.35,No.16,p.8821」に記載さ
れた方法がある。この文献による製造法を以下に説明す
る。
Y,BaおよびCuの３つの金属をそれぞれ別のハースに装填
し、それぞれ独立の３つの電子ビーム源を用いて３つの
金属を同時に蒸着する。その際10-3Torr程度の酸素雰囲
気を真空装置の中に導入し、このバックグラウンドのガ
ス雰囲気の中で蒸着している。さらに、基板を450℃程
度に加熱することにより、蒸着中に酸化を進行させてい
る。酸素雰囲気中で同時蒸着した膜でも膜中に含まれる
酸素の量は不十分であるため、蒸着終了後、酸素ガスを
流した電気炉の中で900〜950℃の温度で熱処理を行って
いる。しかし、この方法は酸素雰囲気中で３つの金属を
同時に蒸着し、かつ基板と膜厚モニタとの温度が異なる
ため、前者のスパッタ法と同様にY,BaおよびCuの原子数
比を1:2:3に正確に、再現よく制御するのが難しく、77K
以上の超伝導転移温度を有する薄膜を再現良く形成する
のが困難であるという大きな欠点を有している。
し、それぞれ独立の３つの電子ビーム源を用いて３つの
金属を同時に蒸着する。その際10-3Torr程度の酸素雰囲
気を真空装置の中に導入し、このバックグラウンドのガ
ス雰囲気の中で蒸着している。さらに、基板を450℃程
度に加熱することにより、蒸着中に酸化を進行させてい
る。酸素雰囲気中で同時蒸着した膜でも膜中に含まれる
酸素の量は不十分であるため、蒸着終了後、酸素ガスを
流した電気炉の中で900〜950℃の温度で熱処理を行って
いる。しかし、この方法は酸素雰囲気中で３つの金属を
同時に蒸着し、かつ基板と膜厚モニタとの温度が異なる
ため、前者のスパッタ法と同様にY,BaおよびCuの原子数
比を1:2:3に正確に、再現よく制御するのが難しく、77K
以上の超伝導転移温度を有する薄膜を再現良く形成する
のが困難であるという大きな欠点を有している。
［発明が解決しようとする課題］ 以上の２つの酸化物超伝導薄膜形成法共に、薄膜の超伝
導特性に最も大きな影響を与える原子数比の正確な制御
が再現良くできないという致命的欠点を有している。こ
の欠点を解決できる超伝導薄膜形成法として、３つの金
属を積層に蒸着する方法が、文献（３）「B.Y.Tsaur et
al.;Applied Physics Letters,vol.51,No.11,p.858」
において開示され、また文献（４）「山本史他；特願
昭62−268343号」において提案されている。
導特性に最も大きな影響を与える原子数比の正確な制御
が再現良くできないという致命的欠点を有している。こ
の欠点を解決できる超伝導薄膜形成法として、３つの金
属を積層に蒸着する方法が、文献（３）「B.Y.Tsaur et
al.;Applied Physics Letters,vol.51,No.11,p.858」
において開示され、また文献（４）「山本史他；特願
昭62−268343号」において提案されている。
文献（３）における方法は、まず、Y,BaおよびCuの３つ
の金属をCu→Ba→Ｙの順序でY:Ba:Cu＝1:2:3の組成比に
なるように積層蒸着している。この積層構造を１単位と
して積層蒸着を６回行う。蒸着終了後、酸素ガスを流し
た電気炉の中で熱処理することにより酸化を進行させ、
酸化物超伝導薄膜を得ている。この酸化物超伝導薄膜の
超伝導転移温度Tcendのトップデータとしては、イット
リウム安定化ジルコニア（YSZ）を基板としたときは72
K、サファイアを基板としたときは40Kを報告している。
いずれの場合でもTcendは77K以下である。
の金属をCu→Ba→Ｙの順序でY:Ba:Cu＝1:2:3の組成比に
なるように積層蒸着している。この積層構造を１単位と
して積層蒸着を６回行う。蒸着終了後、酸素ガスを流し
た電気炉の中で熱処理することにより酸化を進行させ、
酸化物超伝導薄膜を得ている。この酸化物超伝導薄膜の
超伝導転移温度Tcendのトップデータとしては、イット
リウム安定化ジルコニア（YSZ）を基板としたときは72
K、サファイアを基板としたときは40Kを報告している。
いずれの場合でもTcendは77K以下である。
文献（４）においては、Baとの間で全率固溶する観点か
ら、Ｙに替わってYb（イッテルビウム）を用い、Yb,Ba
およびCuの３つの金属からなる積層蒸着膜を酸素中で熱
処理することにより、酸化物超伝導薄膜を得ている。こ
の結果、超伝導転移温度Tcendは上昇し、トップデータ
としてMgOを基板としたときに75Kを得ている。しかし、
この値は応用上２つの判断基準である液体窒素温度の沸
点77Kを越えていない。
ら、Ｙに替わってYb（イッテルビウム）を用い、Yb,Ba
およびCuの３つの金属からなる積層蒸着膜を酸素中で熱
処理することにより、酸化物超伝導薄膜を得ている。こ
の結果、超伝導転移温度Tcendは上昇し、トップデータ
としてMgOを基板としたときに75Kを得ている。しかし、
この値は応用上２つの判断基準である液体窒素温度の沸
点77Kを越えていない。
第４図に同一ロットで積層蒸着および酸素中アニールし
た10個の試料のTconとTcendを示した。Tconはさぼどば
らつかないが、Tcendは50Kから75Kまで大きくばらつ
き、再現性が悪いという欠点を持っている。この原因は
次のように考えられる。
た10個の試料のTconとTcendを示した。Tconはさぼどば
らつかないが、Tcendは50Kから75Kまで大きくばらつ
き、再現性が悪いという欠点を持っている。この原因は
次のように考えられる。
上述の金属積層蒸着膜を酸素ガス中で熱処理することに
より酸化物超伝導薄膜を作製する場合には、熱処理時に
金属同志の相互拡散と酸化が同時に進行する。従って、
酸化されやすいBaのみが酸素濃度の高い表面方向に移動
するためにBa濃度の不均一性を持ったり、酸化物の拡散
定数が極めて小さいため拡散が十分には進まない等の理
由により、Yb,BaおよびCuの原子数比が組成比である1:
2:3からずれてしまう部分が形成される。このため、T
cendが低下すると考えられる。酸化物と金属との混合物
の拡散現象は試料毎に微妙に異なるため、同一ロット内
試料間でのTcendのばらつき，再現性の悪さも同様の原
因によるものである。
より酸化物超伝導薄膜を作製する場合には、熱処理時に
金属同志の相互拡散と酸化が同時に進行する。従って、
酸化されやすいBaのみが酸素濃度の高い表面方向に移動
するためにBa濃度の不均一性を持ったり、酸化物の拡散
定数が極めて小さいため拡散が十分には進まない等の理
由により、Yb,BaおよびCuの原子数比が組成比である1:
2:3からずれてしまう部分が形成される。このため、T
cendが低下すると考えられる。酸化物と金属との混合物
の拡散現象は試料毎に微妙に異なるため、同一ロット内
試料間でのTcendのばらつき，再現性の悪さも同様の原
因によるものである。
本発明の目的は、上述の問題点を解決し、超伝導転移温
度Tcendが77K以上であると共に、同一ロットで製作した
試料間は勿論のこと、別ロットの試料間の超伝導転移温
度のばらつきを抑えることができる酸化物超伝導薄膜の
製造方法を提供することにある。
度Tcendが77K以上であると共に、同一ロットで製作した
試料間は勿論のこと、別ロットの試料間の超伝導転移温
度のばらつきを抑えることができる酸化物超伝導薄膜の
製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明は、Ｙあるい
はランタノイド金属,BaおよびCuの原子数比が1:2:3にな
るようにそれぞれの金属を個別に順次堆積することによ
って形成される３層堆積層を１単位として、積層単位を
１回または複数回基板上に積層堆積し、それぞれの金属
との化学反応が起こらない雰囲気中あるいは真空中にお
いて堆積膜を加熱して、積層堆積膜に相互拡散を生ぜし
めて均一な合金を形成させ、酸素ガス中において熱処理
することを特徴とする。
はランタノイド金属,BaおよびCuの原子数比が1:2:3にな
るようにそれぞれの金属を個別に順次堆積することによ
って形成される３層堆積層を１単位として、積層単位を
１回または複数回基板上に積層堆積し、それぞれの金属
との化学反応が起こらない雰囲気中あるいは真空中にお
いて堆積膜を加熱して、積層堆積膜に相互拡散を生ぜし
めて均一な合金を形成させ、酸素ガス中において熱処理
することを特徴とする。
［作 用］ 本発明においては、積層金属と反応しない雰囲気中で積
層堆積膜が互いに十分相互拡散し、合金を形成する温度
で熱処理することにより1:2:3の組成比を面方向および
深さ方向共に均一にした後に、酸素ガス中で熱処理する
ため、均一なLn1Ba2Cu3O7-d（LnはＹあるいはランタノ
イド元素）を再現良く形成することができる。従って、
超伝導転移温度が高く、かつ超伝導特性のばらつきの少
ない酸化物超伝導薄膜を製造することができる。
層堆積膜が互いに十分相互拡散し、合金を形成する温度
で熱処理することにより1:2:3の組成比を面方向および
深さ方向共に均一にした後に、酸素ガス中で熱処理する
ため、均一なLn1Ba2Cu3O7-d（LnはＹあるいはランタノ
イド元素）を再現良く形成することができる。従って、
超伝導転移温度が高く、かつ超伝導特性のばらつきの少
ない酸化物超伝導薄膜を製造することができる。
［実施例］ 以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。酸化物
超伝導薄膜は、工程〜で製造される。
超伝導薄膜は、工程〜で製造される。
電子ビーム蒸着の独立したハースに、Ｙ（あるいはラ
ンタノイド金属）,BaおよびCuをそれぞれ装填する。
ンタノイド金属）,BaおよびCuをそれぞれ装填する。
MgO,SrTiO3,ZrO,YSZあるいはAl2O3等で形成された基
板上に３つの金属を電子ビーム蒸着により、順次積層堆
積する。各々の膜厚はＹ（あるいはランタノイド金
属）,Ba,Cuの原子数比が1:2:3になるように設定する。
本実施例ではこの３層積層膜の全体の厚みは10〜200nm
程度の範囲に選んだ。積層順は全ての順列に対して試み
たが超伝導特性の変化はなかった。従って、どのような
積層順でもよい。
板上に３つの金属を電子ビーム蒸着により、順次積層堆
積する。各々の膜厚はＹ（あるいはランタノイド金
属）,Ba,Cuの原子数比が1:2:3になるように設定する。
本実施例ではこの３層積層膜の全体の厚みは10〜200nm
程度の範囲に選んだ。積層順は全ての順列に対して試み
たが超伝導特性の変化はなかった。従って、どのような
積層順でもよい。
上述の３層の積層構造を１単位として、この単位を１
回または複数回基板上に積層堆積する。この単位を１回
だけ基板上に積層する場合は、工程において、この工
程は終了している。
回または複数回基板上に積層堆積する。この単位を１回
だけ基板上に積層する場合は、工程において、この工
程は終了している。
蒸着終了後、積層蒸着膜と反応しないガス（不活性ガ
ス，窒素ガスあるいは炭酸ガス等）中あるいは真空中で
熱処理し、均一な合金をつくる。昇温速度，降温速度は
10℃/h〜1000℃/hである。熱処理温度が高ければ必要な
処理時間は短く、逆に温度が低ければ均一化に長時間を
要する。実用的な観点からは熱処理温度は400℃以上が
好ましく、400℃〜800℃,10分から数時間の熱処理条件
を選ぶことができる。
ス，窒素ガスあるいは炭酸ガス等）中あるいは真空中で
熱処理し、均一な合金をつくる。昇温速度，降温速度は
10℃/h〜1000℃/hである。熱処理温度が高ければ必要な
処理時間は短く、逆に温度が低ければ均一化に長時間を
要する。実用的な観点からは熱処理温度は400℃以上が
好ましく、400℃〜800℃,10分から数時間の熱処理条件
を選ぶことができる。
その後、酸素ガスを流した電気炉の中で熱処理を行
う。昇温速度は10℃/h〜1000℃/h,降温速度は10℃/h〜5
00℃/hである。熱処理温度の下限は700℃である。実用
的な観点からは熱処理温度は750℃以上が好ましく、750
℃〜950℃,10分から数時間の熱処理条件を選ぶことがで
きる。
う。昇温速度は10℃/h〜1000℃/h,降温速度は10℃/h〜5
00℃/hである。熱処理温度の下限は700℃である。実用
的な観点からは熱処理温度は750℃以上が好ましく、750
℃〜950℃,10分から数時間の熱処理条件を選ぶことがで
きる。
第１図に、本実施例で得た典型的酸化物超伝導薄膜の抵
抗と温度の実験結果を示す。ランタノイド金属としてYb
を、基板はMgOを用いた。積層順は、Yb→Ba→Cuであ
り、３つの金属の積層単位の膜厚d0は200nm、積層単位
の積層回数ｎは３回とした。従って、全体の積層膜の膜
厚ｄはｄ＝d0n＝600nmである。Yb,BaおよびCuは反応し
ないガスとして、本実施例では窒素ガスを用いた。窒素
ガス中での熱処理温度，時間はそれぞれ800℃,2時間と
した。昇降温速度は500℃/hとした。
抗と温度の実験結果を示す。ランタノイド金属としてYb
を、基板はMgOを用いた。積層順は、Yb→Ba→Cuであ
り、３つの金属の積層単位の膜厚d0は200nm、積層単位
の積層回数ｎは３回とした。従って、全体の積層膜の膜
厚ｄはｄ＝d0n＝600nmである。Yb,BaおよびCuは反応し
ないガスとして、本実施例では窒素ガスを用いた。窒素
ガス中での熱処理温度，時間はそれぞれ800℃,2時間と
した。昇降温速度は500℃/hとした。
第１図に示すように、抵抗が零になる超伝導転移温度T
cendは79Kであり、窒素温度の沸点77Kを越えている。
cendは79Kであり、窒素温度の沸点77Kを越えている。
第２図には、同一ロットあるいは別ロットで作製した10
個の試料のTconおよびTcendを示す。データのばらつき
は非常に小さく全試料共にTcendは77Kを越えている。こ
れは同一ロットで作製した試料間は勿論のこと、別ロッ
トの試料間でのデータのばらつきが極めて小さいことを
示す。上述の実施例の工程を導入した効果が大きいこ
とは一目瞭然である。
個の試料のTconおよびTcendを示す。データのばらつき
は非常に小さく全試料共にTcendは77Kを越えている。こ
れは同一ロットで作製した試料間は勿論のこと、別ロッ
トの試料間でのデータのばらつきが極めて小さいことを
示す。上述の実施例の工程を導入した効果が大きいこ
とは一目瞭然である。
以上の得られた結果はランタノイド金属をYb、基板をMg
Oとする等のように条件を特定して説明したが、この組
み合わせに限らず、実施例に記した内容においては同様
な結果が得られた。また、本実施例では、積層蒸着金属
と反応しないガス中の熱処理において、温度を室温まで
下げた後に酸素ガス中熱処理を行うように説明したが、
前者の熱処理で所定の熱処理温度で所定の時間熱処理を
行った後温度を下げることなく酸素ガスにガスを切り換
え酸素ガス中における熱処理を開始しても勿論よい。
Oとする等のように条件を特定して説明したが、この組
み合わせに限らず、実施例に記した内容においては同様
な結果が得られた。また、本実施例では、積層蒸着金属
と反応しないガス中の熱処理において、温度を室温まで
下げた後に酸素ガス中熱処理を行うように説明したが、
前者の熱処理で所定の熱処理温度で所定の時間熱処理を
行った後温度を下げることなく酸素ガスにガスを切り換
え酸素ガス中における熱処理を開始しても勿論よい。
また、本実施例では、金属の堆積方法として電子ビーム
を用いる方法について説明したが、抵抗加熱蒸着，高周
波加熱蒸着あるいはスパッタ蒸着であっても酸化物超伝
導薄膜の作製が実現できることは勿論である。
を用いる方法について説明したが、抵抗加熱蒸着，高周
波加熱蒸着あるいはスパッタ蒸着であっても酸化物超伝
導薄膜の作製が実現できることは勿論である。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明においては、窒素温度の沸
点77K以上の零抵抗超伝導転移温度を持つ酸化物超伝導
薄膜を再現良くかつばらつき少なく作製することができ
るので、液体窒素温度で動作する電子デバイスおよび超
伝導配線等に幅広い応用を切り開くことができるという
効果がある。
点77K以上の零抵抗超伝導転移温度を持つ酸化物超伝導
薄膜を再現良くかつばらつき少なく作製することができ
るので、液体窒素温度で動作する電子デバイスおよび超
伝導配線等に幅広い応用を切り開くことができるという
効果がある。
第１図は本発明の実施例による酸化物超伝導薄膜の抵抗
・温度特性を示す図、 第２図は本発明の実施例による酸化物超伝導薄膜の温度
特性図、 第３図は酸化物超伝導体の抵抗・温度特性図、 第４図は従来の製造方法による酸化物超伝導薄膜の温度
特性図である。
・温度特性を示す図、 第２図は本発明の実施例による酸化物超伝導薄膜の温度
特性図、 第３図は酸化物超伝導体の抵抗・温度特性図、 第４図は従来の製造方法による酸化物超伝導薄膜の温度
特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 向田 昌志 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 宝川 幸司 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−72425（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Ｙあるいはランタノイド金属,BaおよびCu
の原子数比が1:2:3になるように前記それぞれの金属を
個別に順次堆積することによって形成される３層堆積層
を１単位として、該積層単位を１回または複数回基板上
に積層堆積し、 前記それぞれの金属との化学反応が起こらない雰囲気中
あるいは真空中において前記堆積膜を加熱して、該積層
堆積膜に相互拡散を生ぜしめて均一な合金を形成させ、 酸素ガス中において熱処理することを特徴とする酸化物
超伝導薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025606A JPH07112927B2 (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025606A JPH07112927B2 (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01203218A JPH01203218A (ja) | 1989-08-16 |
| JPH07112927B2 true JPH07112927B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=12170558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63025606A Expired - Lifetime JPH07112927B2 (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07112927B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2923372B2 (ja) * | 1991-03-27 | 1999-07-26 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導体膜の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472425A (en) * | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Univ Tokai | Manufacture of superconducting material |
-
1988
- 1988-02-08 JP JP63025606A patent/JPH07112927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01203218A (ja) | 1989-08-16 |
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