JPH07113774B2 - パタ−ンの形成方法 - Google Patents
パタ−ンの形成方法Info
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- JPH07113774B2 JPH07113774B2 JP62131412A JP13141287A JPH07113774B2 JP H07113774 B2 JPH07113774 B2 JP H07113774B2 JP 62131412 A JP62131412 A JP 62131412A JP 13141287 A JP13141287 A JP 13141287A JP H07113774 B2 JPH07113774 B2 JP H07113774B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、パターンの形成方法、特に、リソグラフイに
よる微細加工法を用いるパターンの形成方法に関するも
のである。
よる微細加工法を用いるパターンの形成方法に関するも
のである。
被加工基板表面にレジスト被膜によりレジストパターン
を形成し、このレジストパターンのうちレジスト皮膜の
ない部分の被加工材料をイオンミリングで除去して所望
のパターンを得る方法は広く用いられており、湿式エツ
チングや反応性乾式エツチングで加工できない材料を微
細加工するために必須の方法となつている。このような
レジストとしては例えばフエノールノボラツク系レジス
ト（シプレー社 AZ-1350J）などがある。
を形成し、このレジストパターンのうちレジスト皮膜の
ない部分の被加工材料をイオンミリングで除去して所望
のパターンを得る方法は広く用いられており、湿式エツ
チングや反応性乾式エツチングで加工できない材料を微
細加工するために必須の方法となつている。このような
レジストとしては例えばフエノールノボラツク系レジス
ト（シプレー社 AZ-1350J）などがある。
そして、このようなレジスト皮膜を形成するためには、
レジスト材料を溶剤に溶かし、適当な粘度として被加工
基板表面に滴下し、この基板を回転させて余分なレジス
トをはじき飛ばした後乾燥して溶剤を蒸発させる回転塗
布法が用いられている。
レジスト材料を溶剤に溶かし、適当な粘度として被加工
基板表面に滴下し、この基板を回転させて余分なレジス
トをはじき飛ばした後乾燥して溶剤を蒸発させる回転塗
布法が用いられている。
しかし、集積回路の高集積化により素子や配線が多層化
してきたり、薄膜技術の応用分野が広くなるにつれ凹凸
のはげしい基板をパターニングする必要性が増してき
た。また、回転塗布法でレジストを形成する場合には基
板の凹部と凸部でレジスト厚みが変わるため、寸法精度
が著しくおちるという問題があつた。そこで、このよう
な凹凸を有する、例えば第２図（ａ）に示すような基板
１をパターニングするためには、例えば、二層レジスト
法が用いられる。二層レジスト法は同図（ｂ）に示すよ
うに、基板１に一且厚くレジスト皮膜（以下レジストと
称する）２を形成して平坦化した後、この上にさらに第
二層目のレジスト３を形成し、露光現像して第二層目の
レジスト３にレジストパターン3aを形成し、さらにこの
レジストパターン3aをマスクとして第一層目のレジスト
２をO2プラズマによる反応性イオンエツチングにより、
同図（ｃ）に示すように除去して基板１のエツチング用
のレジストパターン2aを形成する。次に、このレジスト
パターン2aをマスクとして、同図（ｄ）に示すように基
板１のエツチング1aが行なわれる。
してきたり、薄膜技術の応用分野が広くなるにつれ凹凸
のはげしい基板をパターニングする必要性が増してき
た。また、回転塗布法でレジストを形成する場合には基
板の凹部と凸部でレジスト厚みが変わるため、寸法精度
が著しくおちるという問題があつた。そこで、このよう
な凹凸を有する、例えば第２図（ａ）に示すような基板
１をパターニングするためには、例えば、二層レジスト
法が用いられる。二層レジスト法は同図（ｂ）に示すよ
うに、基板１に一且厚くレジスト皮膜（以下レジストと
称する）２を形成して平坦化した後、この上にさらに第
二層目のレジスト３を形成し、露光現像して第二層目の
レジスト３にレジストパターン3aを形成し、さらにこの
レジストパターン3aをマスクとして第一層目のレジスト
２をO2プラズマによる反応性イオンエツチングにより、
同図（ｃ）に示すように除去して基板１のエツチング用
のレジストパターン2aを形成する。次に、このレジスト
パターン2aをマスクとして、同図（ｄ）に示すように基
板１のエツチング1aが行なわれる。
なお、二層レジスト法については、例えば、イー・ライ
ヒマニス，ジイ・スモリンスキイ，シイ・ダブリユ・ウ
イルキンス・ジユニア（E.Reichmanis,G.Smolinsky and
C.W.Wilkins.Jr）,RIEによるパターン転写に使われる
２層レジスト材料，ソリツド ステート テクノロジー
（Solid State Technology），（日本語版、（1985.1
0）52〜57pに開示されている。
ヒマニス，ジイ・スモリンスキイ，シイ・ダブリユ・ウ
イルキンス・ジユニア（E.Reichmanis,G.Smolinsky and
C.W.Wilkins.Jr）,RIEによるパターン転写に使われる
２層レジスト材料，ソリツド ステート テクノロジー
（Solid State Technology），（日本語版、（1985.1
0）52〜57pに開示されている。
しかし、物理スパツタ法を主とする乾式エツチング法で
パターンを形成する場合には、前述の従来技術を用いる
場合には大きな問題がある。すなわち、前述の二層レジ
スト法で形成したレジストパターンは特に基板の凹部で
膜厚が厚く、しかもレジスト壁面がほぼ垂直に近く切り
立つているので、イオンミリングや反応性イオンエツチ
ング法など物理スパツタリング作用を主とする加工法で
加工した場合、叩き出された被加工材料の粒子がレジス
ト壁面に付着するいわゆる再付着現象が生ずる。第２図
（ｄ）の1bはこの再付着現象により付着した再付着粒子
を示すもので、この再付着粒子1bにより寸法誤差が大き
くなり、かつパターン端部に再付着粒子1bが堆積して突
起状をなし好ましくない断面形状を与える。
パターンを形成する場合には、前述の従来技術を用いる
場合には大きな問題がある。すなわち、前述の二層レジ
スト法で形成したレジストパターンは特に基板の凹部で
膜厚が厚く、しかもレジスト壁面がほぼ垂直に近く切り
立つているので、イオンミリングや反応性イオンエツチ
ング法など物理スパツタリング作用を主とする加工法で
加工した場合、叩き出された被加工材料の粒子がレジス
ト壁面に付着するいわゆる再付着現象が生ずる。第２図
（ｄ）の1bはこの再付着現象により付着した再付着粒子
を示すもので、この再付着粒子1bにより寸法誤差が大き
くなり、かつパターン端部に再付着粒子1bが堆積して突
起状をなし好ましくない断面形状を与える。
本発明の目的はこれらの問題点をなくし、大きな凹凸の
ある基板においても、物理スパツタ法を主とする乾式エ
ツチング法により精度よく微細加工できる方法を提供可
能とすることにある。
ある基板においても、物理スパツタ法を主とする乾式エ
ツチング法により精度よく微細加工できる方法を提供可
能とすることにある。
前述の問題点を解決するためにとられた本発明の構成
は、被加工面内に大きな高低差を有する基板に、酸素プ
ラズマにより除去可能な第一の層と、プラズマ重合法に
より形成されケイ素を含み電磁波または粒子線照射およ
び現像によりレジストパターン形成可能な第二の層を形
成して成り、前記第二の層に形成されているレジストパ
ターンをマスクとして酸素プラズマにより前記第一の層
のレジストパターンを形成するパターンの形成方法にお
いて、前記第一の層が、プラズマCVD法または熱CVD法ま
たはスパッタ法またはイオンビームディポジション法に
より形成された炭素より成ることを特徴とするものであ
る。
は、被加工面内に大きな高低差を有する基板に、酸素プ
ラズマにより除去可能な第一の層と、プラズマ重合法に
より形成されケイ素を含み電磁波または粒子線照射およ
び現像によりレジストパターン形成可能な第二の層を形
成して成り、前記第二の層に形成されているレジストパ
ターンをマスクとして酸素プラズマにより前記第一の層
のレジストパターンを形成するパターンの形成方法にお
いて、前記第一の層が、プラズマCVD法または熱CVD法ま
たはスパッタ法またはイオンビームディポジション法に
より形成された炭素より成ることを特徴とするものであ
る。
すなわち、本発明は、前述の目的は基板の段差部の高い
部分と低い部分いずれにおいても等しい膜厚のレジスト
皮膜を形成することによつて達成される点、このような
均一な膜厚のレジスト皮膜はプラズマ重合法を利用する
ことによつて形成される点、イオンエッチング等の物理
スパッタ法を主とする乾式エッチング法で高いエッチン
グ耐性を有する炭素膜が均一な膜厚で形成される点に着
目してなされたものである。
部分と低い部分いずれにおいても等しい膜厚のレジスト
皮膜を形成することによつて達成される点、このような
均一な膜厚のレジスト皮膜はプラズマ重合法を利用する
ことによつて形成される点、イオンエッチング等の物理
スパッタ法を主とする乾式エッチング法で高いエッチン
グ耐性を有する炭素膜が均一な膜厚で形成される点に着
目してなされたものである。
本発明のパターンの形成方法を第１図により説明する
と、同図（ａ）に示すような、大きな段差を有する基板
１の全面に炭素膜５およびプラズマ重合膜４を形成す
る。このプラズマ重合膜４は紫外光，遠紫外光,X線，電
子線などを照射すると反応を生じ特定の溶剤に対する溶
解度が変化することによりパターンを形成し得る性質を
有するものである。このプラズマ重合膜４に所望のパタ
ーンを焼きつけ、現像して第１図（ｂ）に示すごとくレ
ジストパターン4aを得る。ついで第１図（ｃ）に示すよ
うに、O2プラズマによるエッチングでプラズマ重合膜４
のない部分の炭素膜５をエッチングする。この基板１を
アルゴンイオンによるイオンミリングなどで加工して、
第１図（ｄ）に示すようなパターン1cを形成する。
と、同図（ａ）に示すような、大きな段差を有する基板
１の全面に炭素膜５およびプラズマ重合膜４を形成す
る。このプラズマ重合膜４は紫外光，遠紫外光,X線，電
子線などを照射すると反応を生じ特定の溶剤に対する溶
解度が変化することによりパターンを形成し得る性質を
有するものである。このプラズマ重合膜４に所望のパタ
ーンを焼きつけ、現像して第１図（ｂ）に示すごとくレ
ジストパターン4aを得る。ついで第１図（ｃ）に示すよ
うに、O2プラズマによるエッチングでプラズマ重合膜４
のない部分の炭素膜５をエッチングする。この基板１を
アルゴンイオンによるイオンミリングなどで加工して、
第１図（ｄ）に示すようなパターン1cを形成する。
これに対して、従来の方法によるパターンの形成方法で
は、前述の如く、基板１のエツチングの段階において第
２図（ｄ）に示すようになるので、第１図（ｄ）と第２
図（ｄ）との比較より明らかな如く、従来の方法による
場合には、厚い加工面に対し垂直に切り立つた壁面をも
つレジストパターンが形成されるため、イオンミリング
などの際スパツタリングにより叩き出された被加工材料
が再付着粒子としてレジスト壁面に再付着し加工不良の
原因となるのに対し、本発明によると良好なレジストパ
ターンを形成できるので再付着の影響のない高精度な加
工が実現できる。
は、前述の如く、基板１のエツチングの段階において第
２図（ｄ）に示すようになるので、第１図（ｄ）と第２
図（ｄ）との比較より明らかな如く、従来の方法による
場合には、厚い加工面に対し垂直に切り立つた壁面をも
つレジストパターンが形成されるため、イオンミリング
などの際スパツタリングにより叩き出された被加工材料
が再付着粒子としてレジスト壁面に再付着し加工不良の
原因となるのに対し、本発明によると良好なレジストパ
ターンを形成できるので再付着の影響のない高精度な加
工が実現できる。
本発明では、レジスト被膜は第１図（ａ）に示すように
２重構造になっている。そして、第１層（下層）５は炭
素膜より成りO2プラズマにより分解除去可能な層であ
る。また、第二層（上層）４は感光性を有しかつ硅素を
含むプラズマ重合膜であり、硅素を含む有機化合物の蒸
気を単独状態または他の有機化合物蒸気と混合した状態
のものを原料としてプラズマ重合することにより形成す
る。この第二層４に感光性を付与するためには硅素を含
む有機化合物に感光性を有するものを用いるか感光性を
有する有機化合物蒸気を硅素を含む有機化合物蒸気に混
合して用いるのがよい。前者の例にはクロロメチルビニ
ルメチルシラン，クロロメチルビニルジメトキシシラ
ン，メタクリルオキシトリメチルシラン，イソプロペノ
キシトリメチルシランなどがある。また、後者の例に
は、例えば、テトラメチルシラン，ビニルトリメチルシ
ラン，ジビニルジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザ
ン，ヘキサメメチルジシロキサン，テトラメトキシシラ
ン，ビニルトリメトキシシランなど、ケイ素を含みかつ
容易に気化しうる有機化合物であればどんなものでも用
いることができる。
２重構造になっている。そして、第１層（下層）５は炭
素膜より成りO2プラズマにより分解除去可能な層であ
る。また、第二層（上層）４は感光性を有しかつ硅素を
含むプラズマ重合膜であり、硅素を含む有機化合物の蒸
気を単独状態または他の有機化合物蒸気と混合した状態
のものを原料としてプラズマ重合することにより形成す
る。この第二層４に感光性を付与するためには硅素を含
む有機化合物に感光性を有するものを用いるか感光性を
有する有機化合物蒸気を硅素を含む有機化合物蒸気に混
合して用いるのがよい。前者の例にはクロロメチルビニ
ルメチルシラン，クロロメチルビニルジメトキシシラ
ン，メタクリルオキシトリメチルシラン，イソプロペノ
キシトリメチルシランなどがある。また、後者の例に
は、例えば、テトラメチルシラン，ビニルトリメチルシ
ラン，ジビニルジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザ
ン，ヘキサメメチルジシロキサン，テトラメトキシシラ
ン，ビニルトリメトキシシランなど、ケイ素を含みかつ
容易に気化しうる有機化合物であればどんなものでも用
いることができる。
ここで用いられる第二層４は第一層５を加工するための
層であり、第二層４の加工は通常の露光，湿式現像によ
り行う。第二層４のパターンを形成した後O2プラズマを
作用させると第二層４に含まれる硅素が酸化して不揮発
性のSiO2を形成し、O2プラズマにより除去されなくな
る。このため第一層５のみが選択的に除去され、レジス
トパターンが形成される。従つて第二層４の必要膜厚は
SiO2層を形成するに十分なだけあればよく、硅素の含有
量によつて異なるがおおよそ0.1〜0.5μｍでよい。
層であり、第二層４の加工は通常の露光，湿式現像によ
り行う。第二層４のパターンを形成した後O2プラズマを
作用させると第二層４に含まれる硅素が酸化して不揮発
性のSiO2を形成し、O2プラズマにより除去されなくな
る。このため第一層５のみが選択的に除去され、レジス
トパターンが形成される。従つて第二層４の必要膜厚は
SiO2層を形成するに十分なだけあればよく、硅素の含有
量によつて異なるがおおよそ0.1〜0.5μｍでよい。
第一層５はイオンミリングの際のマスクとなるものであ
り、加工時に熱が発生するので耐熱性があり、かつイオ
ンミリングされにくい材料である炭素膜を用いるのがよ
い。炭素膜は以下の方法で形成される。
り、加工時に熱が発生するので耐熱性があり、かつイオ
ンミリングされにくい材料である炭素膜を用いるのがよ
い。炭素膜は以下の方法で形成される。
ｉ）炭化水素を含むガスをプラズマ中で分解し、炭素膜
を堆積させるプラズマCVD法。
を堆積させるプラズマCVD法。
ii）炭化水素を含むガスを熱分解し、炭素膜を堆積させ
る熱CVD法。
る熱CVD法。
iii）グラフアイトカーボンをターゲツトとしてスパツ
タリングにより炭素膜を堆積させるスパツタ法。
タリングにより炭素膜を堆積させるスパツタ法。
iv）炭化水素ガスをイオン化し、加速して基板に衝突さ
せ、炭素膜を堆積させるイオンビームデポジシヨン法。
せ、炭素膜を堆積させるイオンビームデポジシヨン法。
次に、本発明において用いられるプラズマ重合方法につ
いて説明する。第３図はその一例の説明図で、平行電極
7,8を有する真空槽９にモノマの蒸気を一定流量で導入
し排気速度を調節して真空槽内圧を一定に保つ。その後
一方の電極７に13.56MHzの高周波電源10から電圧を印加
してプラズマを発生させ、プラズマ重合を起こさせる。
基板11は高周波電圧を印加しない側の電極８に設置す
る。モノマー圧力は0.01〜5Torrの範囲がよく、高周波
電力は電極面積との比が0.01W/cm2〜10W/cm2の範囲がよ
い。これ以外の圧力および電力範囲においてはプラズマ
が不安定になつたり発生しない場合がある。
いて説明する。第３図はその一例の説明図で、平行電極
7,8を有する真空槽９にモノマの蒸気を一定流量で導入
し排気速度を調節して真空槽内圧を一定に保つ。その後
一方の電極７に13.56MHzの高周波電源10から電圧を印加
してプラズマを発生させ、プラズマ重合を起こさせる。
基板11は高周波電圧を印加しない側の電極８に設置す
る。モノマー圧力は0.01〜5Torrの範囲がよく、高周波
電力は電極面積との比が0.01W/cm2〜10W/cm2の範囲がよ
い。これ以外の圧力および電力範囲においてはプラズマ
が不安定になつたり発生しない場合がある。
ここで示した方法は一例にすぎず、高周波電圧のかわり
に直流や交流の電圧を印加してもよく、またマイクロ波
を用いてもよい。
に直流や交流の電圧を印加してもよく、またマイクロ波
を用いてもよい。
なお、本発明によるパターン形成方法は薄膜ヘツド，三
次元IC,光集積回路，センサー等において被加工面に大
きな段差を有する部分の加工に用いることによつて大き
な効果を発揮することができる。
次元IC,光集積回路，センサー等において被加工面に大
きな段差を有する部分の加工に用いることによつて大き
な効果を発揮することができる。
〔作用〕 本発明においては、レジスト皮膜をプラズマ重合法によ
り形成するので、基板の段差部の高い部分と低い部いず
れにおいても等しい膜厚のレジスト皮膜を形成すること
ができることと、イオンエッチング等の物理スパッタ法
を主とする乾式エッチング法に対して高いエッチング耐
性を有する炭素膜をプラズマ重合膜の下層に形成するの
で被加工面内に大きな高低差を有する基板に精度よく微
細加工できる。
り形成するので、基板の段差部の高い部分と低い部いず
れにおいても等しい膜厚のレジスト皮膜を形成すること
ができることと、イオンエッチング等の物理スパッタ法
を主とする乾式エッチング法に対して高いエッチング耐
性を有する炭素膜をプラズマ重合膜の下層に形成するの
で被加工面内に大きな高低差を有する基板に精度よく微
細加工できる。
以下、実施例について説明する。
（実施例１） エツチングにより５μｍの深さの溝をつけたシコン基板
の全面にアルミナをスパツタし、１μｍの厚さの膜を形
成した。この基板を平行平板電極型高周波プラズマ発生
装置の高周波印加側電極に設置し、原料ガスとしてトル
エンを流してプラズマを発生させた。放電電力100W,ガ
ス流量10sccmとして30分間プラズマを維持したところ厚
さ２μｍのアモルフアスカーボン膜が形成された。次に
この基板を同じプラズマ発生装置の接地側電極に置きか
え、メチルイソプロペニルケトン10sccm,ビニルトリメ
チルシラン3sccmを同時に反応室に流入させてプラズマ
を発行させた。放電電力100Wにて10分間プラズマを維持
することにより厚さ3000Åのプラズマ重合膜が得られ
た。
の全面にアルミナをスパツタし、１μｍの厚さの膜を形
成した。この基板を平行平板電極型高周波プラズマ発生
装置の高周波印加側電極に設置し、原料ガスとしてトル
エンを流してプラズマを発生させた。放電電力100W,ガ
ス流量10sccmとして30分間プラズマを維持したところ厚
さ２μｍのアモルフアスカーボン膜が形成された。次に
この基板を同じプラズマ発生装置の接地側電極に置きか
え、メチルイソプロペニルケトン10sccm,ビニルトリメ
チルシラン3sccmを同時に反応室に流入させてプラズマ
を発行させた。放電電力100Wにて10分間プラズマを維持
することにより厚さ3000Åのプラズマ重合膜が得られ
た。
このような処理を施した基板にクロムマスクを用い遠紫
外光を照射して３μｍラインアンドスペースのパターン
を焼きつけた後メチルエチルケトン１重量部とイソプロ
パノール５重量部を混合した溶剤で現像し、エタノール
でリンスしたころプラズマ重合膜のポジ形レジストパタ
ーンが得られた。
外光を照射して３μｍラインアンドスペースのパターン
を焼きつけた後メチルエチルケトン１重量部とイソプロ
パノール５重量部を混合した溶剤で現像し、エタノール
でリンスしたころプラズマ重合膜のポジ形レジストパタ
ーンが得られた。
つぎにこの基板を平行電極型プラズマエツチング装置に
入れ、O2ガスを導入してプラズマエツチングを行つた。
ガス圧は0.05Torrとした。電圧800Wで10分間エツチング
したところプラズマ重合膜のない部分のカーボン膜が選
択的にエツチングされ、カーボン膜にパターンが転写さ
れた。
入れ、O2ガスを導入してプラズマエツチングを行つた。
ガス圧は0.05Torrとした。電圧800Wで10分間エツチング
したところプラズマ重合膜のない部分のカーボン膜が選
択的にエツチングされ、カーボン膜にパターンが転写さ
れた。
つぎにこの基板に500Vのエネルギーのアルゴンイオンを
衝突させてイオンミリングを行い、カーボンのない部分
のアルミナを除去した。最後にこの基板を再び平行電極
型プラズマエツチング装置に入れ、O2プラズマにより残
つたカーボン膜を除去し、アルミナのラインアンドスペ
ースパターンを得た。寸法測定の結果加工精度は３μｍ
±0.2μｍであり、溝の底の部分でも精度は他と変わら
なかつた。
衝突させてイオンミリングを行い、カーボンのない部分
のアルミナを除去した。最後にこの基板を再び平行電極
型プラズマエツチング装置に入れ、O2プラズマにより残
つたカーボン膜を除去し、アルミナのラインアンドスペ
ースパターンを得た。寸法測定の結果加工精度は３μｍ
±0.2μｍであり、溝の底の部分でも精度は他と変わら
なかつた。
（比較例） 実施例１と同じステンレス基板にフェノールノボラック
樹脂を回転塗布し、150℃で１時間プリベークしてレジ
スト層を平坦化させた。次にこの基板にさらに部分的に
トリメチルシリル化したクロロメチル化ポリスチレンを
メチルエチルケトンに溶解し、１μｍの厚さに回転塗布
し乾燥させた。この基板に実施例１と同じマスクを密着
させ、50mJ/cm2の遠紫外光を照射してメチルエチルケト
ンで現像した。次にこの基板を平行電極型プラズマエッ
チング装置を用いてO2ガス圧0.1Torr高周波電力500Wの
条件で処理し、第二層目のレジストのない部分の第一層
目のレジストを除去した。この基板を実施例１と同様に
イオンミリングした後レジストを剥離したところ、ステ
ンレス基板に形成されたラインアンドスペースパターン
は、ミリングされたら溝幅が3.2μｍ±１μｍ、残った
部分が6.8μｍ±１μｍであり、大きく寸法が異なるば
かりでなくエッジ部に再付着による突起があり、パター
ン形成も不良であった。
樹脂を回転塗布し、150℃で１時間プリベークしてレジ
スト層を平坦化させた。次にこの基板にさらに部分的に
トリメチルシリル化したクロロメチル化ポリスチレンを
メチルエチルケトンに溶解し、１μｍの厚さに回転塗布
し乾燥させた。この基板に実施例１と同じマスクを密着
させ、50mJ/cm2の遠紫外光を照射してメチルエチルケト
ンで現像した。次にこの基板を平行電極型プラズマエッ
チング装置を用いてO2ガス圧0.1Torr高周波電力500Wの
条件で処理し、第二層目のレジストのない部分の第一層
目のレジストを除去した。この基板を実施例１と同様に
イオンミリングした後レジストを剥離したところ、ステ
ンレス基板に形成されたラインアンドスペースパターン
は、ミリングされたら溝幅が3.2μｍ±１μｍ、残った
部分が6.8μｍ±１μｍであり、大きく寸法が異なるば
かりでなくエッジ部に再付着による突起があり、パター
ン形成も不良であった。
（実施例２） 第４図は薄膜磁気ヘッドの要部の上面図、第５図は第４
図のＸ−Ｘ断面図で、本発明を薄膜磁気ヘツドのパーマ
ロイ加工プロセスに応用した例である。
図のＸ−Ｘ断面図で、本発明を薄膜磁気ヘツドのパーマ
ロイ加工プロセスに応用した例である。
この薄膜磁気ヘツドを製造するには、ジルコニア基板19
に下部磁性層13,ギヤツプ層14,絶縁層15,コイル16を形
成した後、上部磁性層17としてパーマロイを２μｍの厚
さにスパツタするが、このようにして得られた積層体
は、コイル16部とその他の部分との段差は12μｍであつ
た。この積層体を基板として実施例１と同じ手順でカー
ボン膜およびプラズマ重合レジストを形成し露光現像し
てカーボンのパターンを形成した後イオンミリングによ
りパーマロイをパターニングして第４図に示すような薄
膜ヘツド素子を製造した。このようにして得られた薄膜
ヘツドのトラツク幅18、すなわち、上部磁性層17のせま
い部分の線幅は10μｍ±0.4μｍであり、実用上問題と
なる点は何等認められなかつた。
に下部磁性層13,ギヤツプ層14,絶縁層15,コイル16を形
成した後、上部磁性層17としてパーマロイを２μｍの厚
さにスパツタするが、このようにして得られた積層体
は、コイル16部とその他の部分との段差は12μｍであつ
た。この積層体を基板として実施例１と同じ手順でカー
ボン膜およびプラズマ重合レジストを形成し露光現像し
てカーボンのパターンを形成した後イオンミリングによ
りパーマロイをパターニングして第４図に示すような薄
膜ヘツド素子を製造した。このようにして得られた薄膜
ヘツドのトラツク幅18、すなわち、上部磁性層17のせま
い部分の線幅は10μｍ±0.4μｍであり、実用上問題と
なる点は何等認められなかつた。
比較としてフエノールノボラツク系レジストを用い回転
塗布法で厚くレジスト層を形成した場合には、イオンミ
リングによつて形成したトラツク幅は12.2μｍ±1.5μ
ｍであり、かつパーマロイの再付着によつてエツジ部に
凸部が生じた。このようにして製造した薄膜ヘツドは磁
気特性にばらつきが大きく実用に耐え得なかつた。
塗布法で厚くレジスト層を形成した場合には、イオンミ
リングによつて形成したトラツク幅は12.2μｍ±1.5μ
ｍであり、かつパーマロイの再付着によつてエツジ部に
凸部が生じた。このようにして製造した薄膜ヘツドは磁
気特性にばらつきが大きく実用に耐え得なかつた。
以上の如く、実施例によると段差部を有する基板に均一
な厚さでレジスト皮膜を形成することができ、現像時の
寸法誤差を小さくできるのみならず、レジスト皮膜の厚
さを段差部の凹部でも薄くできるので、イオンミリング
の際の再付着の影響が小さくパターン精度向上および断
面形状改善の効果がある。
な厚さでレジスト皮膜を形成することができ、現像時の
寸法誤差を小さくできるのみならず、レジスト皮膜の厚
さを段差部の凹部でも薄くできるので、イオンミリング
の際の再付着の影響が小さくパターン精度向上および断
面形状改善の効果がある。
本発明は、大きな凹凸のある基板においても、物理スパ
ツタ法を主とする乾式エツチング法により精度よく微細
加工できるパターン形成方法を提供可能とするもので、
産業上の効果の大なるものである。
ツタ法を主とする乾式エツチング法により精度よく微細
加工できるパターン形成方法を提供可能とするもので、
産業上の効果の大なるものである。
第１図は本発明のパターン形成方法の一実施例の工程を
説明する断面図、第２図は従来法によるパターン形成方
法の工程を説明する断面図、第３図は本発明のパターン
形成方法で用いるプラズマ重合装置の一例の説明図、第
４図は本発明のパターン形成方法のさらに他の実施例で
ある薄膜磁気ヘッド製造工程における要部の上面図、第
５図は第４図のＸ−Ｘ断面図である。 １……基板、1c……パターン、４……プラズマ重合膜、
4a……レジストパターン、５……炭素膜、5a……炭素膜
パターン。
説明する断面図、第２図は従来法によるパターン形成方
法の工程を説明する断面図、第３図は本発明のパターン
形成方法で用いるプラズマ重合装置の一例の説明図、第
４図は本発明のパターン形成方法のさらに他の実施例で
ある薄膜磁気ヘッド製造工程における要部の上面図、第
５図は第４図のＸ−Ｘ断面図である。 １……基板、1c……パターン、４……プラズマ重合膜、
4a……レジストパターン、５……炭素膜、5a……炭素膜
パターン。
Claims (1)
- 【請求項１】被加工面内に大きな高低差を有する基板
に、酸素プラズマにより除去可能な第一の層と、プラズ
マ重合法により形成されケイ素を含み電磁波または粒子
線照射および現像によりレジストパターン形成可能な第
二の層を形成して成り、前記第二の層に形成されている
レジストパターンをマスクとして酸素プラズマにより前
記第一の層のレジストパターンを形成するパターンの形
成方法において、前記第一の層が、プラズマCVD法また
は熱CVD法またはスパッタ法またはイオンビームディポ
ジション法により形成された炭素より成ることを特徴と
するパターンの形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62131412A JPH07113774B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | パタ−ンの形成方法 |
| US07/198,197 US4863557A (en) | 1987-05-29 | 1988-05-25 | Pattern forming process and thin-film magnetic head formed by said process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62131412A JPH07113774B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63297435A JPS63297435A (ja) | 1988-12-05 |
| JPH07113774B2 true JPH07113774B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=15057364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62131412A Expired - Lifetime JPH07113774B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | パタ−ンの形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4863557A (ja) |
| JP (1) | JPH07113774B2 (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5283087A (en) * | 1988-02-05 | 1994-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| JPH0258221A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とするマスクを用いたエッチング方法 |
| FR2640809B1 (fr) * | 1988-12-19 | 1993-10-22 | Chouan Yannick | Procede de gravure d'une couche d'oxyde metallique et depot simultane d'un film de polymere, application de ce procede a la fabrication d'un transistor |
| US5236735A (en) * | 1989-05-27 | 1993-08-17 | Tdk Corporation | Method of producing a thin film magnetic head |
| US5225953A (en) * | 1989-11-09 | 1993-07-06 | Sumitomo Special Metal Co., Ltd. | Magnetic thin film head of a single magnetic pole for perpendicular recording and reproduction |
| WO1992017900A1 (en) * | 1991-04-03 | 1992-10-15 | Eastman Kodak Company | HIGH DURABILITY MASK FOR DRY ETCHING OF GaAs |
| JPH0833978B2 (ja) * | 1991-04-26 | 1996-03-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPH0724096B2 (ja) * | 1992-05-29 | 1995-03-15 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気ヘッドの加工方法 |
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| JP2956571B2 (ja) * | 1996-03-07 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| GB2325439A (en) | 1997-05-23 | 1998-11-25 | Gersan Ets | Marking diamond gemstone by plasma or ion beam etching through a laser ablated resist |
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| TW505984B (en) | 1997-12-12 | 2002-10-11 | Applied Materials Inc | Method of etching patterned layers useful as masking during subsequent etching or for damascene structures |
| JP3293564B2 (ja) * | 1998-08-20 | 2002-06-17 | 株式会社村田製作所 | 電子デバイスの作製方法 |
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| KR101200938B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2012-11-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 패턴 형성 방법 |
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| KR20180050411A (ko) | 2015-09-18 | 2018-05-14 | 트위스트 바이오사이언스 코포레이션 | 올리고핵산 변이체 라이브러리 및 그의 합성 |
| CN108698012A (zh) | 2015-09-22 | 2018-10-23 | 特韦斯特生物科学公司 | 用于核酸合成的柔性基底 |
| WO2017095958A1 (en) | 2015-12-01 | 2017-06-08 | Twist Bioscience Corporation | Functionalized surfaces and preparation thereof |
| KR102212257B1 (ko) | 2016-08-22 | 2021-02-04 | 트위스트 바이오사이언스 코포레이션 | 드 노보 합성된 핵산 라이브러리 |
| WO2018057526A2 (en) | 2016-09-21 | 2018-03-29 | Twist Bioscience Corporation | Nucleic acid based data storage |
| EP3554514A4 (en) | 2016-12-16 | 2020-08-05 | Twist Bioscience Corporation | BANKS OF VARIANTS OF IMMUNOLOGICAL SYNAPSE AND THEIR SYNTHESIS |
| CN110892485B (zh) | 2017-02-22 | 2024-03-22 | 特韦斯特生物科学公司 | 基于核酸的数据存储 |
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| WO2018231864A1 (en) | 2017-06-12 | 2018-12-20 | Twist Bioscience Corporation | Methods for seamless nucleic acid assembly |
| JP7169999B2 (ja) | 2017-06-12 | 2022-11-11 | ツイスト バイオサイエンス コーポレーション | シームレス核酸アセンブリのための方法 |
| AU2018328847A1 (en) | 2017-09-11 | 2020-04-23 | Twist Bioscience Corporation | GPCR binding proteins and synthesis thereof |
| WO2019079769A1 (en) | 2017-10-20 | 2019-04-25 | Twist Bioscience Corporation | HEATED NANOWELLS FOR THE SYNTHESIS OF POLYNUCLEOTIDES |
| EP4715681A2 (en) | 2018-01-04 | 2026-03-25 | Atlas Data Storage, Inc. | Dna-based digital information storage |
| IL278771B2 (en) | 2018-05-18 | 2025-09-01 | Twist Bioscience Corp | Polynucleotides, reagents and methods for nucleic acid hybridization |
| WO2020139871A1 (en) | 2018-12-26 | 2020-07-02 | Twist Bioscience Corporation | Highly accurate de novo polynucleotide synthesis |
| WO2020176678A1 (en) | 2019-02-26 | 2020-09-03 | Twist Bioscience Corporation | Variant nucleic acid libraries for glp1 receptor |
| AU2020227802A1 (en) | 2019-02-26 | 2021-10-14 | Twist Bioscience Corporation | Variant nucleic acid libraries for antibody optimization |
| CA3144644A1 (en) | 2019-06-21 | 2020-12-24 | Twist Bioscience Corporation | Barcode-based nucleic acid sequence assembly |
| EP4034564A4 (en) | 2019-09-23 | 2023-12-13 | Twist Bioscience Corporation | VARIANT NUCLEIC ACID LIBRARIES FOR SINGLE-DOMAIN ANTIBODIES |
| US12091777B2 (en) | 2019-09-23 | 2024-09-17 | Twist Bioscience Corporation | Variant nucleic acid libraries for CRTH2 |
| BR112022011235A2 (pt) | 2019-12-09 | 2022-12-13 | Twist Bioscience Corp | Bibliotecas de variantes de ácido nucleico para receptores de adenosina |
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| JPS5953841A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-28 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS58186935A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成法 |
| JPS60214532A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成方法 |
| JPS61175919A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-07 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US4613398A (en) * | 1985-06-06 | 1986-09-23 | International Business Machines Corporation | Formation of etch-resistant resists through preferential permeation |
| JPS62183023A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-11 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62131412A patent/JPH07113774B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-05-25 US US07/198,197 patent/US4863557A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63297435A (ja) | 1988-12-05 |
| US4863557A (en) | 1989-09-05 |
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