JPH03120606A - パターン形成方法およびこの方法を用いて形成した薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、微細な薄膜パターンを形成するためのパター
ン形成方法およびこの方法を用いて形成した薄膜磁気ヘ
ッドに係り、特にカーボン（Ｃ）膜の接着性が悪いため
に起こるパターンの抜け、欠けまたは変形をなくすため
に好適なパターン形成方法およびこの方法を用いて形成
した薄膜磁気ヘッドに関する。

［従来の技術］ 薄膜デバイスの製造プロセスにおいては、周知のように
、薄膜の微細加工にレジストを用いた、いわゆるフォト
エツチング技術が主として使われている。特に、近年は
加工寸法の微細化が進むに従って１反応性イオンエツチ
ングやイオンミリングなどのアンダカットの少ない加工
方法が用いられるようになって来ている。これらの方法
は１寸法槽度が優れている反面、エツチング時にレジス
トが高エネルギーイオンによって損傷を受けるため、耐
エツチング性の大きなレジストが要求される。このため
、種々のレジスト材料が開発されており１例えばフェノ
ールノボラック系ポリマを主成分とするレジストなどは
、比較的価れた耐エツチング性を有している。

しかしながら、パターンの微細化の要求がさらに高まる
につれて、ますます耐エツチング性の優れたレジストが
要求される０例えば、Ａｒのイオンビームを用いたイオ
ンミリングの場合、公知のレジストではそのエツチング
速度が被加工材料に対して１以上であり、通常、被加工
材料の２倍以上の膜厚が必要となる。このことは、加工
精度を悪くする原因となっていた。

前述の問題点を解決するために、特開昭６３−７６４３
８号公報には、炭素質薄膜とケイ素を含有する有機高分
子薄膜から成る２層膜を用いてパターン形成を行う方法
が提案されている。

また、特開昭６３−１６８８１０号公報には、炭素とフ
ォトレジストの２層−を用いて薄膜磁気ヘッドの磁性体
をパターン化する方法が提案されている。

〔発明が解決しようとする課題］ 前記従来技術では、炭素質薄膜と被加工薄膜との間の接
着性が悪く、炭素質薄膜が加工工程中に剥離するという
問題があった。こ、のため、パターンの抜け、欠けまた
は変形が生じ、パターン精度が悪くなるという問題があ
り、実用に供し得なかった・ 本発明の第１の目的は、被加工薄膜と炭素質薄膜の間の
剥離を防止し、パターンの抜け、欠けまたは変形のない
パターン形成方法を提供することにある。

また、本発明の第２の目的は、精度の高いパターンを形
成し得るパターン形成方法を提供することにある。

さらに、本発明の第３の目的は、第１層および第２層を
除去し、被加工薄膜にのみパターンを形成し得るパター
ン形成方法を提供することにある。

さらにまた１本発明の第４の目的は、段差を有する被加
工薄膜に対しても、抜・け、欠けまたは変形がなく、精
度の高いパターンを形成し得るパターン形成方法を提供
することにある。

そして１本発明の第５の目的は、主としてＣがら成る・
層を含む接着性の優れた３層膜を用いて高精度パターン
を有する薄膜磁気ヘッドを提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 前記第１の目的は、基板上の被加工薄膜の上にＳｉを含
む第１層を形成する工程と、該第１層の上に主としてＣ
から成る第２層を形成する工程と。

該第２層の上に光または放射線に感応しかっＳｉを含有
する有機高分子から成る第３層を形成する工程と、該第
３層に所定のパターンを形成する工程と、該第３層に形
成されたパターンをマスクとして前記第２層をパターン
化する工程と、前記第３層を除去する工程と、前記第２
層に形成されたパターンをマスクとして前記第１層をパ
ターン化する工程と、前記第２層および第１層に形成さ
れたパターンをマスクとして前記被加工薄膜に所定のパ
ターンを形成する工程とを有していることにより、達成
される。

前記第２の目的は、基板上の被加工薄膜の上に。

該被加工薄膜および次の第２層との接着性に優れた材料
から成る第１層を形成する工程と、該第１層の上にＡｒ
ガスを用いたイオンミリング速度が前記被加工薄膜より
遅くかつ０．を用いたドライエツチング速度が次の第３
層より速い材料から成る第２層を形成する工程と、該第
２層の上にＯ２を用いたドライエツチング速度が前記第
２層より遅い材料から成る第３層を形成する工程と、該
第３層に所定のパターンを形成する工程と、該第３層に
形成されたパターンをマスクとして前記第２層をパター
ン化する工程と、前記第３層を除去する工程と、前記第
２層に形成されたパターンをマスクとして前記第１層を
パターン化する工程と。

前記第２層および第１層に形成されたパターンをマスク
として前記被加工薄膜に所定のパターンを形成する工程
とを有していることにより、達成される。

前記第３の目的は、前記第２層および第１層に形成され
たパターンをマスクとして前記被加工薄膜に所定のパタ
ーンを形成する工程の後に、前記第１層および第２層を
除去する工程を有していることにより、達成される。

前記第４の目的は１段差を有する被加工薄膜にパターン
を形成することにより、達成される。

そして、前記第５の目的は、前記パターン形成方法を用
いて薄膜磁気ヘッドのトラック部をパターン化したこと
により、達成される。

［作用］ 本発明では、主としてＣから成る第２層にレジストパタ
ーンを転写し、この第２層のパターンをマスクとしてエ
ツチングを行い、被加工薄膜に所定のパターンを形成す
るものである。この場合、第２層は主としてＣから成る
層で形成されているため、イオンミリングなどの高エネ
ルギーイオンに対する耐性が高く、薄い膜で十分な選択
比を取ることができる。また、０．プラズマにより容易
にエツチングされるので、Ｓｉを含有するレジストなと
のｏｔプラズマ耐性の高いレジストと組み合わせること
で、容易に難加工材料の高精度パターン化が達成できる
。

また、本発明では第１層にＳｉを含む材料を用いたので
、被加工薄膜と第２層（カーボン層）の間の接着性が向
上する。これにより、抜け、欠けまたは変形のないパタ
ーンを形成することができるとともに、精度のよいフォ
トエツチングが可能である。

さらに１本発明では基板上の被加工薄膜の上に、該被加
工薄膜および次の第２層との接着性に優れた材料から成
る第１層を形成する工程と、該第１層の上にＡｒガスを
用いたイオンミリング速度が前記被加工薄膜より遅くか
つＯｔを用いたドライエツチング速度が次の第３層より
速い材料から成る第２層を形成する工程と、該第２層の
上にＯ２を用いたドライエツチング速度が前記第２層よ
り遅い材料から成る第３層を形成する工程と、該第３層
に所定のパターンを形成する工程と、該第３層に形成さ
れたパターンをマスクとして前記第２層をパターン化す
る工程と、前記第３層を除去する工程と、前記第２層に
形成されたパターンをマスクとして前記第１層をパター
ン化する工程と。

前記第２層および第１層に形成されたパターンをマスク
として前記被加工薄膜に所定のパターンを形成する工程
とを有しているので、より一層精度の高いパターンを形
成することができる。

また１本発明では前記第２層および第１層に形成された
パターンをマスクとして前記被加工薄膜に所定のパター
ンを形成する工程の後に、前記第１層および第２層を除
去する工程を有しているので、第１層、第２層を除去し
て、被加工薄膜にのみパターンを形成することができる
。

さらにまた１本発明では段差を有する被加工薄膜に対し
ても、パターンの抜け、欠けまたは変形がなく、精度の
高いパターンを形成することができる。

そして、本発明ではパターン形成方法を用いて薄膜磁気
ヘッドのトラック部をパターン化しているので、上部コ
アのトラック部を、抜け、欠けまたは変形がなく、かつ
精度の高いパターンで形成することができる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面により説明する。

第１図（ａ）〜（ｉ）は１本発明パターン形成方法の一
実施例を工程順に示した図である。

この第１図に示すように、この実施例では（ａ）〜（ｉ
）工程を有して構成されている。

（ａ）工程では、基板１上に形成された被加工薄１１１
２の上に、Ｓｌを含む第１層３を形成する。この第１層
３は１例えば気相堆積法によって形成することができる
。

本発明で用いる気相堆積法としては、モノシランなどを
原料とするプラズマＣＶＤなどの化学的気相堆積法、Ｓ
ｉをターゲットとして用いるスパッタリングなどの物理
的気相堆積法がある。

次に、（ｂ）工程では前記第１層３の上に主としてＣか
ら成る第２層４を形成する。この第２層４は、気相堆積
法で形成することができる０例えば。

ｉ）ＣとＨもしくはＣとＨと０またはＣとＨとＮから構
成される有機化合物の蒸気を原料として用いるプラグ？
ＣＶＤ、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤなどの化学的気相堆積法。

■）前記ｉ）と同じ原料ガスをイオン化し、生じたイオ
ンを電界により加速して基板に衝突させ。

堆積させるイオンビーム堆積法、 迅）グラファイトをターゲットとして用いるスパッタリ
ング法、 汁）グラファイトの蒸着法。

が挙げられる。

ついで、（Ｃ）工程では前記第２層４の上に、光または
放射線に感応しかつＳｉを含有する有機高分子から成る
第３層５を形成する。この第３層５を形成するには、層
を構成すべき材料を適当な溶剤に溶解した溶液を回転塗
布等の方法で塗布し、ついで乾燥して皮膜とする湿式塗
布法や、有機高分子の蒸気を原料として用いるプラズマ
重合法。

真空蒸着法などの気相堆積法がある。被加工薄膜が段差
を有する場合は、気相堆積法を用いる方が均一な膜厚が
得られるので、高精度パターン化のために望ましい、湿
式塗布法に用いる材料としては、高分子第３７巻、・第
６号（１９８８年）の第４６０頁から第４６３頁に記載
されているような、Ｓｉを含有量るレジストが用いられ
る。プラズマ重合法においては、重合によって感光性ま
たは放射線感応性を有する高分子を形成し得る有機化合
物とＳｉ含有有機化合物のそれぞれの蒸気を混合したも
の、あるいは重合によって感光性または放射線感応性を
有する高分子を形成し得るＳｉ含有有機化合物の蒸気の
いずれかが原料として用いられる。

前記重合により感光性または放射線感応性を有する高分
子を形成し得る有機化合物の例としては。

メチルアクリレート、メチルメタクリレート、メチルイ
ソプロペニルケトン、スチレン、ｐ−クロルスチレン、
クロルメチルスチレン、アリルアクリレート、グリシジ
ルメタクリレートなどが挙げられる。これらの有機化合
物に混合して用いるＳｉ含有有機化合物の例としては、
テトラメチルシラン、ビニルトリメチルシラン、テトラ
メトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ヘキサメ
チルジシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、メタクリ
ルオキシトリメチルシラン、イソプロペニルオキシトリ
メチルシランなどが挙げられる。

前記感光性または放射線感応性を有する高分子を形成し
得るＳｉ含有有機化合物の例としては、ジビニルジメチ
ルシラン、ビニルクロルメチルジメチルシラン、メタク
リルオキシトリメチルシラン、イソプロペニルオキシト
リメチルシランなどが挙げられる。

続いて、（ｄ）工程では前記第３層５を通常のリソグラ
フィー（露光、現像）工程によって所定のパターンに形
成する。

さらに、（ｅ）工程では前記第３層５に形成されたパタ
ーンをマスクとして前記第２層４をパターン化する。こ
のパターン化には、０．を用いたドライエツチング法が
用いられる。このとき、第３層５のエツチング速度は少
なくとも第２層４よりも遅いことが必要である。前記第
３層５のエツチング速度が第２層４のそれよりも速い場
合は、マスクとなる第３層の膜厚が被エツチング層であ
る第２層４よりも厚くなり、高精度パターン化が不利と
なる。

なお、０！を用いたドライエツチングとしては。

異方性の優れたりアクティブイオンエツチング（ＲＩＥ
）が望ましい。

次に、（ｆ）工程では前記第３層５を除去する。

通常用いられるフォトレジスト剥離剤で除去することが
可能である。

ついで、（ｇ）工程では前記第２層４に形成されたパタ
ーンをマスクとして第１層３をパターン化する。前記第
１層３がＳｉのみから成るときは、例えばＣＦ４を用い
たドライエツチングによりパターンを形成する。

続いて、（ｈ）工程では前記第２層４および第１層３に
形成されたパターンをマスクにして被加工薄膜２をパタ
ーン化する。パターン化には、異方性の優れたイオンエ
ツチングやイオンミリングが用いられる。このとき、被
加工薄膜２のマスクになるのは、主としてＣから成る第
２層４である。

したがって、前記（ｇ）工程を省略して、この（ｈ）工
程のみで第１層３と被加工薄膜２とを同時にエツチング
することも可能である。

最後に、（ｉ）工程では前記第２層４および第１層３を
除去する。第２層の除去には、０．を用いたドライエツ
チングが用いられ、第１層３の除去には、ＣＦ４等を用
いたドライエツチングが有効である。また、この（ｉ）
工程を行わずに、第２層と第１層を残したまま用いても
支障がない場合は、この（ｉ）工程を省略することもで
きる。

次に、具体的な実施例を挙げて説明する。

（実施例１） 基板として直径３ｉｎのシリコンウェハ上に、厚さ１．
５μ−のパーマロイ（Ｎｉ　−Ｆｅ）膜をスパッタリン
グ法により形成し、被加工薄膜とした。

ついで、前記被加工薄膜であるパーマロイ膜の上に、厚
さ０．１μｍのＳｉ膜をスパッタリング法により形成し
、第１層とした。

第２層は、次の手順で作成した。すなわち、ステンレス
製真空槽内部に半径１０ａｍの一対の円板状平行平板電
極を有し、その一方は高周波電源とマツチングボックス
を介して電気的に接続され、他方は真空槽と共に接地さ
れた電極構造を有するプラズマＣＶＤ装置の高周波印加
側電極上に、前記基板を設置し、基板を２００℃に加熱
した。真空槽をｌＸｌ０−’Ｐａの真空度まで排気した
のち、ｎ　−ヘキサンを１気圧換算で毎分１０ｍｍ供給
し、排気速度を調節して真空槽内の圧力を２．６Ｐａに
保った。

次に、基板の設置側電極に周波数１３．５６ＭＨｚ、電
力２００Ｗの高周波電力を印加してプラズマを発生させ
、この状態で２０分間保持したのち、高周波電力の印加
を止め、基板を取り出したところ、第２層として厚さ０
．９μ重のアモルファスカーボン層が形成された。

次に、前記基板上に市販の有機ケイ素系レジスト（日立
化成製ＲＵ−１６００Ｐ、粘度１５ｃＳｔ）を回転塗布
したのち、溶剤を揮発させ、厚さ１μｍの第３層を形成
した。

前述の工程を経た基板に、５μｍのラインアンドスペー
スのパターンを有するフォトマスクを通して紫外光を５
００＋＊　Ｊ　／　ａｌ　（３６５ｎｍ）のエネルギー
で照射したのち、０．７％のテトラメチルアンモニウム
ヒドロオキシド水溶液に２分間浸して現像し、第３層の
パターンを得た。

ついで、この基板を先の第２層を形成したときと同じ真
空装置、同じ電極側に設置し、真空排気ののち、０．ガ
スを毎分５ｍｌで導入して内圧を１．３Ｐａとし、高周
波電力１００Ｗを３０分間印加した。

その後、真空槽内への０．ガスの導入を止め、いったん
真空排気して、ＣＦ４を毎分５ｍＡで導入し、内圧を５
Ｐａに保ち、再び１００Ｗの高周波電力を５　ｗｉｎ間
印加して第１層の露出部分を除去し、パーマロイ層を露
出させた。

次に、この基板を８０℃の剥離液（東京応化製Ｓ−１０
）に１０分間浸漬し、第３層を除去した。

次に、パーマロイのイオンミリングを以下の通りに行っ
た。基板を基板ホルダに設置し、加速電圧が７００ｖ、
減速電圧が２００Ｖ、アーク電圧が８０ｖ。

Ａｒ流量が毎分１５ｍＱ、イオン入射角が０度の条件で
２０分間イオンミリングを行い、露光した部分のパーマ
ロイを除去した。

以上のようにして、パターン化が終わった基板を顕微鏡
観察したところ、パーマロイとＳｌ、またＳｉとＣとの
間で剥離は全く認められなかった。

最後に、前記基板を先の第２層（Ｃ）および第１層（Ｓ
ｉ）のパターン化のときに用いたものと同一装置、同一
条件で第２層パターンを除去し、ついで第１層パターン
を除去した。

全ての工程を終了したのち、パーマロイのパターン幅を
測定したところ、基板内分布が５±０．２μ■の範囲に
あり、優れたパターン精度を有したいた。また、パター
ン全面にわたって、抜け、欠けまたは変形は全く認めら
れなかった。

（実施例２） 実施例１と全く同様にして、基板としてのシリコンウェ
ハ上に、厚さ１．５μ璽のパーマロイパターン（幅５μ
ｍのラインアンドスペース）を形成した。ただし、この
実施例２の場合は、パーマロイのパターン化後に第１層
（Ｓｉ）と第２層（Ｃ）の除去は行わずに両層を残した
まま、さらに第２層の上に基板加熱温度が２００℃の条
件でＡｌ、Ｏ，を１０μ菖の厚さにスパッタリング法で
形成した。

この実施例２において、Ａｌ、Ｏ，膜形成後、基板を室
温に戻したのちも、パーマロイとＳｉ、またＳｉとＣの
間で剥離現象は認められなかった。

また、パーマロイのパターンの基板内分布は５±０．３
μ■であり、優れた精度を有していた。

（実施例３） 第３層の形成およびパターン化以外は、実施例１と全く
同様にしてパーマロイのパターンを形成した。第３層の
光または放射線に感応しかつＳｌを含有する有機高分子
層として、プラズマ重合によるレジスト膜形成を行った
。すなわち、実施例１の第２層（Ｃ）の形成に用いたも
のと同一装置により以下に示す手順で厚さ０．３μ墓の
第３層を形成した。

基板を８０℃に加温した接地側電極に接地し、真空槽内
をＩＸＩＧ−’Ｐａまで排気したのち、メチルイソプロ
ペニルケトンとビニルトリメチルシランの１８１（流量
比）の混合ガスを大気圧換算で毎分５鱈供給し、排気速
度を調整して内圧を１０Ｐａに保った．次に，接地され
ていない側の電極に、周波数１３．５６ＭＨｚ、高周波
電力８０Ｗを印加してプラズマを発生させ、２０分間プ
ラズマ重合した。

第３層のパターン化は、以下のようにして行った．すな
わち、５μ園のラインアンドスペースのパターンを有す
る石英マスクを通して遠紫外線を照射（照射エネルギー
：　、２５４ｎ■において５０００■Ｊ／ａｌｉ）シ、
水とイソプロピルアルコールの１＝４（体積比）の混合
溶剤に浸して現像し，第３層のパターンを得た。

この実施例３における全ての工程を終了したのち，パー
マロイのパターン幅を測定したところ、基板内分布が４
．７±０．３μ■であり、優れたパターン精度を有した
いた．また、基板の全面にわたってパターンの抜け，欠
けまた低変形は全く認められなかった。

（実施例４） シリコンウェハ上に，厚さ１０μ閣のポリイミド系樹脂
（日立化成製ＰＩＱ）を５μｍのラインアンドスペース
でパターンを形成し、これを基板として実施例３と全く
同様にしてパーマロイのパターンを得た．なお、このと
きのポリイミドパターンテーパ角は３７°±５°であっ
た．また、パーマロイのパターンはポリイミド系樹脂の
パターンに直交するように形成した。

この実施例４のパターン幅は，４．９±０．３μ■であ
り，優れた精度を有したいた．また、パターンの抜け，
欠けまたは変形も認められなかった。

（実施例５） 進んで、第２図および第３図により、薄膜磁気ヘッドの
製造におけるトラック幅加工について、以下に詳述する
。

非磁性基板６にパーマロイを１．５μ曹の厚さにスバッ
タリングし、フォトエツチング技術によって下部コア層
７とする。

次に、Ａ１．Ｏ，をスパッタリングにより０．５μ票の
厚さに形成し、フォトエツチング技術を用いてギャップ
層８とする。

続いて、ポリイミド系樹脂（日立化成製ＰＩＱ）を回転
塗布し、ついで加熱硬化し、フォトエツチング技術によ
りパターン化して厚さ２μ飄の絶縁層９とする。

さらに、Ｃｕを１．５μｍの厚さにスパッタリングで形
成し、フォトエツチング技術を用いてらせん状にパター
ン化し、コイルｌＯとする。

このコイル１０上に、ポリイミド系樹脂の絶縁膜を形成
し、厚さ２．５μ■の絶縁層１１とした。

続いて、パーマロイを１．５μ朧の厚さにスパッタリン
グして一様に上部コア層１２を形成する。

このようにして形成された上部コア層１２のパターン化
を実施例３と全く同様にして行った。すなわち、Ｓｉ３
と０４とプラズマ重合膜５から成る３層の積層膜を用い
て上部コア層１２のパターンを形成した。上部コア層１
２の先端部の幅がトラック幅１３となるが、この基板内
ばらつきは１０±０．８μｍであり、高い加工精度を示
した。また、パターンの抜け、欠けまたは変形も認めら
れなかった。

最後に、保護膜（図示せず）としてＡｌ、０３を１０μ
ｍの厚さにスパッタリングして形成し、薄膜磁気ヘッド
を得た。

（比較例） 第１層のＳｉを形成せずに、実施例５と全く同様にして
薄膜磁気ヘッドを作成した。このようにして作成した薄
膜磁気ヘッドは、上部コア層のイオンミリング時にカー
ボンと上部コア層の界面で一部剥離が発生し、所望の磁
気特性が得られなかった。

［発明の効果］ 以上説明した本発明の請求項１記載の発明によれば、基
板上の被加工薄膜の上にＳｉを含む第１層を形成する工
程と、該第１層の上に主としてＣから成る第２層を形成
する工程と、該第２層の上に光または放射線に感応しか
つＳｉを含有する有機高分子から成る第３層を形成する
工程と、該第３層に所定のパターンを形成する工程と、
該第３層に形成されたパターンをマスクとして前記第２
層をパターン化する工程と、前記第３層を除去する工程
と、前記第２層に形成されたパターンをマスクとして前
記第１層をパターン化する工程と、前記第２層および第
１層に形成されたパターンをマスクとして前記被加工薄
膜に所定のパターンを形成する工程とを有しているので
、Ｃ膜の接着性が悪いために起きる不具合を解消し、抜
け、欠けまたは変形のないパターンを形成し得る効果が
あり、Ｃ膜の優れた耐イオンミリング性を十分に生かし
て精度の高いパターンを形成し得る効果がある。

さらに１本発明の請求項２記載の発明によれば、基板上
の被加工薄膜の上に、該被加工薄膜および次の第２層と
の接着性に優れた材料から成る第１層を形成する工程と
、該第１層の上にＡｒガスを用いたイオンミリング速度
が前記被加工薄膜より遅くかつ０．を用いたドライエツ
チング速度が次の第３層より速い材料から成る第２層を
形成する工程と、該第２層の上にＱ、を用いたドライエ
ツチング速度が前記第２層より遅い材料から成る第３層
を形成する工程と、該第３層に所定のパターンを形成す
る工程と、該第３層に形成されたパターンをマスクとし
て前記第２層をパターン化する工程と、前記第３層を除
去する工程と、前記第２層に形成されたパターンをマス
クとして前記第１層をパターン化する工程と、前記第２
層および第１層に形成されたパターンをマスクとして前
記被加工薄膜に所定のパターンを形成する工程とを有し
ているので、より一層精度の高いパターンを形成し得る
効果がある。

また、本発明の請求項３記載の発明によれば、前記第２
層および第１層に形成されたパターンをマスクとして前
記被加工薄膜に所定のパターンを形成する工程の後に、
前記第１層および第２層を除去する工程を有しているの
で、第１層、第２層を除去して、被加工薄膜にのみパタ
ーンを形成し得る効果がある。

さらにまた、本発明の請求項４記載の発明によれば、段
差を有する被加工薄膜を対象として、前記請求項１〜３
のいずれかに記載の発明を適用することにより、前記段
差を有する被加工薄膜に。

抜け、欠けまたは変形がなく、かつ精度の高いパターン
を形成し得る効果がある。

そして、本発明の請求項５記載の発明によれば、パター
ン形成方法を用いて薄膜磁気ヘッドのトラック部をパタ
ーン化しているので、上部コアのトラック部を抜け、欠
けまたは変形がなく、かつ精度の高いパターンで形成す
ることができ、したがって上部コアの品質を向上させ得
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｉ）は本発明パターン形成方法の一実
施例を示す工程図、第２図は本発明パターン形成方法を
用いて形成した薄膜磁気ヘッドの一例を示す一部縦断面
図であって、第３図のＡ−Ａ’切断拡大断面図、第３図
は同薄膜磁気ヘッドの一部平面図である。 １・・・基板、２・・・被加工薄膜、３・・・第１層（
Ｓｉ）、４・・・第２層（Ｃ）、５・・・第３層（光ま
たは放射線に感応しかつＳｉを含有する有機高分子層）
、６・・・薄膜磁気ヘッド形成用の非磁性基板、７・・
・同下部コア層、８・・・同ギャップ層、９・・・同絶
縁層、１０・・・同コイル、１１・・・同絶縁層、１２
・・・上部コア層、１３・・・トラック幅。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上の被加工薄膜の上にＳｉを含む第１層を形成
   する工程と、該第１層の上に主としてＣから成る第２層
   を形成する工程と、該第２層の上に光または放射線に感
   応しかつＳｉを含有する有機高分子から成る第３層を形
   成する工程と、該第３層に所定のパターンを形成する工
   程と、該第３層に形成されたパターンをマスクとして前
   記第２層をパターン化する工程と、前記第３層を除去す
   る工程と、前記第２層に形成されたパターンをマスクと
   して前記第１層をパターン化する工程と、前記第２層お
   よび第１層に形成されたパターンをマスクとして前記被
   加工薄膜に所定のパターンを形成する工程とを有してい
   ることを特徴とするパターン形成方法。 ２、基板上の被加工薄膜の上に、該被加工薄膜および次
   の第２層との接着性に優れた材料から成る第１層を形成
   する工程と、該第１層の上にＡｒガスを用いたイオンミ
   リング速度が前記被加工薄膜より遅くかつＯ＿２を用い
   たドライエッチング速度が次の第３層より速い材料から
   成る第２層を形成する工程と、該第２層の上にＯ＿２を
   用いたドライエッチング速度が前記第２層より遅い材料
   から成る第３層を形成する工程と、該第３層に所定のパ
   ターンを形成する工程と、該第３層に形成されたパター
   ンをマスクとして前記第２層をパターン化する工程と、
   前記第３層を除去する工程と、前記第２層に形成された
   パターンをマスクとして前記第１層をパターン化する工
   程と、前記第２層および第１層に形成されたパターンを
   マスクとして前記被加工薄膜に所定のパターンを形成す
   る工程とを有していることを特徴とするパターン形成方
   法。 ３、請求項１または２記載のパターン形成方法において
   、前記第２層および第１層に形成されたパターンをマス
   クとして前記被加工薄膜に所定のパターンを形成する工
   程の後に、前記第１層および第２層を除去する工程を有
   していることを特徴とするパターン形成方法。 ４、請求項１、２または３記載のパターン形成方法にお
   いて、段差を有する被加工薄膜にパターンを形成するこ
   とを特徴とするパターン形成方法。 ５、請求項１、２または３記載のパターン形成方法を用
   いて薄膜磁気ヘッドのトラック部をパターン化したこと
   を特徴とする薄膜磁気ヘッド。