JPH07118076B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH07118076B2 JPH07118076B2 JP23458586A JP23458586A JPH07118076B2 JP H07118076 B2 JPH07118076 B2 JP H07118076B2 JP 23458586 A JP23458586 A JP 23458586A JP 23458586 A JP23458586 A JP 23458586A JP H07118076 B2 JPH07118076 B2 JP H07118076B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録に用いる記録媒体、とくに高密度記録
に好適な記録媒体に関する。
に好適な記録媒体に関する。
磁気記録の記録密度を高める新しい方式として垂直磁気
記録方式が提案されている。しかし、この垂直磁気記録
方式には従来と異なる磁気ヘツドが必要なことや、垂直
磁化膜の下部に設ける高透磁率膜から生じる雑音（スパ
イク状雑音）のために、磁気ヘツドを再生ヘツドとして
用いる場合にAC消去を行うことや、高透磁率膜の下部あ
るいは上部に永久磁石膜や、反強磁性体膜を設けること
が必要となる〔ジヤーナル オブ アプライドフイジク
ス（J.Appl.Phys.）第57巻第８号パートII B、第3925頁
（1985年）〕。
記録方式が提案されている。しかし、この垂直磁気記録
方式には従来と異なる磁気ヘツドが必要なことや、垂直
磁化膜の下部に設ける高透磁率膜から生じる雑音（スパ
イク状雑音）のために、磁気ヘツドを再生ヘツドとして
用いる場合にAC消去を行うことや、高透磁率膜の下部あ
るいは上部に永久磁石膜や、反強磁性体膜を設けること
が必要となる〔ジヤーナル オブ アプライドフイジク
ス（J.Appl.Phys.）第57巻第８号パートII B、第3925頁
（1985年）〕。
この様な欠点を避ける一つの方法として記録媒体の表層
が垂直磁化膜（磁化容易軸が膜面垂直方向に向く膜）で
あり深層が面内磁化膜（磁化容易軸が膜面内に存在する
膜）であるような磁気記録媒体が考案されている〔第９
回，日本応用磁気学会学術講演概要集第98頁（1985
年）〕。しかし、この技術は磁性粉の塗布により行つた
ものであり、磁性膜の膜厚を薄くすることが困難である
ため、記録密度特性を充分良くすることができず、また
オーバーライト特性も不充分であることが予測される。
が垂直磁化膜（磁化容易軸が膜面垂直方向に向く膜）で
あり深層が面内磁化膜（磁化容易軸が膜面内に存在する
膜）であるような磁気記録媒体が考案されている〔第９
回，日本応用磁気学会学術講演概要集第98頁（1985
年）〕。しかし、この技術は磁性粉の塗布により行つた
ものであり、磁性膜の膜厚を薄くすることが困難である
ため、記録密度特性を充分良くすることができず、また
オーバーライト特性も不充分であることが予測される。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、記
録密度特性の良い、またオーバーライト特性の秀れた磁
気記録媒体を提供することにある。
録密度特性の良い、またオーバーライト特性の秀れた磁
気記録媒体を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明者等は、第１図に示す
ように基板上１に、体心立方構造、あるいは面心立方構
造、ヒ素型構造、あるいはダイヤモンド構造を有する非
磁性金属材料２を設け、その上に磁化容易軸が面内に存
在する磁性膜３を設け、さらにその上に、4b族の元素か
らなる薄膜４を設けた後、磁化容易軸が膜面垂直方向に
向く磁性膜51を設けたことを特徴とする磁気記録媒体を
製造した。
ように基板上１に、体心立方構造、あるいは面心立方構
造、ヒ素型構造、あるいはダイヤモンド構造を有する非
磁性金属材料２を設け、その上に磁化容易軸が面内に存
在する磁性膜３を設け、さらにその上に、4b族の元素か
らなる薄膜４を設けた後、磁化容易軸が膜面垂直方向に
向く磁性膜51を設けたことを特徴とする磁気記録媒体を
製造した。
金属の結晶構造には、立方最密充てん構造，六方最密充
てん構造，体心立方構造，面心立方構造，ダイヤモンド
構造，ヒ素型構造，単純立方構造がある。このうち、立
方最密充てん構造，六方最密充てん構造の非磁性金属材
料上に磁性膜、とくにCo系磁性膜を設けると、該Co系磁
性膜は垂直異方性を有しやすい。これは六方晶構造Coの
ｃ軸が磁化容易軸であり、立方最密充てん構造，六方最
密充てん構造の材料上に作製したCo系材料の六方晶ｃ軸
は膜面垂直方向に配向するためである。
てん構造，体心立方構造，面心立方構造，ダイヤモンド
構造，ヒ素型構造，単純立方構造がある。このうち、立
方最密充てん構造，六方最密充てん構造の非磁性金属材
料上に磁性膜、とくにCo系磁性膜を設けると、該Co系磁
性膜は垂直異方性を有しやすい。これは六方晶構造Coの
ｃ軸が磁化容易軸であり、立方最密充てん構造，六方最
密充てん構造の材料上に作製したCo系材料の六方晶ｃ軸
は膜面垂直方向に配向するためである。
このことから、面内磁化膜は、体心立方構造，面心立方
構造，ダイヤモンド構造あるいはヒ素型構造の材料上に
設ける必要がある。なお、単純立方構造の材料はPoのよ
うに非常に特殊な場合であるので、上記構造からは除外
した。
構造，ダイヤモンド構造あるいはヒ素型構造の材料上に
設ける必要がある。なお、単純立方構造の材料はPoのよ
うに非常に特殊な場合であるので、上記構造からは除外
した。
なお、面内磁化膜として非晶質材料を用いる場合にはこ
の非磁性金属材料は必ずしも必要はない。
の非磁性金属材料は必ずしも必要はない。
4b族の元素は、垂直磁化膜の結晶成長に対する面内磁化
膜の影響を打ち切り、六方晶構造を有する垂直磁化膜の
ｃ軸を膜面垂直方向に配向しやすくする効果を有するも
のである。
膜の影響を打ち切り、六方晶構造を有する垂直磁化膜の
ｃ軸を膜面垂直方向に配向しやすくする効果を有するも
のである。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例１ 外径130mm,内径40mm,厚さ1.9mmのAl円板上に厚さ15μｍ
のNiP膜を設けたものを基板として用い、この基板上に
膜厚0.3μｍのCr膜をスパツタ法により設け、つぎに、
膜厚0.04μｍのCo70Ni30膜をスパツタ法により設けた
後、膜厚0.005μｍのＣ膜を同じくスパツタ法により設
けた。さらに、膜厚0.10μｍのCo80Ni20膜をスパツタ法
により設けた後、膜厚0.02μｍのＣ膜を保護膜として設
けた。
のNiP膜を設けたものを基板として用い、この基板上に
膜厚0.3μｍのCr膜をスパツタ法により設け、つぎに、
膜厚0.04μｍのCo70Ni30膜をスパツタ法により設けた
後、膜厚0.005μｍのＣ膜を同じくスパツタ法により設
けた。さらに、膜厚0.10μｍのCo80Ni20膜をスパツタ法
により設けた後、膜厚0.02μｍのＣ膜を保護膜として設
けた。
この記録媒体とギヤツプ長0.2μｍのMnZnフエライト製
リングヘツドを用い、浮上量0.05μｍで記録再生特性の
実験を行なつたところ、1kfciにおける再生出力は0.11
μVPP/（μｍ・Ｎ・m/s）であり、1kfciにおける再生出
力の1/2の再生を与える記録密度D50は130kfciであり、
スパイク状雑音は全く見られなかつた。さらに1kfci100
kfciにおけるオーバーライト特性は−31dBと非常に小さ
な値であつた。
リングヘツドを用い、浮上量0.05μｍで記録再生特性の
実験を行なつたところ、1kfciにおける再生出力は0.11
μVPP/（μｍ・Ｎ・m/s）であり、1kfciにおける再生出
力の1/2の再生を与える記録密度D50は130kfciであり、
スパイク状雑音は全く見られなかつた。さらに1kfci100
kfciにおけるオーバーライト特性は−31dBと非常に小さ
な値であつた。
なお、本実施例において用いた基板と同様の基板に膜厚
0.3μｍのCr膜をスパツタ法により設け、つぎに膜厚0.0
4μｍのCo70Ni30膜を設けた試料の磁気トルク曲線より
このCo70Ni30膜の磁化容易軸は膜面内を向いていること
がわかつた。さらに、このCo70Ni30膜の磁化曲線と、本
実施例のCo80Cr20/Co70Ni30膜の磁化曲線より、Co80−C
r20膜の磁化曲線を求めたところ、膜面垂直方向の角型
化は0.31、保磁力は8500eであり、膜面平行方向の角型
比は0.09、保磁力は180Oeであり、磁化容易軸は膜面垂
直方向に向いていることがわかつた。
0.3μｍのCr膜をスパツタ法により設け、つぎに膜厚0.0
4μｍのCo70Ni30膜を設けた試料の磁気トルク曲線より
このCo70Ni30膜の磁化容易軸は膜面内を向いていること
がわかつた。さらに、このCo70Ni30膜の磁化曲線と、本
実施例のCo80Cr20/Co70Ni30膜の磁化曲線より、Co80−C
r20膜の磁化曲線を求めたところ、膜面垂直方向の角型
化は0.31、保磁力は8500eであり、膜面平行方向の角型
比は0.09、保磁力は180Oeであり、磁化容易軸は膜面垂
直方向に向いていることがわかつた。
実施例２〜９ 前記実施例１において基板直上に設けたCr膜の代りにMo
膜,W膜,Bi膜,V膜,Nb膜を用いた場合の結果ならびに前記
実施例１において面内磁化膜として用いたCo−Ni膜の代
りにCo70Ni20Cr10膜を用いた結果を第１表に示す。使用
した磁気ヘツドおよびヘツド浮上量は実施例１の場合と
同じである。
膜,W膜,Bi膜,V膜,Nb膜を用いた場合の結果ならびに前記
実施例１において面内磁化膜として用いたCo−Ni膜の代
りにCo70Ni20Cr10膜を用いた結果を第１表に示す。使用
した磁気ヘツドおよびヘツド浮上量は実施例１の場合と
同じである。
実施例１と同じ手法により、実施例２〜９の記録媒体中
のCo70Ni20Cr10膜も面内磁化膜であり、Co80Cr20膜は垂
直磁化膜であることを確認した。
のCo70Ni20Cr10膜も面内磁化膜であり、Co80Cr20膜は垂
直磁化膜であることを確認した。
実施例10 実施例１に用いた基板と同一形状，同一材質の基板上
に、膜厚0.04μｍのCo80Cr20膜を−200VのDCバイアス電
圧を印加しつつスパツタ法により作製した後、膜厚0.10
μｍのCo80Cr20膜を−80VのDCバイアス電圧を印加しつ
つ作製した。その後、膜厚0.02μｍのＣ膜をDCバイアス
電圧を印加しない状態でスパツタ法により作製した。
に、膜厚0.04μｍのCo80Cr20膜を−200VのDCバイアス電
圧を印加しつつスパツタ法により作製した後、膜厚0.10
μｍのCo80Cr20膜を−80VのDCバイアス電圧を印加しつ
つ作製した。その後、膜厚0.02μｍのＣ膜をDCバイアス
電圧を印加しない状態でスパツタ法により作製した。
この記録媒体と実施例１の磁気ヘツドを用い、実施例１
と同一ヘツド浮上量で記録再生実験を行つた結果、1kfc
iにおける再生出力は0.07μVPP/（μｍ・Ｎ・m/s）であ
り、D50は120kfci、オーバーライト特性は−31dBであ
り、スパイク状雑音は観測されなかつた。
と同一ヘツド浮上量で記録再生実験を行つた結果、1kfc
iにおける再生出力は0.07μVPP/（μｍ・Ｎ・m/s）であ
り、D50は120kfci、オーバーライト特性は−31dBであ
り、スパイク状雑音は観測されなかつた。
なお、実施例１と同じ手法により、本実施例の試料中の
下層のCo80Cr20膜は面内磁化膜であり、上層のCo80Cr20
膜は垂直磁化膜であることを確認した。
下層のCo80Cr20膜は面内磁化膜であり、上層のCo80Cr20
膜は垂直磁化膜であることを確認した。
実施例11 実施例１に用いた基板と同一形状，同一材質の基板上
に、膜厚0.10μｍのCo80Cr20膜を、DCバイアス電圧を−
200Vから−80Vまで連続的に変化させつつスパツタ法に
より作製した後、膜厚0.04μｍのCo80Cr20膜をDCバイア
ス電圧−80Vの条件下でスパツタ法により作製した。さ
らに、膜厚0.02μｍのＣ膜をDCバイアス電圧を印加しな
い状態でスパツタ法により作製した。
に、膜厚0.10μｍのCo80Cr20膜を、DCバイアス電圧を−
200Vから−80Vまで連続的に変化させつつスパツタ法に
より作製した後、膜厚0.04μｍのCo80Cr20膜をDCバイア
ス電圧−80Vの条件下でスパツタ法により作製した。さ
らに、膜厚0.02μｍのＣ膜をDCバイアス電圧を印加しな
い状態でスパツタ法により作製した。
この記録媒体と実施例１で用いた磁気ヘツドを用い、実
施例１と同じ磁気ヘツド浮上量で記録再生実験を行つた
ところ、1kfciにおける再生出力は0.08μVPP/（μｍ・
Ｎ・m/sec）であり、D50は120kfci、オーバーライト特
性は−31dBであり、スパイク雑音は観測されなかつた。
施例１と同じ磁気ヘツド浮上量で記録再生実験を行つた
ところ、1kfciにおける再生出力は0.08μVPP/（μｍ・
Ｎ・m/sec）であり、D50は120kfci、オーバーライト特
性は−31dBであり、スパイク雑音は観測されなかつた。
なお、DCバイアス電圧を−200Vから−170Vまで連続的に
変化させつつ作製した0.025μｍのCo80Cr20膜（Ａ），
−200Vから−140Vまで連続的に変化させつつ作製した0.
05μｍのCo80Cr20膜（Ｂ），−200Vから−110Vまで連続
的に変化させつつ作製した0.075μｍのCo80Cr20膜
（Ｃ）および、−200Vから−80Vまで連続的に変化させ
つつ作製した膜厚0.10μｍのCo80Cr20膜（Ｄ）の膜面垂
直方向（⊥）および面内方向（）の角型比ならびに保
磁力を第２表に示す。第２表より、電圧値が大きくなる
につれて膜の垂直成分が大きくなることが分る。
変化させつつ作製した0.025μｍのCo80Cr20膜（Ａ），
−200Vから−140Vまで連続的に変化させつつ作製した0.
05μｍのCo80Cr20膜（Ｂ），−200Vから−110Vまで連続
的に変化させつつ作製した0.075μｍのCo80Cr20膜
（Ｃ）および、−200Vから−80Vまで連続的に変化させ
つつ作製した膜厚0.10μｍのCo80Cr20膜（Ｄ）の膜面垂
直方向（⊥）および面内方向（）の角型比ならびに保
磁力を第２表に示す。第２表より、電圧値が大きくなる
につれて膜の垂直成分が大きくなることが分る。
比較例 実施例１と同じ形状のAl円板上に膜厚15μｍのNi−Ｐ膜
を設けたものを基板として用い、この基板上に膜厚0.7
μｍのCo80Mo10Zr10膜を設けた後、膜厚0.005μｍのＣ
膜を設け、さらに膜厚0.15μｍのCo80Cr20膜を設け、そ
の上に膜厚0.02μｍのＣ膜を設けた。各薄膜はすべてス
パツタ法により作製した。
を設けたものを基板として用い、この基板上に膜厚0.7
μｍのCo80Mo10Zr10膜を設けた後、膜厚0.005μｍのＣ
膜を設け、さらに膜厚0.15μｍのCo80Cr20膜を設け、そ
の上に膜厚0.02μｍのＣ膜を設けた。各薄膜はすべてス
パツタ法により作製した。
この記録媒体と第２図の形状の磁気ヘツドを用いて記録
再生実験を行なつた。なお、磁気ヘツド中の主磁極６の
厚みｆは0.2μｍである。1kfciにおける再生出力は0.02
μVPP/（μｍ・Ｎ・m/s）であり、D50は170kfci、オー
バーライト特性は−29dBであつた。また、デイスク全面
にスパイク状雑音が観測された。
再生実験を行なつた。なお、磁気ヘツド中の主磁極６の
厚みｆは0.2μｍである。1kfciにおける再生出力は0.02
μVPP/（μｍ・Ｎ・m/s）であり、D50は170kfci、オー
バーライト特性は−29dBであつた。また、デイスク全面
にスパイク状雑音が観測された。
以上述べてきたように、本発明によれば、磁気ヘツドと
してリングヘツドを用い、D50が100kfci以上、再生出力
0.1μVPP/（μｍ・Ｎ・m/sec）以上、オーバーライト特
性−30dB以下と、D50は若干劣るが、その他は純粋な垂
直磁気記録媒体の場合とほぼ同等でありしかも、スパイ
ク状雑音の全くない磁気記録媒体を得ることができた。
してリングヘツドを用い、D50が100kfci以上、再生出力
0.1μVPP/（μｍ・Ｎ・m/sec）以上、オーバーライト特
性−30dB以下と、D50は若干劣るが、その他は純粋な垂
直磁気記録媒体の場合とほぼ同等でありしかも、スパイ
ク状雑音の全くない磁気記録媒体を得ることができた。
第１図は本発明の実施例になる記録媒体の断面図、第２
図は、比較例において、記録再生実験を行う際に用いた
磁気ヘツドの要部斜視図である。 １……基板、２……非磁性金属材料、３……面内磁化
膜、４……4b元素からなる薄膜、５……垂直磁化膜、６
……主電極、７……主磁極厚み。
図は、比較例において、記録再生実験を行う際に用いた
磁気ヘツドの要部斜視図である。 １……基板、２……非磁性金属材料、３……面内磁化
膜、４……4b元素からなる薄膜、５……垂直磁化膜、６
……主電極、７……主磁極厚み。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菱山 定夫 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 古澤 賢司 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 阿部 勝男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 佐野 誠 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 北崎 容士 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 白倉 高明 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 太田 栄 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭59−63026（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−68234（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に体心立方構造、面心立方構造、ヒ
素型構造、あるいはダイヤモンド構造を有する非磁性金
属材料を設け、その上に磁化容易軸が面内に存在する磁
性膜を設け、さらにその上に、4b族の元素からなる薄膜
を設けた後、磁化容易軸が膜面垂直方向に向く磁性膜を
設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】上記基板上に設ける非磁性金属材料とし
て、Cr,Mo,W,Bi,VおよびNbからなる群から選ばれた少な
くとも一の元素からなる材料を用いることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】上記磁化容易軸が面内に存在する磁性膜が
CoとNi、またはCoとNiとCrからなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】上記4b族の元素からなる薄膜として、C,Si
およびGeからなる群から選ばれた少なくとも一の元素か
らなる材料を用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項から第３項までのいずれかに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23458586A JPH07118076B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23458586A JPH07118076B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390025A JPS6390025A (ja) | 1988-04-20 |
| JPH07118076B2 true JPH07118076B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=16973325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23458586A Expired - Lifetime JPH07118076B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118076B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06318381A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-11-15 | Komag Inc | ハードディスクドライブ装置、磁気ディスク及びリードライトヘッド |
| TW279972B (ja) * | 1993-06-21 | 1996-07-01 | Komag Inc | |
| US6274233B1 (en) | 1998-03-26 | 2001-08-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium |
| SG93828A1 (en) * | 1998-03-26 | 2003-01-21 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP23458586A patent/JPH07118076B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6390025A (ja) | 1988-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5851643A (en) | Magnetic recording media and magnetic recording read-back system which uses such media | |
| JPH07334832A (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| US6171676B1 (en) | Magnetic recording medium containing fine magnetic crystal grains and its manufacture | |
| JPH07176027A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP2947029B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JP2000113441A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| EP0150498A2 (en) | Perpendicular Magnetic Recording Medium | |
| JPH11102510A (ja) | 垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記録装置 | |
| US4544591A (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
| JPH07118076B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08129738A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| US4609593A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPH0323972B2 (ja) | ||
| JP3345199B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| JP3075712B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60101709A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JP2967070B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 | |
| JPS61113122A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JP3138255B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP2000315311A (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JPH0573877A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS61177633A (ja) | 垂直磁化記録媒体の製造方法 | |
| JP3371530B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP3653039B2 (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JPH06103555A (ja) | 垂直磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |