JPH07120055B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPH07120055B2
JPH07120055B2 JP17519887A JP17519887A JPH07120055B2 JP H07120055 B2 JPH07120055 B2 JP H07120055B2 JP 17519887 A JP17519887 A JP 17519887A JP 17519887 A JP17519887 A JP 17519887A JP H07120055 B2 JPH07120055 B2 JP H07120055B2
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aralkyl
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正和 松本
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な電子写真感光体に関するものであり、更
に詳しくは特定の分子構造を有するアゾ顔料を感光層中
に含有する電子写真感光体に関するものである。
〔従来の技術〕
従来より、光導電性を示す顔料や染料については、数多
くの文献等で発表されている。
例えば、“RCA Review"Vol.23,P.413〜P.419(1962.9)
ではフタロシアニン顔料の光導電性についての発表がな
されており、又このフタロシアニン顔料を用いた電子写
真感光体が米国特許第3397086号公報や米国特許第38161
18号公報等に示されている。その他に、電子写真感光体
に用いる有機半導体としては、例えば米国特許第431598
3号公報、米国特許第4327169号公報や“Reseach Disclo
sure"20517(1981.5)に示されているピリリウム系染
料、米国特許第3824099号公報に示されているスクエア
リツク酸メチン染料、米国特許第3898084号公報、米国
特許第4251613号公報、米国特許第4582771号公報等に示
されたジスアゾ顔料などが挙げられる。
この様な有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容易
で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をもつ
様な化合物として合成することができ、この様な有機半
導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光体
は、感色性が良くなるという利点を有しているが、まだ
まだ感度、耐久性等において実用特性は十分ではない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は新規な光導電性材料を提供することにあ
る。
本発明のもう一つの別な目的は現存する全ての電子写真
プロセスにおいても使用可能であり実用的な高感度特性
と繰り返し使用における安定な電位特性を有する電子写
真感光体を提供する事にある。
本発明の第二の別な目的は、可視域から近赤外、赤外領
域にまたがる広い分光感度を有する電子写真感光体を提
供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
即ち、本発明の電子写真感光体は、一般式(1)又は
(2)で示される結合基を構造式中に有する化合物を感
光層中に含有する事を特徴としている。
ここでR1,R2,R3,R4は水素原子,フツ素,塩素,臭素,
ヨウ素等のハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチ
ル,ジフルオロメチル等のハロメチル基、アセチル,プ
ロピオニル,ベンゾイル,トルオイル,シンナモイル等
のアシル基、メトキシカルボニル,エトキシカルボニ
ル,ブトキシカルボニル等のアルキルオキシカルボニル
基、フエノキシカルボニル,ナフチルオキシカルボニル
等のアリールオキシカルボニル基、メチル,エチル,プ
ロピル,ブチル等のアルキル基、ベンジル,フエネチ
ル,ナフチルメチル等のアラルキル基又はフエニル,ナ
フチル,ビフエニル,アントリル等のアリール基を示
す。上記アシル基、アルキルオキシカルボニル基、アリ
ールオキシカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、
アリール基は置換基を有していてもよい。置換基の種類
としてはフツ素,塩素,臭素,ヨウ素等のハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチル,ジフル
オロメチル等のハロメチル基、アセチル,ベンゾイル等
のアシル基、メチル,エチル,プロピル,ブチル等のア
ルキル基、ベンジル,フエネチル等のアラルキル基、フ
エニル,ナフチル,ビフエニル等のアリール基が挙げら
れる。
本発明は上記結合基を構造式中に有する染料,顔料等を
感光層中に含有せしめることにより達成されるが、特
に、一般式が次の(3)又は(4)で示されるアゾ顔料
を感光層中に含有せしめた場合、その効果は著しい。
ここで、R1,R2,R3,R4は前述の記号と同義であり、Ar1,A
r2,Ar3,Ar4はフエニレン,ビフエニレン,ナフタレンジ
イル等の2価のアリール基、又はピリジン,キノリン,
カルバゾール,チオフエン,ベンゾオキサゾール,ベン
ゾチアゾール,ベンゾトリアゾール,インドール等のヘ
テロ環から水素原子2個を除いて形成される2価のヘテ
ロ環基を示す。これら2価のアリール基,ヘテロ環基は
置換基を有していてもよい。置換基としてはフツ素,塩
素,臭素,ヨウ素等のハロゲン原子、メチル,エチル,
プロピル,ブチル等のアルキル基、メトキシ,エトキ
シ,ブトキシ等のアルコキシ基、フエニル,ナフチル,
ビフエニル等のアリール基、ニトロ基、シアノ基、トリ
フルオロメチル基等が用いられる。
一般式(3)又は(4)中のCp1,Cp2,Cp3,Cp4はフエノ
ール性OH基を有するカプラー残基を示し、Cp1とCp2,Cp3
とCp4はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。C
p1,Cp2,Cp3,Cp4の示すカプラー残基のより好ましい具体
例は一般式(5)〜(10)で示される。
式中、Xはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アント
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジ
ベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフエニレ
ンサルフアイト環等の多環芳香環、ないしはヘテロ環を
形成するに必要な残基を示す。
Xの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。
式中、R5,R6は水素原子、置換基を有していてもよいア
ルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロ環基ない
しはR5,R6の結合する窒素原子とともに環状アミノ基を
示す。
アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等が、アラルキル基の具体例としてはベンジ
ル、フエネチル、ナフチルメチル等が、アリール基の具
体例としてはフエニル、ジフエニル、ナフチル、アンス
リル等が、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、
ジベンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾー
ル、チアゾール、ピリジン等が挙げられる。
環状アミノ基の具体例としてはピロリジノ,ピペラジ
ノ,モルホリノ,9−カルバゾリル等が挙げられる。
式中、R7,R8は水素原子、置換基を有していてもよいア
ルキル基、アリール基、アラルキル基を示す。R7,R8
具体例は前記R5,R6と同じ例によって示される。
式中、置換基R5〜R8の示すアルキル基、アリール基、ア
ラルキル基、アルコキシ基、ヘテロ環基は更に他の置換
基例えばフツ素,塩素,ヨウ素,臭素等のハロゲン原
子、メチル,エチル,プロピル,イソプロピル,ブチル
等のアルキル基、メトキシ,エトキシ,プロポキシ,フ
エノキシ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメ
チルアミノ,ジベンジルアミノ,ジフエニルアミノ,モ
ルホリノ,ピペリジノ,ピロリジノ等の置換アミノ基に
より置換されていてもよい。
式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基ないしは窒素原子
を環内に含むヘテロ環の2価の基を示す。
芳香族炭化水素の2価の基としてはo−フエニレン等の
単環式芳香族炭化水素の2価の基、o−ナフチレン、ペ
リナフチレン、1,2−アンスリレン、9,10−フエナンス
リレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の2価の基が挙げ
られる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の2価の基
としては、3,4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジ
イル基、4,5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾール
ジイル基、6,7−キノリンジイル基等の2価の基が挙げ
られる。
式中のR9は置換基を有していてもよいアリール基ないし
はヘテロ環基を示し具体的にはフエニル,ナフチル,ア
ンスリル,ビレニル,ピリジル,チエニル,フリル,カ
ルバゾリル基を示す。
R9の示すアリール基、ヘテロ環基の置換基としてはフツ
素,塩素,ヨウ素,臭素等のハロゲン原子、メチル,エ
チル,プロピル,イソプロピル,ブチル等のアルキル
基、メトキシ,エトキシ,プロポキシ,フエノキシ等の
アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ,
ジベンジルアミノ,ジフエニルアミノ,モルホリノ,ピ
ペリジノ,ピロリジノ等の置換アミノ基が挙げられる。
式中、R10,R11は置換基を有していてもよいアルキル
基、アリール基、アラルキル基、ないしはヘテロ環基を
示し具体的にはメチル,エチル,プロピル,ブチル,ベ
ンジル,フエネチル,ナフチルメチル,フエニル,ナフ
チル,アンスリル,ジフエニル,カルバゾール,ジベン
ゾフラン,ベンズイミダゾロン,ベンズチアゾール,チ
アゾール,ピリジンを示す。
式中、R10,R11の示すアルキル基、アリール基、アラル
キル基、ヘテロ環基の置換基としてはフツ素,塩素,ヨ
ウ素,臭素等のハロゲン原子、メチル,エチル,プロピ
ル,イソプロピル,ブチル等のアルキル基、メトキシ,
エトキシ,プロポキシ,フエノキシ等のアルコキシ基、
ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ,ジベンジルアミ
ノ,ジフエニルアミノ,モルホリノ,ピペリジノ,ピロ
リジノ等の置換アミノ基が挙げられる。
一般式(9)及び(10)中のXは一般式(5)と同義で
ある。Cp1,Cp2,Cp3,Cp4が上記一般式(5)〜(10)で
示された構造をとる時本発明の効果は著しいが、Cp1とC
p2,Cp3とCp4は必ずしも同じ構造である必要はない。
次に本発明に用いられるアゾアルケン又はジスアゾアル
ケン化合物の一般的な製法について述べる。一般式
(1)又は(2)で示される結合基を構造式中に有する
化合物は、例えば1969年のChemische Berichte102巻364
7〜3655頁、又は1971年のJustus Liebiys Annolender C
hemie 745巻193〜203頁記載の方法、即ちピリジンを媒
体としてN−イリドを形成してしかる後、ジアゾニウム
塩と反応させる方法、又は1986年、日本化学会春季年会
(同年4月)に本発明者等が発表した「アリールアゾ基
を含むイリドの合成とその利用」の中で示した方法、即
ちS−イリド,P−イリドを用いてジアゾニウム塩と反応
させる方法によって合成される。
以上、アゾアルケン化合物についての製法を記したが、
前述の如くその中でも一般式(3)又は(4)で表わさ
れるアゾ顔料はその効果が著しい。
以下本発明に用いられるアゾ顔料の一般的な製法につい
て述べる。一般式(3)又は(4)で示されるアゾ顔料
でCp1とCp2又はCp3とCp4が同一である場合一般式(12)
又は(13)で示されるジアミンを亜硝酸ソーダ又はニト
ロシル硫酸等の常法によりデトラゾニウム塩とし、カプ
ラー成分であるCp1又はCp3と水系カツプリングを行う
か、 〔Ar1,Ar2,Ar3,Ar4,R1,R2,R3,R4の記号は特許請求の範
囲第2項の記号に等しい。〕 あるいは得られたテトラゾニウム塩をホウフツ化塩等の
安定な塩で取り出したのち、DMF等の有機溶剤中でカツ
プリングを行うことで得ることができる。Cp1とCp2また
はCp3とCp4が異なる場合はカツプリング反応の際、まず
第一のカプラー成分とカツプリングを行い、モノアゾ体
とした後第二のカプラー成分とカツプリングを行い、ジ
スアゾ顔料とするか若しくは2つのカプラー成分を混合
してカツプリング反応を行うことで得ることができる
が、確実に非対称顔料を得るためには前者の方法が好ま
しい。
次に、本発明で用いるアゾアルケン化合物の具体例を以
下に列挙する。ただし、以下具体例で示される化合物は
本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。
前述のアゾアルケン化合物を含有する被膜は光導電性を
示し、従って下述する電子写真感光体の感光層に用いる
ことができる。
すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述
のアゾアルケン化合物を真空蒸着法により被膜形成する
か、あるいは適当なバインダー中に分散含有させて被膜
形成することにより電子写真感光体を調整することがで
きる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
電荷発生層は十分な吸光度を得るために、できる限り多
くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、且つ発生し
た電荷キヤリアの飛程を短くするために薄膜層、例えは
5μm以下、好ましくは0.01〜1μmの膜厚をもつ薄膜
層とすることが好ましい。このことは、入射光量の大部
分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キヤリアを生
成すること、さらに発生した電荷キヤリアを再結合や捕
獲(トラツプ)により失活することなく電荷輸送層に注
入する必要があることに帰因している。
電荷発生層は、前述の化合物を適当なバインダーに分散
させ、これを導電性支持体の上に塗工することによって
形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成するこ
とによって得ることができる。電荷発生層を塗工によっ
て形成する際に用いうるバインダーとしては広範な絶縁
性樹脂から選択でき、またポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの
有機光導電性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポ
リビニルブチラール、ポリアリレート(ビスフエノール
Aとフタル酸の縮重合体など)、ポリカーボネート、ポ
リエステル、フエノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリ
ル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、ポリビ
ニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポ
キシ樹脂、カゼイン、ポリビニル アルコール、ポリビ
ニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができ
る。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好
ましくは40重量%以下が適している。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また下述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなど
のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロル
エチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪
族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、
キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロル
ベンゼンなどの芳香族類などを用いることができる。
塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテイング
法、ブレードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング法を用
いて行うことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が
好ましい。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行うことがで
きる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ヤリアを受け取るとともに、これらの電荷キヤリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくまた
その下に積層されていてもよい。
電荷輸送層における電荷輸送物質としては、電子輸送性
物質と正孔輸送性物質があり、電子輸送性物質として
は、クロルアニル、ブロモアニル、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−
9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フル
オレノン、2,4,7−トリニトロ−9−ジシアノメチレン
フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、2,
4,8−トリニトロチオキサントン等の電子吸引性物質や
これら電子吸引性物質を高分子化したもの等がある。
正孔輸送性物質としては、ピレン、N−エチルカルバゾ
ール、N−イソプロピルカルバゾール、N−メチル−N
−フエニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカ
ルバゾール、N,N−ジフエニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−9−エチルカルバゾール、N,N−ジフエニルヒド
ラジノ−3−メチリデン−10−エチルフエノチアジン、
N,N−ジフエニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−エ
チルフエノキサジン、p−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−N,N−ジフエニルヒドラゾン、p−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−N−α−ナフチル−N−フエニル
ヒドラゾン、p−ピロリジノベンズアルデヒド−N,N−
ジフエニルヒドラゾン、1,3,3−トリメチルインドレニ
ン−ω−アルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラゾン、p
−ジエチルベンズアルデヒド−3−メチルベンズチアゾ
リノン−2−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビス
(p−ジエチルアミノフエニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール、1−フエニル−3−(p−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリ
ン、1−〔ピリジル(2)〕−3−(p−ジエチルアミ
ノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフエニル)ピ
ラゾリン、1−〔ピリジル(3)〕−3−(p−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフエニ
ル)ピラゾリン、1−〔レピジル(2)〕−3−(p−
ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノ
フエニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)〕−3−
(α−メチル−p−ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、1−フエ
ニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−4−メチ
ル−5−(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、
1−フエニル−3−(α−ベンジル−p−ジエチルアミ
ノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフエニル)ピ
ラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、2−
(p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジエチルアミノ
ベンズオキサゾール、2−(p−ジエチルアミノフエニ
ル)−4−(p−ジメチルアミノフエニル)−5−(2
−クロロフエニル)オキサゾール等のオキサゾール系化
合物、2−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジエ
チルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、
ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフエニル)−フ
エニルメタン等のトリアリールメタン系化合物、1,1−
ビス(4−N,N−ジエチルアミノ−2−メチルフエニ
ル)ヘプタン、1,1,2,2−テトラキス(4−N,N−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフエニル)エタン等のポリアリー
ルアルカン類、p−ジフエニルアミノ−β−フエニルス
チルベン、p−ジトリルアミノスチリルフルオレニリデ
ン、p−ジエチルアミノスチリルベンゼン、p−ジエチ
ルアミノスチリル−4−メトキシナフタレン、3−α−
フエニルスチリル−9−エチルカルバゾール等のスチリ
ル化合物、トリフエニルアミン、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセ
ン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9−ビニルフエニル
アントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチル
カルバゾールホルムアルデヒド樹脂等がある。
これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルルアモルフアスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
また、これらの電荷輸送物質は、1種または2種以上組
合わせて用いることができる。
電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ポリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
アクリロニトリル−ブタジエンコポリマー、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁
性樹脂、あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマーを挙げることができる。
電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、5〜30μmであるが、好ましい範囲は8〜20μm
である。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前
述した様な適当なコーテイング法を用いることができ
る。
この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電性支持体の上に設けられる。導電性支持体
としては、支持体自体が導電性をもつもの、例えばアル
ミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、
バナジウム、モリブテン、クロム、チタン、ニツケル、
インジウム、金や白金などを用いることができ、その他
にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム、
酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空蒸着法
によって被膜形成された層を有するプラスチツク、導電
性粒子(例えば、酸化チタン、酸化スズ、カーボンブラ
ツク、銀粒子など)を適当なバインダーとともにプラス
チツクや前記導電性支持体の上に被覆した支持体、導電
性粒子をプラスチツクや紙に含浸した支持体や導電性ポ
リマーを有するプラスチツクなどを用いることができ
る。
導電性支持体と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機
能をもつ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼ
イン、ポリビニルアルコール、ニトロセルモース、エチ
レン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド(ナイロン
6、ナイロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アル
コキシメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチ
ン、酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は、0.1〜5μm、好ましくは0.5〜3μm
が適当である。
また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフエニ
ルアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
無機光導電性物質の増感剤として前述の化合物を含有さ
せた感光被膜とすることができる。この感光被膜は、こ
れらの光導電性物質と前述の化合物をバインダーととも
に塗工によって被膜形成される。
本発明の別の具体例としては、前述なアゾアルケン化合
物を電荷輸送物質とともに同一層に含有された電子写真
感光体を挙げることができる。この際、前述の電荷輸送
物質の他に、ポリ−N−ビニルカルバゾールとトリニト
ロフルオレノンからなる電荷移動錯化合物を用いること
ができる。この例の電子写真感光体は前述のアゾアルケ
ン化合物と電荷移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶
解されたポリエステルの溶液中に分散させた後、被膜形
成させて調製できる。
いずれの感光体においても電荷発生物質は構造式中に
(1)又は(2)で示される結合基を有する化合物から
選ばれる少なくとも一種類の染料又は顔料を含有し、そ
の結晶形は非晶質であっても結晶質であってもよい。
又、必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合わせて使用
し感光体の感度を高めたり、バンクロマチツクな感光体
を得るなどの目的で本発明になるアゾアルケン化合物を
2種類以上組合わせたり、又は公知の染料、顔料から選
ばれた電荷発生物質と組合わせて使用することも可能で
ある。
本発明の電子写真感光体は、電子写真複写機に利用する
のみならず、レーザープリンターやCRTプリンター、LED
プリンター、液晶プリンター、レーザー製版等の電子写
真応用分野にも広く用いる事ができる。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例1〜58 アルミ支持体上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイ
ン11.2%、アンモニア水1g、水222ml)をマイヤーバー
で乾燥後の膜厚が1.0μmとなる様に塗布し乾燥した。
次に、前記例示のNo.(1)の化合物5gをエタノール95m
lにブチラール樹脂(ブチラール化度75モル%)2gを溶
かした液に加えサンドミルで2時間分散した。この分散
液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が0.5
μmとなる様にマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生
層を形成した。次いで構造式 のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹脂
(数平均分子量100000)5gをベンゼン70mlに溶解し、こ
れを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が18μmとなる様に
マイヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を形成し、実
施例1の感光体を作成した。例示No.(1)の化合物に
代えて第1表に示す他の例示顔料を用い実施例2〜58の
感光体を実施例1と同様にして作成した。
この様にして作成した電子写真感光体を川口電機(株)
製静電複写紙試験装置Model SP-428を用いてスタテイツ
ク方式で−5KVでコロナ帯電し、暗所で1秒間保持した
後、照度2luxで露光し帯電特性を調べた。
帯電特性としては、表面電位(Vo)と1秒間暗減衰させ
た時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量(E 1/2)を
測定した。この結果を第1表に示す。
比較例1〜4 実施例1と同様にして下記構造の顔料についてもその電
子写真特性を評価し、表−2に表した。
表にて明らかなように、本発明になる顔料は比較例に比
べて著しく優れている。
実施例59〜63 実施例1,26,37,52,58に用いた感光体を用い、繰り返し
使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した。方法と
しては−5.6KVのコロナ帯電器、露光光学系、現像器、
転写帯電器、除電露光光学系およびクリーナーを備えた
電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り付けたこの
複写機はシリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が得
られる構成になっている。この複写機を用いて初期の明
部電位(VL)と暗部電位(VD)をそれぞれ−100V,−600
V付近に設定し、5000回使用した後の明部電位(VL)と
暗部電位(VD)を測定した。この結果を第3表に示す。
比較例5〜8 実施例59と同様にして比較例1〜4に用いた感光体の繰
り返し使用時の電位変動を調べ表−4に示した。
以上から、本発明は比較顔料に比し、耐久性の面でも優
れていることがわかる。
実施例64 実施例1で作成した電荷発生層の上に、2,4,7−トリニ
トロ−9−フルオレノン5gとポリ−4,4′−ジオキシジ
フエニル−2,2′−プロパンカーボネート(分子量300,0
00)5gをテトラヒドロフラン70mlに溶解して作成した塗
布液を乾燥後の塗工量が10g/m2となる用に塗布し、乾燥
した。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で帯電測定を行った。この時、帯電極製はとした。
この結果を以下に示す。
V0:675V E1 2:4.0lux・sec 実施例65 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイルムのアル
ミ面上に膜厚0.5μmのポリビニルアルコールの被膜を
形成した。次に実施例1で用いたアゾアルケン化合物の
分散液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾
燥後の膜厚が0.5μmとなるようにマイヤーバーで塗布
し乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで構造式 のピラゾリン化合物5gとポリアリレート樹脂(ビスフェ
ノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)5g
をテトラヒドロフラン70mlに溶かした液を電荷発生層の
上に乾燥後の膜厚が10μmとなる様に塗布し乾燥して電
荷輸送層を形成した。こうして調製した感光体の帯電特
性および耐久特性を実施例59と同様の方法によって測定
した。この結果を第3表に示す。
第3表の結果より感度も良く耐久使用時の電位安定性も
良好である。
実施例66 厚さ100μmのアルミ支持体上にカゼインのアンモニア
水溶液を塗布し乾燥して膜厚0.5μmの下引層を形成し
た。
次に2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン5gとポリ−
N−ビニルカルバゾール(数平均分子量300000)5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶かして電荷移動錯化合物を形
成した。この電荷移動錯化合物と前記例示の化合物No.2
1 1gをポリエステル樹脂(バイロン:東洋紡製)5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶かした液に加え分散した。こ
の分散液を下引層の上に塗布し乾燥して12μmの感光体
を作成した。
こうして調製した感光体の帯電特性と耐久特性を実施例
1と同様の方法によって測定した。この結果を以下に示
す。但し帯電極性はとした。
V0:685V E1 2:3.0lux・sec 実施例67 実施例66で用いたカゼイン層を施したアルミ支持体のカ
ゼイン層上に実施例1の電荷輸送層,電荷発生層を順次
積層し層構成を異にする以外は実施例1と全く同様にし
て感光体を形成し、実施例1と同様に帯電特性を測定し
た。但し帯電極性をとした。この結果を以下に示す。
V0:680V E1 2:3.5lux・sec 実施例68 実施例25で用いた感光体を780nmに発振波長をもつ半導
体レーザーにより露光した処、780nmにおける分光感度
は0.9μJ/cm2(半減露光量)であった。
次にこの感光体を半導体レーザーを露光光学系として備
えた反転現像方式の電子写真方式プリンターであるレー
ザービームプリンター(キヤノン製LBP−CX)のドラム
上に塗布し実写テストを行ったところ、カブリのない良
好な画像が得られた。また、これは10000回繰り返して
も変ることはなかった。
実施例69 実施例68において、例示化合物35に代えて、31,78,83,1
00を用いた他は同様にしてドラム上の感光体を作成し
た。それぞれの感光体の780nmにおける分光感度は第4
表に示す通りであった。
第4表 例示化合物 31 78 83 100 半減露光量(μJ/cm2) 1.3 1.0 0.9 1.8 次に実施例68と同様にして実写テストを行った処、カブ
リのない画像が得られた。これは10000回繰り返しても
変化はなかった。
〔発明の効果〕
本発明は、アゾアルケンという特定の結合基を構造式中
に有する化合物を感光層に用いることにより当該のアゾ
アルケン化合物を含む感光層内部に於けるキヤリアー発
生効率ないしはキヤリアー輸送効率のいずれか一方ない
しは双方が良くなるためか、高感度で耐久使用時に於け
る電位安定性のすぐれた電子写真感光体が得られる。ま
た、半導体レーザーの発振波長域においても高感度でカ
ブリのない良好な画像をうることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−70232(JP,A) 特開 昭58−217556(JP,A) 特開 昭61−84653(JP,A) 特開 昭61−251861(JP,A) 特公 昭47−24892(JP,B1)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(1)又は(2) (式中、R1,R2,R3,R4は水素原子,ハロゲン原子,シア
    ノ基,ハロメチル基,又は置換基を有してもよいアシル
    基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカル
    ボニル基、アルキル基、アラルキル基またはアリール基
    を示す。)で示される結合基を構造式中に有する化合物
    を感光層中に含有することを特徴とする電子写真感光
    体。
  2. 【請求項2】前記一般式(1)又は(2)で示される結
    合基を構造式中に有する化合物が、一般式(3)又は
    (4) (式中R1,R2,R3,R4は水素原子,ハロゲン原子,シアノ
    基、ハロメチル基、又は置換基を有してもよいアシル
    基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカル
    ボニル基、アルキル基、アラルキル基またはアリール基
    を示す。Ar1,Ar2,Ar3,Ar4は置換基を有してもよい2価
    のアリール基、ヘテロ環基を示し、またCp1,Cp2,Cp3,Cp
    4はフエノール性OH基を有するカプラー残基を示す。Cp1
    とCp2,Cp3とCp4はそれぞれ同一であっても異なっていて
    もよい。)で示されるアゾ顔料である特許請求の範囲第
    1項記載の電子写真感光体。
  3. 【請求項3】前記一般式(3)及び(4)中のCp1,Cp2,
    Cp3,Cp4が一般式(5)〜(10)から選ばれたものであ
    る特許請求の範囲第2項記載の電子写真感光体。 (式中、Xはベンゼン環と縮合して多環芳香環、ないし
    はヘテロ環を形成するのに必要な残基を示す。R5,R6
    水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリ
    ール基、アラルキル基、ヘテロ環基、ないしはR5,R6
    結合する窒素原子とともに環状アミノ基を示す。) (式中、R7は置換基を有してもよいアルキル基、アリー
    ル基、アラルキル基を示す。) (式中、R8は置換基を有してもよいアルキル基、アリー
    ル基、アラルキル基を示す。) (式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基ないしは窒素原
    子を環内に含むヘテロ環の2価の基を示す。) (式中、R9は置換基を有していてもよいアリール基ない
    しはヘテロ環基を示し、Xは一般式(5)中のXと同じ
    意味を表わす。) (R10,R11は置換基を有してもよいアルキル基、アリー
    ル基、アラルキル基、ないしはヘテロ環基を示す。Xは
    一般式(5)中のXと同じ意味を表わす。
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