JPH01270282A - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード

Info

Publication number
JPH01270282A
JPH01270282A JP63098620A JP9862088A JPH01270282A JP H01270282 A JPH01270282 A JP H01270282A JP 63098620 A JP63098620 A JP 63098620A JP 9862088 A JP9862088 A JP 9862088A JP H01270282 A JPH01270282 A JP H01270282A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
resin
plating
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63098620A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07120819B2 (ja
Inventor
Tadaaki Ikeda
忠昭 池田
Kenichiro Kinoshita
木下 健一郎
Norio Yamashita
憲男 山下
Hikoo Nakamura
中村 比古夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63098620A priority Critical patent/JPH07120819B2/ja
Publication of JPH01270282A publication Critical patent/JPH01270282A/ja
Publication of JPH07120819B2 publication Critical patent/JPH07120819B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/0198Manufacture or treatment batch processes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/884Die-attach connectors and bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Mounting Components In General For Electric Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は表面実装用発光ダイオードに関する。
従来の技術 従来の表面実装用発光ダイオードの構造を第3図(a)
 、 (b)の平面図および断面図に示す。この発光ダ
イオードの製造方法としては、第4図に平面図で示すよ
うに、まず、表面にN i / A gメッキを施した
リードフレーム1に、インサート成形により、高耐熱の
熱可塑性樹脂の外囲器2を形成する。なお、このときの
熱可塑性樹脂としては、表面実装時の加熱に耐えるよう
に、熱変形温度が高い液晶ポリマー等が使用されている
。次に、第3図(a) 、 (b)に示すように、リー
ドフレーム1の一片に発光ダイオードチップ3をAgペ
ースト4により固定した後、Au線5によりリードフレ
ーム1の他の片と結線される。この後、外囲器2の内部
は発光ダイオードの保護および光の取り出し効率の向上
のために、透明エポキシ樹脂6で封止される。外囲器2
の外部のリードフレーム部は表面実装に対応するために
、例えば第3図(b)に示すような形状にカッティング
及びベンディングが行なわれる。
発明が解決しようとする課題 しかし、この発光ダイオードにおいては、リードフレー
ム1と高耐熱性樹脂の外囲器2との密着力が本質的に弱
いため、半田付けやリードフレームのヘンド加工時に外
囲器とリードフレームとの間に界面剥離の問題を生じる
ことがある。
課題を解決するための手段 本発明は前記問題点を解決するために、被メッキ性を有
する樹脂と被メッキ性を有しない樹脂とを一体成形して
外囲構体を構成し、前記外囲構体に選択的にメッキ(例
えば、Cu / N i / A gメッキ)を施し、
同メッキ部に発光素子および電気接続体を設けたことに
より、配線パターン内蔵外囲器を形成し、リードフレー
ム不要の発光ダイオードを提供するものである。
作用 本発明によると、外囲構体に設けたボンディング用メッ
キが単に発光ダイオードチップのボンディングのみなら
ず、発光ダイオードチップと発光ダイオード外部との電
気的な接続までを実現するため、リードフレームが不要
となり、また、表面実装用の端子までを同時に形成でき
る。
実施例 第1図(a) 、 (b)は本発明実施例の発光ダイオ
ードの平面図およびそのB−B断面図である。次に、本
実施例発光ダイオードの製造方法について第2図(a)
 、 (b)の平面図および側面(一部所面)図を用い
て述べる。まず、第2図の被メッキ性を有する樹脂部7
の成形を行ない、次に、メッキの前処理としてエツチン
グ→水洗→乾燥→PdCe2処理→乾燥を行なう。さら
に被メッキ性を有しない樹脂部8を被メッキ性を有する
樹脂部7と一体成形する。次に前記一体成形量にCuの
無電解メッキ→N i / A gメッキ処理を施す。
この結果、被メッキ性を有する樹脂部7の表面部のみメ
ッキされ、ポンディングパッド部9および同9を設ける
。次に、前記成形品のポンディングパッド部9に発光ダ
イオードチップ3をAgペースト4により固定した後、
Au線5によりポンディングパッド部10と結線する。
ワイヤーボンディングには一般的にサーモソニックワイ
ヤーボンダーが用いられる。次に発光ダイオードチップ
3の固定された外囲器の内部は透明エポキシ樹脂6で封
止される。次に、第2図に示す破線11に沿って、カッ
ティングホイールでカットし、個々の発光ダイオードに
分割する。このときスルーホール12も2分割されるの
で、メッキ部は、このスルーホール部を通じて、表裏両
面でつながっている。第1図はこのときの分割された発
光ダイオードの形状を示す平面図、断面図である。第1
図の斜線部13はメッキ面を示している。14.15は
発光ダイオードを表面実装するときの端子である。なお
、一体成形に用いる樹脂としては、例えば市販の液晶ポ
リマーのメッキグレード及び非メッキグレードのものを
用いることができる。
発明の効果 本発明は、被メッキ性を有しない樹脂と被メッキ性を有
する樹脂を一体成形してメッキ処理することにより、配
線パターン内蔵の外囲構体を形成し、リードフレーム不
要の発光ダイオードを実現でき、同時にリードフレーム
と外囲構体の界面剥離に関する問題を解決できる。また
、ドツトマトリクス状に多数の発光ダイオードを形成し
、ダイシング等により多数の発光ダイオードに分割する
ことにより低コスト化が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) 、 (b)は本発明実施例装置の平面図
、断面図、第2図(a) 、 ’ (b)は本発明実施
例装置の外囲構体形成過程での平面図、側面(一部所面
)図、第3図(a) 、 (b)は従来の実施例装置の
平面図、断面図、第4図は従来例装置のリード構体を示
す平面図である。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・外囲器
、3・・・・・・発光ダイオードチップ、4・・・・・
・Agペースト、5・・・・・・金線、6・・・・・・
透明エポキシ樹脂、7・・・・・・被メッキ性を有する
樹脂、8・・・・・・被メッキ性を有しない樹脂、9,
10・・・・・・ポンディングパッド、11・・・・・
・カッティングライン、12・・・・・・スルーホール
、13・・・・・・メッキ面、14.15・・・・・・
端子部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名8− 発光
タイχ−トナソフ0 (Q、)            Cb)第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  被メッキ性を有する樹脂と被メッキ性を有しない樹脂
    とを一体成形して外囲構体を構成し、前記外囲構体に選
    択的にメッキを施し、同メッキ部に、発光素子および電
    気接続体を設けたことを特徴とする発光ダイオード。
JP63098620A 1988-04-21 1988-04-21 発光ダイオード Expired - Lifetime JPH07120819B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63098620A JPH07120819B2 (ja) 1988-04-21 1988-04-21 発光ダイオード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63098620A JPH07120819B2 (ja) 1988-04-21 1988-04-21 発光ダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01270282A true JPH01270282A (ja) 1989-10-27
JPH07120819B2 JPH07120819B2 (ja) 1995-12-20

Family

ID=14224596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63098620A Expired - Lifetime JPH07120819B2 (ja) 1988-04-21 1988-04-21 発光ダイオード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07120819B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04357886A (ja) * 1991-06-04 1992-12-10 Sharp Corp 電子部品
JPH058959U (ja) * 1991-07-17 1993-02-05 京セラ株式会社 発光素子収納用パツケージ
JPH05327027A (ja) * 1992-05-26 1993-12-10 Sharp Corp 電圧変動表示素子
JPH05347434A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Sharp Corp 抵抗内蔵型発光装置
WO2002059982A1 (fr) * 2001-01-24 2002-08-01 Nichia Corporation Diode electroluminescente, element optique a semi-conducteur et composition de resine epoxyde destinee a l'element optique a semi-conducteur, et procedes de production associes
US6583444B2 (en) * 1997-02-18 2003-06-24 Tessera, Inc. Semiconductor packages having light-sensitive chips
WO2004034529A1 (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Sanyo Electric Co., Ltd. 発光素子

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04357886A (ja) * 1991-06-04 1992-12-10 Sharp Corp 電子部品
JPH058959U (ja) * 1991-07-17 1993-02-05 京セラ株式会社 発光素子収納用パツケージ
JPH05327027A (ja) * 1992-05-26 1993-12-10 Sharp Corp 電圧変動表示素子
JPH05347434A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Sharp Corp 抵抗内蔵型発光装置
US6583444B2 (en) * 1997-02-18 2003-06-24 Tessera, Inc. Semiconductor packages having light-sensitive chips
US7095054B2 (en) 1997-02-18 2006-08-22 Tessera, Inc. Semiconductor package having light sensitive chips
WO2002059982A1 (fr) * 2001-01-24 2002-08-01 Nichia Corporation Diode electroluminescente, element optique a semi-conducteur et composition de resine epoxyde destinee a l'element optique a semi-conducteur, et procedes de production associes
US6960878B2 (en) 2001-01-24 2005-11-01 Nichia Corporation Light emitting diode, optical semiconductor element and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor
US7342357B2 (en) 2001-01-24 2008-03-11 Nichia Corporation Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US7550096B2 (en) 2001-01-24 2009-06-23 Nichia Corporation Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition and phosphor suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
WO2004034529A1 (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Sanyo Electric Co., Ltd. 発光素子
US7531844B2 (en) 2002-09-30 2009-05-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Light emitting element

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07120819B2 (ja) 1995-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5429992A (en) Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion
US5652461A (en) Semiconductor device with a convex heat sink
JP3704304B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法
TWI295846B (en) Semiconductor device having post-mold nickel/palladium/gold plated leads
JP2574388B2 (ja) 発光ダイオードおよびその電極の形成方法
JPH01270282A (ja) 発光ダイオード
JP2003309241A (ja) リードフレーム部材とリードフレーム部材の製造方法、及び該リードフレーム部材を用いた半導体パッケージとその製造方法
KR20070027625A (ko) 가요성 리드프레임 구조 및 집적 회로 패키지 형성 방법
JP4822038B2 (ja) ディスクリート用パッケージ及びその製造方法並びにそれに用いるリードフレーム
JP2569400B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH0729927A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPS611042A (ja) 半導体装置
EP0723293A1 (en) Semiconductor device with a heat sink and method of producing the heat sink
JP3680812B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH05144865A (ja) 半導体装置の製造方法と製造装置
JP3642545B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
US10847449B2 (en) Lead frame with selective patterned plating
JPS5986251A (ja) 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS62263665A (ja) リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JP4311294B2 (ja) 電子装置およびその製造方法
JPS61218150A (ja) 半導体装置、それに用いるリ−ドフレ−ムおよびその製造方法
KR100252862B1 (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조방법
JP2024135266A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
KR970030748A (ko) 히트싱크의 표면 처리방법 및 이를 이용한 반도체 패키지 구조
JPS63178554A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071220

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220

Year of fee payment: 13