JPH07120930A - カバーコート装着法及びパターン形成方法 - Google Patents
カバーコート装着法及びパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH07120930A JPH07120930A JP28866193A JP28866193A JPH07120930A JP H07120930 A JPH07120930 A JP H07120930A JP 28866193 A JP28866193 A JP 28866193A JP 28866193 A JP28866193 A JP 28866193A JP H07120930 A JPH07120930 A JP H07120930A
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- Japan
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- film
- coating layer
- photosensitive
- photosensitive coating
- cover coat
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感光性レジストに、高解像度で酸素による感
光性の低下がなく、微細画像パターン形成能を与えるカ
バーコート装着法及びそのカバーコートされた感光性レ
ジストを用いたパターン形成方法を提供する。 【構成】 支持フィルム上に、常温で実質的に粘着性を
もたず、酸素遮断性を有し且つ現像液に可溶性の非感光
性被膜層を形成した転写フィルムの該非感光性被膜面
を、常温で粘着性のある感光性被膜層を形成した基板上
の該感光性被膜層上に密着させた後、支持フィルムを剥
離し、非感光性被膜層を感光性被膜層に転写してカバー
コートとすることを特徴とするカバーコート装着法、及
びそのカバーコートされた感光性レジストを用いたパタ
ーン形成方法。
光性の低下がなく、微細画像パターン形成能を与えるカ
バーコート装着法及びそのカバーコートされた感光性レ
ジストを用いたパターン形成方法を提供する。 【構成】 支持フィルム上に、常温で実質的に粘着性を
もたず、酸素遮断性を有し且つ現像液に可溶性の非感光
性被膜層を形成した転写フィルムの該非感光性被膜面
を、常温で粘着性のある感光性被膜層を形成した基板上
の該感光性被膜層上に密着させた後、支持フィルムを剥
離し、非感光性被膜層を感光性被膜層に転写してカバー
コートとすることを特徴とするカバーコート装着法、及
びそのカバーコートされた感光性レジストを用いたパタ
ーン形成方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はパターン形成用感光性レ
ジストのカバーコート装着法に関し、さらに詳しくは、
支持フィルム上に酸素遮断性で実質的に非粘着性の非感
光性被膜層を形成させ、該非感光性被膜層を粘着性のあ
る感光性被膜層を形成させた基板上の該感光性被膜層上
に転写してカバーコートするパターン形成用感光性レジ
ストのカバーコート装着法及びそのカバーコートされた
感光性レジストを用いるパターン形成方法に関する。
ジストのカバーコート装着法に関し、さらに詳しくは、
支持フィルム上に酸素遮断性で実質的に非粘着性の非感
光性被膜層を形成させ、該非感光性被膜層を粘着性のあ
る感光性被膜層を形成させた基板上の該感光性被膜層上
に転写してカバーコートするパターン形成用感光性レジ
ストのカバーコート装着法及びそのカバーコートされた
感光性レジストを用いるパターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術とその課題】電子機器用回路等を形成する
ためのパターン形成方法としては、パターン印刷法、感
光性液状レジスト又は感光性ドライフィルムレジストを
用いたフォトリングラフィー等が知られているが、近
年、パターンの高密度化、細線化に伴ない、パターン印
刷では必要な精度が得難く、もっぱらフォトリングラフ
ィーによる方法が微細パターンの形成に多く用いられて
いる。
ためのパターン形成方法としては、パターン印刷法、感
光性液状レジスト又は感光性ドライフィルムレジストを
用いたフォトリングラフィー等が知られているが、近
年、パターンの高密度化、細線化に伴ない、パターン印
刷では必要な精度が得難く、もっぱらフォトリングラフ
ィーによる方法が微細パターンの形成に多く用いられて
いる。
【0003】ドライフィルムレジストは通常、光透過性
の支持フィルムとその上に形成された粘着性のある感光
性樹脂層及びその保護フィルムより成る。ドライフィル
ムレジストを使用したパターン形成方法は、光透過性支
持フィルム、感光性樹脂層及び保護フィルムより成るド
ライフィルムを、先ず、保護フィルムを剥離した後、そ
の感光性樹脂層を基板上に圧着し、必要とするパターン
が描画されたフオトマスク及び光透過性支持フィルムを
介して活性光線を照射し、ついで未露光部を選択的に溶
解する現像液により現像処理を行なって所望のパターン
を基板上に形成することからなる。
の支持フィルムとその上に形成された粘着性のある感光
性樹脂層及びその保護フィルムより成る。ドライフィル
ムレジストを使用したパターン形成方法は、光透過性支
持フィルム、感光性樹脂層及び保護フィルムより成るド
ライフィルムを、先ず、保護フィルムを剥離した後、そ
の感光性樹脂層を基板上に圧着し、必要とするパターン
が描画されたフオトマスク及び光透過性支持フィルムを
介して活性光線を照射し、ついで未露光部を選択的に溶
解する現像液により現像処理を行なって所望のパターン
を基板上に形成することからなる。
【0004】さらに、基板が銅張り積層板等のエッチン
グ可能な材料である場合には、さらにエッチング処理す
ることにより、又は、画像形成し、そして露出した銅等
の金属上に金属メッキを施した後、基板上の硬化レジス
トをアルカリ水溶液等で剥離し、ついで、露出した部分
を選択的にエッチングするエッチング液で処理すること
により、エッチングパターンを形成することができる。
グ可能な材料である場合には、さらにエッチング処理す
ることにより、又は、画像形成し、そして露出した銅等
の金属上に金属メッキを施した後、基板上の硬化レジス
トをアルカリ水溶液等で剥離し、ついで、露出した部分
を選択的にエッチングするエッチング液で処理すること
により、エッチングパターンを形成することができる。
【0005】しかるに近年、電子回路の高密度化がます
ます進み、回路パターン形成のために高度な解像度が要
求されるようになり、ドライフィルムレジストでは要求
を満し得なくなってきている。何故なら、ドライフィル
ムレジストは、光透過性支持フィルムを介して露光を行
なうため、高解像度を得るには、支持フィルムの厚みは
できるだけ薄い方がよいが、支持体フィルムが感光性樹
脂層を塗布するための支持体として機能するためには、
ある程度の厚みすなわち一般には15〜50μmの厚み
が必要であり、そうすると高解像度が得にくくなるから
である。
ます進み、回路パターン形成のために高度な解像度が要
求されるようになり、ドライフィルムレジストでは要求
を満し得なくなってきている。何故なら、ドライフィル
ムレジストは、光透過性支持フィルムを介して露光を行
なうため、高解像度を得るには、支持フィルムの厚みは
できるだけ薄い方がよいが、支持体フィルムが感光性樹
脂層を塗布するための支持体として機能するためには、
ある程度の厚みすなわち一般には15〜50μmの厚み
が必要であり、そうすると高解像度が得にくくなるから
である。
【0006】支持フィルムをはがして露光できれば解像
度は大幅に向上させることができるが、この場合、感光
層の粘着性のため、環境中のゴミ、ホコリ等が付着しや
すくなるので、作業環境を著るしくクリーンにしなけれ
ばならず、また感光層が酸素と接触するため感光性が大
幅に低下する等の問題を生じ実用化が困難である。
度は大幅に向上させることができるが、この場合、感光
層の粘着性のため、環境中のゴミ、ホコリ等が付着しや
すくなるので、作業環境を著るしくクリーンにしなけれ
ばならず、また感光層が酸素と接触するため感光性が大
幅に低下する等の問題を生じ実用化が困難である。
【0007】一方、液状フオトレジストを用いれば解像
度の問題は解決されるが、高感度のレジストを得るため
には、未硬化の感光性レジスト膜のガラス転移温度を室
温より低くすること及びレジスト膜を酸素より遮断する
ことが必要である。
度の問題は解決されるが、高感度のレジストを得るため
には、未硬化の感光性レジスト膜のガラス転移温度を室
温より低くすること及びレジスト膜を酸素より遮断する
ことが必要である。
【0008】未硬化レジスト膜のガラス転移温度を室温
より低くすると膜が粘着性となり、フォトマスク等を使
用した密着露光を行なうと、露光中にフォトマスク等に
レジスト膜が粘着し、フォトマスク等を汚染したり、レ
ジスト膜に損傷を生じたりして、ショート、断線等、形
成されるレジストパターンに欠陥を生じ易くなる。
より低くすると膜が粘着性となり、フォトマスク等を使
用した密着露光を行なうと、露光中にフォトマスク等に
レジスト膜が粘着し、フォトマスク等を汚染したり、レ
ジスト膜に損傷を生じたりして、ショート、断線等、形
成されるレジストパターンに欠陥を生じ易くなる。
【0009】また、レーザー光等による直接描画法(L
DI法)により露光を行なう場合は、雰囲気中の酸素に
よる硬化阻害を受け、感度が著しく低下する。
DI法)により露光を行なう場合は、雰囲気中の酸素に
よる硬化阻害を受け、感度が著しく低下する。
【0010】これらの問題を解決するために、ポリビニ
ルアルコール等の酸素遮断性の高い室温以上のガラス転
移温度を有する水可溶性又はアルカリ水可溶性の高分子
を主成分としたカバーコートを該レジストに塗布するこ
とが行なわれている。
ルアルコール等の酸素遮断性の高い室温以上のガラス転
移温度を有する水可溶性又はアルカリ水可溶性の高分子
を主成分としたカバーコートを該レジストに塗布するこ
とが行なわれている。
【0011】これらのカバーコートは、レジスト被膜を
非粘着性にすることが可能であり、またLDI法等に適
用する場合は必要な酸素遮断性を発揮できる膜厚であれ
ばよく、解像度の点からは薄い方がよいが、一般には膜
厚として0.5〜5μmのものが使用される。
非粘着性にすることが可能であり、またLDI法等に適
用する場合は必要な酸素遮断性を発揮できる膜厚であれ
ばよく、解像度の点からは薄い方がよいが、一般には膜
厚として0.5〜5μmのものが使用される。
【0012】しかし、粘着性の高いレジスト膜上にカバ
ーコートを0.5〜5μmの薄膜で均一に塗布すること
は一般に困難であり、カバーコート被膜の不完全さによ
る形成されるパターンの欠陥やマスクフィルムの汚染等
を生じやすい。
ーコートを0.5〜5μmの薄膜で均一に塗布すること
は一般に困難であり、カバーコート被膜の不完全さによ
る形成されるパターンの欠陥やマスクフィルムの汚染等
を生じやすい。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のよ
うな問題点のないパターン形成用レジストのカバーコー
トの装着法について鋭意検討した結果、カバーコート用
の被膜層を支持フィルムに形成させ、該被膜層を粘着性
レジスト膜上に転写するようにすれば、均一なカバーコ
ートが得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
うな問題点のないパターン形成用レジストのカバーコー
トの装着法について鋭意検討した結果、カバーコート用
の被膜層を支持フィルムに形成させ、該被膜層を粘着性
レジスト膜上に転写するようにすれば、均一なカバーコ
ートが得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【0014】かくして、本発明に従えば、支持フィルム
と、その上に形成された、常温で実質的に粘着性をもた
ず、酸素遮断性を有し且つ現像液に可溶性の非感光性被
膜層からなる転写フィルムの該非感光性被膜面を、常温
で粘着性のある感光性被膜層を有する基板上の該感光性
被膜層上に密着させた後、支持フィルムを剥離し、非感
光性被膜層を感光性被膜層に転写してカバーコートとす
ることを特徴とするカバーコート装着法が提供される。
と、その上に形成された、常温で実質的に粘着性をもた
ず、酸素遮断性を有し且つ現像液に可溶性の非感光性被
膜層からなる転写フィルムの該非感光性被膜面を、常温
で粘着性のある感光性被膜層を有する基板上の該感光性
被膜層上に密着させた後、支持フィルムを剥離し、非感
光性被膜層を感光性被膜層に転写してカバーコートとす
ることを特徴とするカバーコート装着法が提供される。
【0015】本発明によれば、さらに、上記カバーコー
ト装着法でカバーコートされた感光性レジストを用いた
パターン形成方法が提供される。
ト装着法でカバーコートされた感光性レジストを用いた
パターン形成方法が提供される。
【0016】本発明における、支持フィルム上に非感光
性被膜層を形成した転写フィルムを以下「カバーコート
転写フィルム」ということがある。また、上記カバーコ
ート装着法でカバーコートされた感光性レジストを「カ
バーコート付レジスト」ということがある。
性被膜層を形成した転写フィルムを以下「カバーコート
転写フィルム」ということがある。また、上記カバーコ
ート装着法でカバーコートされた感光性レジストを「カ
バーコート付レジスト」ということがある。
【0017】本発明のカバーコート装着法を用いれば、
極めて高感度で高解像度で信頼性が高くしかも作業性に
優れたカバーコート付き感光性レジストを基板上に容易
に形成することができる。
極めて高感度で高解像度で信頼性が高くしかも作業性に
優れたカバーコート付き感光性レジストを基板上に容易
に形成することができる。
【0018】本発明のカバーコート付レジストを用いる
エッチングパターン形成方法によれば、まず、パターン
を形成しようとする基材上に、例えば銅張積層板等の少
くとも片面がエッチング可能な材料からなる基材上のエ
ッチング可能面上に、上記した粘着性感光性被膜層を形
成した後、本発明のカバーコート転写フィルムを密着
(圧着)せしめ、支持フィルムを剥離し、該感光性被膜
層上にカバーコート層を形成した後、選択的に露光し、
次いで従来のドライフィルムの場合と同様に現像、エッ
チング処理等を行なうことにより、回路パターン等を得
ることができる。選択的な露光はパターンマスクを介し
た密着露光法、投影露光法、レーザー直描法等のそれ自
体既知の方法を用いて行なうことができる。
エッチングパターン形成方法によれば、まず、パターン
を形成しようとする基材上に、例えば銅張積層板等の少
くとも片面がエッチング可能な材料からなる基材上のエ
ッチング可能面上に、上記した粘着性感光性被膜層を形
成した後、本発明のカバーコート転写フィルムを密着
(圧着)せしめ、支持フィルムを剥離し、該感光性被膜
層上にカバーコート層を形成した後、選択的に露光し、
次いで従来のドライフィルムの場合と同様に現像、エッ
チング処理等を行なうことにより、回路パターン等を得
ることができる。選択的な露光はパターンマスクを介し
た密着露光法、投影露光法、レーザー直描法等のそれ自
体既知の方法を用いて行なうことができる。
【0019】以下、本発明の方法についてさらに詳細に
説明する。
説明する。
【0020】本発明のカバーコート転写フィルムに使用
する支持フィルムは、非感光層を塗布、乾燥して均一な
被膜を得るために必要な耐熱性、耐溶剤性を有するもの
であれば特に制限はなく、透明なものでも不透明なもの
でもよく、例えば、ポリエステルフィルム、ナイロンフ
ィルム、塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニルフィル
ム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等
の合成樹脂フィルム、又はそれらをさらに離型剤処理し
たフィルム、アルミ箔のような金属箔等を用いることが
できる。
する支持フィルムは、非感光層を塗布、乾燥して均一な
被膜を得るために必要な耐熱性、耐溶剤性を有するもの
であれば特に制限はなく、透明なものでも不透明なもの
でもよく、例えば、ポリエステルフィルム、ナイロンフ
ィルム、塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニルフィル
ム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等
の合成樹脂フィルム、又はそれらをさらに離型剤処理し
たフィルム、アルミ箔のような金属箔等を用いることが
できる。
【0021】本発明のカバーコート転写フィルムにおけ
る非感光性被膜層は、膜厚が一般に0.5〜5μm、好
ましくは1〜3μmの範囲内にあり、常温で実質的に粘
着性がなく、酸素遮断能力のある材料で形成される。非
感光性被膜層は実質的に粘着性がないことが必要である
ため、そのガラス転移点は20℃以上、さらには30℃
以上であることが好ましい。しかしガラス転移点があま
り高くなりすぎると、フィルムが硬くなりすぎるので、
通常80℃以下、特に40〜70℃の範囲内にあること
が好ましい。
る非感光性被膜層は、膜厚が一般に0.5〜5μm、好
ましくは1〜3μmの範囲内にあり、常温で実質的に粘
着性がなく、酸素遮断能力のある材料で形成される。非
感光性被膜層は実質的に粘着性がないことが必要である
ため、そのガラス転移点は20℃以上、さらには30℃
以上であることが好ましい。しかしガラス転移点があま
り高くなりすぎると、フィルムが硬くなりすぎるので、
通常80℃以下、特に40〜70℃の範囲内にあること
が好ましい。
【0022】非感光性被膜層の酸素遮断性は、膜の酸素
ガス透過率として5×10-12cc・cm/cm2・se
c・cmHg以下、特に1×10-12cc・cm/cm2
・sec・cmHg以下であることが好ましい。ここで
酸素ガス透過率はASTMstandards D−1
434−82(1986)記載の方法に準拠して測定し
た値である。
ガス透過率として5×10-12cc・cm/cm2・se
c・cmHg以下、特に1×10-12cc・cm/cm2
・sec・cmHg以下であることが好ましい。ここで
酸素ガス透過率はASTMstandards D−1
434−82(1986)記載の方法に準拠して測定し
た値である。
【0023】さらに、非感光性被膜層は現像液に実質的
に完全に溶解するものであることが望ましい。現像液に
可溶でないと、現像前にカバーコートを剥離せねばなら
ず、生産性の点で不利である。このような条件を満すカ
バーコートを形成するための皮膜形成性樹脂としては、
例えば、ポリビニルアルコール、部分ケン化ポリ酢酸ビ
ニール又はこれらの混合物、或いはポリビニルアルコー
ルと酢酸ビニルポリマーとの混合物等が挙げられる。こ
れらは皮膜形成性に優れ、水、希アルカリ水、希酸水等
の水性現像液に対する溶解性が良好であり好ましい。
に完全に溶解するものであることが望ましい。現像液に
可溶でないと、現像前にカバーコートを剥離せねばなら
ず、生産性の点で不利である。このような条件を満すカ
バーコートを形成するための皮膜形成性樹脂としては、
例えば、ポリビニルアルコール、部分ケン化ポリ酢酸ビ
ニール又はこれらの混合物、或いはポリビニルアルコー
ルと酢酸ビニルポリマーとの混合物等が挙げられる。こ
れらは皮膜形成性に優れ、水、希アルカリ水、希酸水等
の水性現像液に対する溶解性が良好であり好ましい。
【0024】一方、本発明のカバーコート付レジストの
感光性被膜層は、常温で粘着性があることが必要であ
り、そのガラス転移点は一般に5℃以下、特に0〜−6
℃の範囲内にあることが好ましい。また、感光性被膜層
は、活性光線照射により架橋硬化する必要があるため、
感光性被膜層を形成する感光性樹脂組成物中の樹脂及び
/又は添加物は光照射により直接又は間接的に活性化
し、反応して架橋硬化しうる感光性官能基を含有する。
感光性被膜層は、常温で粘着性があることが必要であ
り、そのガラス転移点は一般に5℃以下、特に0〜−6
℃の範囲内にあることが好ましい。また、感光性被膜層
は、活性光線照射により架橋硬化する必要があるため、
感光性被膜層を形成する感光性樹脂組成物中の樹脂及び
/又は添加物は光照射により直接又は間接的に活性化
し、反応して架橋硬化しうる感光性官能基を含有する。
【0025】該組成物中の感光性官能基が間接的に光に
より活性化するものである場合には、感光性被膜層に、
光により活性化し、官能基の反応を生じさせる開始剤又
は開始剤/増感剤(開始剤系)をさらに含有させる。
より活性化するものである場合には、感光性被膜層に、
光により活性化し、官能基の反応を生じさせる開始剤又
は開始剤/増感剤(開始剤系)をさらに含有させる。
【0026】また、感光性被膜層は未露光部が現像液に
可溶性である必要がある。現像液としては通常水、弱ア
ルカリ性又は弱酸性の水性現像液を用いることが好まし
いが、このような水性現像液で現像しうるためには、感
光性被膜層を形成する樹脂組成物は、中和により解離し
うる塩を形成するカルボキシル基、アミノ基等の官能基
を樹脂1kg当たり0.5モル〜3モル程度、又はそれ
自体水溶性のオニウム塩基、例えば4級アンモニウム塩
基、3級スルホニウム塩基等の如き官能基を樹脂1kg
当たり0.3モル〜2モル程度含有することが好まし
い。
可溶性である必要がある。現像液としては通常水、弱ア
ルカリ性又は弱酸性の水性現像液を用いることが好まし
いが、このような水性現像液で現像しうるためには、感
光性被膜層を形成する樹脂組成物は、中和により解離し
うる塩を形成するカルボキシル基、アミノ基等の官能基
を樹脂1kg当たり0.5モル〜3モル程度、又はそれ
自体水溶性のオニウム塩基、例えば4級アンモニウム塩
基、3級スルホニウム塩基等の如き官能基を樹脂1kg
当たり0.3モル〜2モル程度含有することが好まし
い。
【0027】該組成物の被膜形成成分としては、樹脂成
分及び必要に応じて添加される多ビニルモノマー、低分
子エポキシオリゴマー等の架橋硬化性の感光性官能基を
有する低分子化合物が挙げられる。
分及び必要に応じて添加される多ビニルモノマー、低分
子エポキシオリゴマー等の架橋硬化性の感光性官能基を
有する低分子化合物が挙げられる。
【0028】樹脂成分はそれ自体架橋硬化性官能基を含
有していてもよく或いは含有していなくてもよいが、被
膜形成成分全体として架橋硬化性の感光性官能基を被膜
形成成分1kg当たり一般に1.0〜7モル、好ましく
は2モル〜5モルの範囲内で含むことが重要である。感
光性官能基の量が1モルより少ないと硬化性が悪くな
り、パターン形成に長時間を要し、また7モルより多い
とエッチングにより基板上にパターンを形成した後の硬
化レジストの剥離が困難となりやすい。
有していてもよく或いは含有していなくてもよいが、被
膜形成成分全体として架橋硬化性の感光性官能基を被膜
形成成分1kg当たり一般に1.0〜7モル、好ましく
は2モル〜5モルの範囲内で含むことが重要である。感
光性官能基の量が1モルより少ないと硬化性が悪くな
り、パターン形成に長時間を要し、また7モルより多い
とエッチングにより基板上にパターンを形成した後の硬
化レジストの剥離が困難となりやすい。
【0029】架橋硬化性の感光性官能基としては、照射
された活性光線により直接又は間接に活性化して架橋硬
化できるものであれば特に制限はなく、例えば、(メ
タ)アクリロイル基、シンナモイル基、カルコン基、ビ
スアジド基、エポキシ基等が挙げられるが、特に比較的
容易に樹脂や低分子化合物中に導入できる(メタ)アク
リロイル基が特に好ましい。
された活性光線により直接又は間接に活性化して架橋硬
化できるものであれば特に制限はなく、例えば、(メ
タ)アクリロイル基、シンナモイル基、カルコン基、ビ
スアジド基、エポキシ基等が挙げられるが、特に比較的
容易に樹脂や低分子化合物中に導入できる(メタ)アク
リロイル基が特に好ましい。
【0030】樹脂成分としては、例えば、アクリル系樹
脂、エポキシエステル系樹脂、ポリエステル系樹脂、マ
レイン化ポリブタジエン系樹脂、スチレン−無水マレイ
ン酸共重合体等の樹脂を使用することができる。
脂、エポキシエステル系樹脂、ポリエステル系樹脂、マ
レイン化ポリブタジエン系樹脂、スチレン−無水マレイ
ン酸共重合体等の樹脂を使用することができる。
【0031】感光性官能基を導入した光硬化性樹脂とし
ては、例えば、(メタ)アクリル酸とその他の共重合可
能なモノマーとの共重合体にグリシジル(メタ)アクリ
レート又は3,4−エポキシシクロヘキシルメタノール
の(メタ)アクリル酸エステルを付加させた高酸価不飽
和アクリル樹脂;ジメチルアミノエチル(メタ)アクリ
レートとグリシジル(メタ)アクリレートとその他の共
重合可能なモノマーとを共重合させたエポキシ基含有ア
クリル樹脂又はこれに(メタ)アクリル酸を付加させた
不飽和アクリル樹脂;高酸価ポリエステルにエポキシ基
含有不飽和モノマーを付加させた高酸価不飽和ポリエス
テル;マレイン化ポリブタジエン、スチレン−マレイン
酸共重合体等の酸無水物含有ポリマーに水酸基含有不飽
和モノマーを付加させた不飽和樹脂等が挙げられる。
ては、例えば、(メタ)アクリル酸とその他の共重合可
能なモノマーとの共重合体にグリシジル(メタ)アクリ
レート又は3,4−エポキシシクロヘキシルメタノール
の(メタ)アクリル酸エステルを付加させた高酸価不飽
和アクリル樹脂;ジメチルアミノエチル(メタ)アクリ
レートとグリシジル(メタ)アクリレートとその他の共
重合可能なモノマーとを共重合させたエポキシ基含有ア
クリル樹脂又はこれに(メタ)アクリル酸を付加させた
不飽和アクリル樹脂;高酸価ポリエステルにエポキシ基
含有不飽和モノマーを付加させた高酸価不飽和ポリエス
テル;マレイン化ポリブタジエン、スチレン−マレイン
酸共重合体等の酸無水物含有ポリマーに水酸基含有不飽
和モノマーを付加させた不飽和樹脂等が挙げられる。
【0032】感光性官能基を含まない樹脂としては、例
えば、(メタ)アクリル酸を含む重合性モノマーを重合
してなる高酸価アクリル樹脂;ジメチルアミノエチル
(メタ)アクリレート等の塩基性モノマーを含む重合性
モノマーを重合してなるアミノ基含有アクリル樹脂;高
酸価ポリエステル;マレイン化ポリブタジエン;スチレ
ン−無水マレイン酸共重合体の加水分解物又は半エステ
ル化物等を挙げることができる。
えば、(メタ)アクリル酸を含む重合性モノマーを重合
してなる高酸価アクリル樹脂;ジメチルアミノエチル
(メタ)アクリレート等の塩基性モノマーを含む重合性
モノマーを重合してなるアミノ基含有アクリル樹脂;高
酸価ポリエステル;マレイン化ポリブタジエン;スチレ
ン−無水マレイン酸共重合体の加水分解物又は半エステ
ル化物等を挙げることができる。
【0033】また、自己水溶性のあるポリマーとして
は、例えば、エポキシ基含有樹脂のエポキシ基を部分的
にエステル化及びオニウム塩化したもの又はすべてをオ
ニウム塩化したもの等が挙げられる。エステル化のため
の酸及び/又はオニウム塩化の対イオンとして、飽和酸
及び/又は重合性不飽和酸を用いることにより、樹脂中
に感光性官能基を含有するもの又は含有しないものを得
ることができる。
は、例えば、エポキシ基含有樹脂のエポキシ基を部分的
にエステル化及びオニウム塩化したもの又はすべてをオ
ニウム塩化したもの等が挙げられる。エステル化のため
の酸及び/又はオニウム塩化の対イオンとして、飽和酸
及び/又は重合性不飽和酸を用いることにより、樹脂中
に感光性官能基を含有するもの又は含有しないものを得
ることができる。
【0034】本発明のカバーコート付レジストの感光性
被膜層を形成するための樹脂組成物中に含ませうる樹脂
以外の成分で架橋硬化性の感光性官能基を有する添加物
としては、例えば、ポリオールの(メタ)アクリレー
ト;ポリエーテル、ポリエステル、ポリウレタン等のオ
リゴマーの(メタ)アクリレート;1分子中に2個以上
のエポキシ基を有する低分子オリゴマー等が挙げられ
る。
被膜層を形成するための樹脂組成物中に含ませうる樹脂
以外の成分で架橋硬化性の感光性官能基を有する添加物
としては、例えば、ポリオールの(メタ)アクリレー
ト;ポリエーテル、ポリエステル、ポリウレタン等のオ
リゴマーの(メタ)アクリレート;1分子中に2個以上
のエポキシ基を有する低分子オリゴマー等が挙げられ
る。
【0035】樹脂とこれらオリゴマー類との混合比率は
厳密に制限されないが、一般には樹脂/オリゴマーの重
量比で100/0〜40/60、好ましくは、100/
0〜60/40の範囲内が好適である。
厳密に制限されないが、一般には樹脂/オリゴマーの重
量比で100/0〜40/60、好ましくは、100/
0〜60/40の範囲内が好適である。
【0036】本発明のカバーコート付レジストの感光性
被膜層を形成する光硬化性樹脂組成物に光照射による架
橋硬化を行なわせるために含有させうる光重合開始剤と
しては、活性光線で重合を開始する光重合開始剤単独、
光重合開始剤と増感剤との組合せ、又はラジカル発生剤
と増感剤とを組合せた光重合開始剤系等を使用すること
ができる。
被膜層を形成する光硬化性樹脂組成物に光照射による架
橋硬化を行なわせるために含有させうる光重合開始剤と
しては、活性光線で重合を開始する光重合開始剤単独、
光重合開始剤と増感剤との組合せ、又はラジカル発生剤
と増感剤とを組合せた光重合開始剤系等を使用すること
ができる。
【0037】すなわち、光励起によりそれ自体単独であ
るいは増感剤との相互作用により分解する物質、より詳
しくは、自身の開裂反応によりあるいは他分子からの水
素引き抜き反応により、前記感光性官能基の架橋反応な
いし重合反応に対して活性な基を発生する化合物等を光
重合開始剤として使用することができる。
るいは増感剤との相互作用により分解する物質、より詳
しくは、自身の開裂反応によりあるいは他分子からの水
素引き抜き反応により、前記感光性官能基の架橋反応な
いし重合反応に対して活性な基を発生する化合物等を光
重合開始剤として使用することができる。
【0038】また、本発明のカバーコート付レジストの
感光性被膜層を形成する光硬化性樹脂組成物に含有させ
うる光重合開始剤の具体例としては、例えば以下のもの
を挙げることができる。これらは活性光線の特性に応じ
て適宜選択して使用することができる。
感光性被膜層を形成する光硬化性樹脂組成物に含有させ
うる光重合開始剤の具体例としては、例えば以下のもの
を挙げることができる。これらは活性光線の特性に応じ
て適宜選択して使用することができる。
【0039】ベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテ
ル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、キサ
ントン、チオキサントン、アントラキノン等の芳香族カ
ルボニル化合物;アセトフェノン、プロピオフェノン、
α−ヒドロキシイソブチルフェノン、α,α′−ジクロ
ル−4−フェノキシアセトフェノン、1−ヒドロキシ−
1−シクロヘキシルアセトフェノン、アセトフェノン等
のアセトフェノン類;ベンゾイルパーオキサイド、tert
−ブチル−パーオキシベンゾエート、tert−ブチル−パ
ーオキシ−2−エチルヘキサノエート、tert−ブチルハ
イドロパーオキサイド、ジ−tert−ブチルジパーオキシ
イソフタレート、3,3′,4,4′−テトラ(tert−ブ
チルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン等の有機過
酸化物;ジフェニルヨードニウムブロマイド、ジフェニ
ルヨードニウムクロライド等のジフェニルハロニウム
塩;四塩化炭素、四臭化炭素、クロロホルム、ヨードホ
ルム等の有機ハロゲン化物;3−フェニル−5−イソオ
キサゾロン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−
1,3,5−トリアジンベンズアントロン等の複素環式お
よび多環式化合物;2,2′−アゾビス(2,4−ジメチ
ルバレロニトリル)、2,2′−アゾビスイソブチロニ
トリル、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カ
ルボニトリル)、2,2′−アゾビス(2−メチルブチ
ロニトリル)等のアゾ化合物;鉄−アレン錯体(Iron‐
Arene Complex:ヨーロッパ特許第152377号明細
書参照);チタノセン化合物(特開昭63−22111
0号公報参照);等。
ル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、キサ
ントン、チオキサントン、アントラキノン等の芳香族カ
ルボニル化合物;アセトフェノン、プロピオフェノン、
α−ヒドロキシイソブチルフェノン、α,α′−ジクロ
ル−4−フェノキシアセトフェノン、1−ヒドロキシ−
1−シクロヘキシルアセトフェノン、アセトフェノン等
のアセトフェノン類;ベンゾイルパーオキサイド、tert
−ブチル−パーオキシベンゾエート、tert−ブチル−パ
ーオキシ−2−エチルヘキサノエート、tert−ブチルハ
イドロパーオキサイド、ジ−tert−ブチルジパーオキシ
イソフタレート、3,3′,4,4′−テトラ(tert−ブ
チルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン等の有機過
酸化物;ジフェニルヨードニウムブロマイド、ジフェニ
ルヨードニウムクロライド等のジフェニルハロニウム
塩;四塩化炭素、四臭化炭素、クロロホルム、ヨードホ
ルム等の有機ハロゲン化物;3−フェニル−5−イソオ
キサゾロン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−
1,3,5−トリアジンベンズアントロン等の複素環式お
よび多環式化合物;2,2′−アゾビス(2,4−ジメチ
ルバレロニトリル)、2,2′−アゾビスイソブチロニ
トリル、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カ
ルボニトリル)、2,2′−アゾビス(2−メチルブチ
ロニトリル)等のアゾ化合物;鉄−アレン錯体(Iron‐
Arene Complex:ヨーロッパ特許第152377号明細
書参照);チタノセン化合物(特開昭63−22111
0号公報参照);等。
【0040】前記した鉄−アレン錯体の好適な例として
は、例えば下記一般式(I)、(II)及び(III)
で示されるものを挙げることができる。
は、例えば下記一般式(I)、(II)及び(III)
で示されるものを挙げることができる。
【0041】
【化1】
【0042】上記式中、XはBF4、PF6、AsF6又
はSbF6を表わし;R1及びR2はそれぞれ炭素数1〜
6の直鎖状又は分岐状アルキル基、例えば、メチル基、
エチル基、イソプロピル基、n−ブチル基などを表わ
す。
はSbF6を表わし;R1及びR2はそれぞれ炭素数1〜
6の直鎖状又は分岐状アルキル基、例えば、メチル基、
エチル基、イソプロピル基、n−ブチル基などを表わ
す。
【0043】また、前記したチタノセン化合物の好適な
例としては、下記一般式(IV)で示されるものを挙げ
ることができる。
例としては、下記一般式(IV)で示されるものを挙げ
ることができる。
【0044】
【化2】 式中、2つのR3は各々独立して非置換の又は1〜2個
のメチル基で置換されたシクロペンタジエニル基(好ま
しくは、シクロペンタジエニル又はメチルシクロペンタ
ジエニル)を表わし;R4及びR5は各々独立して下記式
のメチル基で置換されたシクロペンタジエニル基(好ま
しくは、シクロペンタジエニル又はメチルシクロペンタ
ジエニル)を表わし;R4及びR5は各々独立して下記式
【0045】
【化3】
【0046】[式中、R6は弗素原子、−CF3又は−C
F2CH3を表わし、R7、R8、R9及びR10は各々独立
して水素原子、弗素原子、−CF3、−CF2CH3、C1
〜C18のアルキル基、アルコキシ基又は
F2CH3を表わし、R7、R8、R9及びR10は各々独立
して水素原子、弗素原子、−CF3、−CF2CH3、C1
〜C18のアルキル基、アルコキシ基又は
【0047】
【化4】
【0048】を示す]を表わす。
【0049】上記チタノセン化合物の具体例としては、
例えば
例えば
【0050】
【化5】
【0051】
【化6】
【0052】などを挙げることができる。
【0053】これら重合開始剤の使用量は臨界的なもの
ではなく、その種類等に応じて広い範囲で変えることが
できるが、一般には、前述した光硬化性樹脂固形分10
0重量部当たり0.1〜25重量部、好ましくは0.2〜
10重量部の範囲内とすることができる。25重量部を
越えて多量に用いると、得られる組成物の安定性が低下
する傾向がみられる。
ではなく、その種類等に応じて広い範囲で変えることが
できるが、一般には、前述した光硬化性樹脂固形分10
0重量部当たり0.1〜25重量部、好ましくは0.2〜
10重量部の範囲内とすることができる。25重量部を
越えて多量に用いると、得られる組成物の安定性が低下
する傾向がみられる。
【0054】本発明のカバーコート付レジストの感光性
被膜層を形成する光硬化性樹脂組成物において、光重合
開始剤と組合せて分光増感剤を併用すると感光性を大幅
に向上させることができる。そのような分光増感剤のそ
の具体例としては、チオキサンテン系、キサンテン系、
ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メ
ロシアニン系、3−置換クマリン系、シアニン系、アク
リジン系、チアジン系等の色素類が挙げられる。
被膜層を形成する光硬化性樹脂組成物において、光重合
開始剤と組合せて分光増感剤を併用すると感光性を大幅
に向上させることができる。そのような分光増感剤のそ
の具体例としては、チオキサンテン系、キサンテン系、
ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メ
ロシアニン系、3−置換クマリン系、シアニン系、アク
リジン系、チアジン系等の色素類が挙げられる。
【0055】これら分光増感剤の使用量はその種類や光
硬化性樹脂(その多ビニルモノマー等との混合物、をも
包含する)及び/又は光重合開始剤の種類等によって異
なり、厳密に規定することは困難であるが、一般的に言
えば光硬化性樹脂固形分100重量部当たり0.1〜1
0重量部、好ましくは0.3〜5重量部の範囲内が適当
である。分光増感剤の使用量が0.1重量部より少なす
ぎると、形成される被膜の感光性が低下するので好まし
くなく、10重量部より多くなると、組成物中に分光増
感剤を均一な状態で保つことが困難となる傾向がみられ
る。
硬化性樹脂(その多ビニルモノマー等との混合物、をも
包含する)及び/又は光重合開始剤の種類等によって異
なり、厳密に規定することは困難であるが、一般的に言
えば光硬化性樹脂固形分100重量部当たり0.1〜1
0重量部、好ましくは0.3〜5重量部の範囲内が適当
である。分光増感剤の使用量が0.1重量部より少なす
ぎると、形成される被膜の感光性が低下するので好まし
くなく、10重量部より多くなると、組成物中に分光増
感剤を均一な状態で保つことが困難となる傾向がみられ
る。
【0056】本発明のカバーコート付レジストの感光性
被膜層を形成する光硬化性樹脂組成物において、光重合
開始剤と組合わせて使用し得る分光増感剤の具体例を示
せば次のとおりである。
被膜層を形成する光硬化性樹脂組成物において、光重合
開始剤と組合わせて使用し得る分光増感剤の具体例を示
せば次のとおりである。
【0057】(1) キサンテン系及びチオキサンテン
系色素:下記式
系色素:下記式
【0058】
【化7】
【0059】式中、Aは酸素原子または硫黄原子であ
り;X1及びX2は各々水素原子又は塩素、臭素などのハ
ロゲン原子であり;Y1は炭素原子又は窒素原子(ただ
し、Y1が炭素原子である場合には隣接する炭素原子と
の間(点線で示した箇所)は二重結合であり、Y1が窒
素原子である場合には隣接する炭素原子との間は一重結
合である)であり;Zは酸素原子(この場合隣接する炭
素原子との間は二重結合である)、低級アルコキシ基又
は低級アルカノイルオキシ基であり;R11は低級アルキ
ル基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級
アルキル基、ジ低級アルキルアミノ低級アルキル基又は
アリール基であり;R12は低級アルコキシ基又はジ低級
アルキルアミノ基である、で示されるキサンテンまたは
チオキサンテン系色素類を挙げることができる(例え
ば、特開昭62−31848号公報参照)。
り;X1及びX2は各々水素原子又は塩素、臭素などのハ
ロゲン原子であり;Y1は炭素原子又は窒素原子(ただ
し、Y1が炭素原子である場合には隣接する炭素原子と
の間(点線で示した箇所)は二重結合であり、Y1が窒
素原子である場合には隣接する炭素原子との間は一重結
合である)であり;Zは酸素原子(この場合隣接する炭
素原子との間は二重結合である)、低級アルコキシ基又
は低級アルカノイルオキシ基であり;R11は低級アルキ
ル基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級
アルキル基、ジ低級アルキルアミノ低級アルキル基又は
アリール基であり;R12は低級アルコキシ基又はジ低級
アルキルアミノ基である、で示されるキサンテンまたは
チオキサンテン系色素類を挙げることができる(例え
ば、特開昭62−31848号公報参照)。
【0060】(2) ケトン系色素:下記式
【0061】
【化8】
【0062】式中、R13はメチル、エチルなど低級アル
キル基を表わし;R14は水素原子又は−CO−C6H5を
表わす、で示されるケトン系色素類を挙げることができ
る。
キル基を表わし;R14は水素原子又は−CO−C6H5を
表わす、で示されるケトン系色素類を挙げることができ
る。
【0063】(3) (チオ)ピリリウム塩系色素:下
記式
記式
【0064】
【化9】
【0065】式中、R15、R16、R17は各々独立に水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、エ
チレニル基、スチリル基、アルコキシ基、フエニル基、
ナフチル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル
基、ヒドロキシフェニル基、ハロフェニル基、ニトロフ
ェニル基、アミノフェニル基、ニトロ基、アミノ基又は
水酸基を表わし;X3は酸素原子または硫黄原子を表わ
し;Y2 - はアニオン官能基を表わす、で示されるピリ
リウム塩またはチオピリリウム塩を挙げることができ
る。ここで、Y2で表わされるアニオン官能基としては
例えばパークロレート、フルオロボレート、クロロアル
ミネート、クロロフェレート、サルファアセテート、メ
トサルフェート、フルオロアンチモネート、チオシアネ
ート等が挙げられる(例えば、特開昭61−21383
8号公報参照)。
原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、エ
チレニル基、スチリル基、アルコキシ基、フエニル基、
ナフチル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル
基、ヒドロキシフェニル基、ハロフェニル基、ニトロフ
ェニル基、アミノフェニル基、ニトロ基、アミノ基又は
水酸基を表わし;X3は酸素原子または硫黄原子を表わ
し;Y2 - はアニオン官能基を表わす、で示されるピリ
リウム塩またはチオピリリウム塩を挙げることができ
る。ここで、Y2で表わされるアニオン官能基としては
例えばパークロレート、フルオロボレート、クロロアル
ミネート、クロロフェレート、サルファアセテート、メ
トサルフェート、フルオロアンチモネート、チオシアネ
ート等が挙げられる(例えば、特開昭61−21383
8号公報参照)。
【0066】(4) ベーススチリル系色素:下記式
【0067】
【化10】
【0068】式中、X4は以下に示す複素環を有する基
を表わす、
を表わす、
【0069】
【化11】
【0070】で示されるベーススチリル系色素類を挙げ
ることができる。
ることができる。
【0071】(5) メロシアニン系色素:下記式
(A)
(A)
【0072】
【化12】
【0073】式中、R18及びR19は各々水素原子又は炭
素数1〜4のアルキル基を表わし;nは1〜3の整数を
表わし;X5は以下に示す基を表わす、
素数1〜4のアルキル基を表わし;nは1〜3の整数を
表わし;X5は以下に示す基を表わす、
【0074】
【化13】
【0075】下記式(B)
【0076】
【化14】
【0077】式中、X6及びX7は各々硫黄原子、酸素原
子又は−C(CH3)2−を表わし;R20、R21及びR22は
各々水素原子、炭素数1〜6までのアルキル基又はアリ
ール基を表わす、下記式(C)
子又は−C(CH3)2−を表わし;R20、R21及びR22は
各々水素原子、炭素数1〜6までのアルキル基又はアリ
ール基を表わす、下記式(C)
【0078】
【化15】
【0079】式中、R20、R21及びR22は各々水素原
子、炭素数1〜6までのアルキル基又はアリール基を表
わし;X8は水素原子又はアルカリ金属を表わす、で示
されるメロシアニン系色素類を挙げることができる(例
えば、特開昭61−213838号公報参照)。
子、炭素数1〜6までのアルキル基又はアリール基を表
わし;X8は水素原子又はアルカリ金属を表わす、で示
されるメロシアニン系色素類を挙げることができる(例
えば、特開昭61−213838号公報参照)。
【0080】(6) 3−置換クマリン類:下記構造式
で示される3−置換クマリン類を挙げることができる
(特開昭61−97650号公報参照)。
で示される3−置換クマリン類を挙げることができる
(特開昭61−97650号公報参照)。
【0081】
【化16】
【0082】
【化17】
【0083】
【化18】
【0084】
【化19】
【0085】
【化20】
【0086】
【化21】
【0087】
【化22】
【0088】(7) 3,4−置換クマリン類:下記式
(D)
(D)
【0089】
【化23】
【0090】式中、R23およびR24は同一又は相異な
り、各々メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル等の低級アルキル基を表わし;R25は水素原子、又
はメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル等
の低級アルキル基、メトキシメチル、メトキシエチル、
エトキシエチル、プロポキシエチル、メトキシプロピ
ル、エトキシプロピル、プロポキシプロピル等のアルコ
キシアルキル基、ヒドロキシメトキシエチル、、ヒドロ
キシエトキシエチル、ヒドロキシプロキシエチル、ヒド
ロキシメトキシプロピル、ヒドロキシエトキシプロピ
ル、ヒドロキシプロポキシプロピル等のヒドロキシアル
コキシアルキル基、メトキシカルボニルメチル、エトキ
シカルボニルメチル、エトキシカルボニルエチル、プロ
ポキシカルボニルプロピル、ブトキシカルボニルブチル
などのアルコキシカルボニルアルキル基を表わす、で示
される化合物。
り、各々メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル等の低級アルキル基を表わし;R25は水素原子、又
はメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル等
の低級アルキル基、メトキシメチル、メトキシエチル、
エトキシエチル、プロポキシエチル、メトキシプロピ
ル、エトキシプロピル、プロポキシプロピル等のアルコ
キシアルキル基、ヒドロキシメトキシエチル、、ヒドロ
キシエトキシエチル、ヒドロキシプロキシエチル、ヒド
ロキシメトキシプロピル、ヒドロキシエトキシプロピ
ル、ヒドロキシプロポキシプロピル等のヒドロキシアル
コキシアルキル基、メトキシカルボニルメチル、エトキ
シカルボニルメチル、エトキシカルボニルエチル、プロ
ポキシカルボニルプロピル、ブトキシカルボニルブチル
などのアルコキシカルボニルアルキル基を表わす、で示
される化合物。
【0091】上記増感剤の具体例としては、下記構造式
で示される3,4−置換クマリン類を挙げることができ
る(特願平3−223759号公報参照)。
で示される3,4−置換クマリン類を挙げることができ
る(特願平3−223759号公報参照)。
【0092】
【化24】
【0093】
【化25】
【0094】(8) シアニン系色素:下記式(E)
【0095】
【化26】
【0096】式中、R26は水素原子、炭素数1〜6のア
ルキル基、アリール基、アルコキシ基又はジアルキルア
ミノ基を表わし;R27は水素原子、炭素数1〜10のア
ルキル基又はアリール基を表わし;X9はハロゲン原子
を表わし;nは1〜3までの整数を表わし;Y3は以下
に示す基を表わす、
ルキル基、アリール基、アルコキシ基又はジアルキルア
ミノ基を表わし;R27は水素原子、炭素数1〜10のア
ルキル基又はアリール基を表わし;X9はハロゲン原子
を表わし;nは1〜3までの整数を表わし;Y3は以下
に示す基を表わす、
【0097】
【化27】
【0098】下記式(F)
【0099】
【化28】
【0100】式中、R28及びR29は各々独立に水素原
子、炭素数1〜10のアルキル基又はアリール基を表わ
し;X10はハロゲン原子を表わし;式中の点線で示され
る含窒素複素環を有する基は以下に示す基を表わす、
子、炭素数1〜10のアルキル基又はアリール基を表わ
し;X10はハロゲン原子を表わし;式中の点線で示され
る含窒素複素環を有する基は以下に示す基を表わす、
【0101】
【化29】
【0102】下記式(G)
【0103】
【化30】
【0104】式中、R30は水素原子、炭素数1〜6のア
ルキル基、アリール基又はアルコキシ基を表わし;R31
は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基又はアリール
基を表わし;X11はハロゲン原子を表わし;nは1〜3
までの整数を表わし;Y4は以下に示す基を表わす、
ルキル基、アリール基又はアルコキシ基を表わし;R31
は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基又はアリール
基を表わし;X11はハロゲン原子を表わし;nは1〜3
までの整数を表わし;Y4は以下に示す基を表わす、
【0105】
【化31】
【0106】で示されるシアニン系色素を挙げることが
できる(特開昭61−213838号公報)。
できる(特開昭61−213838号公報)。
【0107】本発明のフィルムレジストの感光性被膜層
を形成する光硬化性組成物には、必要に応じて、下記一
般式(a)〜(f)で示される含窒素化合物を配合する
ことができる。
を形成する光硬化性組成物には、必要に応じて、下記一
般式(a)〜(f)で示される含窒素化合物を配合する
ことができる。
【0108】
【化32】
【0109】式中、Xは水素原子又は水酸基を表わし;
R32、R33及びR34はそれぞれ水素原子、塩素原子又は
炭素数1〜6のアルキル基を表わす、
R32、R33及びR34はそれぞれ水素原子、塩素原子又は
炭素数1〜6のアルキル基を表わす、
【0110】
【化33】
【0111】式中、R35及びR36はそれぞれ水素原子又
は炭素数1〜6のアルキル基を表わす、
は炭素数1〜6のアルキル基を表わす、
【0112】
【化34】
【0113】式中、R37、R38及びR39はそれぞれ水素
原子、水酸基又は炭素数1〜12のアルキル基を表わ
す、
原子、水酸基又は炭素数1〜12のアルキル基を表わ
す、
【0114】
【化35】
【0115】式中、R40、R41及びR42はそれぞれ水素
原子、水酸基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数
1〜12のアルコキシ基を表わす、
原子、水酸基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数
1〜12のアルコキシ基を表わす、
【0116】
【化36】
【0117】式中、R43は水素原子、水酸基又は炭素数
1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ
基を表わす、
1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ
基を表わす、
【0118】
【化37】
【0119】式中、R44及びR45はそれぞれ水素原子又
は炭素数1〜12のアルキル基を表わし、nは1〜3の
整数である。
は炭素数1〜12のアルキル基を表わし、nは1〜3の
整数である。
【0120】前記一般式(a)で示される化合物として
は、例えば、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリア
ゾール、N−ヒドロキシベンゾトリアゾール、クロルベ
ンゾトリアゾール、ジクロルベンゾトリアゾール、トリ
クロロベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール類を
挙げることができる。
は、例えば、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリア
ゾール、N−ヒドロキシベンゾトリアゾール、クロルベ
ンゾトリアゾール、ジクロルベンゾトリアゾール、トリ
クロロベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール類を
挙げることができる。
【0121】一般式(b)で示される化合物としては、
例えば、3−メチルピラゾール、3,5−ジメチルピラ
ゾール等のピラゾール類を挙げることができる。
例えば、3−メチルピラゾール、3,5−ジメチルピラ
ゾール等のピラゾール類を挙げることができる。
【0122】一般式(c)で示される化合物としては、
例えば、下記式で示される化合物等を挙げることができ
る。
例えば、下記式で示される化合物等を挙げることができ
る。
【0123】
【化38】
【0124】一般式(d)で示される化合物としては、
例えば、下記式で示される化合物等を挙げることができ
る。
例えば、下記式で示される化合物等を挙げることができ
る。
【0125】
【化39】
【0126】一般式(e)で示される化合物としては、
例えば、下記式で示される化合物等を挙げることができ
る。
例えば、下記式で示される化合物等を挙げることができ
る。
【0127】
【化40】
【0128】また、一般式(f)で示される化合物とし
ては、例えば、下記式で示される化合物等を挙げること
ができる。
ては、例えば、下記式で示される化合物等を挙げること
ができる。
【0129】
【化41】
【0130】前記した含窒素化合物の中でも特に好適な
ものは前記一般式(a)で示されるベンゾトリアゾール
類である。
ものは前記一般式(a)で示されるベンゾトリアゾール
類である。
【0131】含窒素化合物は、本発明のカバーコート付
レジストの感光性被膜層を形成する光硬化性樹脂組成物
において、1種もしくは2種以上組合せて使用すること
ができ、その使用量は光硬化性樹脂固形分100重量部
に対して、一般に0.01〜20重量部、好ましくは0.
1〜10重量部の範囲内とすることができる。
レジストの感光性被膜層を形成する光硬化性樹脂組成物
において、1種もしくは2種以上組合せて使用すること
ができ、その使用量は光硬化性樹脂固形分100重量部
に対して、一般に0.01〜20重量部、好ましくは0.
1〜10重量部の範囲内とすることができる。
【0132】前記した含窒素化合物を光硬化性樹脂組成
物に配合した場合、増感作用が増幅され非常に感度の高
いものとなり、同時に画像の解像力も増幅される。
物に配合した場合、増感作用が増幅され非常に感度の高
いものとなり、同時に画像の解像力も増幅される。
【0133】また、非感光性被膜層及び/又は感光性被
膜層を形成する樹脂組成物中に、染料、着色顔料、付着
向上剤、重合禁止剤、塗面改良剤、可塑剤等の非反応性
添加剤、あるいは塗布を容易にするための水、有機溶剤
等の溶媒を含ませることができる。
膜層を形成する樹脂組成物中に、染料、着色顔料、付着
向上剤、重合禁止剤、塗面改良剤、可塑剤等の非反応性
添加剤、あるいは塗布を容易にするための水、有機溶剤
等の溶媒を含ませることができる。
【0134】本発明のカバーコート転写フィルム及びカ
バーコート付レジストにおいては、各層間の付着力が充
分コントロールされていることが重要であり、各層間の
接着強度(JIS Z 0287−1980に準拠した1
80°ピール強度)は、カバーコート転写フィルムの支
持フィルム/非感光性層間で一般に1.5〜10g/c
m、好ましくは1.5〜5g/cm;カバーコート付レ
ジストの非感光性層/感光性層間は通常20g/cm以
上とすることができる。
バーコート付レジストにおいては、各層間の付着力が充
分コントロールされていることが重要であり、各層間の
接着強度(JIS Z 0287−1980に準拠した1
80°ピール強度)は、カバーコート転写フィルムの支
持フィルム/非感光性層間で一般に1.5〜10g/c
m、好ましくは1.5〜5g/cm;カバーコート付レ
ジストの非感光性層/感光性層間は通常20g/cm以
上とすることができる。
【0135】これらの各層間接着力の調整は、それぞれ
の層の材質の選択、反応性及び非反応性添加剤の選択等
により容易に行なうことができる。
の層の材質の選択、反応性及び非反応性添加剤の選択等
により容易に行なうことができる。
【0136】本発明のカバーコート付レジストの作成は
例えば次のようにして行なうことができる。
例えば次のようにして行なうことができる。
【0137】(イ) 支持フィルム上に非感光性被膜層
を塗布し乾燥する。
を塗布し乾燥する。
【0138】(ロ) 基板上に常温で粘着性の感光性被
膜層を塗布し、乾燥する。
膜層を塗布し、乾燥する。
【0139】(ハ) 該粘着性感光性被膜層上に非感光
性被膜層を密着した後、支持フィルムを剥離して非感光
性被膜層を感光性被膜層上に転写してカバーコートす
る。
性被膜層を密着した後、支持フィルムを剥離して非感光
性被膜層を感光性被膜層上に転写してカバーコートす
る。
【0140】次に、以上に述べた本発明のカバーコート
付レジストを用いるパターン形成方法について述べる。
付レジストを用いるパターン形成方法について述べる。
【0141】本発明によれば、パターンを形成しようと
する基材上に形成されたカバーコート付レジストを選択
的に露光し、次いで現像を行ない、未露光部分を除去す
ることを特徴とするパターン形成方法が提供される。
する基材上に形成されたカバーコート付レジストを選択
的に露光し、次いで現像を行ない、未露光部分を除去す
ることを特徴とするパターン形成方法が提供される。
【0142】本発明によればまた、少なくとも片面がエ
ッチング可能な材料からなる基材の該エッチング可能面
上に形成したカバーコート付レジストを選択的に露光
し、次いで現像し、露出した部分をエッチングにより除
去し、さらに得られるパターン上の残存するレジスト膜
を剥離することを特徴とするエッチングパターン形成方
法が提供される。
ッチング可能な材料からなる基材の該エッチング可能面
上に形成したカバーコート付レジストを選択的に露光
し、次いで現像し、露出した部分をエッチングにより除
去し、さらに得られるパターン上の残存するレジスト膜
を剥離することを特徴とするエッチングパターン形成方
法が提供される。
【0143】本発明のカバーコート付レジストの露光、
現像は、例えば、まず前述した方法により本発明のカバ
ーコート付レジストを形成し、次いで、形成しようとす
るパターンが描画されるように非感光性被膜層を通して
活性光線をパターンワイズに露光した後、非感光性被膜
層及び感光性被膜層の未露光部を選択的に溶解する現像
液で現像することにより行なうことができる。
現像は、例えば、まず前述した方法により本発明のカバ
ーコート付レジストを形成し、次いで、形成しようとす
るパターンが描画されるように非感光性被膜層を通して
活性光線をパターンワイズに露光した後、非感光性被膜
層及び感光性被膜層の未露光部を選択的に溶解する現像
液で現像することにより行なうことができる。
【0144】パターンワイズに露光するためには、フォ
トマスクを使用した密着法、投影法、直描法等それ自体
既知の方法を使用することができる。
トマスクを使用した密着法、投影法、直描法等それ自体
既知の方法を使用することができる。
【0145】露光のための光源としては、紫外線を含む
光を発生する超高圧、高圧又は低圧の各水銀灯、ケミカ
ルランプ、メタルハライドランプ、紫外線レーザー、太
陽光、可視光線を発生するランプ、可視光レーザー等を
感光性層の感光特性に応じて使用することができる。
光を発生する超高圧、高圧又は低圧の各水銀灯、ケミカ
ルランプ、メタルハライドランプ、紫外線レーザー、太
陽光、可視光線を発生するランプ、可視光レーザー等を
感光性層の感光特性に応じて使用することができる。
【0146】基板としては、例えば、金属あるいは無機
もしくは有機基板もしくはフィルム上に金属箔をラミネ
ート又は金属をメッキ又は蒸着したものを使用すること
ができる。また、現像に使用しうる現像液は、感光性被
膜層の種類によって異なるが、例えば、感光性被膜層を
形成する感光性樹脂組成物中の樹脂がカルボニル基等の
アニオン性基を含む場合は弱アルカリ水溶液を、また、
アミノ基等のカチオン性基を含む場合は弱酸水溶液を使
用することができる。弱アルカリ水溶液としては、例え
ばカセイソーダ、炭酸ソーダ、アンモニア等の希薄水溶
液が挙げられ、弱酸水溶液としては、例えば、ギ酸、酢
酸、乳酸等の希薄水溶液が挙げられる。また、オニウム
塩基等を含む自己水溶性樹脂の場合は、現像液として水
を使用することができる。
もしくは有機基板もしくはフィルム上に金属箔をラミネ
ート又は金属をメッキ又は蒸着したものを使用すること
ができる。また、現像に使用しうる現像液は、感光性被
膜層の種類によって異なるが、例えば、感光性被膜層を
形成する感光性樹脂組成物中の樹脂がカルボニル基等の
アニオン性基を含む場合は弱アルカリ水溶液を、また、
アミノ基等のカチオン性基を含む場合は弱酸水溶液を使
用することができる。弱アルカリ水溶液としては、例え
ばカセイソーダ、炭酸ソーダ、アンモニア等の希薄水溶
液が挙げられ、弱酸水溶液としては、例えば、ギ酸、酢
酸、乳酸等の希薄水溶液が挙げられる。また、オニウム
塩基等を含む自己水溶性樹脂の場合は、現像液として水
を使用することができる。
【0147】このようにして形成されるパターンは例え
ば、平板や凸版等の印刷版、オフセット印刷版、PS
版、レリーフ、ディスプレー、エッチング以外レジス
ト、プリント回路板製造等に使用することができる。
ば、平板や凸版等の印刷版、オフセット印刷版、PS
版、レリーフ、ディスプレー、エッチング以外レジス
ト、プリント回路板製造等に使用することができる。
【0148】エッチングパターン形成法の場合、現像さ
れた基板を、該基板表面の金属をエッチングし得るエッ
チング液(例えば塩化第2鉄、塩化第2銅等の水溶液)
で処理して、上記の現像により露出した金属部分をエッ
チングして除去することができる。次いで、残存する金
属上のレジスト膜を剥離剤(例えば、酸、アルカリ水溶
液、溶剤等)で剥離すればエッチングパターンを得るこ
とができる。
れた基板を、該基板表面の金属をエッチングし得るエッ
チング液(例えば塩化第2鉄、塩化第2銅等の水溶液)
で処理して、上記の現像により露出した金属部分をエッ
チングして除去することができる。次いで、残存する金
属上のレジスト膜を剥離剤(例えば、酸、アルカリ水溶
液、溶剤等)で剥離すればエッチングパターンを得るこ
とができる。
【0149】また、基板が金属あるいは無機もしくは有
機基板もしくはフィルム上に金属箔をラミネート又は金
属をメッキ又は蒸着したものであり、エッチング加工が
必要な場合には、前述の如くして現像することによって
露出した金属面にハンダ等のメッキをほどこした後、レ
ジスト膜を剥離剤で剥離し、次いで露出した金属を選択
的にエッチングするエッチング液で除去し、エッチング
パターンを得ることもできる。
機基板もしくはフィルム上に金属箔をラミネート又は金
属をメッキ又は蒸着したものであり、エッチング加工が
必要な場合には、前述の如くして現像することによって
露出した金属面にハンダ等のメッキをほどこした後、レ
ジスト膜を剥離剤で剥離し、次いで露出した金属を選択
的にエッチングするエッチング液で除去し、エッチング
パターンを得ることもできる。
【0150】以上に述べた本発明のカバーコート装着法
によれば、高解像度で、酸素による感光性の低下がな
く、高感度で信頼性が高く、作業性のよいカバーコート
付レジストが得られるため、微細画像パターン形成能に
優れ、プリント回路基板や金属微細加工等の分野で有効
に使用することができる。
によれば、高解像度で、酸素による感光性の低下がな
く、高感度で信頼性が高く、作業性のよいカバーコート
付レジストが得られるため、微細画像パターン形成能に
優れ、プリント回路基板や金属微細加工等の分野で有効
に使用することができる。
【0151】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。実施例中、特にことわらないかぎり「部」及
び「%」はすべて「重量部」及び「重量%」を示す。
説明する。実施例中、特にことわらないかぎり「部」及
び「%」はすべて「重量部」及び「重量%」を示す。
【0152】製造例1 メチルメタクリレート10部、エチルアクリレート35
部、アクリル酸55部、アゾビスイソブチロニトリル2
部からなるモノマー混合液を、窒素ガス雰囲気下、11
0℃に保ったイソブチルアルコール90部中に3時間を
要して滴下した。滴下後、1時間110℃に保った後、
アゾビスジメチルバレロニトリル1部及びイソブチルア
ルコール10部からなる混合液を1時間を要して滴下
し、さらに5時間保持して高酸価アクリル樹脂を得た。
次に、この溶液にグリシジルメタアクリレート80部、
ハイドロキノン0.1部及びテトラエチルアンモニウム
ブロマイド0.8部を加え、空気を吹き込みながら11
0℃で5時間反応させ、光硬化性樹脂溶液1(酸価1.
1モルCOOH/kg樹脂、不飽和度3.13モル/k
g樹脂、樹脂Tg−2℃、固形分64%)を得た。
部、アクリル酸55部、アゾビスイソブチロニトリル2
部からなるモノマー混合液を、窒素ガス雰囲気下、11
0℃に保ったイソブチルアルコール90部中に3時間を
要して滴下した。滴下後、1時間110℃に保った後、
アゾビスジメチルバレロニトリル1部及びイソブチルア
ルコール10部からなる混合液を1時間を要して滴下
し、さらに5時間保持して高酸価アクリル樹脂を得た。
次に、この溶液にグリシジルメタアクリレート80部、
ハイドロキノン0.1部及びテトラエチルアンモニウム
ブロマイド0.8部を加え、空気を吹き込みながら11
0℃で5時間反応させ、光硬化性樹脂溶液1(酸価1.
1モルCOOH/kg樹脂、不飽和度3.13モル/k
g樹脂、樹脂Tg−2℃、固形分64%)を得た。
【0153】製造例2 0−ノボラッククレゾール型エポキシ樹脂 1000部 (分子量約500、エポキシ当量198) アクリル酸 363部 N−メチルジエタノールアミン 119部 2−メトキシプロパノール 1000部 からなる混合液を60℃で7時間反応させて光硬化性樹
脂溶液2(4級アンモニウム塩基0.67モル/kg樹
脂、不飽和度3.4モル/kg樹脂、樹脂Tg 5℃、固
形分60%)を得た。
脂溶液2(4級アンモニウム塩基0.67モル/kg樹
脂、不飽和度3.4モル/kg樹脂、樹脂Tg 5℃、固
形分60%)を得た。
【0154】製造例3 グリシジルメタアクリレート 57部 N,N′−ジメチルアミノエチルメタクリレート 20部 メチルメタクリレート 5部 n−ブチルアクリレート 18部 アゾビスイソブチロニトリル 2.5部 からなる混合液をモノマー混合液として使用する以外は
製造例1と同様にしてアクリル樹脂溶液を得た。次に、
この溶液にアクリル酸29部ハイドロキノン0.1部、
テトラメチルアンモニウムブロマイド1.0部を加え、
空気を吹き込みながら100℃で5時間反応させ、光硬
化性樹脂溶液3(3級アミノ基0.99モル/kg樹
脂、不飽和度3.1モル/kg樹脂、樹脂Tg 0℃、固
形分56%)を得た。
製造例1と同様にしてアクリル樹脂溶液を得た。次に、
この溶液にアクリル酸29部ハイドロキノン0.1部、
テトラメチルアンモニウムブロマイド1.0部を加え、
空気を吹き込みながら100℃で5時間反応させ、光硬
化性樹脂溶液3(3級アミノ基0.99モル/kg樹
脂、不飽和度3.1モル/kg樹脂、樹脂Tg 0℃、固
形分56%)を得た。
【0155】製造例4 メチルメタクリレート 45部 アクリル酸 55部 アゾビスイソバレロニトリル 1.5部 からなる混合物をモノマー混合液として使用する以外は
製造例1と全く同様にして光硬化性樹脂4(酸価1.1
モルCOOH/kg樹脂、不飽和度3.13モル/kg
樹脂、樹脂Tg 23℃、固形分64%)を得た。
製造例1と全く同様にして光硬化性樹脂4(酸価1.1
モルCOOH/kg樹脂、不飽和度3.13モル/kg
樹脂、樹脂Tg 23℃、固形分64%)を得た。
【0156】実施例1 製造例1で得た光硬化性樹脂溶液1に、樹脂固形分10
0部に対し光重合開始剤(ベンゾインエチルエーテル)
5部を添加し、感光性組成物1を作成した。この感光性
組成物1をブリキ板上に乾燥膜厚20μmになる様に塗
布し、80℃で10分間乾燥したもののガラス転移温度
を測定した。結果を表−1に示す。
0部に対し光重合開始剤(ベンゾインエチルエーテル)
5部を添加し、感光性組成物1を作成した。この感光性
組成物1をブリキ板上に乾燥膜厚20μmになる様に塗
布し、80℃で10分間乾燥したもののガラス転移温度
を測定した。結果を表−1に示す。
【0157】膜厚75μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルム上にポリビニルアルコール(重合度170
0、Tg 65℃、酸素透過率2×10-14cc・cm/
cm2・sec・cmHg)の12%水溶液を乾燥膜厚
2μmになる様に均一に塗布し、80℃で10分間乾燥
させてカバーコート転写フィルムを得た。別に、感光性
組成物1を乾燥膜厚15μmとなるように、35μmの
銅箔をラミネートしたガラスエポキシ基板上に塗布し、
80℃で10分間乾燥して感光性被膜層を形成させ、こ
の感光性被膜層上に上記カバーコート転写フィルムの非
感光性被膜層を密着した後、ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを剥離してカバーコート付レジストを作成し
た。各層間の接着力を表−2に示す。
トフィルム上にポリビニルアルコール(重合度170
0、Tg 65℃、酸素透過率2×10-14cc・cm/
cm2・sec・cmHg)の12%水溶液を乾燥膜厚
2μmになる様に均一に塗布し、80℃で10分間乾燥
させてカバーコート転写フィルムを得た。別に、感光性
組成物1を乾燥膜厚15μmとなるように、35μmの
銅箔をラミネートしたガラスエポキシ基板上に塗布し、
80℃で10分間乾燥して感光性被膜層を形成させ、こ
の感光性被膜層上に上記カバーコート転写フィルムの非
感光性被膜層を密着した後、ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを剥離してカバーコート付レジストを作成し
た。各層間の接着力を表−2に示す。
【0158】実施例2〜4 非感光性被膜層の形成に、重合度1700のポリビニル
アルコール50部、重合度500のポリビニルアルコー
ル25部、ポリ酢酸ビニルエマルジョン(固形分40
%)62.5部を脱イオン水800部に溶解した樹脂水
溶液(樹脂のTg45℃、酸素透過率7×10-13cc
・cm/cm2・sec・cmHg)を用い、感光性被
膜層の形成に表−1に示される配合の感光性組成物2〜
4を用いる以外は実施例1と全く同様にしてカバーコー
ト付レジスト2〜4を得た。感光性組成物2〜4のガラ
ス転移温度は表−1に、カバーコート付レジスト2〜4
の層間接着力は表−2に示す。
アルコール50部、重合度500のポリビニルアルコー
ル25部、ポリ酢酸ビニルエマルジョン(固形分40
%)62.5部を脱イオン水800部に溶解した樹脂水
溶液(樹脂のTg45℃、酸素透過率7×10-13cc
・cm/cm2・sec・cmHg)を用い、感光性被
膜層の形成に表−1に示される配合の感光性組成物2〜
4を用いる以外は実施例1と全く同様にしてカバーコー
ト付レジスト2〜4を得た。感光性組成物2〜4のガラ
ス転移温度は表−1に、カバーコート付レジスト2〜4
の層間接着力は表−2に示す。
【0159】比較例1 75μmのポリエチレンテレフタレートフィルムに直接
感光性組成物1を実施例1と同様にして塗布し、フィル
ムレジスト5を得た。フィルムレジスト5の層間接着力
は表−2に示す。次いで、得られたフィルムレジストの
感光性被膜層を実施例1と同じ銅箔をラミネートしたガ
ラスエポキシ基板上に密着せしめてフィルムレジスト付
基板を得た。
感光性組成物1を実施例1と同様にして塗布し、フィル
ムレジスト5を得た。フィルムレジスト5の層間接着力
は表−2に示す。次いで、得られたフィルムレジストの
感光性被膜層を実施例1と同じ銅箔をラミネートしたガ
ラスエポキシ基板上に密着せしめてフィルムレジスト付
基板を得た。
【0160】比較例2 非感光性被膜層形成に、メチルセルローズ75部、ポリ
酢酸ビニルエマルジョン(固形分40%)62.5部を
脱イオン水800部に溶解した樹脂水溶液(樹脂のTg
43℃、酸素透過率8.4×10-11cc・cm/cm2
・sec・cmHg)を使用する以外は実施例4と全く
同様にしてカバーコート付レジスト6を得た。
酢酸ビニルエマルジョン(固形分40%)62.5部を
脱イオン水800部に溶解した樹脂水溶液(樹脂のTg
43℃、酸素透過率8.4×10-11cc・cm/cm2
・sec・cmHg)を使用する以外は実施例4と全く
同様にしてカバーコート付レジスト6を得た。
【0161】カバーコート付レジスト6の層間接着力は
表−2に示す。
表−2に示す。
【0162】
【表1】
【0163】表−1中の略称又は構造は下記の意味を有
する。
する。
【0164】(注1)チタノセン化合物(T−1)
【0165】
【化42】
【0166】(注2)分光増感剤(A−1)
【0167】
【化43】
【0168】
【表2】
【0169】応用例1〜7 かくして、実施例1〜3、比較例1で得られたカバーコ
ート付レジスト1〜3及びフィルムレジスト5をテスト
パターンマスクを介して超高圧水銀灯で露光した。テス
トパターンは、ライン(μm)/スペース(μm)=2
00/200、150/150、100/100、80
/80、60/60、40/40、30/30を用い
た。次いで所定の現像液及び条件で現像し(フィルムレ
ジスト5は現像前に支持フィルムを剥離)、塩化第2鉄
でエッチング後、所定の剥離液でレジストを剥離して形
成された回路パターン状況を観察した。結果を表−3に
示す。
ート付レジスト1〜3及びフィルムレジスト5をテスト
パターンマスクを介して超高圧水銀灯で露光した。テス
トパターンは、ライン(μm)/スペース(μm)=2
00/200、150/150、100/100、80
/80、60/60、40/40、30/30を用い
た。次いで所定の現像液及び条件で現像し(フィルムレ
ジスト5は現像前に支持フィルムを剥離)、塩化第2鉄
でエッチング後、所定の剥離液でレジストを剥離して形
成された回路パターン状況を観察した。結果を表−3に
示す。
【0170】実施例4、比較例2で得られたカバーコー
ト付レジスト4及び6については上記テストパターンマ
スクと同様のパターンを波長488nmのアルゴンイオ
ンレーザーで直描法により露光した。次いで所定の現像
液及び条件で現像し、塩化第2鉄でエッチング後、所定
の剥離液でレジストを剥離して形成された回路パターン
状況を観察した。結果を表−3に示す。
ト付レジスト4及び6については上記テストパターンマ
スクと同様のパターンを波長488nmのアルゴンイオ
ンレーザーで直描法により露光した。次いで所定の現像
液及び条件で現像し、塩化第2鉄でエッチング後、所定
の剥離液でレジストを剥離して形成された回路パターン
状況を観察した。結果を表−3に示す。
【0171】
【表3】
Claims (5)
- 【請求項1】 支持フィルムと、その上に形成された、
常温で実質的に粘着性をもたず、酸素遮断性を有し且つ
現像液に可溶性の非感光性被膜層からなる転写フィルム
の該非感光性被膜面を、常温で粘着性のある感光性被膜
層を有する基板の該感光性被膜層上に密着させた後、支
持フィルムを剥離し、非感光性被膜層を感光性被膜層に
転写してカバーコートとすることを特徴とするカバーコ
ート装着法。 - 【請求項2】 転写フィルムの非感光性被膜層の膜厚が
0.5〜5μmであり、酸素透過率が5×10-12cc・
cm/cm2・sec・cmHg以下である請求項1記
載のカバーコート装着法。 - 【請求項3】 転写フィルムの非感光性被膜層のガラス
転移点が20℃以上であり、基板上の感光性被膜層のガ
ラス転移点が5℃以下である請求項1又は2記載のカバ
ーコート装着法。 - 【請求項4】 請求項1記載の方法によりカバーコート
が装着された基板の感光性被膜層を、所望のパターンが
得られるように選択的に露光し、次いで現像を行ない未
露光部分を除去することを特徴とするパターン形成方
法。 - 【請求項5】 支持フィルムと、その上に形成された、
常温で実質的に粘着性をもたず、酸素遮断性を有し且つ
現像液に可溶性の非感光性被膜層からなる転写フィルム
の該非感光性被膜面を、少くとも片面がエッチング可能
な材料からなる且つそのエッチング可能面上に常温で粘
着性のある感光性被膜層を有する基板の該感光性被膜層
上に密着させた後、支持フィルムを剥離し、非感光性被
膜層を感光性被膜層に転写してカバーコートとした後、
感光性被膜層を所望のパターンが得られるように選択的
に露光し、次いで現像を行ない未露光部分を除去し、基
板のエッチング可能面の露出した部分をエッチングによ
り除去し、さらに得られるパターン上の残存するレジス
ト膜を剥離することを特徴とするエッチングパターンの
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28866193A JPH07120930A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | カバーコート装着法及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28866193A JPH07120930A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | カバーコート装着法及びパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120930A true JPH07120930A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17733052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28866193A Pending JPH07120930A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | カバーコート装着法及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120930A (ja) |
-
1993
- 1993-10-25 JP JP28866193A patent/JPH07120930A/ja active Pending
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