JPH07121818A - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH07121818A JPH07121818A JP26890393A JP26890393A JPH07121818A JP H07121818 A JPH07121818 A JP H07121818A JP 26890393 A JP26890393 A JP 26890393A JP 26890393 A JP26890393 A JP 26890393A JP H07121818 A JPH07121818 A JP H07121818A
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- film
- gap
- magnetic head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属磁性膜と融着ガラスの反応を防止し、ト
ラック幅精度を良好とし、かつギャップ長精度を良好と
する。 【構成】 酸化物磁性材料基板3,4の突き合わせ面3
a,4aに金属磁性膜5,6の形成された一対の磁気コ
ア半体1,2が、突き合わせ面間に非磁性層よりなる磁
気ギャップg1 を形成して接合一体化される磁気ヘッド
において、磁気コア半体1,2の磁気ギャップ形成部分
1a,2aに非磁性層、例えばSiO2 よりなるギャッ
プ膜15,16を形成し、他の部分1b,2bにも非磁
性層、例えばSiO2 よりなるギャップ膜15,16と
Crよりなる反応防止膜17,18を積層形成し、磁気
ギャップ形成部分1a,2aにおける非磁性層の積層数
を他の部分1b,2bにおける積層数よりも少なくす
る。
ラック幅精度を良好とし、かつギャップ長精度を良好と
する。 【構成】 酸化物磁性材料基板3,4の突き合わせ面3
a,4aに金属磁性膜5,6の形成された一対の磁気コ
ア半体1,2が、突き合わせ面間に非磁性層よりなる磁
気ギャップg1 を形成して接合一体化される磁気ヘッド
において、磁気コア半体1,2の磁気ギャップ形成部分
1a,2aに非磁性層、例えばSiO2 よりなるギャッ
プ膜15,16を形成し、他の部分1b,2bにも非磁
性層、例えばSiO2 よりなるギャップ膜15,16と
Crよりなる反応防止膜17,18を積層形成し、磁気
ギャップ形成部分1a,2aにおける非磁性層の積層数
を他の部分1b,2bにおける積層数よりも少なくす
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばビデオテープレ
コーダ等に搭載される高密度記録用磁気ヘッドに好適な
磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
コーダ等に搭載される高密度記録用磁気ヘッドに好適な
磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、VTR(ビデオテープレコーダ
ー)等の磁気記録再生装置に組み込まれる磁気ヘッドと
しては、単結晶フェライトや多結晶フェライト,単結晶
フェライトと多結晶フェライトの接合材等の酸化物磁性
材料によって磁気コア半体を構成したものが一般的であ
る。また、上記磁気記録再生装置においては、高画質化
等を目的として情報信号の短波長記録化が進められてお
り、これに対応したメタルテープや蒸着テープ等の高抗
磁力磁気記録媒体用の磁気ヘッドとして磁気コア半体に
金属磁性材料を用いた磁気ヘッドが種々開発されてい
る。このような磁気ヘッドの代表的なものとしては、フ
ェライト等の酸化物磁性材料よりなる基板と金属磁性材
料よりなる金属磁性膜の複合型の磁気ヘッド、いわゆる
メタル・イン・ギャップ(Metal in gap)
ヘッド(以下、MIGヘッドと略する。)が挙げられ
る。
ー)等の磁気記録再生装置に組み込まれる磁気ヘッドと
しては、単結晶フェライトや多結晶フェライト,単結晶
フェライトと多結晶フェライトの接合材等の酸化物磁性
材料によって磁気コア半体を構成したものが一般的であ
る。また、上記磁気記録再生装置においては、高画質化
等を目的として情報信号の短波長記録化が進められてお
り、これに対応したメタルテープや蒸着テープ等の高抗
磁力磁気記録媒体用の磁気ヘッドとして磁気コア半体に
金属磁性材料を用いた磁気ヘッドが種々開発されてい
る。このような磁気ヘッドの代表的なものとしては、フ
ェライト等の酸化物磁性材料よりなる基板と金属磁性材
料よりなる金属磁性膜の複合型の磁気ヘッド、いわゆる
メタル・イン・ギャップ(Metal in gap)
ヘッド(以下、MIGヘッドと略する。)が挙げられ
る。
【0003】上記MIGヘッドは、フェライト等の酸化
物磁性材料よりなる基板の突き合わせ面に金属磁性膜が
被着形成された一対の磁気コア半体が、上記金属磁性膜
同士を突き合わせるようにして接合一体化されたもので
あり、当該金属磁性膜の突合わせ面間には磁気ギャップ
(フロントギャップ及びバックギャップ)が形成されて
いる。このとき、酸化物磁性材料基板の突き合わせ面の
磁気ギャップに相当する位置には磁気ギャップと平行な
ギャップ形成面が形成されており、上記ギャップ形成面
の両端には、磁気ギャップのトラック幅を規制するトラ
ック幅規制溝が設けられている。従って、酸化物磁性材
料基板の突き合わせ面にその形状に沿って被着形成され
る金属磁性膜は、ギャップ形成面上において磁気ギャッ
プと平行となり、その幅はトラック幅規制溝により規制
される。また、上記トラック幅規制溝により一対の磁気
コア半体間に形成される溝部に融着ガラスが充填されて
おり、上記のように一対の磁気コア半体は接合一体化さ
れている。
物磁性材料よりなる基板の突き合わせ面に金属磁性膜が
被着形成された一対の磁気コア半体が、上記金属磁性膜
同士を突き合わせるようにして接合一体化されたもので
あり、当該金属磁性膜の突合わせ面間には磁気ギャップ
(フロントギャップ及びバックギャップ)が形成されて
いる。このとき、酸化物磁性材料基板の突き合わせ面の
磁気ギャップに相当する位置には磁気ギャップと平行な
ギャップ形成面が形成されており、上記ギャップ形成面
の両端には、磁気ギャップのトラック幅を規制するトラ
ック幅規制溝が設けられている。従って、酸化物磁性材
料基板の突き合わせ面にその形状に沿って被着形成され
る金属磁性膜は、ギャップ形成面上において磁気ギャッ
プと平行となり、その幅はトラック幅規制溝により規制
される。また、上記トラック幅規制溝により一対の磁気
コア半体間に形成される溝部に融着ガラスが充填されて
おり、上記のように一対の磁気コア半体は接合一体化さ
れている。
【0004】ところで、上記のような磁気ヘッドにおい
ては、トラック幅規制溝により一対の磁気コア半体間に
形成される溝部内において金属磁性膜と融着ガラスは直
に接することとなり、これにより以下のような不都合が
生じる。例えば、上記融着ガラスは金属磁性膜と反応し
やすく、このような磁気ヘッドを製造するために一対の
磁気コア半体を融着ガラスで接合すると、融着ガラスと
金属磁性膜との反応によりこれらの界面の融着ガラスが
脆くなり、加工のための加圧等により界面からこれらの
剥離が発生する。また、上記融着ガラスと金属磁性膜が
反応しやすいことから、図16に示すように、磁気コア
半体101,102の突き合わせ面において、溶融充填
される融着ガラス103と金属磁性膜104,105が
直に接すると、金属磁性膜104,105の融着ガラス
103との接触面104a,105aに侵食が生じる。
特に、金属磁性膜104,105のエッジ部ge1 ,g
e 2 ,ge3 ,ge4 が侵食されると、これらの間に形
成される磁気ギャップg3のトラック幅は本来Twであ
ったものがTw´に減少してしまい、トラック幅精度が
著しく低下してしまう。
ては、トラック幅規制溝により一対の磁気コア半体間に
形成される溝部内において金属磁性膜と融着ガラスは直
に接することとなり、これにより以下のような不都合が
生じる。例えば、上記融着ガラスは金属磁性膜と反応し
やすく、このような磁気ヘッドを製造するために一対の
磁気コア半体を融着ガラスで接合すると、融着ガラスと
金属磁性膜との反応によりこれらの界面の融着ガラスが
脆くなり、加工のための加圧等により界面からこれらの
剥離が発生する。また、上記融着ガラスと金属磁性膜が
反応しやすいことから、図16に示すように、磁気コア
半体101,102の突き合わせ面において、溶融充填
される融着ガラス103と金属磁性膜104,105が
直に接すると、金属磁性膜104,105の融着ガラス
103との接触面104a,105aに侵食が生じる。
特に、金属磁性膜104,105のエッジ部ge1 ,g
e 2 ,ge3 ,ge4 が侵食されると、これらの間に形
成される磁気ギャップg3のトラック幅は本来Twであ
ったものがTw´に減少してしまい、トラック幅精度が
著しく低下してしまう。
【0005】そこで、従来においては、特開平4−37
0509号公報および特開平4−274007号公報に
示されるような、金属磁性膜上に反応防止膜を設けた磁
気ヘッドが提案されている。すなわち、これらの磁気ヘ
ッドにおいては、図17に示すように、磁気コア半体1
11,112の金属磁性膜114,115上に非磁性の
反応防止膜116,117を設け、さらに非磁性のギャ
ップ膜118,119を設けて、これらを接合一体化し
ている。従って、上記磁気ヘッドにおいては、金属磁性
膜114,115と融着ガラス113が直に接すること
はなく、これらの反応が防止され、上述のような不都合
が解消される。
0509号公報および特開平4−274007号公報に
示されるような、金属磁性膜上に反応防止膜を設けた磁
気ヘッドが提案されている。すなわち、これらの磁気ヘ
ッドにおいては、図17に示すように、磁気コア半体1
11,112の金属磁性膜114,115上に非磁性の
反応防止膜116,117を設け、さらに非磁性のギャ
ップ膜118,119を設けて、これらを接合一体化し
ている。従って、上記磁気ヘッドにおいては、金属磁性
膜114,115と融着ガラス113が直に接すること
はなく、これらの反応が防止され、上述のような不都合
が解消される。
【0006】ところが、このような磁気ヘッドにおいて
は、磁気ギャップのギャップ長精度が良好ではないとい
う不都合が生じている。すなわち、図17中にも示すよ
うに、上記の磁気ヘッドにおいては、磁気ギャップg3
のギャップ長W3 は反応防止膜116,117及びギャ
ップ膜118,119の膜厚によって決定されることと
なり、これら4層の膜厚のバラツキが全て膜厚精度に影
響する。従って、上記のような磁気ヘッドにおいて磁気
ギャップg3 のギャップ長W3 の精度を良好とすること
は非常に困難である。
は、磁気ギャップのギャップ長精度が良好ではないとい
う不都合が生じている。すなわち、図17中にも示すよ
うに、上記の磁気ヘッドにおいては、磁気ギャップg3
のギャップ長W3 は反応防止膜116,117及びギャ
ップ膜118,119の膜厚によって決定されることと
なり、これら4層の膜厚のバラツキが全て膜厚精度に影
響する。従って、上記のような磁気ヘッドにおいて磁気
ギャップg3 のギャップ長W3 の精度を良好とすること
は非常に困難である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、従来
の実情に鑑みて提案されたものであり、金属磁性膜と融
着ガラスの反応が防止されてトラック幅精度が良好であ
り、かつギャップ長精度の良好な磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。また、このような磁気ヘッドの製造
を可能とする磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。
の実情に鑑みて提案されたものであり、金属磁性膜と融
着ガラスの反応が防止されてトラック幅精度が良好であ
り、かつギャップ長精度の良好な磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。また、このような磁気ヘッドの製造
を可能とする磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、酸化物磁性材料基板の突き合わせ面に金
属磁性膜が形成されてなる一対の磁気コア半体が、磁気
コア半体の突き合わせ面間に非磁性層よりなる磁気ギャ
ップを形成して接合一体化されてなる磁気ヘッドにおい
て、磁気ギャップ形成部分における非磁性層の積層数が
他の部分における積層数よりも少ないことを特徴とする
ものである。
めに本発明は、酸化物磁性材料基板の突き合わせ面に金
属磁性膜が形成されてなる一対の磁気コア半体が、磁気
コア半体の突き合わせ面間に非磁性層よりなる磁気ギャ
ップを形成して接合一体化されてなる磁気ヘッドにおい
て、磁気ギャップ形成部分における非磁性層の積層数が
他の部分における積層数よりも少ないことを特徴とする
ものである。
【0009】また、本発明は、上記のような磁気ヘッド
において、磁気ギャップにおける非磁性層が1層よりな
ることを特徴とするものである。
において、磁気ギャップにおける非磁性層が1層よりな
ることを特徴とするものである。
【0010】さらに本発明は、上記のような磁気ヘッド
において、磁気ギャップにおける非磁性層がギャップ膜
であるSiO2 膜よりなり、他の部分における非磁性層
が少なくともギャップ膜であるSiO2 膜と反応防止膜
であるCr膜よりなることを特徴とするものである。
において、磁気ギャップにおける非磁性層がギャップ膜
であるSiO2 膜よりなり、他の部分における非磁性層
が少なくともギャップ膜であるSiO2 膜と反応防止膜
であるCr膜よりなることを特徴とするものである。
【0011】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
酸化物磁性材料基板の突き合わせ面に磁気ギャップのト
ラック幅を規制するトラック幅規制溝を形成する工程
と、上記トラック幅規制溝が形成された酸化物磁性材料
基板上に金属磁性膜を被着形成して磁気コア半体を形成
する工程と、上記金属磁性膜上にCrよりなる反応防止
膜を形成する工程と、磁気ギャップ形成部分の反応防止
膜を鏡面加工して該反応防止膜を除去する工程と、トラ
ック幅規制溝内を含む鏡面加工面にSiO2 よりなるギ
ャップ膜を形成する工程と、一対の磁気コア半体を接合
一体化する工程を有することを特徴とするものである。
酸化物磁性材料基板の突き合わせ面に磁気ギャップのト
ラック幅を規制するトラック幅規制溝を形成する工程
と、上記トラック幅規制溝が形成された酸化物磁性材料
基板上に金属磁性膜を被着形成して磁気コア半体を形成
する工程と、上記金属磁性膜上にCrよりなる反応防止
膜を形成する工程と、磁気ギャップ形成部分の反応防止
膜を鏡面加工して該反応防止膜を除去する工程と、トラ
ック幅規制溝内を含む鏡面加工面にSiO2 よりなるギ
ャップ膜を形成する工程と、一対の磁気コア半体を接合
一体化する工程を有することを特徴とするものである。
【0012】
【作用】本発明は、酸化物磁性材料基板の突き合わせ面
に金属磁性膜が形成されてなる一対の磁気コア半体が、
磁気コア半体の突き合わせ面間に非磁性層よりなる磁気
ギャップを形成して接合一体化されてなる磁気ヘッドに
おいて、磁気ギャップ形成部分における非磁性層の積層
数を他の部分における積層数よりも少なくしており、こ
のとき磁気ギャップ形成部分における非磁性層を1層と
して該非磁性層をギャップ膜であるSiO2 膜で構成す
ると、磁気ギャップのギャップ長精度が良好なものとな
り、他の部分における非磁性層を少なくともギャップ膜
であるSiO2 膜と反応防止膜であるCr膜で構成する
と、金属磁性膜と一対の磁気コア半体の接合の際に使用
される融着ガラスの反応が防止される。
に金属磁性膜が形成されてなる一対の磁気コア半体が、
磁気コア半体の突き合わせ面間に非磁性層よりなる磁気
ギャップを形成して接合一体化されてなる磁気ヘッドに
おいて、磁気ギャップ形成部分における非磁性層の積層
数を他の部分における積層数よりも少なくしており、こ
のとき磁気ギャップ形成部分における非磁性層を1層と
して該非磁性層をギャップ膜であるSiO2 膜で構成す
ると、磁気ギャップのギャップ長精度が良好なものとな
り、他の部分における非磁性層を少なくともギャップ膜
であるSiO2 膜と反応防止膜であるCr膜で構成する
と、金属磁性膜と一対の磁気コア半体の接合の際に使用
される融着ガラスの反応が防止される。
【0013】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。上記磁気ヘッ
ドは図1に示すように、磁性フェライト等の酸化物磁性
材料基板3,4の突き合わせ面に金属磁性膜5,6が被
着形成された一対の磁気コア半体1,2が、上記金属磁
性膜5,6を突き合わせるようにして接合一体化された
ものである。そして、上記磁気コア半体1,2の突き合
わせ面の磁気ギャップ形成部分には図示しないギャップ
膜、他の部分にはギャップ膜及び反応防止膜が形成さ
れ、当該金属磁性膜5,6の突合わせ面間にはギャップ
膜よりなり記録再生として動作する磁気ギャップg
1 (フロントギャップ)と磁気ギャップg2 (バックギ
ャップ)が形成されている。なお、本実施例の磁気ヘッ
ドにおいては、酸化物磁性材料基板3,4として、Mn
−Zn系フェライトの単結晶よりなる基板を用い、金属
磁性膜として、Fe−Ru−Ga−Siよりなる膜を用
いた。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。上記磁気ヘッ
ドは図1に示すように、磁性フェライト等の酸化物磁性
材料基板3,4の突き合わせ面に金属磁性膜5,6が被
着形成された一対の磁気コア半体1,2が、上記金属磁
性膜5,6を突き合わせるようにして接合一体化された
ものである。そして、上記磁気コア半体1,2の突き合
わせ面の磁気ギャップ形成部分には図示しないギャップ
膜、他の部分にはギャップ膜及び反応防止膜が形成さ
れ、当該金属磁性膜5,6の突合わせ面間にはギャップ
膜よりなり記録再生として動作する磁気ギャップg
1 (フロントギャップ)と磁気ギャップg2 (バックギ
ャップ)が形成されている。なお、本実施例の磁気ヘッ
ドにおいては、酸化物磁性材料基板3,4として、Mn
−Zn系フェライトの単結晶よりなる基板を用い、金属
磁性膜として、Fe−Ru−Ga−Siよりなる膜を用
いた。
【0014】このとき、上記磁気ヘッドにおいては、図
2に示すように、酸化物磁性材料基板3,4の突き合わ
せ面の磁気ギャップg1 ,g2 に相当する位置に磁気ギ
ャップg1 ,g2 と平行なギャップ形成面3a,4aが
形成されており(図2中には磁気ギャップg1 のみを示
す。)、その両端には、磁気ギャップg1 ,g2 のトラ
ック幅を規制するためのトラック幅規制溝7,8が設け
られている。すなわち、酸化物磁性材料基板3,4の突
き合わせ面にその形状に沿って被着形成される金属磁性
膜5,6は、ギャップ形成面3a,4a上において磁気
ギャップg1 と平行となる。また、トラック幅規制溝
7,8によって酸化物磁性材料基板3,4のギャップ形
成面3a,4aの幅が規制されていることから、金属磁
性膜5,6の突き合わせ面の幅も自ずから規制されるこ
ととなる。従って、金属磁性膜5,6の突き合わせ面間
に形成される磁気ギャップg1 のトラック幅Twも規制
されることとなる。
2に示すように、酸化物磁性材料基板3,4の突き合わ
せ面の磁気ギャップg1 ,g2 に相当する位置に磁気ギ
ャップg1 ,g2 と平行なギャップ形成面3a,4aが
形成されており(図2中には磁気ギャップg1 のみを示
す。)、その両端には、磁気ギャップg1 ,g2 のトラ
ック幅を規制するためのトラック幅規制溝7,8が設け
られている。すなわち、酸化物磁性材料基板3,4の突
き合わせ面にその形状に沿って被着形成される金属磁性
膜5,6は、ギャップ形成面3a,4a上において磁気
ギャップg1 と平行となる。また、トラック幅規制溝
7,8によって酸化物磁性材料基板3,4のギャップ形
成面3a,4aの幅が規制されていることから、金属磁
性膜5,6の突き合わせ面の幅も自ずから規制されるこ
ととなる。従って、金属磁性膜5,6の突き合わせ面間
に形成される磁気ギャップg1 のトラック幅Twも規制
されることとなる。
【0015】また、磁気ギャップg1 (フロントギャッ
プ)側及び磁気ギャップg2 (バックギャップ)側のト
ラック幅規制溝7,8により形成される溝部には融着ガ
ラス9,10が充填され、上述のように磁気コア半体
1,2は接合一体化されている。
プ)側及び磁気ギャップg2 (バックギャップ)側のト
ラック幅規制溝7,8により形成される溝部には融着ガ
ラス9,10が充填され、上述のように磁気コア半体
1,2は接合一体化されている。
【0016】さらに、酸化物磁性材料基板3,4にはコ
イルを巻回するための巻線溝11,12及びこれらと相
対向する位置に巻線補助溝13,14が設けられてい
る。さらに、この磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体
に対する当たりを確保するために磁気記録媒体と摺接す
る磁気記録媒体摺動面に段差が設けられている。
イルを巻回するための巻線溝11,12及びこれらと相
対向する位置に巻線補助溝13,14が設けられてい
る。さらに、この磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体
に対する当たりを確保するために磁気記録媒体と摺接す
る磁気記録媒体摺動面に段差が設けられている。
【0017】そして、このとき本実施例の磁気ヘッドに
おいては、前述したように(図2中にも示すが)、磁気
コア半体1,2の突き合わせ面の磁気ギャップ形成部分
1a,2aにSiO2 よりなるギャップ膜15,16が
形成され、他の部分にはCrよりなる反応防止膜17,
18とSiO2 よりなるギャップ膜15,16が積層形
成されている。
おいては、前述したように(図2中にも示すが)、磁気
コア半体1,2の突き合わせ面の磁気ギャップ形成部分
1a,2aにSiO2 よりなるギャップ膜15,16が
形成され、他の部分にはCrよりなる反応防止膜17,
18とSiO2 よりなるギャップ膜15,16が積層形
成されている。
【0018】従って、本実施例の磁気ヘッドにおいて
は、磁気ギャップg1 のギャップ長W 1 はギャップ膜1
5,16の膜厚のみにより決定されることとなり、その
精度は良好なものとなる。そして、本実施例の磁気ヘッ
ドにおいては、磁気ギャップ形成部分1a,2a以外の
他の部分1b,2bにおいては、金属磁性膜5,6上に
反応防止膜17,18が設けられていることから、該金
属磁性膜17,18と融着ガラス9,10の反応が防止
され、これらの剥離や金属磁性膜の侵食によるトラック
幅の減少といった不都合が生じない。
は、磁気ギャップg1 のギャップ長W 1 はギャップ膜1
5,16の膜厚のみにより決定されることとなり、その
精度は良好なものとなる。そして、本実施例の磁気ヘッ
ドにおいては、磁気ギャップ形成部分1a,2a以外の
他の部分1b,2bにおいては、金属磁性膜5,6上に
反応防止膜17,18が設けられていることから、該金
属磁性膜17,18と融着ガラス9,10の反応が防止
され、これらの剥離や金属磁性膜の侵食によるトラック
幅の減少といった不都合が生じない。
【0019】次いで、本発明を適用した磁気ヘッドの製
造方法の実施例について説明する。先ず、図3に示され
るように、酸化物磁性材料基板を形成するための酸化物
磁性材料よりなるブロック26を用意し、研削盤により
面出しを行い、その突き合わせ面26aに酸化物磁性材
料基板の突き合わせ幅、すなわち後工程によって形成さ
れる磁気ギャップのトラック幅を規制するためのトラッ
ク幅規制溝27を機械加工により複数形成する。この
時、トラック幅規制溝27の形状は、断面略半円形状と
し、図2中θで示す上記磁気ギャップg1 のエッジ部の
開き角が90゜以上となるようにする。なお、本実施例
においては、エッジ部の開き角θを120゜とするため
に、図4に示すように、ブロック26の突き合わせ面2
6aと垂直な線aと断面略半円形状のトラック幅規制溝
27の接線bのなす角が30゜となるように砥石成形を
行い、溝入れを行ってトラック幅規制溝を設けた。
造方法の実施例について説明する。先ず、図3に示され
るように、酸化物磁性材料基板を形成するための酸化物
磁性材料よりなるブロック26を用意し、研削盤により
面出しを行い、その突き合わせ面26aに酸化物磁性材
料基板の突き合わせ幅、すなわち後工程によって形成さ
れる磁気ギャップのトラック幅を規制するためのトラッ
ク幅規制溝27を機械加工により複数形成する。この
時、トラック幅規制溝27の形状は、断面略半円形状と
し、図2中θで示す上記磁気ギャップg1 のエッジ部の
開き角が90゜以上となるようにする。なお、本実施例
においては、エッジ部の開き角θを120゜とするため
に、図4に示すように、ブロック26の突き合わせ面2
6aと垂直な線aと断面略半円形状のトラック幅規制溝
27の接線bのなす角が30゜となるように砥石成形を
行い、溝入れを行ってトラック幅規制溝を設けた。
【0020】なお、ブロック26を構成する酸化物磁性
材料としては、Mn−Zn系フェライト,Mn−Ni系
フェライトの単結晶或いはこれらの接合材等が挙げられ
る。なお、本実施例においては、Mn−Zn系フェライ
トの単結晶を用いた。
材料としては、Mn−Zn系フェライト,Mn−Ni系
フェライトの単結晶或いはこれらの接合材等が挙げられ
る。なお、本実施例においては、Mn−Zn系フェライ
トの単結晶を用いた。
【0021】次いで、図5に示すように、コイルを巻装
するための断面略台形形状の巻線溝28、ガラス融着接
合を行うための断面略コ字状をなすガラス溝29をトラ
ック幅規制溝27と直交するように機械加工によって形
成し、ブロック26のギャップ形成面26a1 をポリッ
シング等により鏡面に仕上げる。この時、巻線溝28の
一方の側面28aは、形成される磁気ギャップg1 (フ
ロントギャップ)の深さ(デプス)を規制することとな
るために傾斜面とする。なお、巻線溝28の他方の側面
28bは、傾斜面または垂直面のいずれでも良い。
するための断面略台形形状の巻線溝28、ガラス融着接
合を行うための断面略コ字状をなすガラス溝29をトラ
ック幅規制溝27と直交するように機械加工によって形
成し、ブロック26のギャップ形成面26a1 をポリッ
シング等により鏡面に仕上げる。この時、巻線溝28の
一方の側面28aは、形成される磁気ギャップg1 (フ
ロントギャップ)の深さ(デプス)を規制することとな
るために傾斜面とする。なお、巻線溝28の他方の側面
28bは、傾斜面または垂直面のいずれでも良い。
【0022】そして、上記ブロック26の所定の位置に
各溝を形成した後にブロック26を切断し、図6に示す
ような一対のブロック半体(図中には一方のブロック半
体30のみを示す。)を形成する。
各溝を形成した後にブロック26を切断し、図6に示す
ような一対のブロック半体(図中には一方のブロック半
体30のみを示す。)を形成する。
【0023】次いで、図7に示すようにトラック幅規制
溝27,巻線溝28,ガラス溝29の形成された上記ブ
ロック半体30の突き合わせ面30aに、金属磁性膜3
1をスパッタリング法,蒸着法等により形成し、磁気コ
ア半体ブロック33を完成する。この際、金属磁性膜3
1とブロック半体30の付着力を向上させるために、図
8に示すように、これらの間に下地層32を介在させて
も良い。上記金属磁性膜31としては、センダスト(F
e−Al−Si)及びこれにO,Tiを添加した結晶質
磁性金属膜、Fe−Ru−Ga−Si及びこれにO,N
を添加した結晶質磁性金属膜、或いはFe系,Co系の
微結晶磁性金属膜が挙げられ、これらの合金膜,積層膜
を用いても良い。また、下地膜32としては、SiO
2 ,Ta2O5 等の酸化物膜、Si3 N4 等の窒化物
膜、Cr,Al,Pt等の金属膜が挙げられ、これらの
積層膜を用いても良い。なお、本実施例においては、金
属磁性膜31としてFe−Ru−Ga−Si膜を形成
し、下地膜32としてCr膜を形成した。
溝27,巻線溝28,ガラス溝29の形成された上記ブ
ロック半体30の突き合わせ面30aに、金属磁性膜3
1をスパッタリング法,蒸着法等により形成し、磁気コ
ア半体ブロック33を完成する。この際、金属磁性膜3
1とブロック半体30の付着力を向上させるために、図
8に示すように、これらの間に下地層32を介在させて
も良い。上記金属磁性膜31としては、センダスト(F
e−Al−Si)及びこれにO,Tiを添加した結晶質
磁性金属膜、Fe−Ru−Ga−Si及びこれにO,N
を添加した結晶質磁性金属膜、或いはFe系,Co系の
微結晶磁性金属膜が挙げられ、これらの合金膜,積層膜
を用いても良い。また、下地膜32としては、SiO
2 ,Ta2O5 等の酸化物膜、Si3 N4 等の窒化物
膜、Cr,Al,Pt等の金属膜が挙げられ、これらの
積層膜を用いても良い。なお、本実施例においては、金
属磁性膜31としてFe−Ru−Ga−Si膜を形成
し、下地膜32としてCr膜を形成した。
【0024】そして、図9に示すように、磁気コア半体
ブロック33の金属磁性膜31上に反応防止膜34を設
ける。上記反応防止膜34としては、Zr2 O3 ,Ta
2 O 5 等の酸化物膜、Si3 N4 等の窒化物膜、Cr,
Al,Pt等の金属膜が挙げられ、これらの積層膜を用
いても良い。なお、本実施例においては、後工程の磁気
コア半体ブロック接合の際に使用される融着ガラスの流
れを向上させるために、反応防止膜34としてCr膜を
形成した。
ブロック33の金属磁性膜31上に反応防止膜34を設
ける。上記反応防止膜34としては、Zr2 O3 ,Ta
2 O 5 等の酸化物膜、Si3 N4 等の窒化物膜、Cr,
Al,Pt等の金属膜が挙げられ、これらの積層膜を用
いても良い。なお、本実施例においては、後工程の磁気
コア半体ブロック接合の際に使用される融着ガラスの流
れを向上させるために、反応防止膜34としてCr膜を
形成した。
【0025】次に、本実施例の磁気ヘッドの製造方法に
おいては、図10に示すように、磁気コア半体ブロック
33のブロック26のギャップ形成面26a1 上の金属
磁性膜31上に形成された反応防止膜34を図中一点鎖
線の位置まで鏡面加工する。これにより、図中破線で示
す磁気ギャップ形成部分にあたる反応防止膜34が研削
除去され、かつ金属磁性膜31の一部が研削されて磁気
ギャップ形成部分31aの幅が所定のトラック幅Twと
なるとともにそのギャップエッジが明確化される。
おいては、図10に示すように、磁気コア半体ブロック
33のブロック26のギャップ形成面26a1 上の金属
磁性膜31上に形成された反応防止膜34を図中一点鎖
線の位置まで鏡面加工する。これにより、図中破線で示
す磁気ギャップ形成部分にあたる反応防止膜34が研削
除去され、かつ金属磁性膜31の一部が研削されて磁気
ギャップ形成部分31aの幅が所定のトラック幅Twと
なるとともにそのギャップエッジが明確化される。
【0026】そして、本実施例の磁気ヘッドの製造方法
においては、図11に示すように、磁気コア半体ブロッ
ク33の突き合わせ面33a上にSiO2 よりなるギャ
ップ膜35を形成する。その結果、磁気コア半体ブロッ
ク33の磁気ギャップ形成部分33a1 においては、ギ
ャップ膜35のみが積層形成され、他の部分33a2に
おいては、反応防止膜34,ギャップ膜35が形成され
ることとなる。
においては、図11に示すように、磁気コア半体ブロッ
ク33の突き合わせ面33a上にSiO2 よりなるギャ
ップ膜35を形成する。その結果、磁気コア半体ブロッ
ク33の磁気ギャップ形成部分33a1 においては、ギ
ャップ膜35のみが積層形成され、他の部分33a2に
おいては、反応防止膜34,ギャップ膜35が形成され
ることとなる。
【0027】次に、上記のようにして反応防止膜34,
ギャップ膜35の形成された磁気コア半体ブロック33
とこれと同様に形成される磁気コア半体ブロック36の
接合を図12に示されるように行う。なお、磁気コア半
体ブロック33,36の接合を行うにあたっては、それ
ぞれに形成される金属磁性膜31,40を対向させて突
き合わせ面とし、トラック幅規制溝27,37、巻線溝
28,38、ガラス溝29,39の位置合わせを行った
上で、巻線溝28,38、ガラス溝29,39間に融着
ガラス41,42を配し、加圧しながら図中に示すよう
に溶融充填して磁気コア半体ブロック33,36を接合
する。
ギャップ膜35の形成された磁気コア半体ブロック33
とこれと同様に形成される磁気コア半体ブロック36の
接合を図12に示されるように行う。なお、磁気コア半
体ブロック33,36の接合を行うにあたっては、それ
ぞれに形成される金属磁性膜31,40を対向させて突
き合わせ面とし、トラック幅規制溝27,37、巻線溝
28,38、ガラス溝29,39の位置合わせを行った
上で、巻線溝28,38、ガラス溝29,39間に融着
ガラス41,42を配し、加圧しながら図中に示すよう
に溶融充填して磁気コア半体ブロック33,36を接合
する。
【0028】このようにして接合された磁気コア半体ブ
ロック33,36の金属磁性膜31,40の突き合わせ
面間には、磁気ギャップg1 (フロントギャップ),磁
気ギャップg2 (バックギャップ)が形成される(図中
には、磁気ギャップg1 のみを示す。)。そして、この
とき上述のように、各磁気コア半体ブロック半体33,
36の突き合わせ面33a,36aの磁気ギャップ形成
部分33a1 ,36a 1 には、ギャップ膜35,43の
みが形成されており、金属磁性膜31,40の突き合わ
せ面間には上記ギャップ膜35,43の膜厚によって決
定される所定のギャップ長を有する磁気ギャップg1 が
形成されることとなる。
ロック33,36の金属磁性膜31,40の突き合わせ
面間には、磁気ギャップg1 (フロントギャップ),磁
気ギャップg2 (バックギャップ)が形成される(図中
には、磁気ギャップg1 のみを示す。)。そして、この
とき上述のように、各磁気コア半体ブロック半体33,
36の突き合わせ面33a,36aの磁気ギャップ形成
部分33a1 ,36a 1 には、ギャップ膜35,43の
みが形成されており、金属磁性膜31,40の突き合わ
せ面間には上記ギャップ膜35,43の膜厚によって決
定される所定のギャップ長を有する磁気ギャップg1 が
形成されることとなる。
【0029】最後に、磁気コア半体ブロック33,36
の巻線溝28,38に相対向する位置に巻線補助溝を形
成し、これらの媒体対向面に円筒研削を施し、所定のア
ジマス角に傾斜させ、当たり幅加工を行い、所定のチッ
プ厚に切断して図1に示すような磁気ヘッドを完成す
る。
の巻線溝28,38に相対向する位置に巻線補助溝を形
成し、これらの媒体対向面に円筒研削を施し、所定のア
ジマス角に傾斜させ、当たり幅加工を行い、所定のチッ
プ厚に切断して図1に示すような磁気ヘッドを完成す
る。
【0030】本実施例の磁気ヘッドの製造方法により製
造される磁気ヘッドにおいては、磁気ギャップのギャッ
プ長がギャップ膜の膜厚のみで決定されるため、その精
度は良好なものとなる。
造される磁気ヘッドにおいては、磁気ギャップのギャッ
プ長がギャップ膜の膜厚のみで決定されるため、その精
度は良好なものとなる。
【0031】そして、本実施例の磁気ヘッドの製造方法
においては、製造工程中、金属磁性膜の磁気ギャップ形
成部分にも鏡面加工を施すことから、磁気ギャップのエ
ッジ部を明確化することができ、製造される磁気ヘッド
の記録時における磁気ギャップのエッジ部からの漏洩磁
界を小さくすることができ、サイドイレーズを防ぎ、再
生時に良好な再生特性を得ることができる。また、本実
施例の磁気ヘッドの製造方法においては、磁気ギャップ
形成部分が平坦化されることからギャップ膜の磁気ギャ
ップ形成部分における製造不良が発生しにくく、生産性
が大きく向上される。
においては、製造工程中、金属磁性膜の磁気ギャップ形
成部分にも鏡面加工を施すことから、磁気ギャップのエ
ッジ部を明確化することができ、製造される磁気ヘッド
の記録時における磁気ギャップのエッジ部からの漏洩磁
界を小さくすることができ、サイドイレーズを防ぎ、再
生時に良好な再生特性を得ることができる。また、本実
施例の磁気ヘッドの製造方法においては、磁気ギャップ
形成部分が平坦化されることからギャップ膜の磁気ギャ
ップ形成部分における製造不良が発生しにくく、生産性
が大きく向上される。
【0032】また、本実施例の磁気ヘッドの製造方法に
おいては、磁気コア半体ブロックの磁気ギャップ形成部
分以外の部分においては、反応防止膜とギャップ膜を積
層形成していることから、磁気コア半体接合工程におい
て融着ガラスを溶融充填しても融着ガラスと金属磁性膜
間の反応が生じることはなく、接合時の加圧によりこれ
らの剥離が生じる、あるいは製造された磁気ヘッドにお
いて金属磁性膜の侵食が生じて磁気ギャップのトラック
幅が変動するといった不都合が生じない。
おいては、磁気コア半体ブロックの磁気ギャップ形成部
分以外の部分においては、反応防止膜とギャップ膜を積
層形成していることから、磁気コア半体接合工程におい
て融着ガラスを溶融充填しても融着ガラスと金属磁性膜
間の反応が生じることはなく、接合時の加圧によりこれ
らの剥離が生じる、あるいは製造された磁気ヘッドにお
いて金属磁性膜の侵食が生じて磁気ギャップのトラック
幅が変動するといった不都合が生じない。
【0033】これまで、磁気ギャップがギャップ膜のみ
により構成される磁気ヘッドの実施例について述べてき
たが、本発明を適用した磁気ヘッドの実施例としては、
以下のように磁気ギャップがギャップ膜と薄い反応防止
膜により構成される磁気ヘッドも挙げられる。
により構成される磁気ヘッドの実施例について述べてき
たが、本発明を適用した磁気ヘッドの実施例としては、
以下のように磁気ギャップがギャップ膜と薄い反応防止
膜により構成される磁気ヘッドも挙げられる。
【0034】上記磁気ヘッドも前述の磁気ヘッドの実施
例と略同様であり、図13に示すように、磁性フェライ
ト等の酸化物磁性材料基板53,54の突き合わせ面に
金属磁性膜55,56が被着形成された一対の磁気コア
半体51,52が、上記金属磁性膜55,56を突き合
わせるようにして接合一体化されたものであり、磁気コ
ア半体51,52の突き合わせ面51a,52a間に、
記録再生として動作する磁気ギャップg1 (フロントギ
ャップ)と図示しないバックギャップが形成されてなる
ものである。
例と略同様であり、図13に示すように、磁性フェライ
ト等の酸化物磁性材料基板53,54の突き合わせ面に
金属磁性膜55,56が被着形成された一対の磁気コア
半体51,52が、上記金属磁性膜55,56を突き合
わせるようにして接合一体化されたものであり、磁気コ
ア半体51,52の突き合わせ面51a,52a間に、
記録再生として動作する磁気ギャップg1 (フロントギ
ャップ)と図示しないバックギャップが形成されてなる
ものである。
【0035】そして、本実施例の磁気ヘッドにおいて
は、磁気コア半体51,52の突き合わせ面の磁気ギャ
ップ形成部分51a,52aにZrO2 よりなる極薄い
膜厚の第2の反応防止膜57,58とSiO2 よりなる
ギャップ膜59,60が積層形成されており、他の部分
51b,52bにはCrよりなる第1の反応防止膜6
1,62および第2の反応防止膜57,58とギャップ
膜59,60が積層形成されている。
は、磁気コア半体51,52の突き合わせ面の磁気ギャ
ップ形成部分51a,52aにZrO2 よりなる極薄い
膜厚の第2の反応防止膜57,58とSiO2 よりなる
ギャップ膜59,60が積層形成されており、他の部分
51b,52bにはCrよりなる第1の反応防止膜6
1,62および第2の反応防止膜57,58とギャップ
膜59,60が積層形成されている。
【0036】従って、本実施例の磁気ヘッドにおいて
は、磁気ギャップg1 のギャップ長W 1 は第2の反応防
止膜57,58とギャップ膜59,60の膜厚の和によ
り決定されることとなるが、第2の反応防止膜57,5
8の膜厚が極薄いものであるため、殆どギャップ膜5
9,60の膜厚で決定されることとなり、その精度は前
記の実施例と同様に良好なものとなる。そして、本実施
例の磁気ヘッドにおいても、磁気ギャップ形成部分51
a,52a以外の他の部分51b,52bにおいて、金
属磁性膜55,56上に第1,第2の反応防止膜61,
62,57,58が設けられていることから、該金属磁
性膜55,56と融着ガラス62の反応が防止され、こ
れらの剥離や金属磁性膜の侵食によるトラック幅の減少
といった不都合が生じない。
は、磁気ギャップg1 のギャップ長W 1 は第2の反応防
止膜57,58とギャップ膜59,60の膜厚の和によ
り決定されることとなるが、第2の反応防止膜57,5
8の膜厚が極薄いものであるため、殆どギャップ膜5
9,60の膜厚で決定されることとなり、その精度は前
記の実施例と同様に良好なものとなる。そして、本実施
例の磁気ヘッドにおいても、磁気ギャップ形成部分51
a,52a以外の他の部分51b,52bにおいて、金
属磁性膜55,56上に第1,第2の反応防止膜61,
62,57,58が設けられていることから、該金属磁
性膜55,56と融着ガラス62の反応が防止され、こ
れらの剥離や金属磁性膜の侵食によるトラック幅の減少
といった不都合が生じない。
【0037】なお、このような磁気ヘッドを製造するに
際しても、前述の磁気ヘッドの製造方法に準じて製造を
行えば良く、磁気コア半体ブロック上に第1の反応防止
膜を形成し、磁気ギャップ形成部分に鏡面加工を行った
後、極薄い膜厚の第2の反応防止膜を形成し、ギャップ
膜を形成し、磁気コア半体ブロック同士の接合を行えば
良い。
際しても、前述の磁気ヘッドの製造方法に準じて製造を
行えば良く、磁気コア半体ブロック上に第1の反応防止
膜を形成し、磁気ギャップ形成部分に鏡面加工を行った
後、極薄い膜厚の第2の反応防止膜を形成し、ギャップ
膜を形成し、磁気コア半体ブロック同士の接合を行えば
良い。
【0038】次に、本実施例の磁気ヘッドの効果を確認
すべく、以下のような実験を行った。 実験例 1 先ず、金属磁性膜上に設ける反応防止膜の効果について
調査した。すなわち、図16に示すような金属磁性膜上
に反応防止膜の形成されない磁気ヘッド(磁気ヘッド比
較例サンプル1)を形成し、図17に示すような金属磁
性膜上全体にわたって反応防止膜が形成されている磁気
ヘッド(磁気ヘッド比較例サンプル2)を特開平4−3
70509号公報に記載される製造方法に従って形成
し、これらの製造工程中における融着ガラスと金属磁性
膜間の剥離、金属磁性膜の融着ガラスとの接触面の侵食
の発生を調査した。その結果、製造工程中の融着ガラス
と金属磁性膜間の剥離の発生率は、磁気ヘッド比較例サ
ンプル1においては10%、磁気ヘッド比較例サンプル
2においては1%であった。一方、金属磁性膜の侵食
は、磁気ヘッド比較例サンプル1においては観察された
が、磁気ヘッド比較例サンプル2においては観察されな
かった。従って、金属磁性膜上に反応防止膜を設けるこ
とにより、融着ガラスと金属磁性膜間の剥離や金属磁性
膜の侵食が抑えられることが確認された。すなわち、本
実施例の磁気ヘッドにおいても金属磁性膜上に反応防止
膜が設けられていることから同様の効果が期待される。
すべく、以下のような実験を行った。 実験例 1 先ず、金属磁性膜上に設ける反応防止膜の効果について
調査した。すなわち、図16に示すような金属磁性膜上
に反応防止膜の形成されない磁気ヘッド(磁気ヘッド比
較例サンプル1)を形成し、図17に示すような金属磁
性膜上全体にわたって反応防止膜が形成されている磁気
ヘッド(磁気ヘッド比較例サンプル2)を特開平4−3
70509号公報に記載される製造方法に従って形成
し、これらの製造工程中における融着ガラスと金属磁性
膜間の剥離、金属磁性膜の融着ガラスとの接触面の侵食
の発生を調査した。その結果、製造工程中の融着ガラス
と金属磁性膜間の剥離の発生率は、磁気ヘッド比較例サ
ンプル1においては10%、磁気ヘッド比較例サンプル
2においては1%であった。一方、金属磁性膜の侵食
は、磁気ヘッド比較例サンプル1においては観察された
が、磁気ヘッド比較例サンプル2においては観察されな
かった。従って、金属磁性膜上に反応防止膜を設けるこ
とにより、融着ガラスと金属磁性膜間の剥離や金属磁性
膜の侵食が抑えられることが確認された。すなわち、本
実施例の磁気ヘッドにおいても金属磁性膜上に反応防止
膜が設けられていることから同様の効果が期待される。
【0039】実験例 2 本実験例においては、本実施例の磁気ヘッドにおいてギ
ャップ長精度が向上していることを確認する実験を行っ
た。すなわち、図1,2に示すような磁気ギャップ形成
部分にはギャップ膜のみ形成され、他の部分には反応防
止膜とギャップ膜が積層形成される磁気ヘッド(磁気ヘ
ッド実施例サンプル1)を本実施例の磁気ヘッドの製造
方法に従って形成し、磁気ヘッド比較例サンプル2も上
記のように形成し、これらのギャップ長精度を比較し
た。なお、ギャップ長精度は、ギャップ長のずれ量が±
100オングストローム以上である場合をずれが生じて
いるものとし、その発生率により評価した。その結果、
磁気ヘッド実施例サンプル1のずれの発生率は2%以下
であり、磁気ヘッド比較例サンプル2のずれの発生率は
15〜20%であった。このことから、従来の磁気ヘッ
ドの磁気ギャップのギャップ長が反応防止膜とギャップ
膜の膜厚の和で決定されるのに対し、本実施例の磁気ヘ
ッドの磁気ギャップのギャップ長はギャップ膜の膜厚の
みで決定されているために、ギャップ長にずれが生じ難
く、本実施例の磁気ヘッドの磁気ギャップのギャップ長
精度が向上していることが確認された。
ャップ長精度が向上していることを確認する実験を行っ
た。すなわち、図1,2に示すような磁気ギャップ形成
部分にはギャップ膜のみ形成され、他の部分には反応防
止膜とギャップ膜が積層形成される磁気ヘッド(磁気ヘ
ッド実施例サンプル1)を本実施例の磁気ヘッドの製造
方法に従って形成し、磁気ヘッド比較例サンプル2も上
記のように形成し、これらのギャップ長精度を比較し
た。なお、ギャップ長精度は、ギャップ長のずれ量が±
100オングストローム以上である場合をずれが生じて
いるものとし、その発生率により評価した。その結果、
磁気ヘッド実施例サンプル1のずれの発生率は2%以下
であり、磁気ヘッド比較例サンプル2のずれの発生率は
15〜20%であった。このことから、従来の磁気ヘッ
ドの磁気ギャップのギャップ長が反応防止膜とギャップ
膜の膜厚の和で決定されるのに対し、本実施例の磁気ヘ
ッドの磁気ギャップのギャップ長はギャップ膜の膜厚の
みで決定されているために、ギャップ長にずれが生じ難
く、本実施例の磁気ヘッドの磁気ギャップのギャップ長
精度が向上していることが確認された。
【0040】実験例 3 本実験例においては、本実施例の磁気ヘッドの再生特性
が向上していることを確認する実験を行った。本実施例
の磁気ヘッドは、通常VTRに搭載され、このような磁
気ヘッドにおいては、記録時に隣接トラックの一部に重
ね書きを行ってしまう、いわゆるサイドイレーズが発生
しやすく、このために再生特性が低下しやすい。
が向上していることを確認する実験を行った。本実施例
の磁気ヘッドは、通常VTRに搭載され、このような磁
気ヘッドにおいては、記録時に隣接トラックの一部に重
ね書きを行ってしまう、いわゆるサイドイレーズが発生
しやすく、このために再生特性が低下しやすい。
【0041】そこで、上述の磁気ヘッド実施例サンプル
1と磁気ヘッド比較例サンプル2についてサイドイレー
ズ量を測定した。上記サイドイレーズ量は、次のように
して測定した。すなわち、磁気記録再生装置として記録
された信号のトラックピッチが10μmとなるように改
造された8mm用ビデオテープレコーダ(ソニー社製H
i8(商品名))を用い、磁気記録媒体として(Hi8
用)蒸着テープを使用し、上記2種類の磁気ヘッドによ
って記録を行った際のサイドイレーズ量をビッターパタ
ーンで測定した。
1と磁気ヘッド比較例サンプル2についてサイドイレー
ズ量を測定した。上記サイドイレーズ量は、次のように
して測定した。すなわち、磁気記録再生装置として記録
された信号のトラックピッチが10μmとなるように改
造された8mm用ビデオテープレコーダ(ソニー社製H
i8(商品名))を用い、磁気記録媒体として(Hi8
用)蒸着テープを使用し、上記2種類の磁気ヘッドによ
って記録を行った際のサイドイレーズ量をビッターパタ
ーンで測定した。
【0042】その結果、磁気ヘッド実施例サンプル1に
おいては、図14に示すように、図中Tpで示されるA
チャンネル,Bチャンネルの記録トラックのトラックピ
ッチ10μmに対して図中E1 で示される0.5μm以
内のサイドイレーズ量が測定された。一方、磁気ヘッド
比較例サンプルにおいては、図15に示すように、図中
Tpで示されるAチャンネル,Bチャンネルの記録トラ
ックのトラックピッチ10μmに対して図中E2 で示さ
れる約2μmのイレーズ量が測定された。これは、磁気
ヘッド実施例サンプル1は製造工程中に金属磁性膜に対
しても鏡面加工を施しており、磁気ギャップのエッジ部
が明確化されていることから、記録時の該エッジ部から
の漏洩磁界が小さくなり、サイドイレーズが防止されて
いるためと思われる。従って、磁気ヘッド実施例サンプ
ル1においては、良好な再生出力が期待される。
おいては、図14に示すように、図中Tpで示されるA
チャンネル,Bチャンネルの記録トラックのトラックピ
ッチ10μmに対して図中E1 で示される0.5μm以
内のサイドイレーズ量が測定された。一方、磁気ヘッド
比較例サンプルにおいては、図15に示すように、図中
Tpで示されるAチャンネル,Bチャンネルの記録トラ
ックのトラックピッチ10μmに対して図中E2 で示さ
れる約2μmのイレーズ量が測定された。これは、磁気
ヘッド実施例サンプル1は製造工程中に金属磁性膜に対
しても鏡面加工を施しており、磁気ギャップのエッジ部
が明確化されていることから、記録時の該エッジ部から
の漏洩磁界が小さくなり、サイドイレーズが防止されて
いるためと思われる。従って、磁気ヘッド実施例サンプ
ル1においては、良好な再生出力が期待される。
【0043】そこで、磁気ヘッド実施例サンプル1と磁
気ヘッド比較例サンプル2について再生出力を測定し
た。測定は、周波数を10MHz,20MHzとし、速
度を10m/secとして行った。その結果、磁気ヘッ
ド実施例サンプル1においては、10MHzで+1d
B、20MHzで+0.8dBという結果が得られ、磁
気ヘッド比較例サンプル2においては、10MHz,2
0MHzともに0dBという結果が得られた。従って、
本実施例の磁気ヘッドにおいては、サイドイレーズ量が
減少し、このことから再生出力が向上し、再生特性が向
上していることが確認された。
気ヘッド比較例サンプル2について再生出力を測定し
た。測定は、周波数を10MHz,20MHzとし、速
度を10m/secとして行った。その結果、磁気ヘッ
ド実施例サンプル1においては、10MHzで+1d
B、20MHzで+0.8dBという結果が得られ、磁
気ヘッド比較例サンプル2においては、10MHz,2
0MHzともに0dBという結果が得られた。従って、
本実施例の磁気ヘッドにおいては、サイドイレーズ量が
減少し、このことから再生出力が向上し、再生特性が向
上していることが確認された。
【0044】すなわち、実験例1〜3の結果から、本実
施例の磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜の侵食が発生
せず、磁気ギャップのトラック幅の変動が生じないこ
と、磁気ギャップのギャップ長精度が良好であること、
サイドイレーズが生じ難く、再生が向上していることが
確認された。
施例の磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜の侵食が発生
せず、磁気ギャップのトラック幅の変動が生じないこ
と、磁気ギャップのギャップ長精度が良好であること、
サイドイレーズが生じ難く、再生が向上していることが
確認された。
【0045】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は、酸化物磁性材料基板の突き合わせ面に金属磁性膜
が形成されてなる一対の磁気コア半体が、磁気コア半体
の突き合わせ面間に非磁性層よりなる磁気ギャップを形
成して接合一体化されてなる磁気ヘッドにおいて、磁気
ギャップ形成部分における非磁性層の積層数を他の部分
における積層数よりも少なくしており、このとき磁気ギ
ャップ形成部分における非磁性層を1層として該非磁性
層をギャップ膜であるSiO2 膜で構成すると、磁気ギ
ャップのギャップ長精度が良好なものとなり、他の部分
における非磁性層を少なくともギャップ膜であるSiO
2 膜と反応防止膜であるCr膜で構成すると、金属磁性
膜と一対の磁気コア半体の接合の際に使用される融着ガ
ラスの反応が防止され、トラック幅の変動が生じ難い。
明は、酸化物磁性材料基板の突き合わせ面に金属磁性膜
が形成されてなる一対の磁気コア半体が、磁気コア半体
の突き合わせ面間に非磁性層よりなる磁気ギャップを形
成して接合一体化されてなる磁気ヘッドにおいて、磁気
ギャップ形成部分における非磁性層の積層数を他の部分
における積層数よりも少なくしており、このとき磁気ギ
ャップ形成部分における非磁性層を1層として該非磁性
層をギャップ膜であるSiO2 膜で構成すると、磁気ギ
ャップのギャップ長精度が良好なものとなり、他の部分
における非磁性層を少なくともギャップ膜であるSiO
2 膜と反応防止膜であるCr膜で構成すると、金属磁性
膜と一対の磁気コア半体の接合の際に使用される融着ガ
ラスの反応が防止され、トラック幅の変動が生じ難い。
【0046】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法にお
いては、酸化物磁性材料基板の突き合わせ面に磁気ギャ
ップのトラック幅を規制するトラック幅規制溝を形成す
る工程と、上記トラック幅規制溝が形成された酸化物磁
性材料基板上に金属磁性膜を被着形成して磁気コア半体
を形成する工程と、上記金属磁性膜上にCrよりなる反
応防止膜を形成する工程と、磁気ギャップ形成部分の反
応防止膜を鏡面加工して該反応防止膜を除去する工程
と、トラック幅規制溝内を含む鏡面加工面にSiO2 よ
りなるギャップ膜を形成する工程と、一対の磁気コア半
体を接合一体化する工程を有し、反応防止膜に鏡面加工
する際に、その下層の金属磁性膜にも鏡面加工を行う
と、磁気ギャップのエッジ部が明確化され、サイドイレ
ーズが防止され、その結果再生特性が向上する。
いては、酸化物磁性材料基板の突き合わせ面に磁気ギャ
ップのトラック幅を規制するトラック幅規制溝を形成す
る工程と、上記トラック幅規制溝が形成された酸化物磁
性材料基板上に金属磁性膜を被着形成して磁気コア半体
を形成する工程と、上記金属磁性膜上にCrよりなる反
応防止膜を形成する工程と、磁気ギャップ形成部分の反
応防止膜を鏡面加工して該反応防止膜を除去する工程
と、トラック幅規制溝内を含む鏡面加工面にSiO2 よ
りなるギャップ膜を形成する工程と、一対の磁気コア半
体を接合一体化する工程を有し、反応防止膜に鏡面加工
する際に、その下層の金属磁性膜にも鏡面加工を行う
と、磁気ギャップのエッジ部が明確化され、サイドイレ
ーズが防止され、その結果再生特性が向上する。
【図1】本発明を適用した磁気ヘッドの一実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図2】本発明を適用した磁気ヘッドの一実施例を示す
要部拡大平面図である。
要部拡大平面図である。
【図3】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法の実施
例を工程順に示すものであり、ブロックにトラック幅規
制溝を形成する工程を示す斜視図である。
例を工程順に示すものであり、ブロックにトラック幅規
制溝を形成する工程を示す斜視図である。
【図4】ブロックに形成されたトラック幅規制溝を示す
要部拡大側面図である。
要部拡大側面図である。
【図5】ブロックに巻線溝,ガラス溝を形成する工程を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図6】ブロックを一対のブロック半体に切断する工程
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図7】ブロック半体に金属磁性膜を形成し、磁気コア
半体ブロックを完成させる工程を示す斜視図である。
半体ブロックを完成させる工程を示す斜視図である。
【図8】ブロック半体に形成された金属磁性膜近傍を示
す要部拡大側面図である。
す要部拡大側面図である。
【図9】磁気コア半体ブロックの金属磁性膜上に反応防
止膜を形成する工程を示す要部拡大側面図である。
止膜を形成する工程を示す要部拡大側面図である。
【図10】反応防止膜に鏡面加工を行う工程を示す要部
拡大側面図である。
拡大側面図である。
【図11】磁気コア半体ブロック上にギャップ膜を形成
する工程を示す要部拡大側面図である。
する工程を示す要部拡大側面図である。
【図12】一対の磁気コア半体ブロックを接合する工程
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図13】本発明を適用した磁気ヘッドの他の実施例を
示す要部拡大平面図である。
示す要部拡大平面図である。
【図14】磁気ヘッド実施例サンプル1によって記録を
行った場合の記録パターンを示す模式図である。
行った場合の記録パターンを示す模式図である。
【図15】磁気ヘッド比較例サンプル2によって記録を
行った場合の記録パターンを示す模式図である。
行った場合の記録パターンを示す模式図である。
【図16】従来の磁気ヘッドの一例を示す要部拡大平面
図である。
図である。
【図17】従来の磁気ヘッドの他の例を示す要部拡大平
面図である。
面図である。
1,2,51,52・・・・磁気コア半体 1a,2a,51a,52a・・・・磁気ギャップ形成
部分 1b,2b,51b,52b・・・・他の部分 3,4,53,54・・・・酸化物磁性材料基板 5,6,31,55,56・・・・金属磁性膜 15,16,35,59,60・・・・ギャップ膜 17,18,34・・・・反応防止膜 26・・・・ブロック 27・・・トラック幅規制溝 33,36・・・・磁気コア半体ブロック 57,58・・・・第2の反応防止膜 61,62・・・・第1の反応防止膜 g1 ・・・・磁気ギャップ
部分 1b,2b,51b,52b・・・・他の部分 3,4,53,54・・・・酸化物磁性材料基板 5,6,31,55,56・・・・金属磁性膜 15,16,35,59,60・・・・ギャップ膜 17,18,34・・・・反応防止膜 26・・・・ブロック 27・・・トラック幅規制溝 33,36・・・・磁気コア半体ブロック 57,58・・・・第2の反応防止膜 61,62・・・・第1の反応防止膜 g1 ・・・・磁気ギャップ
Claims (4)
- 【請求項1】 酸化物磁性材料基板の突き合わせ面に金
属磁性膜が形成されてなる一対の磁気コア半体が、磁気
コア半体の突き合わせ面間に非磁性層よりなる磁気ギャ
ップを形成して接合一体化されてなる磁気ヘッドにおい
て、 磁気ギャップ形成部分における非磁性層の積層数が他の
部分における積層数よりも少ないことを特徴とする磁気
ヘッド。 - 【請求項2】 磁気ギャップ形成部分における非磁性層
が1層よりなることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘ
ッド。 - 【請求項3】 磁気ギャップ形成部分における非磁性層
がギャップ膜であるSiO2 膜よりなり、他の部分にお
ける非磁性層が少なくともギャップ膜であるSiO2 膜
と反応防止膜であるCr膜よりなることを特徴とする請
求項2記載の磁気ヘッド。 - 【請求項4】 酸化物磁性材料基板の突き合わせ面に磁
気ギャップのトラック幅を規制するトラック幅規制溝を
形成する工程と、 上記トラック幅規制溝が形成された酸化物磁性材料基板
上に金属磁性膜を被着形成して磁気コア半体を形成する
工程と、 上記金属磁性膜上にCrよりなる反応防止膜を形成する
工程と、 磁気ギャップ形成部分の反応防止膜を鏡面加工して該反
応防止膜を除去する工程と、 トラック幅規制溝内を含む鏡面加工面にSiO2 よりな
るギャップ膜を形成する工程と、 一対の磁気コア半体を接合一体化する工程を有すること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26890393A JPH07121818A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26890393A JPH07121818A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07121818A true JPH07121818A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17464876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26890393A Pending JPH07121818A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07121818A (ja) |
-
1993
- 1993-10-27 JP JP26890393A patent/JPH07121818A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021210 |