JPH07122403A - 厚膜抵抗体組成物及び該組成物から厚膜抵抗体を製造する方法 - Google Patents
厚膜抵抗体組成物及び該組成物から厚膜抵抗体を製造する方法Info
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- JPH07122403A JPH07122403A JP5262486A JP26248693A JPH07122403A JP H07122403 A JPH07122403 A JP H07122403A JP 5262486 A JP5262486 A JP 5262486A JP 26248693 A JP26248693 A JP 26248693A JP H07122403 A JPH07122403 A JP H07122403A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】印刷適性として望まれる流動性を確保して焼成
後の抵抗体の緻密化を図り、ＴＣＲを改善する。沸点が
高く非酸化性雰囲気で高温にさらされても十分な酸化分
解性を示し焼成後にＳｉＯ2成分が残留する厚膜抵抗体
組成物を得る。 【構成】導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バ
インダとの混合物を含み、このバインダの少なくとも７
０モル％が導電性金属六硼化物に非還元性の酸化物であ
る組成物に関し、混合物を１００重量％とするときＳｉ
Ｏ2換算で０．１〜５．０重量％の有機ケイ酸化合物を
この混合物に添加する。
後の抵抗体の緻密化を図り、ＴＣＲを改善する。沸点が
高く非酸化性雰囲気で高温にさらされても十分な酸化分
解性を示し焼成後にＳｉＯ2成分が残留する厚膜抵抗体
組成物を得る。 【構成】導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バ
インダとの混合物を含み、このバインダの少なくとも７
０モル％が導電性金属六硼化物に非還元性の酸化物であ
る組成物に関し、混合物を１００重量％とするときＳｉ
Ｏ2換算で０．１〜５．０重量％の有機ケイ酸化合物を
この混合物に添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は厚膜抵抗体を製造するの
に適した組成物及びこの組成物から厚膜抵抗体を製造す
る方法に関する。更に詳しくは導電性相が六硼化物であ
る組成物に関するものである。
に適した組成物及びこの組成物から厚膜抵抗体を製造す
る方法に関する。更に詳しくは導電性相が六硼化物であ
る組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】厚膜抵抗体組成物をマイクロ回路に使用
する場合、この組成物には電気的安定性の高いことと、
加工時の感受性及び再焼成の感受性が小さいことが要求
される。特に皮膜の抵抗が広い温度範囲にわたって安定
していることが必要である。即ち、抵抗温度係数（以
下、ＴＣＲという）はあらゆる厚膜抵抗体組成物にとっ
て１つの重要な変数である。厚膜抵抗体組成物は機能性
相或いは導電性相とバインダ相とから構成されているた
め、導電性相とバインダ相の諸性質及びこれら相互間ま
たは支持体との間の相互作用などが抵抗値とＴＣＲとの
両方に影響する。
する場合、この組成物には電気的安定性の高いことと、
加工時の感受性及び再焼成の感受性が小さいことが要求
される。特に皮膜の抵抗が広い温度範囲にわたって安定
していることが必要である。即ち、抵抗温度係数（以
下、ＴＣＲという）はあらゆる厚膜抵抗体組成物にとっ
て１つの重要な変数である。厚膜抵抗体組成物は機能性
相或いは導電性相とバインダ相とから構成されているた
め、導電性相とバインダ相の諸性質及びこれら相互間ま
たは支持体との間の相互作用などが抵抗値とＴＣＲとの
両方に影響する。
【０００３】従来、この種の厚膜抵抗体組成物として、
導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バインダと
の混合物を含み、このバインダの少なくとも７０モル％
が導電性金属六硼化物に非還元性の酸化物であるものが
開示されている（特公平４−５０７２１）。この組成物
は混合物に全固形分基準で０．３〜２．５重量％の割合
でＳｉＯ2微細粉末粒子を加えることを特徴とする。こ
の厚膜抵抗体組成物は、ＳｉＯ2微細粉末粒子を加える
ことにより抵抗値の安定性、即ちＴＣＲを著しく改善す
ることができる。
導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バインダと
の混合物を含み、このバインダの少なくとも７０モル％
が導電性金属六硼化物に非還元性の酸化物であるものが
開示されている（特公平４−５０７２１）。この組成物
は混合物に全固形分基準で０．３〜２．５重量％の割合
でＳｉＯ2微細粉末粒子を加えることを特徴とする。こ
の厚膜抵抗体組成物は、ＳｉＯ2微細粉末粒子を加える
ことにより抵抗値の安定性、即ちＴＣＲを著しく改善す
ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ＳｉＯ2
微細粉末粒子は０．００７〜０．０５μｍ範囲の粒径を
有するコロイド級サイズの粒子であるため、実際の組成
物調製時には粉末粒子が凝集し易く、他の抵抗体成分と
の混合においてその均一な分散が極めて難しい。このＳ
ｉＯ2微細粉末粒子の凝集力が強いことに起因して、厚
膜抵抗体組成物はこれを印刷して薄層を形成するとき
に、印刷適性として望まれる流動性を確保することが困
難で、現実には焼成後の抵抗体の緻密化が図りにくい不
具合があった。
微細粉末粒子は０．００７〜０．０５μｍ範囲の粒径を
有するコロイド級サイズの粒子であるため、実際の組成
物調製時には粉末粒子が凝集し易く、他の抵抗体成分と
の混合においてその均一な分散が極めて難しい。このＳ
ｉＯ2微細粉末粒子の凝集力が強いことに起因して、厚
膜抵抗体組成物はこれを印刷して薄層を形成するとき
に、印刷適性として望まれる流動性を確保することが困
難で、現実には焼成後の抵抗体の緻密化が図りにくい不
具合があった。
【０００５】本発明の目的は、印刷適性として望まれる
流動性を確保でき、焼成後の抵抗体の緻密化を図って、
ＴＣＲを改善することができる厚膜抵抗体組成物及び該
組成物から厚膜抵抗体を製造する方法を提供することに
ある。本発明の別の目的は、沸点が高く、非酸化性雰囲
気で高温にさらされても十分な酸化分解性を示し、焼成
後にＳｉＯ2成分が残留する厚膜抵抗体組成物を提供す
ることにある。
流動性を確保でき、焼成後の抵抗体の緻密化を図って、
ＴＣＲを改善することができる厚膜抵抗体組成物及び該
組成物から厚膜抵抗体を製造する方法を提供することに
ある。本発明の別の目的は、沸点が高く、非酸化性雰囲
気で高温にさらされても十分な酸化分解性を示し、焼成
後にＳｉＯ2成分が残留する厚膜抵抗体組成物を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の厚膜抵抗体組成
物は、導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バイ
ンダとの混合物を含み、前記バインダの少なくとも７０
モル％が導電性金属六硼化物に非還元性の酸化物である
組成物の改良である。その特徴ある構成は混合物を１０
０重量％とするときＳｉＯ2換算で０．１〜５．０重量
％の有機ケイ酸化合物をこの混合物に添加することにあ
る。
物は、導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バイ
ンダとの混合物を含み、前記バインダの少なくとも７０
モル％が導電性金属六硼化物に非還元性の酸化物である
組成物の改良である。その特徴ある構成は混合物を１０
０重量％とするときＳｉＯ2換算で０．１〜５．０重量
％の有機ケイ酸化合物をこの混合物に添加することにあ
る。
【０００７】また本発明の上記組成物から厚膜抵抗体を
製造する方法は、(a) 導電性金属六硼化物の微細粒子と
ガラス無機バインダとの混合物にＳｉＯ2換算で０．１
〜５．０重量％の有機ケイ酸化合物を添加しかつ前記バ
インダの少なくとも７０モル％が導電性金属六硼化物に
非還元性の酸化物である組成物の有機媒体中の分散物を
調製する工程と、(b) 前記工程(a)の分散物のパターン
化された薄層を形成する工程と、(c) 前記工程(b)の薄
層を乾燥させる工程と、(d) 前記工程(c)で乾燥させた
薄層を非酸化性雰囲気中で焼成して還元性金属酸化物を
還元し、有機媒体を揮発させ、かつガラス液相のシンタ
リングを行わせる工程とを含む方法である。
製造する方法は、(a) 導電性金属六硼化物の微細粒子と
ガラス無機バインダとの混合物にＳｉＯ2換算で０．１
〜５．０重量％の有機ケイ酸化合物を添加しかつ前記バ
インダの少なくとも７０モル％が導電性金属六硼化物に
非還元性の酸化物である組成物の有機媒体中の分散物を
調製する工程と、(b) 前記工程(a)の分散物のパターン
化された薄層を形成する工程と、(c) 前記工程(b)の薄
層を乾燥させる工程と、(d) 前記工程(c)で乾燥させた
薄層を非酸化性雰囲気中で焼成して還元性金属酸化物を
還元し、有機媒体を揮発させ、かつガラス液相のシンタ
リングを行わせる工程とを含む方法である。
【０００８】以下、本発明を詳述する。 (a) 導電性金属六硼化物 本発明の導電性金属六硼化物としては、ＬａＢ6，Ｙ
Ｂ6，希土類六硼化物，ＣａＢ6，ＢａＢ6，ＳｒＢ6又は
これらの混合物が挙げられる。この金属六硼化物の平均
粒径は０．０５５μｍ〜０．３２μｍの範囲にあるもの
が好ましく、特に０．２μｍ程度がより好ましい。また
比表面積は４〜２３ｍ2／ｇの範囲にあるものが好まし
く、特に６ｍ2／ｇ程度がより好ましい。本発明の導電
性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バインダとの混
合物は、これを１００重量％とするとき、通常５〜９０
重量％、好ましくは４０〜５０重量％の金属六硼化物を
含んでいる。
Ｂ6，希土類六硼化物，ＣａＢ6，ＢａＢ6，ＳｒＢ6又は
これらの混合物が挙げられる。この金属六硼化物の平均
粒径は０．０５５μｍ〜０．３２μｍの範囲にあるもの
が好ましく、特に０．２μｍ程度がより好ましい。また
比表面積は４〜２３ｍ2／ｇの範囲にあるものが好まし
く、特に６ｍ2／ｇ程度がより好ましい。本発明の導電
性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バインダとの混
合物は、これを１００重量％とするとき、通常５〜９０
重量％、好ましくは４０〜５０重量％の金属六硼化物を
含んでいる。
【０００９】(b) ガラス無機バインダ 本発明のガラス成分は実質的に非還元性のものが選定さ
れる。即ち、導電性金属六硼化物に非還元性の酸化物を
少なくとも７０モル％含む必要がある。このガラスは結
晶性又は非結晶性のいずれであってもよいが、組成物中
に還元性酸化物成分の量が２モル％以上あるときにはガ
ラスは結晶性であることが好ましい。還元性酸化物が２
モル％未満のときには組成物中で用いるための好ましい
ガラスには、ＭＯ（１０〜３０モル％、ただしＭはＣ
ａ，Ｓｒ，Ｂａ）、ＳｉＯ2（３５〜５５モル％）、Ｂ2
Ｏ3（２５〜３０モル％）、Ａｌ2Ｏ3（５〜１５モル
％）、ＺｒＯ2（０〜４モル％）、ＴｉＯ2（０〜１モル
％）、Ｌｉ2Ｏ（０〜２モル％）等が挙げられる。好ま
しいＭはＣａである。
れる。即ち、導電性金属六硼化物に非還元性の酸化物を
少なくとも７０モル％含む必要がある。このガラスは結
晶性又は非結晶性のいずれであってもよいが、組成物中
に還元性酸化物成分の量が２モル％以上あるときにはガ
ラスは結晶性であることが好ましい。還元性酸化物が２
モル％未満のときには組成物中で用いるための好ましい
ガラスには、ＭＯ（１０〜３０モル％、ただしＭはＣ
ａ，Ｓｒ，Ｂａ）、ＳｉＯ2（３５〜５５モル％）、Ｂ2
Ｏ3（２５〜３０モル％）、Ａｌ2Ｏ3（５〜１５モル
％）、ＺｒＯ2（０〜４モル％）、ＴｉＯ2（０〜１モル
％）、Ｌｉ2Ｏ（０〜２モル％）等が挙げられる。好ま
しいＭはＣａである。
【００１０】以上述べた基本的ガラス成分に加えて、本
発明で使用するための結晶性ガラスは５〜１０％のＴａ
2Ｏ5を核形成剤としてその中に溶解して含ませる必要が
ある。本発明の導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス
無機バインダとの混合物は、これを１００重量％とする
とき、通常５〜９０重量％、好ましくは５０〜６０重量
％のガラス無機バインダを含んでいる。
発明で使用するための結晶性ガラスは５〜１０％のＴａ
2Ｏ5を核形成剤としてその中に溶解して含ませる必要が
ある。本発明の導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス
無機バインダとの混合物は、これを１００重量％とする
とき、通常５〜９０重量％、好ましくは５０〜６０重量
％のガラス無機バインダを含んでいる。
【００１１】(c) 有機ケイ酸化合物 本発明の有機ケイ酸化合物としては、Ｓｉ(ＯＣＨ3)4，
Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4，Ｓｉ(ＯＣ3Ｈ7)4，Ｓｉ(ＯＣ4Ｈ9)4
等のシリコンアルコキシドが挙げられる。本発明の導電
性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バインダとの混
合物を１００重量％とするとき、ＳｉＯ2換算で通常
０．１〜５．０重量％、好ましくは３．０〜５．０重量
％の有機ケイ酸化合物を含んでいる。０．１重量％未満
ではＳｉＯ2成分が不足し、５．０重量％を越えると、
脱バインダ処理が困難になりしかも組成物の粘性が高く
なり過ぎ印刷適性に劣る。
Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4，Ｓｉ(ＯＣ3Ｈ7)4，Ｓｉ(ＯＣ4Ｈ9)4
等のシリコンアルコキシドが挙げられる。本発明の導電
性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バインダとの混
合物を１００重量％とするとき、ＳｉＯ2換算で通常
０．１〜５．０重量％、好ましくは３．０〜５．０重量
％の有機ケイ酸化合物を含んでいる。０．１重量％未満
ではＳｉＯ2成分が不足し、５．０重量％を越えると、
脱バインダ処理が困難になりしかも組成物の粘性が高く
なり過ぎ印刷適性に劣る。
【００１２】(d) 有機媒体 無機粒子はロールミルのような機械的混合によって、本
質的に不活性な液状有機媒体（ベヒクル）と混合され、
適当な粘性とスクリーン印刷に適したレオロジを有する
ペースト状組成物となる。この組成物は慣用の方法で通
常の誘電性支持体上に「厚膜」としてプリントされる。
本発明の有機媒体としては、脂肪族アルコール類、この
アルコール類のエステル、例えば酢酸エステルとプロピ
オン酸エステル、パイン油、テルピネオールその他のよ
うなテルペン類、ポリメタクリレートのような樹脂の低
級アルコール溶液、及びパイン油のような溶媒中のエチ
ルセルロース溶液、及びモノ酢酸エチレングリコールの
モノブチルエーテル等である。抵抗体組成物ペーストを
作るために、特に好ましいベヒクルの１つは少なくとも
５０重量％の酢酸ビニルを有する酢酸エチレン−ビニル
共重合体である。
質的に不活性な液状有機媒体（ベヒクル）と混合され、
適当な粘性とスクリーン印刷に適したレオロジを有する
ペースト状組成物となる。この組成物は慣用の方法で通
常の誘電性支持体上に「厚膜」としてプリントされる。
本発明の有機媒体としては、脂肪族アルコール類、この
アルコール類のエステル、例えば酢酸エステルとプロピ
オン酸エステル、パイン油、テルピネオールその他のよ
うなテルペン類、ポリメタクリレートのような樹脂の低
級アルコール溶液、及びパイン油のような溶媒中のエチ
ルセルロース溶液、及びモノ酢酸エチレングリコールの
モノブチルエーテル等である。抵抗体組成物ペーストを
作るために、特に好ましいベヒクルの１つは少なくとも
５０重量％の酢酸ビニルを有する酢酸エチレン−ビニル
共重合体である。
【００１３】
【作用】導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機バ
インダとの混合物に有機ケイ酸化合物を添加すると、こ
の液状の有機ケイ酸化合物はペースト状の混合物に容易
に分散し、この分散物の流動性、即ち印刷適性を劣化さ
せない。この分散物を薄層化して焼成すると、ＳｉＯ2
成分が厚膜抵抗体の抵抗値の安定性に寄与し、かつ厚膜
抵抗体をより緻密でＴＣＲの改善されたものにする。
インダとの混合物に有機ケイ酸化合物を添加すると、こ
の液状の有機ケイ酸化合物はペースト状の混合物に容易
に分散し、この分散物の流動性、即ち印刷適性を劣化さ
せない。この分散物を薄層化して焼成すると、ＳｉＯ2
成分が厚膜抵抗体の抵抗値の安定性に寄与し、かつ厚膜
抵抗体をより緻密でＴＣＲの改善されたものにする。
【００１４】
【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために、本発
明の実施例を説明する。 ＜実施例１＞先ず、導電性金属六硼化物とガラス無機バ
インダと有機媒体とを表１に示す配合比で３本ロールに
より均一に混合した。金属六硼化物としてＬａＢ6を用
い、ガラス無機バインダとしてＣａＯ（１２．３モル
％）、Ｂ2Ｏ3（２４．５モル％）、ＳｉＯ2（４５．１
モル％）、Ａｌ2Ｏ3（１２．２モル％）及びＴａ2Ｏ
5（５．９モル％）の組成のものを用いた。また有機媒
体として揮発性溶媒８５重量％中に溶解した酢酸エチレ
ン／ビニル共重合体１５重量％からなるものを用いた。
明の実施例を説明する。 ＜実施例１＞先ず、導電性金属六硼化物とガラス無機バ
インダと有機媒体とを表１に示す配合比で３本ロールに
より均一に混合した。金属六硼化物としてＬａＢ6を用
い、ガラス無機バインダとしてＣａＯ（１２．３モル
％）、Ｂ2Ｏ3（２４．５モル％）、ＳｉＯ2（４５．１
モル％）、Ａｌ2Ｏ3（１２．２モル％）及びＴａ2Ｏ
5（５．９モル％）の組成のものを用いた。また有機媒
体として揮発性溶媒８５重量％中に溶解した酢酸エチレ
ン／ビニル共重合体１５重量％からなるものを用いた。
【００１５】上記混合物を１００重量％とするとき、混
合物を６つに分けてそのうちの１つは何も添加しない比
較のためのペースト状組成物とし、残りの５つにはシリ
コンメトキシド（オルトケイ酸メチル）をＳｉＯ2換算
で表１に示すように０．０７重量％、０．１重量％、
３．０重量％、５．０重量％及び６．０重量％それぞれ
添加してペースト状組成物とした。６種類のペースト状
組成物を予め印刷された銅の電極パターンを有するアル
ミナ基板上に薄層に印刷し、この基板上で焼成した。銅
電極は厚膜ペーストを塗布し乾燥した後、非酸化性Ｎ2
雰囲気中のベルトコンベア炉を通して９００℃で焼成す
ることにより形成した。
合物を６つに分けてそのうちの１つは何も添加しない比
較のためのペースト状組成物とし、残りの５つにはシリ
コンメトキシド（オルトケイ酸メチル）をＳｉＯ2換算
で表１に示すように０．０７重量％、０．１重量％、
３．０重量％、５．０重量％及び６．０重量％それぞれ
添加してペースト状組成物とした。６種類のペースト状
組成物を予め印刷された銅の電極パターンを有するアル
ミナ基板上に薄層に印刷し、この基板上で焼成した。銅
電極は厚膜ペーストを塗布し乾燥した後、非酸化性Ｎ2
雰囲気中のベルトコンベア炉を通して９００℃で焼成す
ることにより形成した。
【００１６】得られた抵抗体の抵抗値及び熱−抵抗温度
係数（以下、ＨＴＣＲという）を次の方法により測定し
た。試験する各支持体を温度調節槽内のターミナルポス
トに設置し、デジタル抵抗計に電気的に接続した後、槽
内の温度を２５℃に調節して平衡させ、その後各支持体
上の試験用抵抗体の抵抗値を測定し記録した。次に槽の
温度を−４５℃に降温し、−４５℃の温度から１２５℃
まで昇温し、次の式よりＨＴＣＲを算出した。ただしＲ
1は−４５℃における抵抗値、Ｒ2は１２５℃における抵
抗値である。 ＨＴＣＲ＝｛（Ｒ2−Ｒ1）／Ｒ1｝×１００００ｐｐｍ／℃
係数（以下、ＨＴＣＲという）を次の方法により測定し
た。試験する各支持体を温度調節槽内のターミナルポス
トに設置し、デジタル抵抗計に電気的に接続した後、槽
内の温度を２５℃に調節して平衡させ、その後各支持体
上の試験用抵抗体の抵抗値を測定し記録した。次に槽の
温度を−４５℃に降温し、−４５℃の温度から１２５℃
まで昇温し、次の式よりＨＴＣＲを算出した。ただしＲ
1は−４５℃における抵抗値、Ｒ2は１２５℃における抵
抗値である。 ＨＴＣＲ＝｛（Ｒ2−Ｒ1）／Ｒ1｝×１００００ｐｐｍ／℃
【００１７】
【表１】
【００１８】表１から明らかなように、シリコンメトキ
シドが０．１重量％、３．０重量％及び５．０重量％の
試験例２〜４の厚膜抵抗体において、シリコンメトキシ
ドがＴＣＲドライバとして効果的であり、かつＨＴＣＲ
を改善していることが判る。特にシリコンメトキシドが
０．１重量％の僅かな量の試験例２でも厚膜抵抗体のＴ
ＣＲを改善するのに効果的であることが判る。これに対
してシリコンメトキシドが０．０７重量％及び６．０重
量％の試験例１、試験例５の厚膜抵抗体は、シリコンメ
トキシドが不足もしくは過剰のため、ＴＣＲドライバと
して機能せず、ＨＴＣＲも改善されていないことが判
る。シリコンメトキシドが０重量％の比較例１の厚膜抵
抗体も試験例１と同様であった。
シドが０．１重量％、３．０重量％及び５．０重量％の
試験例２〜４の厚膜抵抗体において、シリコンメトキシ
ドがＴＣＲドライバとして効果的であり、かつＨＴＣＲ
を改善していることが判る。特にシリコンメトキシドが
０．１重量％の僅かな量の試験例２でも厚膜抵抗体のＴ
ＣＲを改善するのに効果的であることが判る。これに対
してシリコンメトキシドが０．０７重量％及び６．０重
量％の試験例１、試験例５の厚膜抵抗体は、シリコンメ
トキシドが不足もしくは過剰のため、ＴＣＲドライバと
して機能せず、ＨＴＣＲも改善されていないことが判
る。シリコンメトキシドが０重量％の比較例１の厚膜抵
抗体も試験例１と同様であった。
【００１９】＜実施例２＞実施例１と同種の導電性金属
六硼化物とガラス無機バインダと有機媒体とを表２に示
す配合比で３本ロールにより均一に混合した。この混合
物を１００重量％とするとき、混合物を６つに分けてそ
のうちの１つは何も添加しない比較のためのペースト状
組成物とし、残りの５つにはケイ酸エチルをＳｉＯ2換
算で表２に示すように０．０７重量％、０．１重量％、
３．０重量％、５．０重量％及び６．０重量％それぞれ
添加してペースト状組成物とした。６種類のペースト状
組成物を実施例１と同様に印刷し、焼成した。銅電極も
実施例１と同様にして形成した。得られた抵抗体につい
て、実施例１と同様に抵抗値及びＨＴＣＲを測定した。
六硼化物とガラス無機バインダと有機媒体とを表２に示
す配合比で３本ロールにより均一に混合した。この混合
物を１００重量％とするとき、混合物を６つに分けてそ
のうちの１つは何も添加しない比較のためのペースト状
組成物とし、残りの５つにはケイ酸エチルをＳｉＯ2換
算で表２に示すように０．０７重量％、０．１重量％、
３．０重量％、５．０重量％及び６．０重量％それぞれ
添加してペースト状組成物とした。６種類のペースト状
組成物を実施例１と同様に印刷し、焼成した。銅電極も
実施例１と同様にして形成した。得られた抵抗体につい
て、実施例１と同様に抵抗値及びＨＴＣＲを測定した。
【００２０】
【表２】
【００２１】表２から明らかなように、ケイ酸エチルが
０．１重量％、３．０重量％及び５．０重量％の試験例
７〜９の厚膜抵抗体において、ケイ酸エチルがＴＣＲド
ライバとして効果的であり、かつＨＴＣＲを改善してい
ることが判る。特にケイ酸エチルが０．１重量％の僅か
な量の試験例７２でも厚膜抵抗体のＴＣＲを改善するの
に効果的であることが判る。これに対してケイ酸エチル
が０．０７重量％及び６．０重量％の試験例６、試験例
10の厚膜抵抗体は、ケイ酸エチルが不足もしくは過剰の
ため、ＴＣＲドライバとして機能せず、ＨＴＣＲも改善
されていないことが判る。ケイ酸エチルが０重量％の比
較例２の厚膜抵抗体も試験例６と同様であった。
０．１重量％、３．０重量％及び５．０重量％の試験例
７〜９の厚膜抵抗体において、ケイ酸エチルがＴＣＲド
ライバとして効果的であり、かつＨＴＣＲを改善してい
ることが判る。特にケイ酸エチルが０．１重量％の僅か
な量の試験例７２でも厚膜抵抗体のＴＣＲを改善するの
に効果的であることが判る。これに対してケイ酸エチル
が０．０７重量％及び６．０重量％の試験例６、試験例
10の厚膜抵抗体は、ケイ酸エチルが不足もしくは過剰の
ため、ＴＣＲドライバとして機能せず、ＨＴＣＲも改善
されていないことが判る。ケイ酸エチルが０重量％の比
較例２の厚膜抵抗体も試験例６と同様であった。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、従
来のＳｉＯ2微細粉末の代わりに有機ケイ酸化合物を用
いたので、導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機
バインダとの混合物に有機ケイ酸化合物を添加したとき
に、この液状の有機ケイ酸化合物がペースト状の混合物
に容易に分散し、組成物の印刷適性を劣化させない。こ
の組成物を薄層化して焼成すると、ＳｉＯ2成分が厚膜
抵抗体の抵抗値の安定性に寄与し、同時に厚膜抵抗体を
より緻密でＴＣＲの改善されたものにする。
来のＳｉＯ2微細粉末の代わりに有機ケイ酸化合物を用
いたので、導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス無機
バインダとの混合物に有機ケイ酸化合物を添加したとき
に、この液状の有機ケイ酸化合物がペースト状の混合物
に容易に分散し、組成物の印刷適性を劣化させない。こ
の組成物を薄層化して焼成すると、ＳｉＯ2成分が厚膜
抵抗体の抵抗値の安定性に寄与し、同時に厚膜抵抗体を
より緻密でＴＣＲの改善されたものにする。
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性金属六硼化物の微細粒子とガラス
無機バインダとの混合物を含み、前記バインダの少なく
とも７０モル％が前記導電性金属六硼化物に非還元性の
酸化物である厚膜抵抗体組成物において、 前記混合物を１００重量％とするときＳｉＯ2換算で
０．１〜５．０重量％の有機ケイ酸化合物を前記混合物
に添加することを特徴とする厚膜抵抗体組成物。 - 【請求項２】 導電性金属六硼化物がＬａＢ6である請
求項１記載の厚膜抵抗体組成物。 - 【請求項３】 有機ケイ酸化合物がシリコンアルコキシ
ドである請求項１記載の厚膜抵抗体組成物。 - 【請求項４】 (a) 導電性金属六硼化物の微細粒子とガ
ラス無機バインダとの混合物にＳｉＯ2換算で０．１〜
５．０重量％の有機ケイ酸化合物を添加しかつ前記バイ
ンダの少なくとも７０モル％が前記導電性金属六硼化物
に非還元性の酸化物である組成物の有機媒体中の分散物
を調製する工程と、 (b) 前記工程(a)の分散物のパターン化された薄層を形
成する工程と、 (c) 前記工程(b)の薄層を乾燥させる工程と、 (d) 前記工程(c)で乾燥させた薄層を非酸化性雰囲気中
で焼成して還元性金属酸化物を還元し、有機媒体を揮発
させ、かつガラス液相のシンタリングを行わせる工程と を含む厚膜抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5262486A JPH07122403A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 厚膜抵抗体組成物及び該組成物から厚膜抵抗体を製造する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5262486A JPH07122403A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 厚膜抵抗体組成物及び該組成物から厚膜抵抗体を製造する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122403A true JPH07122403A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17376466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5262486A Pending JPH07122403A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 厚膜抵抗体組成物及び該組成物から厚膜抵抗体を製造する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122403A (ja) |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP5262486A patent/JPH07122403A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970826 |