JPH07123104B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH07123104B2 JPH07123104B2 JP63112839A JP11283988A JPH07123104B2 JP H07123104 B2 JPH07123104 B2 JP H07123104B2 JP 63112839 A JP63112839 A JP 63112839A JP 11283988 A JP11283988 A JP 11283988A JP H07123104 B2 JPH07123104 B2 JP H07123104B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、微細加工技術において、微細なレジストパ
ターンを容易に、高精度に形成するためのパターン形成
方法に関するものである。
ターンを容易に、高精度に形成するためのパターン形成
方法に関するものである。
第２図は、従来のパターン形成方法の一例を示した断面
図である。第２図で、（１）は基板、（２）はホトレジ
スト層、（３）は波長365nmのｉ線、（４）はマスク、
（５）はホツトプレートによる加熱処理、（2a）と（2
b）は波長365nmのｉ線（３）による第１露光で形成され
る第１露光部と第１未露光部、（2c）は第１露光後、ホ
ツトプレートによる加工処理（５）によつて形成される
変質部、（2d）は波長365nmのｉ線（３）のレジスト層
全面への第２露光によつて形成される第２露光部を示し
ている。
図である。第２図で、（１）は基板、（２）はホトレジ
スト層、（３）は波長365nmのｉ線、（４）はマスク、
（５）はホツトプレートによる加熱処理、（2a）と（2
b）は波長365nmのｉ線（３）による第１露光で形成され
る第１露光部と第１未露光部、（2c）は第１露光後、ホ
ツトプレートによる加工処理（５）によつて形成される
変質部、（2d）は波長365nmのｉ線（３）のレジスト層
全面への第２露光によつて形成される第２露光部を示し
ている。
次にパターン形成の工程について説明する。
まず、基板（１）上に波長365nmのｉ線（３）に感光す
るホトレジストをスピン塗布し、ホトレジスト層（２）
を形成する。（第２図Ａ） 次に、マスク（４）を用いて、選択的にホトレジスト層
（２）の一部領域を波長365nmのｉ線（３）による第１
露光を行つて、第１露光部（2a）を形成し、未露光部を
第１未露光部（2b）と称する（第２図Ｂ）。
るホトレジストをスピン塗布し、ホトレジスト層（２）
を形成する。（第２図Ａ） 次に、マスク（４）を用いて、選択的にホトレジスト層
（２）の一部領域を波長365nmのｉ線（３）による第１
露光を行つて、第１露光部（2a）を形成し、未露光部を
第１未露光部（2b）と称する（第２図Ｂ）。
第２図Ｂに示したウエハ全体にアミン系触媒雰囲気下で
ホツトプレートによる加熱処理（５）を行つて変質部
（2c）を形成する（第２図Ｃ）。
ホツトプレートによる加熱処理（５）を行つて変質部
（2c）を形成する（第２図Ｃ）。
次いで、所定強度の波長365nmのｉ線（３）による第２
露光を第２図Ｃに示したウエハ全体に行うと第１未露光
部（2b）は露光され、第２露光部（2d）となるが、変質
部（2c）は、前記第１露光により、すでに露光されてい
るので、この工程によつては変化しない（第２図Ｄ）。
露光を第２図Ｃに示したウエハ全体に行うと第１未露光
部（2b）は露光され、第２露光部（2d）となるが、変質
部（2c）は、前記第１露光により、すでに露光されてい
るので、この工程によつては変化しない（第２図Ｄ）。
さらにアルカリ現像液によつて、現像を行うと第２露光
部（2d）が、選択的に除去され、変質部（2c）がパター
ンとして基板（１）上に残される。（第２図Ｅ） ここで、従来のパターン形成方法によつて形成されたパ
ターンの断面形状は第２図Ｅに示したように逆台形とな
る。第２図と第３図を用いて、従来のパターン形成方法
により逆台形のパターンが形成される原理を示す。
部（2d）が、選択的に除去され、変質部（2c）がパター
ンとして基板（１）上に残される。（第２図Ｅ） ここで、従来のパターン形成方法によつて形成されたパ
ターンの断面形状は第２図Ｅに示したように逆台形とな
る。第２図と第３図を用いて、従来のパターン形成方法
により逆台形のパターンが形成される原理を示す。
第３図において、（Ａ）は第２図Ｂに示した第１露光工
程におけるホトレジスト層（２）の露光強度分布を示
し、同様に（Ｂ）は、第２図Ｄに示した第２露光工程に
おける露光強度分布を示している。また、横軸ｘは、ホ
トレジスト上の座標を示し、縦軸Ｉは、露光強度分布を
示している。
程におけるホトレジスト層（２）の露光強度分布を示
し、同様に（Ｂ）は、第２図Ｄに示した第２露光工程に
おける露光強度分布を示している。また、横軸ｘは、ホ
トレジスト上の座標を示し、縦軸Ｉは、露光強度分布を
示している。
（Ｃ）は第２図Ｅに示した現像工程におけるパターン形
状の変化を示し、（ｉ）、（ii）、（iii）の順に時間
経過にともなうパターン形状の変化を示しており、第２
露光部（2d）が選択的に溶融除去される過程を示した断
面図である。
状の変化を示し、（ｉ）、（ii）、（iii）の順に時間
経過にともなうパターン形状の変化を示しており、第２
露光部（2d）が選択的に溶融除去される過程を示した断
面図である。
（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）はパターン形成工程におけるホトレ
ジスト中の感光剤の変化を示した図で、（Ｄ）はジアゾ
ケトン誘導体、（Ｅ）はカルボン酸誘導体、（Ｆ）はイ
ンデン誘導体を示した図である。
ジスト中の感光剤の変化を示した図で、（Ｄ）はジアゾ
ケトン誘導体、（Ｅ）はカルボン酸誘導体、（Ｆ）はイ
ンデン誘導体を示した図である。
第２図Ｂに示した第１露光工程では、マスク（４）を介
して第１露光を行うときにホトレジスト（２）中での露
光強度分布は回折現象などの影響で、第３図（Ａ）に示
したような露光強度分布となる。また、ホトレジスト
（２）中の感光剤であるジアゾケトン誘導体（Ｉ）は、
分解してカルボン酸誘導体（Ｊ）となり、分解量は、露
光量が増加に従つて増加する。したがつて、第１露光を
第３図（Ａ）に示した露光強度で一定時間行うと露光強
度の大きさに従つて露光量が大きくなるので、露光強度
の小さな部分では、露光量が不十分で、ホトレジスト
（２）中の感光剤の分解量は小さくなり、第１露光部
（2a）の形状は、第２図Ｂに示したようになる。
して第１露光を行うときにホトレジスト（２）中での露
光強度分布は回折現象などの影響で、第３図（Ａ）に示
したような露光強度分布となる。また、ホトレジスト
（２）中の感光剤であるジアゾケトン誘導体（Ｉ）は、
分解してカルボン酸誘導体（Ｊ）となり、分解量は、露
光量が増加に従つて増加する。したがつて、第１露光を
第３図（Ａ）に示した露光強度で一定時間行うと露光強
度の大きさに従つて露光量が大きくなるので、露光強度
の小さな部分では、露光量が不十分で、ホトレジスト
（２）中の感光剤の分解量は小さくなり、第１露光部
（2a）の形状は、第２図Ｂに示したようになる。
次に第２図Ｃに示したホツトプレートによる加工熱処理
工程では、第１露光部（2a）中のカルボン酸誘導体
（Ｊ）のみが、化学反応し、インデン誘導体（Ｋ）とな
り変質部（2c）を形成する一方、第１未露光部（2b）中
のジアゾケトン誘導体（Ｉ）は変化しない。
工程では、第１露光部（2a）中のカルボン酸誘導体
（Ｊ）のみが、化学反応し、インデン誘導体（Ｋ）とな
り変質部（2c）を形成する一方、第１未露光部（2b）中
のジアゾケトン誘導体（Ｉ）は変化しない。
さらに第２図Ｄに示した第２露光工程では、前記第１露
光工程で未分解のジアゾケトン誘導体（Ｉ）が分解し、
カルボン酸誘導体（Ｊ）となり第２露光部を形成する。
なお第２露光には、第３図（Ｂ）に示した露光強度で一
定時間露光するので、露光量はホトレジスト全面で一定
となつている。したがつて、第１未露光部（2b）が、第
２露光部（2d）となる。
光工程で未分解のジアゾケトン誘導体（Ｉ）が分解し、
カルボン酸誘導体（Ｊ）となり第２露光部を形成する。
なお第２露光には、第３図（Ｂ）に示した露光強度で一
定時間露光するので、露光量はホトレジスト全面で一定
となつている。したがつて、第１未露光部（2b）が、第
２露光部（2d）となる。
次に第２図Ｅに示した現像工程で、カルボン酸誘導体
（Ｊ）は、現像液に易溶性で、インデン誘導体は現像液
に難溶性であり、カルボン酸誘導体（Ｊ）を多く含む第
２露光部（2d）が選択的に除去され、インデン誘導体
（Ｋ）を多く含む変質部（2c）が基板（１）上に残され
る。第３図（ｃ）に現像の過程を、時間経過とともなつ
て示した。現像時に変質部（2c）と第２露光部（2d）と
の溶解速度の差は十分に大きいので、第２露光部（2d）
のみが選択的に除去され（ｉ）、（ii）、（iii）の順
に第２露光部（2d）が除去され、現像が終了すると変質
部（2c）が基板（１）上に残され第２図Ｅに示した逆台
形なパターンが形成される。
（Ｊ）は、現像液に易溶性で、インデン誘導体は現像液
に難溶性であり、カルボン酸誘導体（Ｊ）を多く含む第
２露光部（2d）が選択的に除去され、インデン誘導体
（Ｋ）を多く含む変質部（2c）が基板（１）上に残され
る。第３図（ｃ）に現像の過程を、時間経過とともなつ
て示した。現像時に変質部（2c）と第２露光部（2d）と
の溶解速度の差は十分に大きいので、第２露光部（2d）
のみが選択的に除去され（ｉ）、（ii）、（iii）の順
に第２露光部（2d）が除去され、現像が終了すると変質
部（2c）が基板（１）上に残され第２図Ｅに示した逆台
形なパターンが形成される。
従来のパターン形成方法によつて得られるパターンの断
面形状は逆台形となつている。レジストパターンはおも
にエツチング用のマスクとして用いられているが、パタ
ーンの断面形状が、逆台形であると、パターンに忠実に
エツチングを行うことができないという問題点があつ
た。
面形状は逆台形となつている。レジストパターンはおも
にエツチング用のマスクとして用いられているが、パタ
ーンの断面形状が、逆台形であると、パターンに忠実に
エツチングを行うことができないという問題点があつ
た。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、レジストパターンをエツチング用のマスク
として用いたときに、レジストパターンに忠実にエツチ
ングを行うことのできる断面形状が矩形なレジストパタ
ーンを形成することを目的とする。
れたもので、レジストパターンをエツチング用のマスク
として用いたときに、レジストパターンに忠実にエツチ
ングを行うことのできる断面形状が矩形なレジストパタ
ーンを形成することを目的とする。
この発明に係るパターン形成方法は、第１エネルギー域
及び第２エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線に感
光する材料と第２のエネルギー域の光、放射線もしくは
粒子線を吸収する材料とを含むレジストを用いて、選択
的に第１エネルギー域による第１照射を行い、第１照射
後のレジスト層を加熱処理してネガ型レジストに変質さ
せ、第２エネルギー域による第２照射により、第１照射
された部分を除く領域のレジストの表面付近を現像液に
対して易溶性にし、且つ前記レジストと前記基板との界
面付近を前記現像液に対して難溶性にし、次いで現像し
てパターンを形成するものである。
及び第２エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線に感
光する材料と第２のエネルギー域の光、放射線もしくは
粒子線を吸収する材料とを含むレジストを用いて、選択
的に第１エネルギー域による第１照射を行い、第１照射
後のレジスト層を加熱処理してネガ型レジストに変質さ
せ、第２エネルギー域による第２照射により、第１照射
された部分を除く領域のレジストの表面付近を現像液に
対して易溶性にし、且つ前記レジストと前記基板との界
面付近を前記現像液に対して難溶性にし、次いで現像し
てパターンを形成するものである。
この発明におけるパターン形成方法は、レジストに第２
エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線に感光する材
料とその光、放射線もしくは粒子線を吸収する材料とを
含ませたので、第２照射工程においてレジストの表面付
近で第２エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線が吸
収され、その結果レジストと基板との界面付近での第２
エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線の照射量が少
なくなる。
エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線に感光する材
料とその光、放射線もしくは粒子線を吸収する材料とを
含ませたので、第２照射工程においてレジストの表面付
近で第２エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線が吸
収され、その結果レジストと基板との界面付近での第２
エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線の照射量が少
なくなる。
これによりレジストの表面付近での現像液に対する溶解
速度は高くなり、レジストと基板との界面付近での現像
液に対する溶解速度は低くなるので、パターンの断面形
状を矩形にすることができる。
速度は高くなり、レジストと基板との界面付近での現像
液に対する溶解速度は低くなるので、パターンの断面形
状を矩形にすることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。なお
従来のものと同一又は相当部分は同一符号を付して説明
を省略する。第１図はこの発明の一実施例によるパター
ン形成方法の一実施例を示した断面図である。第１図
で、（６）は波長436nmのｇ線を吸収する色素を含むホ
トレジスト、（７）は波長436nmのｇ線、（6a）と（6
b）は波長365nmのｉ線（３）による第１露光で形成され
る第１露光部と第１未露光部、（6c）はホツトプレート
による加熱処理（５）によつて形成される変質部、（6
d）は波長436nmのｉ線（７）のホトレジスト層全面への
第２露光によつて形成される第２露光部を示している。
従来のものと同一又は相当部分は同一符号を付して説明
を省略する。第１図はこの発明の一実施例によるパター
ン形成方法の一実施例を示した断面図である。第１図
で、（６）は波長436nmのｇ線を吸収する色素を含むホ
トレジスト、（７）は波長436nmのｇ線、（6a）と（6
b）は波長365nmのｉ線（３）による第１露光で形成され
る第１露光部と第１未露光部、（6c）はホツトプレート
による加熱処理（５）によつて形成される変質部、（6
d）は波長436nmのｉ線（７）のホトレジスト層全面への
第２露光によつて形成される第２露光部を示している。
次にパターン形成の工程について説明する。
まず、基板（１）上に波長365nmのｉ線（３）及び波長
（436nmのｇ線（７）に感光するホトレジストに、波長4
36nmのｇ線を吸収する色素を加えたホトレジストをスピ
ン塗布し、ホトレジスト層（６）を形成する。
（436nmのｇ線（７）に感光するホトレジストに、波長4
36nmのｇ線を吸収する色素を加えたホトレジストをスピ
ン塗布し、ホトレジスト層（６）を形成する。
（第１図Ａ） 次に、マスク（４）を用いて、選択的にホトレジスト層
（６）の一部領域を波長365nmのｉ線（３）による第１
露光を行つて、第１露光部（6a）を形成し、未露光部を
第１未露光部（6b）と称する。（第１図Ｂ） 第１図Ｂに示したウエハ全体にアミン系触媒雰囲気下で
ホツトプレートによる加熱（５）を行つて変質部（6c）
を形成する。（第１図Ｃ） 次いで、所定強度の波長436nmのｇ線（７）による第２
露光を第１図Ｃに示したウエハ全体に行うと第１未露光
部（6b）は露光され第２露光部（6d）となるが、変質部
（6c）は、すでに前記第１露光により露光されているの
で、この工程によつては変化しない。（第１図Ｄ） さらにアルカリ現像液によつて、現像を行うと第２露光
部（6d）が選択的に除去され、変質部（6c）が、パター
ンとして基板（１）上に残される。（第１図Ｅ） ここで、この発明によるパターン形成方法によつて形成
されたパターンの断面形状は、第１図Ｅに示したように
矩形となる。第１図と第３図と第４図を用いて、この発
明の一実施例において、矩形なパターンが形成される原
理を示す。
（６）の一部領域を波長365nmのｉ線（３）による第１
露光を行つて、第１露光部（6a）を形成し、未露光部を
第１未露光部（6b）と称する。（第１図Ｂ） 第１図Ｂに示したウエハ全体にアミン系触媒雰囲気下で
ホツトプレートによる加熱（５）を行つて変質部（6c）
を形成する。（第１図Ｃ） 次いで、所定強度の波長436nmのｇ線（７）による第２
露光を第１図Ｃに示したウエハ全体に行うと第１未露光
部（6b）は露光され第２露光部（6d）となるが、変質部
（6c）は、すでに前記第１露光により露光されているの
で、この工程によつては変化しない。（第１図Ｄ） さらにアルカリ現像液によつて、現像を行うと第２露光
部（6d）が選択的に除去され、変質部（6c）が、パター
ンとして基板（１）上に残される。（第１図Ｅ） ここで、この発明によるパターン形成方法によつて形成
されたパターンの断面形状は、第１図Ｅに示したように
矩形となる。第１図と第３図と第４図を用いて、この発
明の一実施例において、矩形なパターンが形成される原
理を示す。
第４図は現像工程におけるパターン形状の変化を示し
（ｉ）、（ii）、（iii）の順に時間経過にともなう、
パターン形状の変化を示しており、第２露光部（6d）と
変質部（6c）の一部が、除去される過程を示した断面図
である。
（ｉ）、（ii）、（iii）の順に時間経過にともなう、
パターン形状の変化を示しており、第２露光部（6d）と
変質部（6c）の一部が、除去される過程を示した断面図
である。
第１図Ａに示した塗布工程で、波長436nmのｇ線（７）
を吸収するホトレジストを塗布しているが、第２図Ｂに
示した第１露光工程では、波長365nmのｉ線（３）によ
る露光を行うので、従来の方法による第１露光工程にお
ける原理と同じ原理により、第１露光部（6a）の形状は
第１図Ｂに示したようになる。
を吸収するホトレジストを塗布しているが、第２図Ｂに
示した第１露光工程では、波長365nmのｉ線（３）によ
る露光を行うので、従来の方法による第１露光工程にお
ける原理と同じ原理により、第１露光部（6a）の形状は
第１図Ｂに示したようになる。
また、第１図Ｃに示したホツトプレートによる加熱処理
工程では、波長436nmのｇ線を吸収する色素は、加熱処
理に対して安定で変化しないので、従来の方法によるホ
ツトプレートによる加熱処理工程における変質部（2c）
形成の原理と同じ原理により変質部（6c）の形状は第１
図Ｃに示したようになる。
工程では、波長436nmのｇ線を吸収する色素は、加熱処
理に対して安定で変化しないので、従来の方法によるホ
ツトプレートによる加熱処理工程における変質部（2c）
形成の原理と同じ原理により変質部（6c）の形状は第１
図Ｃに示したようになる。
次に第１図Ｄに示した第２露光工程において、第１図Ｃ
に示したホトレジスト層全面に、従来の方法とは異なる
波長436nmのｇ線によつて第２露光を行うが、ホトレジ
スト層は、波長436nmのｇ線を吸収する色素を含むの
で、第３図（Ｂ）に示した露光強度で、所定時間露光す
ると、露光量は、ホトレジスト層の表面付近は露光量が
多く、ホトレジスト層と基板（１）の界面付近では露光
量が少なくなる。したがつて、第２露光部（6d）の表面
付近ではカルボン酸誘導体（Ｊ）が多く生成するが、ホ
トレジスト層と基板（１）界面付近ではジアゾケトン誘
導体（Ｉ）の分解量が少なくなり、ジアゾケトン誘導体
（Ｉ）が残つている。また変質部（6c）はすでに露光さ
れているので変化しない。
に示したホトレジスト層全面に、従来の方法とは異なる
波長436nmのｇ線によつて第２露光を行うが、ホトレジ
スト層は、波長436nmのｇ線を吸収する色素を含むの
で、第３図（Ｂ）に示した露光強度で、所定時間露光す
ると、露光量は、ホトレジスト層の表面付近は露光量が
多く、ホトレジスト層と基板（１）の界面付近では露光
量が少なくなる。したがつて、第２露光部（6d）の表面
付近ではカルボン酸誘導体（Ｊ）が多く生成するが、ホ
トレジスト層と基板（１）界面付近ではジアゾケトン誘
導体（Ｉ）の分解量が少なくなり、ジアゾケトン誘導体
（Ｉ）が残つている。また変質部（6c）はすでに露光さ
れているので変化しない。
次いで、第１図Ｅに示した現像工程では、現像液に対し
てジアゾケトン誘導体（Ｉ）およびインデン誘導体
（Ｋ）は難溶性でカルボン酸誘導体（Ｊ）は易溶性であ
る。したがって、第２露光部（6d）の表面付近は、現像
液に易溶性のカルボン酸誘導体（Ｊ）が多く溶解速度は
大きいが、基板（１）界面付近では、現像液に難溶性の
ジアゾケトン誘導体が多く溶解速度が小さくなる。
てジアゾケトン誘導体（Ｉ）およびインデン誘導体
（Ｋ）は難溶性でカルボン酸誘導体（Ｊ）は易溶性であ
る。したがって、第２露光部（6d）の表面付近は、現像
液に易溶性のカルボン酸誘導体（Ｊ）が多く溶解速度は
大きいが、基板（１）界面付近では、現像液に難溶性の
ジアゾケトン誘導体が多く溶解速度が小さくなる。
また、変質部（6c）は、現像液に難溶性のインデン誘導
体（Ｋ）を多く含むが、徐々に溶解していく。第４図に
現像過程を時間経過にともなつて示した。現像時におい
て、変質部（6c）と第２露光部（6d）の表面付近の溶解
速度の差は、十分に大きいが、変質部（6c）と第２露光
部（6d）の基板（１）界面付近の溶解速度の差は十分に
大きくないので変質部（6c）も一部除去され、（ｉ）、
（ii）、（iii）の順に第２露光部（6d）と変質部（6
c）の一部が除去され、変質部（6c）の一部が基板
（１）上に残され、第１図Ｅに示した矩形なパターンが
形成される。
体（Ｋ）を多く含むが、徐々に溶解していく。第４図に
現像過程を時間経過にともなつて示した。現像時におい
て、変質部（6c）と第２露光部（6d）の表面付近の溶解
速度の差は、十分に大きいが、変質部（6c）と第２露光
部（6d）の基板（１）界面付近の溶解速度の差は十分に
大きくないので変質部（6c）も一部除去され、（ｉ）、
（ii）、（iii）の順に第２露光部（6d）と変質部（6
c）の一部が除去され、変質部（6c）の一部が基板
（１）上に残され、第１図Ｅに示した矩形なパターンが
形成される。
なお、上記実施例では、波長436nmのｇ線を吸収する色
素を含むホトレジストを用いて、第２露光時に波長436n
mのｇ線によつて、ホトレジスト層全面に露光するパタ
ーン形成方法を示したが、従来のパターン形成方法で用
いているホトレジストは、遠紫外光領域に大きな吸収を
持つているので、第２露光時に遠紫外光、たとえば、波
長254nmの紫外光を用いることで、上記実施例と同様の
効果を奏する。
素を含むホトレジストを用いて、第２露光時に波長436n
mのｇ線によつて、ホトレジスト層全面に露光するパタ
ーン形成方法を示したが、従来のパターン形成方法で用
いているホトレジストは、遠紫外光領域に大きな吸収を
持つているので、第２露光時に遠紫外光、たとえば、波
長254nmの紫外光を用いることで、上記実施例と同様の
効果を奏する。
以上のように、この発明におけるパターン形成方法は、
第１照射と第２照射の工程で、それぞれ異なるエネルギ
ー域の光、放射線もしくは粒子線による照射を行うとと
もに第２エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線を選
択的に吸収する材料を含むレジストを用いることによ
り、レジストパターンの断面形状を矩形とすることがで
き、このレジストパターンをエツチング時のマスクとし
て用いることによりパターンに忠実にエツチングするこ
とができる効果がある。
第１照射と第２照射の工程で、それぞれ異なるエネルギ
ー域の光、放射線もしくは粒子線による照射を行うとと
もに第２エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線を選
択的に吸収する材料を含むレジストを用いることによ
り、レジストパターンの断面形状を矩形とすることがで
き、このレジストパターンをエツチング時のマスクとし
て用いることによりパターンに忠実にエツチングするこ
とができる効果がある。
第１図（Ａ）〜（Ｅ）は、この発明の一実施例によるパ
ターン形成方法を示す断面図、第２図（Ａ）〜（Ｅ）
は、従来のパターン形成方法を示す断面図、第３図
（Ａ）は第１露光時のホトレジスト層における露光強度
分布を示す図、第３図（Ｂ）は第２露光時におけるホト
レジスト層の露光強度分布を示す図、第３図（Ｃ）は、
従来のパターン形成方法での現像工程におけるレジスト
パターンの形状変化を（ｉ）、（ii）、（iii）の順に
時間経過にともなつて示した断面図、第３図（Ｄ）はア
ジド誘導体の構造式を示す図、第３図（Ｅ）はカルボン
酸誘導体の構造式を示す図、第３図（Ｆ）はインデン誘
導体の構造式をそれぞれ示した図、第４図は、この発明
におけるパターン形成方法での現像工程におけるレジス
トパターンの形状変化を（ｉ）、（ii）、（iii）の順
に時間経過にともなつて示した図である。 図において、（１）は基板、（２）はホトレジスト、
（2a）は第１露光部、（2b）は第１未露光部、（2c）は
変質部、（2d）は第２露光部、（３）は波長365nmのｉ
線、（４）はマスク、（５）はホツトプレートによる加
熱処理、（６）波長436nmのｇ線を吸収する色素を含む
ホトレジスト、（6a）は第１露光部、（6b）は第１未露
光部、（6c）は変質部、（6d）は第２露光部、（７）は
波長436nmのｇ線、（ｘ）は座標、（Ｉ）は露光強度、
（ｉ）はａ秒後のパターン形状、（ii）はｂ秒後のパタ
ーン形状、（iii）はｃ秒後のパターン形状で、ａ秒、
ｂ秒、ｃ秒の順で時間が経過することを示す。
ターン形成方法を示す断面図、第２図（Ａ）〜（Ｅ）
は、従来のパターン形成方法を示す断面図、第３図
（Ａ）は第１露光時のホトレジスト層における露光強度
分布を示す図、第３図（Ｂ）は第２露光時におけるホト
レジスト層の露光強度分布を示す図、第３図（Ｃ）は、
従来のパターン形成方法での現像工程におけるレジスト
パターンの形状変化を（ｉ）、（ii）、（iii）の順に
時間経過にともなつて示した断面図、第３図（Ｄ）はア
ジド誘導体の構造式を示す図、第３図（Ｅ）はカルボン
酸誘導体の構造式を示す図、第３図（Ｆ）はインデン誘
導体の構造式をそれぞれ示した図、第４図は、この発明
におけるパターン形成方法での現像工程におけるレジス
トパターンの形状変化を（ｉ）、（ii）、（iii）の順
に時間経過にともなつて示した図である。 図において、（１）は基板、（２）はホトレジスト、
（2a）は第１露光部、（2b）は第１未露光部、（2c）は
変質部、（2d）は第２露光部、（３）は波長365nmのｉ
線、（４）はマスク、（５）はホツトプレートによる加
熱処理、（６）波長436nmのｇ線を吸収する色素を含む
ホトレジスト、（6a）は第１露光部、（6b）は第１未露
光部、（6c）は変質部、（6d）は第２露光部、（７）は
波長436nmのｇ線、（ｘ）は座標、（Ｉ）は露光強度、
（ｉ）はａ秒後のパターン形状、（ii）はｂ秒後のパタ
ーン形状、（iii）はｃ秒後のパターン形状で、ａ秒、
ｂ秒、ｃ秒の順で時間が経過することを示す。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に第１エネルギー域及び前記第１エ
ネルギー域とは異なる第２エネルギー域の光、放射線も
しくは粒子線に感光する材料と前記第２のエネルギー域
の光、放射線もしくは粒子線を吸収する材料とを含むレ
ジストを塗布してレジスト層を形成する工程と、選択的
に前記レジスト層の一部領域を前記第１エネルギー域の
光、放射線もしくは粒子線によって第１照射を行う工程
と、前記第１照射後のレジスト層を加熱処理して前記第
１照射された部分をネガ型レジストに変質させる工程
と、前記第２エネルギー域の光、放射線もしくは粒子線
によって前記加熱処理後の基板全体に第２照射を行っ
て、前記第１照射された部分を除く領域の前記レジスト
の表面付近を現像液に対して易溶性にし、且つ前記レジ
ストと前記基板との界面付近を前記現像液に対して難溶
性にする工程と、次いで現像を行って、パターンを形成
する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112839A JPH07123104B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112839A JPH07123104B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283829A JPH01283829A (ja) | 1989-11-15 |
| JPH07123104B2 true JPH07123104B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=14596822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63112839A Expired - Fee Related JPH07123104B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123104B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029936B2 (ja) * | 1979-12-27 | 1985-07-13 | 富士通株式会社 | パタ−ン形成法 |
| JPS62245251A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPH0821532B2 (ja) * | 1986-09-16 | 1996-03-04 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP63112839A patent/JPH07123104B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01283829A (ja) | 1989-11-15 |
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Legal Events
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