JPH07129001A

JPH07129001A - 加熱定着装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07129001A
Application number: JP27089393A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Taniguchi; 靖谷口
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-10-28
Filing date: 1993-10-28
Publication date: 1995-05-19

Abstract

(57)【要約】【目的】画像形成装置に使用される加熱定着装置にお
いて、フィルムとヒーターの絶縁保護膜あるいは発熱抵
抗体との摩擦を低減して、熱定着のより高速化や定着ボ
リュームの増大等を図ること。【構成】絶縁性基板２上に設けられた通電により発熱
する発熱抵抗体３と、該発熱抵抗体と接触摺動するフィ
ルム１０を有し、画像形成装置で使用される加熱定着装
置において、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保
護膜６あるいは発熱抵抗体３上にダイアモンド結晶、グ
ラファイト結晶及びアモルファス状カーボンの混合物か
らなる膜１８を形成して、フィルムの摩耗を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複写機、レーザービー
ムプリンタ等の画像形成装置に用いられるヒーターに関
し、特に未定着画像の加熱定着に用いられるヒーターに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、特開昭６３−３１３１８２号公報
等で固定ヒーターと、このヒーターと摺動する薄膜フィ
ルムを用いた加熱装置が提案されている。

【０００３】このようなヒーターの模式図を図１、図２
に示す。ヒーター１は、電気絶縁性・耐熱性・低熱容量
の細長い基板２と、この基板２の一方面側（表面側）の
基板幅方向中央部に基板長手に沿って直線細帯状に形成
した通電発熱体３と、この通電発熱抵抗体の両端部にそ
れぞれ導通させて基板面に形成した電極端子（接続端
子）４・５と、基板２の通電発熱抵抗体形成面を被覆さ
せたヒーター表面保護層としてのガラス等の電気絶縁性
保護層６と、基板２の他方面側（背面側）に設けたサー
ミスター等の温度検出素子７を有する。基板２は、例え
ば、幅１０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ２４０ｍｍのＡｌ₂
Ｏ₃ ，ＡｌＮ，ＳｉＣ等のセラミック板等である。通電
発熱抵抗体３は、例えば、厚さ１０μｍ・幅１ｍｍの、
スクリーン印刷等で塗工したＡｇ／Ｐｄ（銀パラジウム
合金）、ＲｕＯ₂ ，Ｔａ₂ Ｎ等の大気焼成して形成した
パターン層である。電極端子（接続端子）４・５は、通
常厚さ１０μｍのスクリーン印刷等で塗工したＡｇを大
気焼成して形成したパターン層であり、この電極４・５
に通常は、コネクター（不図示）を介して電線を接続し
給電する。

【０００４】ヒーター１は定着面の温度を管理・制御す
るために装置の横断面において、通電発熱抵抗体３を定
着ニップ部１５（合接ニップ部、加圧部）（図６参照）
の幅領域の略中央部に位置させる構造となっている。ヒ
ーター１の絶縁保護層６側がフィルム接触摺動面側であ
る。ヒーター１は通電発熱抵抗体３の両端電極端子４・
５間に交流電源ＡＣより電圧印加され、該通電発熱抵抗
体３が発熱することで昇温する。

【０００５】ヒーター１の温度は、基板背面の温度検出
素子７で検出されて、その検出情報が通電制御回路ＣＴ
へフィードバックされて、交流電源ＡＣから通電発熱抵
抗体３への通電が制御され、ヒーター１が所定の温度に
温度制御される。ヒーター１の温度検出素子７は熱応答
性の最も良い定着面、つまりヒーター基板表面側の通電
発熱抵抗体３の形成位置に対応する基板背面側部分位置
（通電発熱抵抗体３の直下に対応する基板背面側部分位
置）に配設される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】未定着画像を定着する
ためには、ヒーター上の絶縁性保護層並びにフィルム接
触摺動面を介してヒーターの熱を伝熱させて熱定着す
る。しかしながら、絶縁性保護層とフィルムとの接触摺
動時の摩耗により、接触摺動距離が約６０ｋｍに達する
とフィルムの摩耗が激しくなってくる。この時生じる摩
耗粉が、フィルムを駆動するローラーに不均一に付着す
ることから、フィルムの駆動速度が不規則となり、結果
として未定着画像の定着が不均一になるという問題が発
生する。絶縁性保護膜に用いられるガラス質層は、低軟
化点ガラスを印刷、焼成することにより形成される。こ
のガラス質層とフィルムの表面形状差（摩擦係数）と硬
度差により、フィルムの摩耗が生じるものと考えられ
る。そこで、ポリイミド等の耐熱性フィルムの摩耗を防
ぐために、絶縁性保護膜との摩擦係数を小さくする目的
からポリイミド・フィルムにフィラーを混入したり、テ
フロン（登録商標）コーティング等を施している。しか
しながら、熱定着方式による定着のより高速化と定着ボ
リュームの増大に対応することはできず、ヒーターの寿
命（接触摺動距離）をできるだけ長くすることが必要と
されている。

【０００７】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、ヒー
ターの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体上にダイヤモンド
結晶、グラファイト結晶及びアモルファス状カーボンの
混合物からなる膜を形成することにより、上述の問題を
解決したものである。

【０００８】以下、本発明に関して詳細に説明する。本
発明に係わるヒーターの潤滑保護膜は、低摩擦係数、高
硬度、高絶縁性、高熱伝導率等の性質を兼ね備えている
必要がある。これらの性質を満足する最良な物質として
ダイヤモンドが挙げられる。しかしながら、ダイヤモン
ド膜を潤滑保護膜とする場合、ダイヤモンド膜が最大面
粗さ数１００ｎｍ〜数μｍを有する多結晶膜であるため
に、定着時のフィルムとの接触摺動においてフィルムの
摩耗を生じてしまう。従って、本発明はダイヤモンドの
性質を保有しながら、滑らかな表面形状を有する薄膜を
潤滑保護膜とするものである。

【０００９】本発明に係る炭素膜は、ダイヤモンド結晶
とグラファイト結晶及びアモルファス状カーボンの混合
物からなる。図３は本発明の炭素膜のラマンスペクトル
である。１５５０ｃｍ^-1付近に二重結合炭素によるラマ
ン線が、１３６０ｃｍ^-1付近にランダムなグラファイト
微結晶に起因するラマン線が、１１５０ｃｍ^-1付近にポ
リエン構造に起因するラマン線が特徴的に認められる。
また、１３３３ｃｍ^-1付近に、わずかにダイヤモンドに
よるラマン線が認められる。更に、図４に示すＸ線回折
によれば、２θ＝４４°にダイヤモンド微結晶による回
折線が認められる。この膜の表面粗さは、アモルファス
状カーボンを含むため、多結晶のダイヤモンド膜に比べ
格段に良好で、最大面粗さ５０ｎｍ以下である。膜の密
度は、グラファイトの密度（２．２６ｇ／ｃｍ³ ）より
も大きくダイヤモンドの密度（３．５１ｇ／ｃｍ³ ）よ
りも小さい範囲にあり、膜中水素濃度は最大でも１０ａ
ｔ％である。また、この炭素膜は、膜硬度２０００〜１
００００ｋｇ／ｍｍ² 、摩擦係数μ＜０．２、電気抵抗
（体積抵抗率）１０⁵ 〜１０¹¹Ωｃｍ等に代表される物
理的性質を有するものである。膜中のグラファイト結晶
及びアモルファス状カーボン成分が増えるに従い、膜硬
度、電気抵抗、熱伝導率等が低下する。従って、膜中の
グラファイト結晶及びアモルファス状カーボン成分は可
能な限り少ない方が良く、特にグラファイト結晶成分は
含まない方が好適である。

【００１０】本発明で用いる炭素膜は、マイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法、直流プラズマＣＶＤ法、高周波プラズマ
ＣＶＤ法、有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ法、イオン
ビーム・スパッタ法、イオンビーム蒸着法、反応性プラ
ズマ・スパッタ法、レーザープラズマＣＶＤ法、熱フィ
ラメントＣＶＤ法、プラズマジェット法（ＤＣ，Ｒ
Ｆ）、燃焼炎法等により形成される。このとき用いる原
料ガスは、含炭素ガスであるメタン、エタン、プロパ
ン、エチレン、ベンゼン、アセチレン等の炭化水素；塩
化メチレン、四塩化炭素、クロロホルム、トリクロルエ
タン等のハロゲン化炭化水素；メチルアルコール、エチ
ルアルコール等のアルコール類；（ＣＨ₃ ）₂ＣＯ，
（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₂ ＣＯ等のケトン類；ＣＯ，ＣＯ₂ 等のガ
ス、及びこれらのガスにＮ₂ ，Ｈ₂ ，Ｏ₂ ，Ｈ₂ Ｏ，Ａ
ｒ等のガスを混合したのが挙げられる。固体炭素源とし
ては、高純度のグラファイトやガラス状炭素等を用いる
ことができる。

【００１１】本発明において、上述のプラズマＣＶＤ法
あるいは熱ＣＶＤ法による薄膜形成に際して、含炭素ガ
スと水素ガスを用いる場合、含炭素ガスの濃度が２ｖｏ
ｌ％以上であることが必要である。２ｖｏｌ％未満では
ダイヤモンド結晶の自形が現れ、表面粗さが低下し、密
着性も低下するためである。上限としては７０ｖｏｌ％
程度まで可能であるが、上述したように膜中のグラファ
イト結晶成分及びアモルファス状カーボン成分をできる
だけ少なくするためには、１０ｖｏｌ％程度までが好適
な範囲である。

【００１２】ヒーターの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体
上に形成する本発明の炭素膜の膜厚は、数ｎｍ〜数μｍ
の範囲であれば良く、特に数１００ｎｍ〜数μｍが好適
である。これは、膜厚が数ｎｍより薄いときには、十分
な潤滑性能や絶縁性能が得られず、数１０μｍよりも厚
い時には膜応力により膜が基板から剥離し易く、長時間
の成膜を必要とするからである。なお、発熱抵抗体上に
直接形成する場合には、十分な絶縁性が確保できるよう
（所望の電気抵抗となるよう）、グラファイト結晶、ア
モルファス状カーボンの含有量が最小となる成膜条件を
設定する必要がある。

【００１３】本発明の炭素膜を形成する方法について、
有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ法を例にとって説明す
る。成膜条件を挙げると以下の通りである。

【００１４】原料ガス流量：５０〜５００ｃｃｍ（好ま
しくは１００〜２００ｃｃｍ）メタン濃度：｛ＣＨ₄ ／（ＣＨ₄ ＋Ｈ₂ ）｝＝２〜４０
ｖｏｌ％（好ましくは２〜１０ｖｏｌ％）原料ガス圧：１０^-2〜６００Ｔｏｒｒ（好ましくは１〜
２００Ｔｏｒｒ）マイクロ波電力：５００Ｗ〜５ｋＷ（好ましくは１〜５
ｋＷ）基板温度：１００〜９００℃（好ましくは１００〜５０
０℃）外部磁場：１０００〜３５００Ｇａｕｓｓ（マイクロ波
導入窓位置）上述の条件で、本発明の炭素膜を形成するための有磁場
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の模式図を図５に示す。
図中２０は空洞共振器タイプのプラズマ室、２１はガス
導入系、２２はマイクロ波導入窓、２３はマイクロ波導
波管、２４は電磁石２５はマイクロ波発振器、２６は基
板、２７は真空槽、２８は排気系である。ヒーターの発
熱抵抗体上に絶縁保護膜を形成した基板を、粒径１〜１
０μｍのダイヤモンド砥粒を分散させたアルコール溶液
中で超音波を印加することにより傷つけ処理を行う（核
発生密度１０⁹ 〜１０¹⁰ケ／ｃｍ² ）。この基板を装置
に設置し真空槽を排気した後、ガス導入系より原料ガス
を反応室内に供給しながら所望のガス圧とする。マイク
ロ波発振器から導波管を通じてマイクロ波を反応室に導
入する。空洞共振器の外部の電磁石によって磁場を印加
し、反応室内にプラズマを形成することにより、基板上
に本発明の炭素膜を形成することができる。

【００１５】なお、本発明の潤滑保護膜は、ヒーターの
絶縁保護膜や発熱抵抗体上に形成するだけでなく、ヒー
ターと接触するフィルムやヒーターホルダー部に形成す
ることにより、ヒーター、フィルム間の接触摺動特性を
より向上させることができる。

【００１６】本発明は、フィルムと接触摺動するヒータ
ーの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体上に、気相合成法に
よりダイヤモンド結晶とグラファイト結晶及びアモルフ
ァス状カーボンの混合物からなる炭素膜を潤滑保護層と
して形成することにより、ヒーターとフィルム間の耐摩
耗性と摺動性を改善し、長寿命のヒーターを実現するも
のである。

【００１７】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の具体的実
施例を説明する。

【００１８】〈実施例１〉図６は、本発明の実施例のヒ
ーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。
ヒーター１は、断熱性のヒーターホルダー８を介してヒ
ーター支持部９に固定支持されている。１０は、例えば
厚さ４０μｍ程度のポリイミド等のエンドレスベルト
状、あるいは長尺ウェブ状の耐熱性フィルム、１１はこ
のフィルムをヒーター１に対して押圧する加圧部材とし
ての回転加圧ローラーである。フィルム１０は、不図示
の駆動部材により或は加圧ローラー１１の回転力によ
り、所定の速度で矢印の方向にヒーターホルダー８のエ
ッジ部に接触しながら、ヒーター１面に密着した状態で
ヒーター１面を摺動しながら回転或は走行移動する。ヒ
ーター１の通電発熱抵抗体３に対する通電によりヒータ
ー１を所定温度に昇温させ、またフィルム１０を移動駆
動させた状態である定着ニップ部１５に被加熱材として
記録材１６を未定着トナー画像面をフィルム１０面側に
して導入することで、記録材１６がフィルム１０面に密
着してフィルム１０と共に定着ニップ部１５を移動通過
し、その移動通過過程でヒーター１からフィルム１０を
介して記録材１６に熱エネルギーが付与されて記録材１
６上の未定着トナー画像１７が加熱溶融定着される。

【００１９】図７は、第１実施例を示すヒーター部の断
面模式図である。図中１はヒーター、２はセラミックス
基板、３はＡｇ／Ｐｄからなる発熱抵抗体、４，５はＣ
ｕからなる電極端子部、６はガラス質の絶縁保護層、１
８はダイヤモンド結晶、グラファイト結晶及びアモルフ
ァス状カーボンの混合物からなる炭素膜、８はヒーター
ホルダー、１２は電極タブ、１３はＡｕＳｉからなるロ
ウ材、１４はワイヤーである。

【００２０】本実施例におけるヒーターは、まずＡｌ₂
Ｏ₃ 基板上にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体
３となるようにスクリーン印刷により塗工し、大気焼成
した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるようト
リミングした。次に、Ｃｕペーストをスクリーン印刷に
より塗工し、電極端子部４，５を酸素分圧に注意しなが
ら焼成、形成した（図７の（ａ））。この後、絶縁性保
護膜としてケイ酸鉛系の低軟化点ガラスをスクリーン印
刷により塗工し、大気焼成して形成した（図７の
（ｂ））。この後、ダイヤモンド結晶、グラファイト結
晶及びアモルファス状カーボンの混合物からなる炭素膜
１８を有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ法により１μｍ
形成した（図７の（ｃ））。図５は、炭素膜を形成する
ために用いた有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の模
式図である。図中２０は空洞共振器タイプのプラズマ
室、２１はガス導入系、２２はマイクロ波導入窓、２３
はマイクロ波導波管、２４は電磁石、２５はマイクロ波
発振器、２６は基板、２７は真空槽、２８は排気系であ
る。絶縁保護膜を形成した基板を、粒径１〜１０μｍの
ダイヤモンド砥粒を分散させたアルコール溶液中で超音
波を印加することにより傷つけ処理を行った（核発生密
度１０⁹ 〜１０¹⁰ケ／ｃｍ² ）。この基板を装置に設置
し、真空槽を１×１０^-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス
導入系よりＣＨ₄ とＨ₂ ガスを全ガス流量で１００ｃｃ
ｍ、｛ＣＨ₄ ／（Ｈ₂ ＋ＣＨ₄ ）｝：２ｖｏｌ％になる
よう調節して導入し、真空槽の全圧（ガス圧）を４０Ｔ
ｏｒｒとした後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を２．０
ｋＷ投入してプラズマ室内にプラズマを生成した。この
とき、電磁石により導入窓で２０００Ｇａｕｓｓ、空洞
共振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条件となるよう
外部磁場を形成した。更に、不図示のＲＦ電源により基
板に１ｋＷの電力を供給して、図７中１８の炭素膜を形
成した。この時、基板は空洞共振器の出口付近に配置
し、基板は５００℃に加熱した。同一条件で作製した膜
の表面粗さを評価したところ、最大面粗さ５０ｎｍであ
った。また、この膜の硬度を薄膜硬度計で測定した結
果、ビッカース硬度換算で８０００ｋｇ／ｍｍ² であっ
た。ピン・オン・ディスク法により、相対湿度４５％の
空気中で、ピンとして軸受け鋼（ＳＵＪ２）の球（直径
５ｍｍ）を用い加重２Ｎ、摺動速度０．０４ｍ／ｓで摩
擦特性を評価した結果、摩擦係数は０．０６であった。
更に、ラマン分光分析法、Ｘ線回折法で分析した結果、
図３，図４と同様なスペクトル並びに回折図が得られ
た。ＨＦＳ（ＨｙｄｒｏｇｅｎＦｏｒｗａｒｄｓｃａ
ｔｔｅｒｉｎｇＳｐｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）法により膜
中の水素濃度を分析したところ、水素濃度は４ａｔ％以
下であった。

【００２１】次に、ＡｕＳｉからなるロウ材１３を用い
て銅合金からなる電極タブ１２と、セラミックス基板２
とをロウ付けした（図７の（ｃ））。引き続き、電極タ
ブ１２にワイヤー１４を圧接しヒーター１をヒーターホ
ルダー８に接着した（図７の（ｄ），（ｅ））。なお、
ヒーター１の製作時に電極端子部４，５の表面にＡｕを
フラッシュメッキすることにより、ロウ付け時のロウ材
の濡れ性を向上させ、安定した接続信頼性を得ることが
できた。電極タブ材料としては、銅合金のほかにコバー
ル、４２アロイ、リン青銅等の金属が使用できる。ロウ
材は、融点２５０℃以上のものが好ましく、ＡｕＳｉの
ほかにＡｕＧｅ，ＡｕＳｕ等を用いることができる。ま
た、Ｃｕ電極端子部の表面にロウ付けまでの表面酸化防
止や汚染を防ぐ目的から、Ａｕ，Ｎｉ，Ａｕ／Ｎｉをフ
ラッシュメッキ等で形成することにより、より安定した
ロウ付けが実現できた。この時、Ｎｉ層を形成する目的
は、ロウ材中にＣｕが過度に拡散することを防ぐためで
ある。

【００２２】以上のようにして得られた加熱定着装置
は、ヒーターとフィルム間の摩擦、摺動に対してもフィ
ルムの摩耗粉の発生がなく、安定した摺動性能を長期間
保持することができた。

【００２３】〈実施例２〉実施例１と同様のＡｌ₂ Ｏ₃
基板に発熱抵抗体層を形成する溝を機械的に加工した。
溝の形状は、３５０ｍｍ×２ｍｍ×１２μｍとした。こ
の溝にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体３とな
るようにスクリーン印刷により１１μｍ塗工し、大気焼
成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるよう
トリミングした。次に、不図示のスパッタリング装置に
基板を設置し、抵抗体層上にＷを１μｍ形成した。Ｗ
は、Ａｇ／ＰｄとＣの相互拡散を防止する目的で形成し
た。引き続き、実施例１と同様にして炭素膜をＷ上に２
μｍ形成した。図８は、本発明の実施例のヒーターを用
いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。この膜の表
面粗さ、硬度、摩擦係数を実施例１と同様に評価した結
果、実施例１と同様の値が得られた。また、ラマン分光
分析、Ｘ線回折の結果も実施例１と同様の結果であっ
た。

【００２４】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例１と同様に記録材の熱
定着を行った結果、実施例１と同様の安定した定着と耐
久性が得られた。

【００２５】〈実施例３〉実施例１と同様にして、絶縁
保護層上に炭素膜を潤滑保護膜として形成した。全ガス
流量を１５０ｃｃｍでガス圧５０Ｔｏｒｒ、メタンガス
濃度（｛ＣＨ₄ ／（Ｈ₂ ＋ＣＨ₄ ）｝）：１０ｖｏｌ％
とした以外、実施例１と同一方法、同一条件で炭素膜を
６００ｎｍ形成した。この膜の表面粗さは、最大面粗さ
１０ｎｍ、硬度は６０００ｋｇ／ｍｍ² 、摩擦係数μ＝
０．０５であった。ラマン分光分析では、１５５０ｃｍ
^-1付近並びに１３６０ｃｍ^-1付近のラマン線がよりブロ
ードになり、１３３３ｃｍ^-1のダイヤモンドのラマン線
の強度は低下した。また、膜中水素濃度は８ａｔ％と増
加した。

【００２６】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例１と同様に記録材の熱
定着を行った結果、実施例１と同様の安定した定着と耐
久性が得られた。

【００２７】〈比較例１〉メタンガス濃度を１ｖｏｌ％
とした以外は実施例１と同様にして、絶縁保護層上に炭
素膜を形成した。この膜は自形面が明瞭に現れた多結晶
ダイヤモンド膜で、最大面粗さは１μｍであった。

【００２８】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例１同様に記録材の熱定
着を行った結果、定着回数の増加にともない、フィルム
の摩耗が生じ、定着ムラが認められた。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、熱定着
による画像形成装置で使用される熱定着用ヒーターにお
いて、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護層あ
るいは発熱抵抗体層上に高硬度、低摩擦係数であるダイ
ヤモンド結晶、グラファイト結晶及びアモルファス状カ
ーボンの混合物からなる炭素膜を潤滑保護膜として形成
するもので、本発明の潤滑保護膜は、使用環境（特に湿
度）や使用時間（摺動距離）に因って摩擦係数が変化せ
ず、基板に対する密着性も良好である。

【００３０】本発明のヒーターによれば、ヒーターとフ
ィルム間で生じる接触摺動に対して、フィルムの摩耗を
生じることなく、安定した摺動特性を保持する極めて信
頼性、耐久性に優れたヒーターを提供することができ
る。この結果、定着スピードの高速化、定着サイズの大
型化が可能となり、ランニング・コストの低減も実現で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るヒーターの表面側平面図。

【図２】本発明に係るヒーターの背面側平面図。

【図３】本発明に係る炭素膜のラマン・スペクトル図。

【図４】本発明に係る炭素膜のＸ線回折図。

【図５】本発明の実施例で炭素膜の形成に用いた有磁場
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の模式図。

【図６】本発明の実施例におけるヒーターを用いた定着
装置の断面図。

【図７】本発明の実施例におけるヒーターの部分断面
図。

【図８】本発明の実施例におけるヒーターを用いた定着
装置の断面図。

【符号の説明】

１…ヒーター２…セラミックス
基板３…発熱抵抗体４…電極端子部５…電極端子部６…絶縁保護層７…温度測定素子８…ヒーターホル
ダー９…裏面断熱層１０…耐熱性フィ
ルム１１…加圧ローラー１２…電極タブ１３…ロウ材１４…ワイヤー１５…定着ニップ１６…記録材１７…未定着トナー１８…炭素膜２０…プラズマ室２１…ガス導入系２２…マイクロ波導入窓２３…マイクロ波
導波管２４…電磁石２５…マイクロ波
発振器２６…基板２７…真空槽２８…排気系

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上に設けられた通電により発
熱する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体と接触摺動するフィ
ルムを有し、画像形成装置で使用される加熱定着装置に
おいて、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護膜
あるいは発熱抵抗体上にダイヤモンド結晶、グラファイ
ト結晶及びアモルファス状カーボンの混合物からなる膜
を形成したことを特徴とする加熱定着装置。
【請求項２】絶縁性基板上に設けられた通電により発
熱する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体と接触摺動するフィ
ルムを有し、画像形成装置で使用される加熱定着装置に
おいて、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護膜
あるいは発熱抵抗体上にダイヤモンド結晶、グラファイ
ト結晶及びアモルファス状カーボンの混合物からなる膜
を形成することを特徴とする加熱定着装置の製造方法。